| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDLL4448 | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD80 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.4A Max. forward impulse current: 1A Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMA1032CZ | ONSEMI |
FDMA1032CZ Multi channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMA530PZ | ONSEMI |
FDMA530PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMA6023PZT | ONSEMI |
FDMA6023PZT Multi channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMC2523P | ONSEMI |
FDMC2523P SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMC4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Power dissipation: 31W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2453 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMC7660 | ONSEMI |
FDMC7660 SMD N channel transistors |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMC7692 | ONSEMI |
FDMC7692 SMD N channel transistors |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMC86139P | ONSEMI |
FDMC86139P SMD P channel transistors |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS3660S | ONSEMI |
FDMS3660S Multi channel transistors |
на замовлення 2586 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS3664S | ONSEMI |
FDMS3664S Multi channel transistors |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 39W Case: Power56 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2347 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS8333L | ONSEMI |
FDMS8333L SMD N channel transistors |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS86163P | ONSEMI |
FDMS86163P SMD P channel transistors |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS86252L | ONSEMI |
FDMS86252L SMD N channel transistors |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS86520L | ONSEMI |
FDMS86520L SMD N channel transistors |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN028N20 | ONSEMI |
FDN028N20 SMD N channel transistors |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI |
FDN302P SMD P channel transistors |
на замовлення 1814 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI |
FDN304P SMD P channel transistors |
на замовлення 6566 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304PZ | ONSEMI |
FDN304PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDN306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Case: SuperSOT-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.6A Gate charge: 17nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3674 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDN327N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN335N | ONSEMI |
FDN335N SMD N channel transistors |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN336P | ONSEMI |
FDN336P SMD P channel transistors |
на замовлення 479 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN337N | ONSEMI |
FDN337N SMD N channel transistors |
на замовлення 6369 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN338P | ONSEMI |
FDN338P SMD P channel transistors |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN339AN | ONSEMI |
FDN339AN SMD N channel transistors |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN340P | ONSEMI |
FDN340P SMD P channel transistors |
на замовлення 5926 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN352AP | ONSEMI |
FDN352AP SMD P channel transistors |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDN357N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Gate charge: 5.9nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W Technology: PowerTrench® Drain current: 1.9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN358P | ONSEMI |
FDN358P SMD P channel transistors |
на замовлення 383 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN359AN | ONSEMI |
FDN359AN SMD N channel transistors |
на замовлення 355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN360P | ONSEMI |
FDN360P SMD P channel transistors |
на замовлення 7343 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN537N | ONSEMI |
FDN537N SMD N channel transistors |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN5630 | ONSEMI |
FDN5630 SMD N channel transistors |
на замовлення 3176 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN5632N-F085 | ONSEMI |
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ONSEMI |
FDP038AN06A0 THT N channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP047AN08A0 | ONSEMI |
FDP047AN08A0 THT N channel transistors |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI |
FDP060AN08A0 THT N channel transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI |
FDP070AN06A0 THT N channel transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 169 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP20N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP22N50N | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP2532 | ONSEMI |
FDP2532 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP2614 | ONSEMI |
FDP2614 THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI |
FDP33N25 THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP3632 | ONSEMI |
FDP3632 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP42AN15A0 | ONSEMI |
FDP42AN15A0 THT N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP51N25 | ONSEMI |
FDP51N25 THT N channel transistors |
на замовлення 128 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP52N20 | ONSEMI |
FDP52N20 THT N channel transistors |
на замовлення 162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP61N20 | ONSEMI |
FDP61N20 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDPC5030SG | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 17/39nC On-state resistance: 5/2.4mΩ Gate-source voltage: ±20/±12V Power dissipation: 23/25W Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/84A Semiconductor structure: asymmetric Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PQFN8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDPF12N50T | ONSEMI |
FDPF12N50T THT N channel transistors |
на замовлення 178 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF20N50FT | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| FDLL4448 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 4ns; SOD80; Ufmax: 1V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD80
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.4A
Max. forward impulse current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.60 грн |
| 58+ | 5.39 грн |
| 64+ | 4.69 грн |
| 90+ | 3.36 грн |
| 100+ | 3.21 грн |
| 250+ | 2.77 грн |
| 500+ | 2.46 грн |
| FDMA1032CZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMA1032CZ Multi channel transistors
FDMA1032CZ Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.02 грн |
| 49+ | 24.46 грн |
| 134+ | 23.16 грн |
| FDMA530PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMA530PZ SMD P channel transistors
FDMA530PZ SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.02 грн |
| 28+ | 43.52 грн |
| 76+ | 41.13 грн |
| FDMA6023PZT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMA6023PZT Multi channel transistors
FDMA6023PZT Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.98 грн |
| 31+ | 38.43 грн |
| 85+ | 36.34 грн |
| FDMC2523P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC2523P SMD P channel transistors
FDMC2523P SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.78 грн |
| 16+ | 77.86 грн |
| 43+ | 73.87 грн |
| FDMC4435BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.12 грн |
| 5+ | 82.51 грн |
| 10+ | 70.97 грн |
| 25+ | 60.29 грн |
| 100+ | 47.32 грн |
| 500+ | 46.32 грн |
| FDMC7660 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC7660 SMD N channel transistors
FDMC7660 SMD N channel transistors
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.60 грн |
| 14+ | 86.84 грн |
| 38+ | 81.85 грн |
| FDMC7692 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC7692 SMD N channel transistors
FDMC7692 SMD N channel transistors
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.27 грн |
| 25+ | 49.31 грн |
| 67+ | 46.62 грн |
| 200+ | 46.54 грн |
| FDMC86139P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMC86139P SMD P channel transistors
FDMC86139P SMD P channel transistors
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.58 грн |
| 15+ | 82.85 грн |
| 40+ | 77.86 грн |
| FDMS3660S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3660S Multi channel transistors
FDMS3660S Multi channel transistors
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.65 грн |
| 11+ | 111.80 грн |
| 30+ | 105.81 грн |
| 3000+ | 105.73 грн |
| FDMS3664S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS3664S Multi channel transistors
FDMS3664S Multi channel transistors
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.78 грн |
| 18+ | 68.88 грн |
| 48+ | 64.88 грн |
| FDMS4435BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -50A; 39W; Power56
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 39W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.68 грн |
| 10+ | 69.45 грн |
| 100+ | 61.89 грн |
| FDMS8333L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS8333L SMD N channel transistors
FDMS8333L SMD N channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.32 грн |
| 26+ | 46.92 грн |
| 70+ | 44.92 грн |
| FDMS86163P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86163P SMD P channel transistors
FDMS86163P SMD P channel transistors
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.22 грн |
| 8+ | 150.73 грн |
| 22+ | 142.74 грн |
| FDMS86252L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86252L SMD N channel transistors
FDMS86252L SMD N channel transistors
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.32 грн |
| 11+ | 108.81 грн |
| 30+ | 102.82 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86520L SMD N channel transistors
FDMS86520L SMD N channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 205.32 грн |
| 12+ | 105.81 грн |
| 31+ | 99.82 грн |
| FDN028N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.73 грн |
| 62+ | 19.27 грн |
| 170+ | 18.27 грн |
| 3000+ | 18.24 грн |
| FDN302P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.12 грн |
| 79+ | 15.07 грн |
| 218+ | 14.17 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.66 грн |
| 105+ | 11.38 грн |
| 289+ | 10.68 грн |
| FDN304PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.63 грн |
| 50+ | 23.76 грн |
| 138+ | 22.46 грн |
| FDN306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 15+ | 21.46 грн |
| 50+ | 15.47 грн |
| 100+ | 13.58 грн |
| 250+ | 11.38 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 10.08 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.62 грн |
| 12+ | 26.95 грн |
| 14+ | 22.06 грн |
| 50+ | 15.17 грн |
| 100+ | 13.28 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 9.78 грн |
| FDN335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.10 грн |
| 73+ | 16.37 грн |
| 200+ | 15.47 грн |
| FDN336P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.84 грн |
| 72+ | 16.57 грн |
| 198+ | 15.67 грн |
| 1500+ | 15.65 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN337N SMD N channel transistors
FDN337N SMD N channel transistors
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.08 грн |
| 180+ | 6.59 грн |
| 495+ | 6.29 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.74 грн |
| 81+ | 14.67 грн |
| 223+ | 13.88 грн |
| FDN339AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.17 грн |
| 60+ | 19.86 грн |
| 165+ | 18.77 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN340P SMD P channel transistors
FDN340P SMD P channel transistors
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.98 грн |
| 129+ | 9.18 грн |
| 355+ | 8.68 грн |
| FDN352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN352AP SMD P channel transistors
FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.17 грн |
| 85+ | 13.98 грн |
| 233+ | 13.28 грн |
| FDN357N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 12+ | 26.54 грн |
| 13+ | 23.26 грн |
| 50+ | 20.76 грн |
| 100+ | 19.76 грн |
| 250+ | 17.87 грн |
| 500+ | 16.97 грн |
| FDN358P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.19 грн |
| 68+ | 17.57 грн |
| 186+ | 16.57 грн |
| FDN359AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN359AN SMD N channel transistors
FDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.43 грн |
| 71+ | 16.87 грн |
| 194+ | 15.97 грн |
| FDN360P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.02 грн |
| 113+ | 10.58 грн |
| 309+ | 9.98 грн |
| FDN537N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.86 грн |
| 40+ | 29.85 грн |
| 110+ | 28.25 грн |
| 1000+ | 28.20 грн |
| FDN5630 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.60 грн |
| 85+ | 13.98 грн |
| 233+ | 13.28 грн |
| FDN5632N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.60 грн |
| 41+ | 29.15 грн |
| 113+ | 27.55 грн |
| 1000+ | 27.47 грн |
| FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.20 грн |
| 6+ | 232.58 грн |
| 15+ | 220.61 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
FDP047AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.75 грн |
| 6+ | 199.64 грн |
| 17+ | 188.66 грн |
| FDP060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.75 грн |
| 7+ | 173.69 грн |
| 19+ | 163.71 грн |
| FDP070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.38 грн |
| 10+ | 128.77 грн |
| 26+ | 121.78 грн |
| FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
FDP075N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.60 грн |
| 6+ | 214.62 грн |
| 16+ | 202.64 грн |
| FDP083N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 484.82 грн |
| 4+ | 302.46 грн |
| 11+ | 285.49 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.00 грн |
| 3+ | 207.32 грн |
| 10+ | 165.70 грн |
| FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.10 грн |
| 10+ | 225.98 грн |
| 50+ | 182.67 грн |
| FDP22N50N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.62 грн |
| 10+ | 285.07 грн |
| 50+ | 203.64 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2532 THT N channel transistors
FDP2532 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.65 грн |
| 6+ | 223.60 грн |
| 15+ | 211.62 грн |
| FDP2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.08 грн |
| 4+ | 305.45 грн |
| 11+ | 288.48 грн |
| FDP33N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.12 грн |
| 11+ | 115.79 грн |
| 29+ | 109.80 грн |
| FDP3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3632 THT N channel transistors
FDP3632 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.12 грн |
| 6+ | 209.62 грн |
| 16+ | 198.64 грн |
| FDP42AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP42AN15A0 THT N channel transistors
FDP42AN15A0 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.75 грн |
| 9+ | 141.75 грн |
| 24+ | 133.76 грн |
| FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 128 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.52 грн |
| 8+ | 154.72 грн |
| 22+ | 146.74 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.25 грн |
| 9+ | 131.76 грн |
| 25+ | 124.78 грн |
| FDP61N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP61N20 THT N channel transistors
FDP61N20 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.15 грн |
| 9+ | 137.75 грн |
| 24+ | 129.77 грн |
| FDPC5030SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDPF12N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF12N50T THT N channel transistors
FDPF12N50T THT N channel transistors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.42 грн |
| 11+ | 116.79 грн |
| 29+ | 109.80 грн |
| FDPF12N60NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.55 грн |
| 10+ | 132.69 грн |
| 50+ | 115.79 грн |
| FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.62 грн |
| 10+ | 210.43 грн |
| 50+ | 146.74 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.72 грн |
| 3+ | 192.81 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.50 грн |
| 10+ | 231.16 грн |
| 25+ | 191.66 грн |
| 50+ | 188.66 грн |
| FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 336.48 грн |
| 2+ | 235.31 грн |
| 10+ | 192.66 грн |
| 20+ | 180.68 грн |
| 50+ | 172.69 грн |










