Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147496) > Сторінка 1765 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FPF2124 ONSEMI ONSM-S-A0003590112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2124 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2142 ONSEMI FPF2143.pdf FPF2142 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2163 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2163 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2164 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2164 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2165 ONSEMI fpf2165-d.pdf FPF2165 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2193 ONSEMI fpf2194-d.pdf FPF2193 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2195 ONSEMI fpf2194-d.pdf FPF2195 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2195BUCX ONSEMI FPF2195.pdf FPF2195BUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2213 ONSEMI FPF2213.pdf FPF2213 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2215 ONSEMI fpf2215-d.pdf FPF2215 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2223 ONSEMI FAIR-S-A0002366070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2223 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2225 ONSEMI FPF2224-D.pdf FPF2225 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2281BUCX-F130 ONSEMI ONSM-S-A0003579676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2281BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2283CUCX ONSEMI fpf2283cucx-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WLCSP20; reel,tape; -40÷85°C
Type of integrated circuit: power switch
Case: WLCSP20
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: thermal protection
Active logical level: low
Supply voltage: 2.8...28V DC
On-state resistance: 7.5mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2286UCX ONSEMI fpf2286ucx-d.pdf FPF2286UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2290BUCX-F130 ONSEMI fpf2290-d.pdf FPF2290BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2411BUCX-F130 ONSEMI fpf2411-d.pdf FPF2411BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2495CUCX ONSEMI fpf2495c-d.pdf FPF2495CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2495UCX ONSEMI FPF2495_Sep2014.pdf FAIR-S-A0002304780-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2496UCX ONSEMI FAIR-S-A0000212011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2496UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2498BUCX ONSEMI fpf2498-d.pdf FAIR-S-A0001475586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2498BUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2595UCX ONSEMI fpf2595-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WLCSP12; reel,tape; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Case: WLCSP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
On-state resistance: 40mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection; undervoltage protection
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2700MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2701MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX ONSEMI FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF2702MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895CUCX ONSEMI fpf2895c-d.pdf FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895UCX ONSEMI FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895VUCX ONSEMI fpf2895v-d.pdf FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3040UCX ONSEMI FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3042UCX ONSEMI fpf3042-d.pdf FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3380UCX ONSEMI FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109 FQA13N50C-F109 ONSEMI fqa13n50c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50.4A
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 ONSEMI fqa140n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+675.53 грн
3+439.41 грн
8+399.94 грн
450+386.95 грн
1020+385.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+737.49 грн
3+497.23 грн
7+452.83 грн
30+442.62 грн
120+434.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 ONSEMI fqa40n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Case: TO3PN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.76 грн
5+238.01 грн
13+217.14 грн
450+213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.84 грн
7+173.45 грн
18+157.75 грн
120+152.18 грн
450+151.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C ONSEMI fqa8n100c-d.pdf FQA8N100C THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.65 грн
4+307.15 грн
10+290.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N90C-F109 FQA8N90C-F109 ONSEMI fqa8n90c_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA90N15-F109 ONSEMI fqa90n15_f109-d.pdf FQA90N15-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TM FQB11P06TM ONSEMI fqb11p06-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.05A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -45.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.89 грн
5+136.83 грн
11+101.14 грн
30+96.50 грн
100+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTM FQB19N20CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F469677FAE0D2&compId=FQB19N20C.pdf?ci_sign=2a549c7aec12cd099161037613be9c6cbb053fd8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.91 грн
5+118.53 грн
13+87.23 грн
35+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F4D6E725280D2&compId=FQB19N20.pdf?ci_sign=69160bb676caee40f2e7802d765fbd342bacf93e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.85 грн
10+132.02 грн
12+95.58 грн
32+90.01 грн
500+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM FQB33N10LTM ONSEMI fqb33n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 132A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10TM ONSEMI FQB33N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM ONSEMI fqb34n20l-d.pdf FQB34N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+250.83 грн
5+215.85 грн
7+160.53 грн
19+152.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM ONSEMI FQB44N10-D.pdf FQB44N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.78 грн
6+202.36 грн
16+184.66 грн
50+180.95 грн
100+177.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.87 грн
10+125.27 грн
25+114.14 грн
250+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.83 грн
5+207.18 грн
8+154.96 грн
20+146.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2124 ONSM-S-A0003590112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2124 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2142 FPF2143.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2142 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2163 fpf2165-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2163 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2164 fpf2165-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2164 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2165 fpf2165-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2165 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2193 fpf2194-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2193 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2195 fpf2194-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2195 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2195BUCX FPF2195.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2195BUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2213 FPF2213.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2213 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2215 fpf2215-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2215 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2223 FAIR-S-A0002366070-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2223 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2225 FPF2224-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2225 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2281BUCX-F130 ONSM-S-A0003579676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2281BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2283CUCX fpf2283cucx-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WLCSP20; reel,tape; -40÷85°C
Type of integrated circuit: power switch
Case: WLCSP20
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: thermal protection
Active logical level: low
Supply voltage: 2.8...28V DC
On-state resistance: 7.5mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2286UCX fpf2286ucx-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2286UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2290BUCX-F130 fpf2290-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2290BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2411BUCX-F130 fpf2411-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2411BUCX-F130 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2495CUCX fpf2495c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2495CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2495UCX FPF2495_Sep2014.pdf FAIR-S-A0002304780-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2496UCX FAIR-S-A0000212011-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2496UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2498BUCX fpf2498-d.pdf FAIR-S-A0001475586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2498BUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2595UCX fpf2595-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; Ch: 1; SMD; WLCSP12; reel,tape; -40÷85°C
Operating temperature: -40...85°C
Case: WLCSP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
On-state resistance: 40mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Active logical level: low
Integrated circuit features: thermal protection; undervoltage protection
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2700MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2700MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2701MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2701MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2701MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MPX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2702MPX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2702MX FAIRS46409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF2702MX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895CUCX fpf2895c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2895CUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895UCX
Виробник: ONSEMI
FPF2895UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2895VUCX fpf2895v-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF2895VUCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3040UCX FAIR-S-A0001784038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FPF3040UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3042UCX fpf3042-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FPF3042UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF3380UCX
Виробник: ONSEMI
FPF3380UCX Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109 fqa13n50c_f109-d.pdf
FQA13N50C-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50.4A
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.53 грн
3+439.41 грн
8+399.94 грн
450+386.95 грн
1020+385.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.49 грн
3+497.23 грн
7+452.83 грн
30+442.62 грн
120+434.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Case: TO3PN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.76 грн
5+238.01 грн
13+217.14 грн
450+213.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.84 грн
7+173.45 грн
18+157.75 грн
120+152.18 грн
450+151.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA8N100C THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.65 грн
4+307.15 грн
10+290.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N90C-F109 fqa8n90c_f109-d.pdf
FQA8N90C-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA90N15-F109 fqa90n15_f109-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQA90N15-F109 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF16N50 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781992A8A7EA08259&compId=FQAF16N50.pdf?ci_sign=09e4ea2dbc49212f6735fb317754dbecd7277a18
FQAF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB11P06TM fqb11p06-d.pdf
FQB11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.05A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -45.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.89 грн
5+136.83 грн
11+101.14 грн
30+96.50 грн
100+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F469677FAE0D2&compId=FQB19N20C.pdf?ci_sign=2a549c7aec12cd099161037613be9c6cbb053fd8
FQB19N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.91 грн
5+118.53 грн
13+87.23 грн
35+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD8B9F4D6E725280D2&compId=FQB19N20.pdf?ci_sign=69160bb676caee40f2e7802d765fbd342bacf93e
FQB19N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.85 грн
10+132.02 грн
12+95.58 грн
32+90.01 грн
500+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994188F32D2259&compId=FQB27P06.pdf?ci_sign=1d7e105accb644470bc974d8a26d62825d1db484
FQB27P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
FQB33N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 132A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB33N10TM FQB33N10.pdf
FQB33N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FQB34N20LTM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.83 грн
5+215.85 грн
7+160.53 грн
19+152.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FQB44N10TM SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.78 грн
6+202.36 грн
16+184.66 грн
50+180.95 грн
100+177.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.87 грн
10+125.27 грн
25+114.14 грн
250+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.83 грн
5+207.18 грн
8+154.96 грн
20+146.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1760 1761 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]