| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF5484 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBF5485 | ONSEMI |
MMBF5485 SMD N channel transistors |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBFJ108 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-JFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -25V Gate current: 10mA Drain current: 80mA On-state resistance: 8Ω Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ111 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Type of transistor: N-JFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 30Ω Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 582 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ112 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of transistor: N-JFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 5mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 50Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ113 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 2mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 100Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ175LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Polarisation: unipolar Drain current: 7mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.225W Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 125Ω Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ176 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 250Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 1.5mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.225W Gate-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ201 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 200µA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBFJ202 | ONSEMI |
MMBFJ202 SMD N channel transistors |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBFJ270 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.225W Gate-source voltage: 30V Type of transistor: P-JFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBFJ309LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4838 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
MMBFJ310LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 24mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2222AWT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2222LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2484LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 60V Type of transistor: NPN Current gain: 250...800 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT3904LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT3906LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT3906WT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT4403LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT5087LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 250...800 Frequency: 40MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2008 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT5088LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 300...900 Frequency: 50MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 400...1200 Frequency: 50MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT5401LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9914 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | ONSEMI |
MMBT5550LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBT5551LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15556 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBT589LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 0.31/0.71W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 100...300 Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBT6428LT1G | ONSEMI |
MMBT6428LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBT6429LT1G | ONSEMI |
MMBT6429LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBT6520LT1G | ONSEMI |
MMBT6520LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBT918LT1G | ONSEMI |
MMBT918LT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA13LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA42LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA55LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1019 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA56LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA56LT3G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ONSEMI |
MMBTA56WT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBTA63LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA64LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 749 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA92LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 25 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Kind of transistor: RF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTH81 | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 50mA; 225mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBZ12VALT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common anode; double Version: ESD Type of diode: TVS array Application: universal Leakage current: 0.2µA Number of channels: 2 Max. forward impulse current: 2.35A Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 8.5V Breakdown voltage: 12V Peak pulse power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBZ15VALT1G | ONSEMI |
MMBZ15VALT1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 5797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ15VDLT1G | ONSEMI |
MMBZ15VDLT1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ18VALT1G | ONSEMI |
MMBZ18VALT1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 4680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2 Application: universal Type of diode: TVS array Leakage current: 50nA Max. forward impulse current: 1.4A Number of channels: 2 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 17V Breakdown voltage: 20V Peak pulse power dissipation: 40W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common anode; double Case: SOT23 Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBZ27VALT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 27V; 1A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2 Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Leakage current: 50nA Max. forward impulse current: 1A Number of channels: 2 Version: ESD Max. off-state voltage: 22V Application: universal Breakdown voltage: 27V Peak pulse power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBZ33VALT1G | ONSEMI |
MMBZ33VALT1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBZ5223BLT1G | ONSEMI |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.3W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 75uA Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Type of diode: Zener Leakage current: 75µA Tolerance: ±5% Power dissipation: 0.3W Zener voltage: 2.7V Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MMBZ5228BLT1G | ONSEMI |
MMBZ5228BLT1G SMD Zener diodes |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ5229BLT1G | ONSEMI |
MMBZ5229BLT1G SMD Zener diodes |
на замовлення 5475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ5230BLT1G | ONSEMI |
MMBZ5230BLT1G SMD Zener diodes |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ5231BLT1G | ONSEMI |
MMBZ5231BLT1G SMD Zener diodes |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| MMBF5484 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 1mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 31+ | 9.98 грн |
| 100+ | 8.93 грн |
| 250+ | 8.54 грн |
| 500+ | 7.67 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| MMBF5485 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBF5485 SMD N channel transistors
MMBF5485 SMD N channel transistors
на замовлення 2606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.38 грн |
| 139+ | 8.25 грн |
| 382+ | 7.76 грн |
| MMBFJ108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 80mA
On-state resistance: 8Ω
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 80mA; 0.35W; SuperSOT-3; Igt: 10mA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 80mA
On-state resistance: 8Ω
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.71 грн |
| 11+ | 28.02 грн |
| 100+ | 19.89 грн |
| 250+ | 18.24 грн |
| MMBFJ111 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 30Ω
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 12+ | 25.50 грн |
| 50+ | 17.86 грн |
| 100+ | 15.53 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 10.67 грн |
| MMBFJ112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: N-JFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 50Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 25+ | 15.53 грн |
| 50+ | 12.91 грн |
| 100+ | 10.77 грн |
| 250+ | 8.73 грн |
| 500+ | 7.86 грн |
| MMBFJ113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 100Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 16+ | 19.55 грн |
| 25+ | 15.14 грн |
| 50+ | 12.81 грн |
| 100+ | 10.97 грн |
| 250+ | 9.02 грн |
| 500+ | 7.96 грн |
| MMBFJ175LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 7mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Polarisation: unipolar
Drain current: 7mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 125Ω
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 13+ | 24.08 грн |
| 25+ | 17.56 грн |
| 50+ | 14.07 грн |
| 100+ | 11.45 грн |
| 500+ | 8.05 грн |
| 1000+ | 7.76 грн |
| MMBFJ176 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.16 грн |
| 10+ | 35.88 грн |
| 50+ | 24.16 грн |
| 100+ | 20.77 грн |
| 500+ | 15.82 грн |
| MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 15+ | 21.16 грн |
| 17+ | 18.05 грн |
| 50+ | 13.49 грн |
| 100+ | 11.84 грн |
| 250+ | 10.09 грн |
| 500+ | 8.93 грн |
| MMBFJ201 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 200µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 200uA; 0.35W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 200µA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.40 грн |
| 13+ | 24.79 грн |
| 25+ | 17.76 грн |
| 50+ | 15.53 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 250+ | 11.64 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| MMBFJ202 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBFJ202 SMD N channel transistors
MMBFJ202 SMD N channel transistors
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.88 грн |
| 120+ | 9.61 грн |
| 328+ | 9.12 грн |
| MMBFJ270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 10+ | 33.76 грн |
| 50+ | 23.58 грн |
| 100+ | 20.48 грн |
| 500+ | 15.14 грн |
| 1000+ | 14.07 грн |
| MMBFJ309LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.90 грн |
| 19+ | 16.73 грн |
| 21+ | 14.27 грн |
| 25+ | 12.23 грн |
| 50+ | 10.97 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 250+ | 9.12 грн |
| MMBFJ310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 24mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 24mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.58 грн |
| 15+ | 20.76 грн |
| 25+ | 16.40 грн |
| 100+ | 12.42 грн |
| 250+ | 10.38 грн |
| 500+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 8.54 грн |
| MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 50+ | 6.05 грн |
| 100+ | 3.18 грн |
| 500+ | 2.19 грн |
| 1000+ | 1.91 грн |
| 3000+ | 1.59 грн |
| 6000+ | 1.45 грн |
| MMBT2222AWT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 42+ | 7.26 грн |
| 63+ | 4.64 грн |
| 100+ | 3.81 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.11 грн |
| 3000+ | 1.67 грн |
| MMBT2222LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 50+ | 6.15 грн |
| 100+ | 3.54 грн |
| 500+ | 2.54 грн |
| 1000+ | 2.22 грн |
| 2000+ | 1.94 грн |
| 3000+ | 1.80 грн |
| MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 35+ | 8.67 грн |
| 52+ | 5.65 грн |
| 100+ | 4.76 грн |
| 500+ | 3.27 грн |
| 1000+ | 2.82 грн |
| 1500+ | 2.61 грн |
| MMBT2484LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...800
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 60V
Type of transistor: NPN
Current gain: 250...800
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 32+ | 9.47 грн |
| 50+ | 6.35 грн |
| 100+ | 5.41 грн |
| 500+ | 3.77 грн |
| 1000+ | 3.27 грн |
| 1500+ | 3.03 грн |
| MMBT2907ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.18 грн |
| 100+ | 3.02 грн |
| 155+ | 1.88 грн |
| 250+ | 1.61 грн |
| 500+ | 1.45 грн |
| 1000+ | 1.31 грн |
| 1200+ | 1.27 грн |
| MMBT2907AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 38+ | 7.76 грн |
| 56+ | 5.26 грн |
| 100+ | 4.37 грн |
| 500+ | 2.85 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| MMBT3904LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.32 грн |
| 56+ | 5.44 грн |
| 85+ | 3.44 грн |
| 104+ | 2.80 грн |
| 500+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.52 грн |
| 3000+ | 1.19 грн |
| MMBT3906LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.23 грн |
| 74+ | 4.13 грн |
| 102+ | 2.87 грн |
| 119+ | 2.46 грн |
| 500+ | 1.76 грн |
| 1000+ | 1.54 грн |
| 3000+ | 1.28 грн |
| MMBT3906WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 46+ | 6.65 грн |
| 70+ | 4.21 грн |
| 100+ | 3.51 грн |
| 500+ | 2.35 грн |
| 1000+ | 2.01 грн |
| 1500+ | 1.83 грн |
| MMBT4403LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 58+ | 5.24 грн |
| 82+ | 3.55 грн |
| 100+ | 3.04 грн |
| 500+ | 2.13 грн |
| 1000+ | 1.84 грн |
| 1500+ | 1.70 грн |
| MMBT5087LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Frequency: 40MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 50+ | 6.06 грн |
| 100+ | 5.07 грн |
| 500+ | 3.40 грн |
| 1000+ | 2.91 грн |
| 1500+ | 2.67 грн |
| MMBT5088LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 43+ | 7.05 грн |
| 100+ | 4.43 грн |
| 500+ | 3.37 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| 3000+ | 2.52 грн |
| 6000+ | 2.27 грн |
| MMBT5089LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 39+ | 7.86 грн |
| 50+ | 5.92 грн |
| 100+ | 5.06 грн |
| 500+ | 3.41 грн |
| 1000+ | 2.92 грн |
| 3000+ | 2.43 грн |
| MMBT5401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 34+ | 8.97 грн |
| 50+ | 5.90 грн |
| 100+ | 4.89 грн |
| 250+ | 3.83 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| MMBT5550LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT5550LT1G NPN SMD transistors
MMBT5550LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.90 грн |
| 715+ | 1.60 грн |
| 1964+ | 1.51 грн |
| MMBT5551LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.27 грн |
| 75+ | 4.03 грн |
| 103+ | 2.83 грн |
| 118+ | 2.48 грн |
| 500+ | 1.88 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| 1500+ | 1.61 грн |
| MMBT589LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31/0.71W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31/0.71W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 100...300
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.62 грн |
| 12+ | 26.30 грн |
| 50+ | 17.37 грн |
| 100+ | 14.65 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| 1000+ | 9.02 грн |
| 1500+ | 8.83 грн |
| MMBT6428LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT6428LT1G NPN SMD transistors
MMBT6428LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.25 грн |
| 452+ | 2.53 грн |
| 1241+ | 2.40 грн |
| MMBT6429LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT6429LT1G NPN SMD transistors
MMBT6429LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.80 грн |
| 564+ | 2.03 грн |
| 1552+ | 1.92 грн |
| 30000+ | 1.91 грн |
| MMBT6520LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT6520LT1G PNP SMD transistors
MMBT6520LT1G PNP SMD transistors
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.34 грн |
| 245+ | 4.67 грн |
| 674+ | 4.42 грн |
| MMBT918LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBT918LT1G NPN SMD transistors
MMBT918LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.54 грн |
| 277+ | 4.13 грн |
| 762+ | 3.91 грн |
| MMBTA06LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 47+ | 6.55 грн |
| 68+ | 4.31 грн |
| 100+ | 3.62 грн |
| 500+ | 2.47 грн |
| 1000+ | 2.13 грн |
| 3000+ | 1.73 грн |
| MMBTA13LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.225W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 37+ | 8.36 грн |
| 54+ | 5.49 грн |
| 100+ | 4.63 грн |
| 500+ | 3.16 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| 3000+ | 2.18 грн |
| MMBTA42LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 28+ | 11.09 грн |
| 32+ | 9.22 грн |
| 50+ | 6.06 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 500+ | 3.31 грн |
| 1000+ | 2.83 грн |
| MMBTA55LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 41+ | 7.22 грн |
| 100+ | 5.04 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 1500+ | 2.67 грн |
| MMBTA56LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 52+ | 5.84 грн |
| 83+ | 3.51 грн |
| 102+ | 2.87 грн |
| 250+ | 2.26 грн |
| 500+ | 1.95 грн |
| 1000+ | 1.73 грн |
| MMBTA56LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 35+ | 8.67 грн |
| 100+ | 4.51 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.57 грн |
| 2500+ | 2.15 грн |
| 5000+ | 1.92 грн |
| MMBTA56WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBTA56WT1G PNP SMD transistors
MMBTA56WT1G PNP SMD transistors
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.86 грн |
| 483+ | 2.38 грн |
| 1327+ | 2.24 грн |
| MMBTA63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 32+ | 9.67 грн |
| 100+ | 5.42 грн |
| 500+ | 3.78 грн |
| 1000+ | 3.29 грн |
| 3000+ | 2.70 грн |
| 6000+ | 2.42 грн |
| MMBTA64LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.50 грн |
| 34+ | 8.97 грн |
| 50+ | 5.82 грн |
| 100+ | 4.82 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.71 грн |
| 1500+ | 2.47 грн |
| MMBTA92LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 25
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 32+ | 9.67 грн |
| 50+ | 6.31 грн |
| 100+ | 5.27 грн |
| 500+ | 3.56 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| 1500+ | 2.81 грн |
| MMBTH10LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Kind of transistor: RF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.45 грн |
| 49+ | 6.25 грн |
| 56+ | 5.24 грн |
| 71+ | 4.13 грн |
| 100+ | 3.80 грн |
| 250+ | 3.47 грн |
| 500+ | 3.30 грн |
| MMBTH81 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 50mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 600MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; RF; 20V; 50mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 600MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 28+ | 11.09 грн |
| 31+ | 9.41 грн |
| 38+ | 7.86 грн |
| 50+ | 6.89 грн |
| 100+ | 6.21 грн |
| 250+ | 5.63 грн |
| MMBZ12VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: universal
Leakage current: 0.2µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 2.35A
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 12V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: universal
Leakage current: 0.2µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 2.35A
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 12V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 24+ | 12.90 грн |
| 28+ | 10.77 грн |
| 100+ | 5.95 грн |
| 500+ | 3.88 грн |
| 1000+ | 3.27 грн |
| 2000+ | 2.77 грн |
| MMBZ15VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ15VALT1G Protection diodes - arrays
MMBZ15VALT1G Protection diodes - arrays
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.07 грн |
| 397+ | 2.88 грн |
| 1092+ | 2.73 грн |
| MMBZ15VDLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ15VDLT1G Protection diodes - arrays
MMBZ15VDLT1G Protection diodes - arrays
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.49 грн |
| 423+ | 2.71 грн |
| 1162+ | 2.56 грн |
| MMBZ18VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ18VALT1G Protection diodes - arrays
MMBZ18VALT1G Protection diodes - arrays
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 9.77 грн |
| 537+ | 2.13 грн |
| 1476+ | 2.02 грн |
| MMBZ20VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Application: universal
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 20V
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 20V; 1.4A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Application: universal
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 20V
Peak pulse power dissipation: 40W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 42+ | 6.99 грн |
| 79+ | 3.71 грн |
| 100+ | 3.01 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| MMBZ27VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 1A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1A
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: universal
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 1A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1A
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: universal
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 31+ | 9.88 грн |
| 40+ | 7.38 грн |
| 88+ | 3.32 грн |
| 117+ | 2.49 грн |
| 200+ | 2.12 грн |
| 250+ | 2.06 грн |
| MMBZ33VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ33VALT1G Protection diodes - arrays
MMBZ33VALT1G Protection diodes - arrays
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 9.76 грн |
| 497+ | 2.31 грн |
| 1365+ | 2.18 грн |
| MMBZ5223BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 75uA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 75µA
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.7V
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode; 75uA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Leakage current: 75µA
Tolerance: ±5%
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 2.7V
Manufacturer series: MMBZ52xxBLT1G
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MMBZ5228BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ5228BLT1G SMD Zener diodes
MMBZ5228BLT1G SMD Zener diodes
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.93 грн |
| 719+ | 1.59 грн |
| 1976+ | 1.50 грн |
| MMBZ5229BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ5229BLT1G SMD Zener diodes
MMBZ5229BLT1G SMD Zener diodes
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.54 грн |
| 500+ | 1.68 грн |
| 719+ | 1.59 грн |
| 1976+ | 1.50 грн |
| MMBZ5230BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ5230BLT1G SMD Zener diodes
MMBZ5230BLT1G SMD Zener diodes
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.73 грн |
| 751+ | 1.52 грн |
| 2067+ | 1.44 грн |
| MMBZ5231BLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
MMBZ5231BLT1G SMD Zener diodes
MMBZ5231BLT1G SMD Zener diodes
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.00 грн |
| 680+ | 1.69 грн |
| 1868+ | 1.59 грн |










