| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.35kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 25A Peak pulse power dissipation: 0.5kW Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: TSOP6 Leakage current: 5µA Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP2301MW6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD Case: SC88 Number of channels: 2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 70V Type of diode: diode arrays Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.5V Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 5.5V Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Leakage current: 1µA Version: ESD Max. forward impulse current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.5V Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 5.5V Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Leakage current: 1µA Version: ESD Max. forward impulse current: 12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4301MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: diode arrays Case: SC74 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Kind of package: reel; tape Number of channels: 4 Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | ONSEMI |
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Gate charge: 14.3nC On-state resistance: 154mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVJD5121NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTFS5116PLTAG | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -10A Power dissipation: 1.6W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.73W Drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NZT560A | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 250...550 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZT605 | ONSEMI |
NZT605 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZT7053 | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 1.5A; 1W; SOT223 Kind of transistor: Darlington Case: SOT223 Type of transistor: NPN Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3982 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PACDN042Y3R | ONSEMI |
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PCA9306DTR2G | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Supply voltage: 1...3.6V DC Mounting: SMD Case: TSSOP8 Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Number of inputs: 2 Number of outputs: 2 Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing Kind of output: open drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306USG | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Supply voltage: 1...3.6V DC Mounting: SMD Case: US8 Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Number of inputs: 2 Number of outputs: 2 Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing Kind of output: open drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATFR | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: TO92 Formed Mounting: THT Power dissipation: 0.625W Collector current: 0.8A Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Current gain: 100...300 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2907AT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT223-4; TO261-4 Mounting: SMD Power dissipation: 1.5W Collector current: 0.6A Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 60V Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 929 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT3904T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT223-4; TO261-4 Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZTA06 | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Mounting: SMD Case: SOT223-4; TO261-4 Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Frequency: 100MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZTA42T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZTA92T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QED123 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 70mW Viewing angle: 16° Mounting: THT Shape: round Wavelength of peak sensitivity: 890nm LED diameter: 5mm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED lens: diffused; orange кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QED123A4R0 | ONSEMI |
QED123A4R0 IR LEDs |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QED223 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 25mW Viewing angle: 30° Mounting: THT Shape: round Wavelength of peak sensitivity: 890nm LED diameter: 5mm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED lens: diffused; violet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QED234 | ONSEMI |
QED234 IR LEDs |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QEE113 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA Type of diode: IR transmitter Wavelength: 940nm LED lens: transparent Radiant power: 7.5mW Viewing angle: 50° Operating voltage: 1.5V DC Mounting: THT Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm LED current: 100mA LED version: angular Shape: rectangular Wavelength of peak sensitivity: 940nm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QEE123 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 9mW Viewing angle: 50° Mounting: THT Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm Shape: rectangular Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED version: angular LED lens: transparent кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QRD1114 | ONSEMI |
QRD1114 PCB Photoelectric Sensors |
на замовлення 193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QSD123 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24° Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Collector-emitter voltage: 30V Viewing angle: 24° LED lens: black with IR filter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030 | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Wavelength: 400...1100nm Mounting: THT Type of photoelement: photodiode Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 40° LED lens: transparent Front: convex кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSE113 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50° Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Collector-emitter voltage: 5V Viewing angle: 50° LED lens: black with IR filter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB520S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB520S30T5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB521S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18333 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RB751S40T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RB751V40T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 49W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC Technology: UltraFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05LSM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05SM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 16A Power dissipation: 60W Case: DPAK On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFD3055LESM9A | ONSEMI |
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFP12N10L | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RGF1G | ONSEMI |
RGF1G SMD universal diodes |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RHRG3060-F085 | ONSEMI |
RHRG3060-F085 THT universal diodes |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1A | ONSEMI |
RS1A SMD universal diodes |
на замовлення 7490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.45 грн |
| 27+ | 10.98 грн |
| 50+ | 8.85 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 6.80 грн |
| 1000+ | 6.27 грн |
| 1500+ | 5.97 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 101+ | 11.04 грн |
| 277+ | 10.47 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 25A
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.86 грн |
| 10+ | 36.84 грн |
| 30+ | 29.82 грн |
| 50+ | 27.55 грн |
| 54+ | 20.76 грн |
| 147+ | 19.63 грн |
| 500+ | 19.06 грн |
| NUP2301MW6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 70V
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SC88
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 70V
Type of diode: diode arrays
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.44 грн |
| 15+ | 20.58 грн |
| 50+ | 16.80 грн |
| 100+ | 15.66 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.49 грн |
| 13+ | 24.11 грн |
| 14+ | 20.76 грн |
| 50+ | 15.66 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 114+ | 9.72 грн |
| 314+ | 9.15 грн |
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; SC88; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 14+ | 21.17 грн |
| 50+ | 15.19 грн |
| 100+ | 13.49 грн |
| 111+ | 10.00 грн |
| 306+ | 9.44 грн |
| 1000+ | 9.06 грн |
| NUP4301MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Case: SC74
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Case: SC74
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 16+ | 18.81 грн |
| 19+ | 15.57 грн |
| 25+ | 11.89 грн |
| 100+ | 7.83 грн |
| 500+ | 7.17 грн |
| NVD5C688NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.41 грн |
| 13+ | 86.81 грн |
| 25+ | 81.33 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.31 грн |
| 10+ | 59.77 грн |
| NVJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.31 грн |
| 31+ | 9.60 грн |
| 100+ | 6.98 грн |
| NVR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.91 грн |
| 10+ | 33.61 грн |
| 100+ | 21.14 грн |
| 250+ | 18.12 грн |
| 500+ | 16.23 грн |
| 1000+ | 14.63 грн |
| 3000+ | 14.15 грн |
| NVR5124PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.99 грн |
| 71+ | 15.66 грн |
| 195+ | 14.81 грн |
| NVR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.63 грн |
| 11+ | 27.24 грн |
| 15+ | 19.72 грн |
| 25+ | 12.93 грн |
| 233+ | 12.36 грн |
| 3000+ | 11.89 грн |
| NVTFS5116PLTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.35 грн |
| 10+ | 61.44 грн |
| 26+ | 44.16 грн |
| 70+ | 41.71 грн |
| 200+ | 40.10 грн |
| NVTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.49 грн |
| 13+ | 23.81 грн |
| 15+ | 19.82 грн |
| 19+ | 15.48 грн |
| 26+ | 11.04 грн |
| 50+ | 8.87 грн |
| NVTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.73W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 24+ | 12.74 грн |
| 26+ | 11.23 грн |
| 50+ | 9.53 грн |
| 100+ | 8.96 грн |
| 156+ | 7.17 грн |
| 428+ | 6.70 грн |
| NZT560A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 250...550
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 250...550
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.88 грн |
| 10+ | 44.88 грн |
| 50+ | 22.46 грн |
| 136+ | 21.23 грн |
| 1000+ | 20.38 грн |
| NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT605 NPN SMD Darlington transistors
NZT605 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.22 грн |
| 60+ | 18.68 грн |
| 164+ | 17.65 грн |
| 2000+ | 17.64 грн |
| NZT7053 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 1.5A; 1W; SOT223
Kind of transistor: Darlington
Case: SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 1.5A; 1W; SOT223
Kind of transistor: Darlington
Case: SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.76 грн |
| 10+ | 40.47 грн |
| 66+ | 16.99 грн |
| 180+ | 16.04 грн |
| 2000+ | 15.48 грн |
| PACDN042Y3R |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays
PACDN042Y3R Protection diodes - arrays
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.99 грн |
| 166+ | 6.70 грн |
| 455+ | 6.32 грн |
| PCA9306DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 60.97 грн |
| 10+ | 56.35 грн |
| 100+ | 48.79 грн |
| 250+ | 46.14 грн |
| PCA9306USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: US8
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.26 грн |
| 25+ | 60.36 грн |
| 100+ | 52.28 грн |
| 500+ | 44.07 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.34 грн |
| 18+ | 16.85 грн |
| 21+ | 13.78 грн |
| 100+ | 6.91 грн |
| 500+ | 4.76 грн |
| 1000+ | 4.66 грн |
| PN2222ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.34 грн |
| 38+ | 7.84 грн |
| 50+ | 6.11 грн |
| 100+ | 5.61 грн |
| 500+ | 4.64 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| 2000+ | 4.25 грн |
| PN2222ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.34 грн |
| 19+ | 15.68 грн |
| 100+ | 8.49 грн |
| 200+ | 7.11 грн |
| 500+ | 5.69 грн |
| 1000+ | 4.90 грн |
| 2000+ | 4.37 грн |
| PN2907ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.8A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.8A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.21 грн |
| 50+ | 5.98 грн |
| 100+ | 5.05 грн |
| 500+ | 4.57 грн |
| 2000+ | 4.01 грн |
| 4000+ | 3.85 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 43.70 грн |
| 11+ | 27.24 грн |
| 50+ | 19.25 грн |
| 100+ | 16.89 грн |
| 250+ | 14.44 грн |
| 500+ | 12.93 грн |
| 1000+ | 11.80 грн |
| PZT2907AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.71 грн |
| 10+ | 30.38 грн |
| 50+ | 21.23 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 250+ | 15.66 грн |
| 500+ | 13.87 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |
| PZT3904T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.60 грн |
| 12+ | 24.69 грн |
| 50+ | 16.99 грн |
| 100+ | 14.81 грн |
| 500+ | 10.85 грн |
| 1000+ | 10.00 грн |
| PZTA06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT223-4; TO261-4
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100
Frequency: 100MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.35 грн |
| 25+ | 29.99 грн |
| 41+ | 27.37 грн |
| 100+ | 25.57 грн |
| 500+ | 24.91 грн |
| PZTA42T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 14+ | 22.24 грн |
| 50+ | 16.04 грн |
| 100+ | 14.25 грн |
| 113+ | 9.81 грн |
| 310+ | 9.25 грн |
| 3000+ | 8.96 грн |
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.65 грн |
| 10+ | 30.28 грн |
| 50+ | 20.57 грн |
| 100+ | 17.55 грн |
| 107+ | 10.38 грн |
| 294+ | 9.81 грн |
| 3000+ | 9.44 грн |
| QED123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; orange
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; orange
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.66 грн |
| 11+ | 28.91 грн |
| 25+ | 23.59 грн |
| 100+ | 18.31 грн |
| 250+ | 16.14 грн |
| QED123A4R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123A4R0 IR LEDs
QED123A4R0 IR LEDs
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.92 грн |
| 53+ | 21.04 грн |
| 146+ | 19.82 грн |
| QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 25mW
Viewing angle: 30°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; violet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 25mW
Viewing angle: 30°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; violet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 18+ | 16.76 грн |
| 50+ | 12.93 грн |
| 100+ | 11.89 грн |
| QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED234 IR LEDs
QED234 IR LEDs
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.14 грн |
| 112+ | 9.91 грн |
| 308+ | 9.44 грн |
| QEE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.75 грн |
| 8+ | 39.00 грн |
| 10+ | 33.88 грн |
| 25+ | 28.69 грн |
| 50+ | 24.44 грн |
| 100+ | 20.38 грн |
| QEE123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 9mW
Viewing angle: 50°
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED version: angular
LED lens: transparent
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 9mW
Viewing angle: 50°
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED version: angular
LED lens: transparent
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.36 грн |
| 10+ | 58.89 грн |
| 50+ | 47.37 грн |
| 100+ | 43.41 грн |
| 250+ | 40.01 грн |
| QRD1114 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QRD1114 PCB Photoelectric Sensors
QRD1114 PCB Photoelectric Sensors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.22 грн |
| 10+ | 123.47 грн |
| 13+ | 88.70 грн |
| 35+ | 83.98 грн |
| QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.76 грн |
| 10+ | 30.77 грн |
| 25+ | 22.27 грн |
| 50+ | 19.34 грн |
| QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Wavelength: 400...1100nm
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Wavelength: 400...1100nm
Mounting: THT
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.71 грн |
| 10+ | 30.57 грн |
| 25+ | 26.04 грн |
| 100+ | 21.89 грн |
| 250+ | 20.85 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.00 грн |
| 10+ | 46.35 грн |
| 25+ | 38.50 грн |
| 50+ | 33.78 грн |
| 100+ | 29.06 грн |
| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.13 грн |
| 55+ | 5.39 грн |
| 79+ | 3.59 грн |
| 100+ | 3.05 грн |
| 500+ | 2.10 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 3000+ | 1.42 грн |
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.13 грн |
| 67+ | 4.41 грн |
| 89+ | 3.21 грн |
| 113+ | 2.52 грн |
| 500+ | 1.75 грн |
| 1000+ | 1.52 грн |
| 2000+ | 1.32 грн |
| RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.11 грн |
| 52+ | 5.68 грн |
| 71+ | 4.00 грн |
| 100+ | 3.43 грн |
| 500+ | 2.39 грн |
| 1000+ | 2.06 грн |
| 1500+ | 1.89 грн |
| RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.15 грн |
| 49+ | 6.08 грн |
| 65+ | 4.36 грн |
| 100+ | 3.83 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| 1000+ | 2.57 грн |
| 1500+ | 2.41 грн |
| RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.57 грн |
| 51+ | 5.78 грн |
| 66+ | 4.34 грн |
| 100+ | 3.85 грн |
| 500+ | 2.87 грн |
| 533+ | 2.08 грн |
| 1464+ | 1.96 грн |
| RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Technology: UltraFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; 49W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 49W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 15nC
Technology: UltraFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.51 грн |
| 10+ | 72.02 грн |
| 22+ | 51.52 грн |
| 60+ | 48.69 грн |
| 250+ | 46.80 грн |
| RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.05 грн |
| 10+ | 41.25 грн |
| RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.12 грн |
| 10+ | 48.11 грн |
| 100+ | 32.46 грн |
| 250+ | 30.67 грн |
| RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.71 грн |
| 8+ | 39.78 грн |
| 25+ | 36.52 грн |
| 100+ | 35.48 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 16A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.60 грн |
| 5+ | 78.79 грн |
| 10+ | 68.04 грн |
| 20+ | 56.05 грн |
| 50+ | 52.84 грн |
| 100+ | 50.96 грн |
| RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.06 грн |
| 5+ | 107.79 грн |
| 10+ | 96.25 грн |
| 25+ | 94.36 грн |
| RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 304.86 грн |
| 34+ | 32.74 грн |
| 94+ | 30.95 грн |
| RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.52 грн |
| 10+ | 56.93 грн |
| 50+ | 50.67 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 157.51 грн |
| 10+ | 126.41 грн |
| 50+ | 113.23 грн |
| RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RGF1G SMD universal diodes
RGF1G SMD universal diodes
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.37 грн |
| 74+ | 15.19 грн |
| 202+ | 14.34 грн |
| RHRG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RHRG3060-F085 THT universal diodes
RHRG3060-F085 THT universal diodes
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.55 грн |
| 7+ | 170.80 грн |
| 18+ | 161.36 грн |




























