Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140746) > Сторінка 1762 з 2346

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FAN4174IS5X ONSEMI FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+45.15 грн
62+19.27 грн
171+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf FAN5622SX LED drivers
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+102.02 грн
36+33.54 грн
98+31.74 грн
3000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.38 грн
10+107.81 грн
25+85.85 грн
100+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf FAN7382MX MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+209.62 грн
15+80.86 грн
41+75.86 грн
500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 838 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+104.28 грн
5+89.15 грн
25+76.86 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7383MX FAN7383MX ONSEMI fan7383-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+184.90 грн
10+111.95 грн
25+89.84 грн
100+70.87 грн
250+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI fca47n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1125.52 грн
10+930.87 грн
30+780.60 грн
120+736.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.85 грн
10+384.58 грн
25+362.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+461.18 грн
3+410.50 грн
10+339.39 грн
25+293.48 грн
50+263.53 грн
100+239.57 грн
500+235.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+306.38 грн
10+209.39 грн
25+179.68 грн
100+168.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+173.08 грн
10+112.99 грн
100+74.87 грн
250+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.60 грн
5+119.21 грн
10+103.81 грн
25+88.84 грн
100+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.52 грн
14+87.84 грн
38+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+422.48 грн
3+383.54 грн
30+364.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+908.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+992.22 грн
10+846.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+279.50 грн
3+246.71 грн
10+201.64 грн
50+164.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+373.02 грн
3+336.90 грн
10+294.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+189.20 грн
10+148.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+342.92 грн
10+218.72 грн
50+185.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+467.62 грн
3+413.61 грн
10+332.41 грн
50+274.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+288.10 грн
11+116.79 грн
29+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+385.92 грн
10+307.87 грн
30+252.55 грн
120+243.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf FDA24N40F THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+290.25 грн
5+259.54 грн
13+245.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+367.65 грн
25+296.47 грн
30+279.50 грн
120+235.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+399.90 грн
10+307.87 грн
30+256.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf FDA38N30 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+432.15 грн
5+241.57 грн
14+228.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+407.42 грн
5+341.04 грн
10+284.49 грн
30+218.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+370.88 грн
5+292.48 грн
12+276.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+474.08 грн
4+364.35 грн
9+344.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 ONSEMI fdb035an06a0-d.pdf FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+464.40 грн
4+363.35 грн
9+343.39 грн
50+343.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 758 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.60 грн
5+127.50 грн
10+120.78 грн
28+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+326.80 грн
10+237.38 грн
25+205.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 602 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+288.10 грн
10+221.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+176.30 грн
11+118.79 грн
28+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+440.75 грн
5+283.49 грн
12+268.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+158.02 грн
11+115.79 грн
29+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 542 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+233.28 грн
10+123.78 грн
27+117.79 грн
500+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
на замовлення 335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+256.92 грн
10+122.78 грн
27+116.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+208.36 грн
10+161.71 грн
20+145.74 грн
100+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+216.08 грн
9+140.75 грн
24+132.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+333.25 грн
7+186.67 грн
18+176.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+72.02 грн
10+49.14 грн
100+32.84 грн
500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.28 грн
10+44.26 грн
100+28.25 грн
250+24.06 грн
500+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf FDC3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.73 грн
47+25.85 грн
127+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+70.74 грн
59+20.16 грн
162+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf FDC602P SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.49 грн
46+26.15 грн
126+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+63.32 грн
56+21.46 грн
153+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P ONSEMI fdc606p-d.pdf FDC606P SMD P channel transistors
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.58 грн
28+42.82 грн
77+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.80 грн
56+21.46 грн
153+20.26 грн
3000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ ONSEMI fdc610pz-d.pdf FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 362 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.22 грн
57+21.06 грн
155+19.96 грн
9000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+40.85 грн
11+29.65 грн
50+21.16 грн
100+18.37 грн
500+12.78 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf FDC6303N Multi channel transistors
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+63.32 грн
71+16.77 грн
195+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N ONSEMI fdc6305n-d.pdf FDC6305N Multi channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.11 грн
49+24.46 грн
134+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P ONSEMI fdc6312p-d.pdf FDC6312P Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.25 грн
39+30.65 грн
107+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSEMI fdc6318p-d.pdf FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.10 грн
30+39.73 грн
83+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C ONSEMI fdc6321c-d.pdf FDC6321C Multi channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.26 грн
47+25.75 грн
128+24.36 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L ONSEMI fdc6324l-d.pdf FDC6324L Power switches - integrated circuits
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.11 грн
44+27.05 грн
121+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf FDC6327C Multi channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.25 грн
59+20.26 грн
162+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+93.52 грн
10+55.87 грн
25+44.62 грн
50+38.93 грн
100+34.24 грн
250+29.15 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAIRS34146-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.15 грн
62+19.27 грн
171+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX fan5626-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FAN5622SX LED drivers
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.02 грн
36+33.54 грн
98+31.74 грн
3000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -180...90mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.38 грн
10+107.81 грн
25+85.85 грн
100+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX fan7382-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FAN7382MX MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.62 грн
15+80.86 грн
41+75.86 грн
500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP8
Output current: -650...350mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 838 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.28 грн
5+89.15 грн
25+76.86 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7383MX fan7383-d.pdf
FAN7383MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.90 грн
10+111.95 грн
25+89.84 грн
100+70.87 грн
250+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1125.52 грн
10+930.87 грн
30+780.60 грн
120+736.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.85 грн
10+384.58 грн
25+362.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.18 грн
3+410.50 грн
10+339.39 грн
25+293.48 грн
50+263.53 грн
100+239.57 грн
500+235.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.38 грн
10+209.39 грн
25+179.68 грн
100+168.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.08 грн
10+112.99 грн
100+74.87 грн
250+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.60 грн
5+119.21 грн
10+103.81 грн
25+88.84 грн
100+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.52 грн
14+87.84 грн
38+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.48 грн
3+383.54 грн
30+364.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+908.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+992.22 грн
10+846.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.50 грн
3+246.71 грн
10+201.64 грн
50+164.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.02 грн
3+336.90 грн
10+294.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.20 грн
10+148.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.92 грн
10+218.72 грн
50+185.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.62 грн
3+413.61 грн
10+332.41 грн
50+274.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.10 грн
11+116.79 грн
29+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
FDA032N08
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37.5W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 120A
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
Technology: PowerTrench®
Pulsed drain current: 940A
Power dissipation: 37.5W
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.92 грн
10+307.87 грн
30+252.55 грн
120+243.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA24N40F THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.25 грн
5+259.54 грн
13+245.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.65 грн
25+296.47 грн
30+279.50 грн
120+235.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.90 грн
10+307.87 грн
30+256.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA38N30 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.15 грн
5+241.57 грн
14+228.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.42 грн
5+341.04 грн
10+284.49 грн
30+218.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.88 грн
5+292.48 грн
12+276.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.08 грн
4+364.35 грн
9+344.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.40 грн
4+363.35 грн
9+343.39 грн
50+343.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 758 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.60 грн
5+127.50 грн
10+120.78 грн
28+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.80 грн
10+237.38 грн
25+205.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDX2532-DTE.pdf
FDB2532
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 602 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.10 грн
10+221.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.30 грн
11+118.79 грн
28+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.75 грн
5+283.49 грн
12+268.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.02 грн
11+115.79 грн
29+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 542 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.28 грн
10+123.78 грн
27+117.79 грн
500+117.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
на замовлення 335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.92 грн
10+122.78 грн
27+116.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.36 грн
10+161.71 грн
20+145.74 грн
100+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.08 грн
9+140.75 грн
24+132.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.25 грн
7+186.67 грн
18+176.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.02 грн
10+49.14 грн
100+32.84 грн
500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+44.26 грн
100+28.25 грн
250+24.06 грн
500+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.73 грн
47+25.85 грн
127+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.74 грн
59+20.16 грн
162+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.49 грн
46+26.15 грн
126+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.32 грн
56+21.46 грн
153+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC606P SMD P channel transistors
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.58 грн
28+42.82 грн
77+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.80 грн
56+21.46 грн
153+20.26 грн
3000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 362 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.22 грн
57+21.06 грн
155+19.96 грн
9000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N.pdf
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.85 грн
11+29.65 грн
50+21.16 грн
100+18.37 грн
500+12.78 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6303N Multi channel transistors
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.32 грн
71+16.77 грн
195+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6305N Multi channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.11 грн
49+24.46 грн
134+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6312P Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.25 грн
39+30.65 грн
107+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.10 грн
30+39.73 грн
83+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6321C Multi channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.26 грн
47+25.75 грн
128+24.36 грн
1000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L fdc6324l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6324L Power switches - integrated circuits
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.11 грн
44+27.05 грн
121+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6327C Multi channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.25 грн
59+20.26 грн
162+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.52 грн
10+55.87 грн
25+44.62 грн
50+38.93 грн
100+34.24 грн
250+29.15 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1872 2106 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]