Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146949) > Сторінка 1762 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.26 грн
3+159.48 грн
10+111.27 грн
28+104.83 грн
250+103.92 грн
500+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 FQP14N30 ONSEMI fqp14n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 57.6A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FQP15P12 ONSEMI FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.31 грн
10+121.28 грн
12+95.64 грн
32+90.12 грн
250+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 ONSEMI fqp24n08-d.pdf FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI FQP27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.33 грн
10+150.89 грн
11+103.00 грн
29+97.48 грн
500+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 FQP2N40-F080 ONSEMI fqp2n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSEMI ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C ONSEMI FQP32N20C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.77 грн
3+196.72 грн
8+145.30 грн
21+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 ONSEMI fqp3n50c-d.pdf FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C FQP3N60C ONSEMI fqp3n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP3N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI FQP47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.82 грн
7+177.62 грн
18+161.85 грн
100+160.01 грн
250+155.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L ONSEMI FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP4N20L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.37 грн
10+102.08 грн
12+91.96 грн
33+87.36 грн
250+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 FQP50N06 ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40C ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40CF ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40CF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.10 грн
10+123.19 грн
26+112.19 грн
250+110.35 грн
500+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 ONSEMI fqp7p06-d.pdf FQP7P06 THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
17+66.21 грн
45+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C ONSEMI FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10 ONSEMI fqp8p10-d.pdf FQP8P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30 ONSEMI fqp9n30-d.pdf FQP9N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI FQP9N90C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.85 грн
6+217.73 грн
15+198.63 грн
500+194.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FQPF11N40C ONSEMI FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 ONSEMI fqpf11p06-d.pdf FQPF11P06 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI fqpf13n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+308.00 грн
7+170.94 грн
18+155.41 грн
100+149.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF15P12 FQPF15P12 ONSEMI fqp15p12-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI fqp16n25c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.69 грн
10+112.69 грн
15+74.49 грн
40+70.81 грн
500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30 ONSEMI fqpf22n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 FQPF27N25 ONSEMI fqpf27n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 FQPF27P06 ONSEMI FQPF27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70 ONSEMI FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF2N70 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 FQPF2N80 ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU ONSEMI fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C FQPF32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 FQPF45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI FQPF47P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+194.96 грн
16+183.92 грн
250+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 FQPF5N40 ONSEMI fqpf5n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 FQPF5N90 ONSEMI fqpf5n90-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT FQPF6N80CT ONSEMI fqpf6n80c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80T FQPF6N80T ONSEMI fqpf6n80t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 FQPF7P20 ONSEMI fqpf7p20-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Drain current: -3.3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06 ONSEMI fqpf85n06-d.pdf FQPF85N06 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.42 грн
7+160.01 грн
19+151.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 59W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25C ONSEMI fqpf9n25c-d.pdf FQPF9N25C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
3+159.48 грн
10+111.27 грн
28+104.83 грн
250+103.92 грн
500+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 fqp14n30-d.pdf
FQP14N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 57.6A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf
FQP15P12
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
FQP16N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06.pdf
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.31 грн
10+121.28 грн
12+95.64 грн
32+90.12 грн
250+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 fqp24n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06.pdf
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.33 грн
10+150.89 грн
11+103.00 грн
29+97.48 грн
500+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 fqp2n40-d.pdf
FQP2N40-F080
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C.pdf
FQP32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.77 грн
3+196.72 грн
8+145.30 грн
21+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 fqp3n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C fqp3n60c-d.pdf
FQP3N60C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP3N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06.pdf
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.82 грн
7+177.62 грн
18+161.85 грн
100+160.01 грн
250+155.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP4N20L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+102.08 грн
12+91.96 грн
33+87.36 грн
250+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP55N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40C FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP6N40C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40CF FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP6N40CF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.10 грн
10+123.19 грн
26+112.19 грн
250+110.35 грн
500+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 fqp7p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP7P06 THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
17+66.21 грн
45+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP8N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10 fqp8p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP8P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30 fqp9n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP9N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C.pdf
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.85 грн
6+217.73 грн
15+198.63 грн
500+194.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 fqpf11p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQPF11P06 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L fqpf13n06l-d.pdf
FQPF13N06L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+308.00 грн
7+170.94 грн
18+155.41 грн
100+149.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF15P12 fqp15p12-d.pdf
FQPF15P12
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C fqp16n25c-d.pdf
FQPF16N25C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF19N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF19N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.69 грн
10+112.69 грн
15+74.49 грн
40+70.81 грн
500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
FQPF22N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 fqpf27n25-d.pdf
FQPF27N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 FQPF27P06.pdf
FQPF27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70 FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQPF2N70 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
FQPF2N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF2N80YDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C fqpf32n20c-d.pdf
FQPF32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQPF45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 180A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06.pdf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+194.96 грн
16+183.92 грн
250+177.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 fqpf5n40-d.pdf
FQPF5N40
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF5N50CYDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N90 fqpf5n90-d.pdf
FQPF5N90
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80CT fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF6N80T fqpf6n80t-d.pdf
FQPF6N80T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7P20 fqpf7p20-d.pdf
FQPF7P20
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Drain current: -3.3A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF85N06 fqpf85n06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQPF85N06 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.42 грн
7+160.01 грн
19+151.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 59W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N25C fqpf9n25c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQPF9N25C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF9N90CT FQPF9N90C-D.PDF
FQPF9N90CT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]