Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147265) > Сторінка 1764 з 2455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQI13N50CTU ONSEMI FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU ONSEMI FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU ONSEMI fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU ONSEMI FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU ONSEMI fqi7n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F ONSEMI fql40n50f-d.pdf FQL40N50F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.83 грн
3+159.10 грн
10+109.17 грн
28+102.75 грн
500+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 ONSEMI fqp14n30-d.pdf FQP14N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FQP15P12 ONSEMI FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf FQP16N25 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.89 грн
10+120.99 грн
12+95.41 грн
32+90.82 грн
250+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 ONSEMI fqp24n08-d.pdf FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.02 грн
10+184.82 грн
11+101.83 грн
30+96.33 грн
250+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 FQP2N40-F080 ONSEMI fqp2n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSEMI ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C ONSEMI FQP32N20C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP34N20 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.07 грн
8+144.95 грн
21+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 ONSEMI fqp3n50c-d.pdf FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C FQP3N60C ONSEMI fqp3n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C ONSEMI FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP3N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI FQP45N15V2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.04 грн
7+178.15 грн
18+161.46 грн
100+159.63 грн
250+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L ONSEMI FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP4N20L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 FQP4N80 ONSEMI fqp4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.08 грн
10+101.83 грн
12+91.74 грн
33+87.15 грн
250+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 FQP50N06 ONSEMI fqp50n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 ONSEMI fqp55n10-d.pdf FQP55N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40C ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40CF ONSEMI FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP6N40CF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.63 грн
10+120.99 грн
26+110.09 грн
500+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 ONSEMI fqp7p06-d.pdf FQP7P06 THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.19 грн
17+66.05 грн
45+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FQP8N80C ONSEMI FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10 ONSEMI fqp8p10-d.pdf FQP8P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30 ONSEMI fqp9n30-d.pdf FQP9N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C FQP9N90C ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+322.07 грн
6+217.21 грн
15+198.16 грн
500+193.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FQPF11N40C ONSEMI FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 ONSEMI fqpf11p06-d.pdf FQPF11P06 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L FQPF13N06L ONSEMI fqpf13n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF FQPF13N50CF ONSEMI fqpf13n50cf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+307.25 грн
7+170.53 грн
19+155.04 грн
100+149.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF15P12 FQPF15P12 ONSEMI fqp15p12-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Drain current: -10.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C FQPF16N25C ONSEMI fqp16n25c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FQPF19N10 ONSEMI FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FQPF19N20 ONSEMI FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C FQPF19N20C ONSEMI fqpf19n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.86 грн
10+92.41 грн
15+75.23 грн
40+71.56 грн
100+70.64 грн
250+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 FQPF22N30 ONSEMI fqpf22n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 FQPF27N25 ONSEMI fqpf27n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 FQPF27P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70 ONSEMI FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQPF2N70 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 FQPF2N80 ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU FQPF2N80YDTU ONSEMI fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C FQPF32N20C ONSEMI fqpf32n20c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 FQPF45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 FQPF47P06 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+266.75 грн
3+226.74 грн
6+191.73 грн
16+180.73 грн
250+174.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 FQPF5N40 ONSEMI fqpf5n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU ONSEMI FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI13N50CTU FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU fqi7n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F fql40n50f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQL40N50F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B5068BA9876469&compId=FQP11N40C.pdf?ci_sign=5fe18b35e0abcafad5893ab72f1db89a81b884d1
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
3+159.10 грн
10+109.17 грн
28+102.75 грн
500+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 fqp14n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP14N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf
FQP15P12
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP16N25 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197FB7713556259&compId=FQP17P06.pdf?ci_sign=f3ca18f58eba042b9d8cd754c04cd5db64aa1adc
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.89 грн
10+120.99 грн
12+95.41 грн
32+90.82 грн
250+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 fqp24n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E0BA06562B5F1A303005056AB0C4F&compId=FQP27P06.pdf?ci_sign=2ed558b67ec056b733e490276427ca921640cfb6
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.02 грн
10+184.82 грн
11+101.83 грн
30+96.33 грн
250+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 fqp2n40-d.pdf
FQP2N40-F080
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C.pdf
FQP32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP34N20 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.07 грн
8+144.95 грн
21+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 fqp3n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C fqp3n60c-d.pdf
FQP3N60C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N80C FAIRS47784-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP3N80C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; 220W; TO220AB
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 94nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199E4B6843E6259&compId=FQP47P06.pdf?ci_sign=8b76fd8afdefd89adb24be6796803743fcd78564
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.04 грн
7+178.15 грн
18+161.46 грн
100+159.63 грн
250+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N20L FAIRS45973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP4N20L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP4N80 fqp4n80-d.pdf
FQP4N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
10+101.83 грн
12+91.74 грн
33+87.15 грн
250+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Power dissipation: 120W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP55N10 fqp55n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP55N10 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40C FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP6N40C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N40CF FAIRS46437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP6N40CF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N80C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781981A08ADCD2259&compId=FQP6N80C.pdf?ci_sign=b9669ab150a9cca713dec943bd7b58e01a311e8e
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.63 грн
10+120.99 грн
26+110.09 грн
500+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 fqp7p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP7P06 THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.19 грн
17+66.05 грн
45+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N80C FAIRS46449-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP8N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 178W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 45nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8P10 fqp8p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP8P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N30 fqp9n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP9N30 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9N90C pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781982A790889E259&compId=FQP9N90C.pdf?ci_sign=b4df4717521c00833dc3a554ff86d71aff9eadfa
FQP9N90C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+322.07 грн
6+217.21 грн
15+198.16 грн
500+193.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; Idm: 42A; 44W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 44W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11P06 fqpf11p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQPF11P06 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N06L fqpf13n06l-d.pdf
FQPF13N06L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF13N50CF fqpf13n50cf-d.pdf
FQPF13N50CF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+307.25 грн
7+170.53 грн
19+155.04 грн
100+149.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF15P12 fqp15p12-d.pdf
FQPF15P12
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 41W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Drain current: -10.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 41W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF16N25C fqp16n25c-d.pdf
FQPF16N25C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10 FAIRS45527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF19N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 54.4A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20 FAIRS45975-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF19N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20C fqpf19n20c-d.pdf
FQPF19N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.86 грн
10+92.41 грн
15+75.23 грн
40+71.56 грн
100+70.64 грн
250+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30 fqpf22n30-d.pdf
FQPF22N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25 fqpf27n25-d.pdf
FQPF27N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199EA61DADD6259&compId=FQPF27P06.pdf?ci_sign=ec17df6d8f5dd9ac50894e30ab8ac16dd855550e
FQPF27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N70 FAIRS46084-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQPF2N70 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
FQPF2N80
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80YDTU fqpf2n80ydtu-d.pdf FAIRS45220-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF2N80YDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.95A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF32N20C fqpf32n20c-d.pdf
FQPF32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF3N80C FQPF3N80C.pdf
FQPF3N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQPF45N15V2
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 31A; Idm: 180A; 66W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 66W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF47P06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1AA2D69CF974A15&compId=FQPF47P06.pdf?ci_sign=a8cd8163a4c53a7c85c45f19f1ae4bff51c5b9cf
FQPF47P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -21.2A; 62W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -21.2A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.75 грн
3+226.74 грн
6+191.73 грн
16+180.73 грн
250+174.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N40 fqpf5n40-d.pdf
FQPF5N40
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; Idm: 12A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF5N50CYDTU FQP5N50C%2C%20FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF5N50CYDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1960 2205 2450 2455  [ Наступна Сторінка >> ]