Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146937) > Сторінка 1761 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQD13N10TM ONSEMI FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.04 грн
10+64.88 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.65 грн
10+88.60 грн
19+59.63 грн
51+55.96 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.64 грн
10+71.26 грн
25+45.14 грн
67+42.66 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM ONSEMI fqu1n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS FQD2N60CTM-WS ONSEMI fqu2n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM ONSEMI fqu2n90tu_am002-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM ONSEMI fqd2p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3N60CTM-WS FQD3N60CTM-WS ONSEMI fqd3n60ctm_ws-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Technology: QFET®
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.41 грн
10+97.17 грн
18+61.46 грн
48+58.71 грн
500+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-AM002BLT FQD3P50TM-AM002BLT ONSEMI fqd3p50tm-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-F085 FQD3P50TM-F085 ONSEMI fqd3p50tm_f085-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Application: automotive industry
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N20TM ONSEMI fqd4n20-d.pdf FAIRS46559-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD4N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N25TM-WS FQD4N25TM-WS ONSEMI fqd4n25-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P25TM-WS ONSEMI fqd4p25tm_ws-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.96A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.96A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P40TM ONSEMI fqd4p40-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.71A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N15TM ONSEMI fqd5n15-d.pdf FQD5N15TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N20LTM ONSEMI fqd5n20l-d.pdf FQD5N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM ONSEMI fqu5n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM ONSEMI fqd5p10-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI FQD5P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: QFET®
Drain current: -2.34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.92 грн
6+55.25 грн
25+42.20 грн
30+36.58 грн
81+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TM ONSEMI fqd6n25-d.pdf FQD6N25TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI FQD6N40C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.65 грн
10+88.69 грн
19+57.98 грн
53+54.77 грн
500+53.21 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM ONSEMI FQD6N50C-D.pdf FQD6N50CTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQD7N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TM ONSEMI fqd7n30-d.pdf FQD7N30TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM ONSEMI fqd7p06-d.pdf FQD7P06TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20TM ONSEMI FQD7P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Technology: QFET®
Drain current: -3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.75 грн
5+73.36 грн
21+53.21 грн
56+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10TM ONSEMI FQD8P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Technology: QFET®
Drain current: -4.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.17 грн
10+51.63 грн
34+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 ONSEMI fqd8p10tm_f085-d.pdf FQD8P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 ONSEMI ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH8N100C FQH8N100C ONSEMI fqh8n100c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.45Ω
Power dissipation: 225W
Gate charge: 70nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI13N50CTU ONSEMI FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU ONSEMI FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU ONSEMI FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU ONSEMI fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU ONSEMI FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU ONSEMI fqi7n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F FQL40N50F ONSEMI fql40n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA FQN1N50CTA ONSEMI fqn1n50c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSEMI ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.83 грн
3+159.10 грн
10+111.00 грн
28+104.58 грн
250+103.66 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 ONSEMI fqp12p10-d.pdf FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 FQP14N30 ONSEMI fqp14n30-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 57.6A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FQP15P12 ONSEMI FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 FQP16N25 ONSEMI fqp16n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 ONSEMI FQP17P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.89 грн
10+120.99 грн
12+95.41 грн
32+89.90 грн
250+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 ONSEMI fqp24n08-d.pdf FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 ONSEMI FQP27P06.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.92 грн
10+150.52 грн
11+102.75 грн
29+97.24 грн
500+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 FQP2N40-F080 ONSEMI fqp2n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSEMI ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C ONSEMI FQP32N20C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 FQP34N20 ONSEMI ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.22 грн
3+196.25 грн
8+144.95 грн
21+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 ONSEMI fqp3n50c-d.pdf FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C FQP3N60C ONSEMI fqp3n60c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQD13N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 10.1A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD17N08LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.04 грн
10+64.88 грн
24+46.79 грн
64+44.03 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 26nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.65 грн
10+88.60 грн
19+59.63 грн
51+55.96 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.64 грн
10+71.26 грн
25+45.14 грн
67+42.66 грн
500+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD19N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD1N60CTM fqu1n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.6A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WS fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -0.98A; Idm: -6.24A; 38W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Pulsed drain current: -6.24A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -0.98A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3N60CTM-WS fqd3n60ctm_ws-d.pdf
FQD3N60CTM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 9.6A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Technology: QFET®
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.41 грн
10+97.17 грн
18+61.46 грн
48+58.71 грн
500+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-AM002BLT fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM-AM002BLT
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM-F085 fqd3p50tm_f085-d.pdf
FQD3P50TM-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; Idm: -8.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Pulsed drain current: -8.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Application: automotive industry
Drain current: -1.33A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N20TM fqd4n20-d.pdf FAIRS46559-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQD4N20TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4N25TM-WS fqd4n25-d.pdf
FQD4N25TM-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.9A; Idm: 12A; 37W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Case: DPAK
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P25TM-WS fqd4p25tm_ws-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -1.96A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.96A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD4P40TM fqd4p40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.71A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -1.71A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N15TM fqd5n15-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD5N15TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N20LTM fqd5n20l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD5N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P10TM fqd5p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.28A; Idm: -14.4A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.2nC
Drain current: -2.28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20.pdf
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Technology: QFET®
Drain current: -2.34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
6+55.25 грн
25+42.20 грн
30+36.58 грн
81+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TM fqd6n25-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD6N25TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40C.pdf
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.65 грн
10+88.69 грн
19+57.98 грн
53+54.77 грн
500+53.21 грн
1000+52.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM FQD6N50C-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD6N50CTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTM FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TM fqd7n30-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD7N30TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM fqd7p06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD7P06TM SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM FQD7P20.pdf
FQD7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Technology: QFET®
Drain current: -3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.75 грн
5+73.36 грн
21+53.21 грн
56+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM FQD8P10.pdf
FQD8P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Technology: QFET®
Drain current: -4.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.17 грн
10+51.63 грн
34+31.56 грн
94+29.82 грн
1000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 fqd8p10tm_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQD8P10TM-F085 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080 ONSM-S-A0003588092-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD9N25TM-F080
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQH8N100C fqh8n100c-d.pdf
FQH8N100C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.45Ω
Power dissipation: 225W
Gate charge: 70nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI13N50CTU FAIRS45953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi13n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 195W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 195W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI27N25TU FAIR-S-A0000097574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQI27N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N80TU FAIRS46000-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI4N90TU fqi4n90-d.pdf FQI4N90-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.65A; Idm: 16.8A; 140W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.65A
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16.8A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 30nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI5N60CTU FAIRS45966-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqi5n60c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; Idm: 18A; 100W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N80TU fqi7n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 26.4A; 167W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 26.4A
Power dissipation: 167W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50F fql40n50f-d.pdf
FQL40N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQN1N50CTA fqn1n50c-d.pdf
FQN1N50CTA
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 2.08W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Pulsed drain current: 3.04A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQNL2N50BTA ONSM-S-A0003585504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQNL2N50BTA THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP10N20C FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP10N20C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP11N40C FQP11N40C.pdf
FQP11N40C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
3+159.10 грн
10+111.00 грн
28+104.58 грн
250+103.66 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12P10 fqp12p10-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP12P10 THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP14N30 fqp14n30-d.pdf
FQP14N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9.1A; Idm: 57.6A; 147W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 147W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 57.6A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP15P12 FAIR-S-A0002363799-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp15p12-d.pdf
FQP15P12
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -120V; -10.6A; Idm: -60A; 100W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -120V
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Drain current: -10.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP16N25 fqp16n25-d.pdf
FQP16N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 64A; 142W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 142W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06.pdf
FQP17P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.89 грн
10+120.99 грн
12+95.41 грн
32+89.90 грн
250+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP24N08 fqp24n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP24N08 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06.pdf
FQP27P06
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.92 грн
10+150.52 грн
11+102.75 грн
29+97.24 грн
500+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N40-F080 fqp2n40-d.pdf
FQP2N40-F080
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 7.2A
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.14A
On-state resistance: 5.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N80 ONSM-S-A0003584912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FQP2N80 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP32N20C FQP32N20C.pdf
FQP32N20C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17.8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP34N20 ONSM-S-A0003585150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP34N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.22 грн
3+196.25 грн
8+144.95 грн
21+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N50C-F080 fqp3n50c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQP3N50C-F080 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP3N60C fqp3n60c-d.pdf
FQP3N60C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1756 1757 1758 1759 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]