| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD20P06LT4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ONSEMI |
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTD2955T4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Kind of package: reel; tape Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -18A Drain current: -12A Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.18Ω Power dissipation: 55W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD3055-094T4G | ONSEMI |
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.104Ω Drain current: 12A Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Drain-source voltage: 60V Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 587 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTE4151PT1G | ONSEMI |
NTE4151PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 5890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTE4153NT1G | ONSEMI |
NTE4153NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTF3055-100T1G | ONSEMI |
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Power dissipation: 1.3W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 9A Gate-source voltage: ±15V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTGS4141NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Drain current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ONSEMI |
NTHD3100CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTHL041N60S5H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 200A Gate charge: 108nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD1155LT1G | ONSEMI |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: SC88 On-state resistance: 130/320mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.8...8V DC Control voltage: 1.5...8V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4401NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 445mΩ Gate charge: 1.3nC Drain current: 0.46A Gate-source voltage: ±12V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 0.9nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJS4151PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3043NT1G | ONSEMI |
NTK3043NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTK3134NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.64A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTK3139PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.57A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI |
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 203A Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.2mΩ Power dissipation: 100W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC On-state resistance: 2.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 56W Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 1.8W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO220-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 35nC Drain current: 19A Power dissipation: 142W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTP360N80S3Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Gate charge: 2.18nC Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR1P02T1G | ONSEMI |
NTR1P02T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR2101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4003NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.56A Power dissipation: 0.69W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 905 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI |
NTR4101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4170NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4171PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 10A Gate charge: 6nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.56A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.6nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.73W Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR5103NT1G | ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 155mΩ Power dissipation: 0.6W Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.33W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3209 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTS4173PT1G | ONSEMI |
NTS4173PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTS4409NT1G | ONSEMI |
NTS4409NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 1.5nC Drain current: 0.54A Gate-source voltage: ±7V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.5/1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4033 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT2G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUD4001DR2G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM Mounting: SMD Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Type of integrated circuit: driver Output current: 0.5A Output voltage: 28V Kind of integrated circuit: LED driver Integrated circuit features: PWM Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2042XV6T1G | ONSEMI |
Category: Filters - integrated circuitsDescription: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2 Type of filter: digital Kind of integrated circuit: line terminator Kind of filter: EMI; lowpass Case: SOT563 Mounting: SMD Number of channels: 2 Application: USB port ESD protection кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUF2101MT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape Type of diode: TVS array Case: TSOP6 Mounting: SMD Semiconductor structure: bidirectional Kind of package: reel; tape Application: USB Number of channels: 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NUP1301ML3T1G | ONSEMI |
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.35kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 25A Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: TSOP6 Leakage current: 5µA Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NTD20P06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 59.64 грн |
| 10+ | 54.26 грн |
| 20+ | 48.79 грн |
| 29+ | 38.31 грн |
| 80+ | 36.24 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.49 грн |
| 18+ | 63.22 грн |
| 49+ | 59.45 грн |
| NTD2955T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -18A
Drain current: -12A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 55W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 10+ | 66.34 грн |
| 25+ | 56.71 грн |
| 100+ | 47.75 грн |
| 250+ | 42.84 грн |
| 500+ | 39.44 грн |
| 1000+ | 36.42 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.19 грн |
| 41+ | 27.27 грн |
| 113+ | 25.76 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.104Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.104Ω
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.52 грн |
| 10+ | 66.24 грн |
| 25+ | 45.95 грн |
| 67+ | 43.41 грн |
| 500+ | 41.80 грн |
| NTE4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.69 грн |
| 612+ | 1.82 грн |
| 1684+ | 1.72 грн |
| NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 33.94 грн |
| 154+ | 7.27 грн |
| 423+ | 6.89 грн |
| NTF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 10+ | 69.77 грн |
| 50+ | 54.16 грн |
| 100+ | 49.45 грн |
| 200+ | 45.11 грн |
| 500+ | 43.31 грн |
| NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.45 грн |
| 49+ | 22.84 грн |
| 135+ | 21.61 грн |
| NTF3055L108T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Power dissipation: 1.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Power dissipation: 1.3W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.79 грн |
| 35+ | 33.61 грн |
| 94+ | 30.67 грн |
| 500+ | 29.63 грн |
| NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 13+ | 22.73 грн |
| 15+ | 20.00 грн |
| 100+ | 18.31 грн |
| NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1797.67 грн |
| 5+ | 1561.00 грн |
| 30+ | 1328.62 грн |
| 120+ | 1189.91 грн |
| NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1005.03 грн |
| 3+ | 970.04 грн |
| NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.51 грн |
| 25+ | 46.14 грн |
| 67+ | 43.60 грн |
| NTHL041N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 667.65 грн |
| NTJD1155LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.73 грн |
| 10+ | 30.48 грн |
| 50+ | 24.16 грн |
| 65+ | 17.17 грн |
| 178+ | 16.23 грн |
| 1000+ | 15.57 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.50 грн |
| 14+ | 21.85 грн |
| 50+ | 14.44 грн |
| 100+ | 12.17 грн |
| 500+ | 8.78 грн |
| NTJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Drain current: 0.46A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 445mΩ
Gate charge: 1.3nC
Drain current: 0.46A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 11+ | 27.24 грн |
| 13+ | 22.93 грн |
| 100+ | 13.31 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 8.30 грн |
| NTJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.9nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.31 грн |
| 23+ | 13.13 грн |
| 50+ | 8.93 грн |
| 100+ | 7.66 грн |
| 231+ | 4.80 грн |
| 635+ | 4.54 грн |
| 3000+ | 4.49 грн |
| NTJS4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 18+ | 16.85 грн |
| 50+ | 12.93 грн |
| 100+ | 11.80 грн |
| 500+ | 9.62 грн |
| 1000+ | 8.87 грн |
| 1500+ | 8.59 грн |
| NTK3043NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.49 грн |
| 343+ | 3.25 грн |
| 944+ | 3.07 грн |
| NTK3134NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.64A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.64A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.52 грн |
| 15+ | 20.77 грн |
| 100+ | 15.29 грн |
| 250+ | 13.78 грн |
| NTK3139PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 26+ | 11.37 грн |
| 50+ | 8.40 грн |
| 100+ | 7.55 грн |
| 268+ | 4.15 грн |
| 735+ | 3.93 грн |
| NTMFS5C426NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.85 грн |
| 22+ | 50.96 грн |
| 60+ | 48.12 грн |
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.59 грн |
| 10+ | 130.33 грн |
| 11+ | 103.80 грн |
| 30+ | 98.14 грн |
| 1500+ | 97.19 грн |
| NTMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 56W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 56W
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.12 грн |
| 10+ | 60.75 грн |
| 100+ | 53.79 грн |
| 250+ | 51.90 грн |
| 500+ | 46.24 грн |
| 1000+ | 43.41 грн |
| NTMFS5C670NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.60 грн |
| 5+ | 138.17 грн |
| 11+ | 101.91 грн |
| 30+ | 96.25 грн |
| 500+ | 95.31 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 142W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 35nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 142W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.96 грн |
| 10+ | 222.69 грн |
| NTP360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 32.5A; 96W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32.5A
Power dissipation: 96W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 309.94 грн |
| 7+ | 188.14 грн |
| 17+ | 170.80 грн |
| 250+ | 165.13 грн |
| NTP6412ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
NTP6412ANG THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.44 грн |
| 11+ | 105.69 грн |
| 30+ | 99.08 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.13 грн |
| 43+ | 6.86 грн |
| 54+ | 5.32 грн |
| 100+ | 4.81 грн |
| 500+ | 3.91 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| 1500+ | 3.49 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 183+ | 6.13 грн |
| 502+ | 5.76 грн |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.04 грн |
| 183+ | 6.13 грн |
| 502+ | 5.76 грн |
| NTR2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.52 грн |
| 15+ | 20.77 грн |
| 50+ | 14.06 грн |
| 100+ | 12.27 грн |
| 137+ | 8.12 грн |
| 375+ | 7.64 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.47 грн |
| 108+ | 10.38 грн |
| 295+ | 9.81 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 6.08 грн |
| 427+ | 2.69 грн |
| 1173+ | 2.45 грн |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.35 грн |
| 245+ | 4.55 грн |
| 673+ | 4.30 грн |
| NTR4170NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.49 грн |
| 14+ | 21.75 грн |
| 16+ | 17.74 грн |
| 50+ | 12.17 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| NTR4171PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.73 грн |
| 10+ | 32.34 грн |
| 25+ | 26.89 грн |
| 50+ | 24.06 грн |
| 72+ | 15.57 грн |
| 196+ | 14.72 грн |
| 1000+ | 14.15 грн |
| NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9356 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.28 грн |
| 25+ | 11.86 грн |
| 50+ | 8.51 грн |
| 100+ | 7.53 грн |
| 229+ | 4.86 грн |
| 628+ | 4.60 грн |
| 3000+ | 4.48 грн |
| NTR4502PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 19+ | 16.17 грн |
| 50+ | 12.08 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 1000+ | 7.45 грн |
| 3000+ | 6.42 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.6nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.23 грн |
| 25+ | 11.76 грн |
| 50+ | 9.34 грн |
| 100+ | 8.49 грн |
| 182+ | 6.13 грн |
| 500+ | 5.76 грн |
| NTR5103NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.64 грн |
| 409+ | 2.73 грн |
| 1124+ | 2.58 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.24 грн |
| 31+ | 9.70 грн |
| 50+ | 6.53 грн |
| 100+ | 5.62 грн |
| 205+ | 5.43 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| NTR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 18+ | 16.66 грн |
| 25+ | 12.80 грн |
| 100+ | 9.36 грн |
| 195+ | 5.71 грн |
| 534+ | 5.40 грн |
| 6000+ | 5.19 грн |
| NTS4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.21 грн |
| 29+ | 10.39 грн |
| 33+ | 8.59 грн |
| 50+ | 5.79 грн |
| 100+ | 5.05 грн |
| 250+ | 4.43 грн |
| 341+ | 3.25 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 16+ | 19.11 грн |
| 50+ | 11.80 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| 1000+ | 6.13 грн |
| NTS4173PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.07 грн |
| 182+ | 6.13 грн |
| 500+ | 5.76 грн |
| NTS4409NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 50.81 грн |
| 161+ | 6.98 грн |
| 441+ | 6.61 грн |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 17+ | 18.23 грн |
| 25+ | 13.97 грн |
| 100+ | 9.91 грн |
| 306+ | 9.44 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Drain current: 0.54A
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Drain current: 0.54A
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 12+ | 25.67 грн |
| 14+ | 20.67 грн |
| 50+ | 12.64 грн |
| 100+ | 10.38 грн |
| 500+ | 7.93 грн |
| NTZD3155CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 13+ | 22.93 грн |
| 50+ | 14.34 грн |
| 100+ | 11.89 грн |
| 120+ | 9.34 грн |
| 329+ | 8.78 грн |
| 500+ | 8.49 грн |
| NTZD3155CT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.50 грн |
| 15+ | 19.60 грн |
| 25+ | 14.53 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 130+ | 8.59 грн |
| 358+ | 8.12 грн |
| 500+ | 7.83 грн |
| NUD4001DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.96 грн |
| 10+ | 64.28 грн |
| 25+ | 53.22 грн |
| 50+ | 47.94 грн |
| 100+ | 43.50 грн |
| 250+ | 41.33 грн |
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Type of filter: digital
Kind of integrated circuit: line terminator
Kind of filter: EMI; lowpass
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.52 грн |
| 11+ | 26.23 грн |
| 50+ | 22.18 грн |
| 250+ | 21.14 грн |
| NUF2101MT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Application: USB
Number of channels: 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Type of diode: TVS array
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Semiconductor structure: bidirectional
Kind of package: reel; tape
Application: USB
Number of channels: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.60 грн |
| 10+ | 29.99 грн |
| 25+ | 26.23 грн |
| 50+ | 24.35 грн |
| 100+ | 22.65 грн |
| 250+ | 21.42 грн |
| NUP1301ML3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
NUP1301ML3T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.10 грн |
| 157+ | 7.08 грн |
| 430+ | 6.70 грн |
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 27+ | 10.98 грн |
| 50+ | 8.85 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 6.80 грн |
| 1000+ | 6.27 грн |
| 1500+ | 5.97 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 101+ | 11.04 грн |
| 277+ | 10.47 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.86 грн |
| 10+ | 36.84 грн |
| 30+ | 29.82 грн |
| 50+ | 27.55 грн |
| 54+ | 20.76 грн |
| 147+ | 19.63 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
























