| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4935BZ | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.9A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3492 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5351 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Gate charge: 27nC On-state resistance: 58.8mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 6.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI |
FDS5670 SMD N channel transistors |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6375 | ONSEMI |
FDS6375 SMD P channel transistors |
на замовлення 768 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS6673BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6675BZ | ONSEMI |
FDS6675BZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6679AZ | ONSEMI |
FDS6679AZ SMD P channel transistors |
на замовлення 272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS6680A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1577 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6681Z | ONSEMI |
FDS6681Z SMD P channel transistors |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6690A | ONSEMI |
FDS6690A SMD N channel transistors |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6898A | ONSEMI |
FDS6898A Multi channel transistors |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6912A | ONSEMI |
FDS6912A Multi channel transistors |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8447 | ONSEMI |
FDS8447 SMD N channel transistors |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8880 | ONSEMI |
FDS8880 SMD N channel transistors |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89141 | ONSEMI |
FDS89141 Multi channel transistors |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89161 | ONSEMI |
FDS89161 Multi channel transistors |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8949 | ONSEMI |
FDS8949 Multi channel transistors |
на замовлення 542 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS9435A | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS9926A | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 462 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| fds9945 | ONSEMI |
FDS9945 Multi channel transistors |
на замовлення 335 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT3612 | ONSEMI |
FDT3612 SMD N channel transistors |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT458P | ONSEMI |
FDT458P SMD P channel transistors |
на замовлення 3070 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT86113LZ | ONSEMI |
FDT86113LZ SMD N channel transistors |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDV303N | ONSEMI |
FDV303N SMD N channel transistors |
на замовлення 25324 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDV304P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -0.46A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3954 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDV305N | ONSEMI |
FDV305N SMD N channel transistors |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDY300NZ | ONSEMI |
FDY300NZ SMD N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH40120ADN-F085 | ONSEMI |
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH4065ADN-F155 | ONSEMI |
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 300W Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 284nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGB3040G2-F085 | ONSEMI |
FGB3040G2-F085 SMD IGBT transistors |
на замовлення 721 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 742 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD3245G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGH40T120SMD | ONSEMI |
FGH40T120SMD THT IGBT transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
FGH40T120SMD-F155 THT IGBT transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 99nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 382 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FGY160T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGY60T120SQDN | ONSEMI |
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FGY75T120SQDN | ONSEMI |
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FIN1001M5X | ONSEMI |
FIN1001M5X Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 5646 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FIN1002M5X | ONSEMI |
FIN1002M5X Interfaces others - integrated circuits |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FJB102TM | ONSEMI |
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 214 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FJI5603DTU | ONSEMI |
FJI5603DTU NPN THT transistors |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FJL6920TU | ONSEMI |
FJL6920TU NPN THT transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJP13007H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 15...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI |
FJV992FMTF PNP SMD transistors |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FL7701MX | ONSEMI |
FL7701MX LED drivers |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FMBA14 | ONSEMI |
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
FNB41060 | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Output current: 10A Frequency: 20kHz Number of channels: 6 Case: SPMAA-A26 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Technology: Motion SPM® 45 Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Power dissipation: 32W Collector-emitter voltage: 600V Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FNB41560 | ONSEMI |
FNB41560 Motor and PWM drivers |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2711A | ONSEMI |
FOD2711A Optocouplers - digital output |
на замовлення 792 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2711ASDV | ONSEMI |
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output |
на замовлення 252 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FOD2741B | ONSEMI |
FOD2741B Optocouplers - analog output |
на замовлення 542 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| FDS4935BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.48 грн |
| 10+ | 58.88 грн |
| 25+ | 47.32 грн |
| 50+ | 40.63 грн |
| 100+ | 35.44 грн |
| 250+ | 30.35 грн |
| 500+ | 29.95 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 58.8mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 6.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.02 грн |
| 10+ | 53.70 грн |
| 25+ | 45.82 грн |
| 100+ | 37.43 грн |
| 250+ | 32.44 грн |
| 500+ | 32.34 грн |
| FDS5670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.82 грн |
| 12+ | 102.82 грн |
| 32+ | 96.83 грн |
| FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.92 грн |
| 26+ | 46.72 грн |
| 70+ | 44.12 грн |
| FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.60 грн |
| 10+ | 71.84 грн |
| 25+ | 61.89 грн |
| 100+ | 51.91 грн |
| 250+ | 46.22 грн |
| 500+ | 45.52 грн |
| FDS6675BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6675BZ SMD P channel transistors
FDS6675BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.83 грн |
| 31+ | 39.13 грн |
| 84+ | 37.03 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6679AZ SMD P channel transistors
FDS6679AZ SMD P channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.02 грн |
| 26+ | 47.02 грн |
| 70+ | 44.52 грн |
| 1000+ | 44.37 грн |
| FDS6680A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.95 грн |
| 10+ | 59.71 грн |
| 25+ | 50.91 грн |
| 50+ | 45.72 грн |
| 100+ | 41.03 грн |
| 250+ | 39.93 грн |
| FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.68 грн |
| 15+ | 83.85 грн |
| 40+ | 78.86 грн |
| FDS6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.54 грн |
| 58+ | 20.76 грн |
| 158+ | 19.56 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6898A Multi channel transistors
FDS6898A Multi channel transistors
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.82 грн |
| 23+ | 53.40 грн |
| 62+ | 50.51 грн |
| FDS6912A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.97 грн |
| 34+ | 35.74 грн |
| 92+ | 33.74 грн |
| FDS8447 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.48 грн |
| 16+ | 76.86 грн |
| 43+ | 72.87 грн |
| FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.70 грн |
| 37+ | 32.94 грн |
| 100+ | 31.14 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.68 грн |
| 7+ | 178.68 грн |
| 19+ | 169.70 грн |
| FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 13+ | 92.83 грн |
| 36+ | 87.84 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8949 Multi channel transistors
FDS8949 Multi channel transistors
на замовлення 542 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.50 грн |
| 33+ | 36.53 грн |
| 90+ | 34.54 грн |
| FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.88 грн |
| 10+ | 52.45 грн |
| 50+ | 37.63 грн |
| 100+ | 33.04 грн |
| 250+ | 28.15 грн |
| 500+ | 25.16 грн |
| 1000+ | 24.46 грн |
| FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.28 грн |
| 8+ | 41.67 грн |
| 10+ | 35.54 грн |
| 50+ | 27.25 грн |
| 100+ | 24.56 грн |
| 250+ | 21.36 грн |
| 500+ | 20.56 грн |
| fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS9945 Multi channel transistors
FDS9945 Multi channel transistors
на замовлення 335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.30 грн |
| 40+ | 30.25 грн |
| 109+ | 28.55 грн |
| FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.65 грн |
| 42+ | 28.85 грн |
| 114+ | 27.25 грн |
| FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.86 грн |
| 39+ | 31.14 грн |
| 105+ | 29.45 грн |
| FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.62 грн |
| 28+ | 43.82 грн |
| 75+ | 41.43 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV303N SMD N channel transistors
FDV303N SMD N channel transistors
на замовлення 25324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.06 грн |
| 382+ | 3.11 грн |
| 1051+ | 2.94 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.46A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.52 грн |
| 59+ | 5.29 грн |
| 74+ | 4.05 грн |
| 100+ | 3.69 грн |
| 500+ | 3.11 грн |
| 1000+ | 2.93 грн |
| 3000+ | 2.73 грн |
| FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.02 грн |
| 210+ | 5.69 грн |
| 576+ | 5.39 грн |
| FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.38 грн |
| 47+ | 25.25 грн |
| 130+ | 23.86 грн |
| FFSH40120ADN-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1592.15 грн |
| 3+ | 1505.31 грн |
| FFSH4065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1257.75 грн |
| 2+ | 747.66 грн |
| 5+ | 706.74 грн |
| FGA60N65SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.42 грн |
| 3+ | 451.96 грн |
| 10+ | 378.32 грн |
| 30+ | 303.46 грн |
| 120+ | 293.48 грн |
| FGB3040G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGB3040G2-F085 SMD IGBT transistors
FGB3040G2-F085 SMD IGBT transistors
на замовлення 721 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.90 грн |
| 6+ | 207.63 грн |
| 16+ | 196.65 грн |
| FGB40T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 742 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 449.35 грн |
| 5+ | 378.36 грн |
| 10+ | 328.41 грн |
| 25+ | 278.50 грн |
| 100+ | 267.52 грн |
| FGD3245G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.30 грн |
| 5+ | 199.03 грн |
| 10+ | 169.70 грн |
| 25+ | 145.74 грн |
| 50+ | 129.77 грн |
| 100+ | 115.79 грн |
| 250+ | 114.79 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.78 грн |
| 10+ | 112.99 грн |
| 100+ | 79.86 грн |
| 250+ | 77.86 грн |
| FGH40N60SFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.80 грн |
| 3+ | 376.29 грн |
| 10+ | 309.45 грн |
| 30+ | 238.57 грн |
| 90+ | 227.59 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.68 грн |
| 3+ | 363.85 грн |
| 10+ | 308.45 грн |
| 30+ | 255.54 грн |
| 120+ | 240.57 грн |
| FGH40N60UFDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.98 грн |
| 10+ | 207.32 грн |
| 30+ | 179.68 грн |
| 120+ | 166.70 грн |
| 450+ | 165.70 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH40T120SMD THT IGBT transistors
FGH40T120SMD THT IGBT transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 906.22 грн |
| 2+ | 617.89 грн |
| 6+ | 583.96 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGH40T120SMD-F155 THT IGBT transistors
FGH40T120SMD-F155 THT IGBT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1384.60 грн |
| 2+ | 1079.07 грн |
| 4+ | 1020.18 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.95 грн |
| 3+ | 322.38 грн |
| 10+ | 274.51 грн |
| 30+ | 247.56 грн |
| 120+ | 230.59 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 539.65 грн |
| 10+ | 425.01 грн |
| 30+ | 325.42 грн |
| 120+ | 318.43 грн |
| FGY160T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1295.38 грн |
| 5+ | 1148.56 грн |
| 10+ | 1033.15 грн |
| FGY60T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
FGY60T120SQDN THT IGBT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1268.50 грн |
| 2+ | 789.59 грн |
| 5+ | 746.66 грн |
| FGY75T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1145.95 грн |
| 2+ | 918.36 грн |
| 4+ | 868.45 грн |
| FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1001M5X Interfaces others - integrated circuits
FIN1001M5X Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 5646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.85 грн |
| 18+ | 65.88 грн |
| 50+ | 62.89 грн |
| FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FIN1002M5X Interfaces others - integrated circuits
FIN1002M5X Interfaces others - integrated circuits
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.49 грн |
| 30+ | 39.73 грн |
| 83+ | 37.53 грн |
| FJB102TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.56 грн |
| 22+ | 56.30 грн |
| 59+ | 53.20 грн |
| FJI5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJI5603DTU NPN THT transistors
FJI5603DTU NPN THT transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.35 грн |
| 12+ | 105.81 грн |
| 31+ | 99.82 грн |
| 1000+ | 99.51 грн |
| FJL6920TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJL6920TU NPN THT transistors
FJL6920TU NPN THT transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 690.15 грн |
| 3+ | 399.29 грн |
| 9+ | 377.32 грн |
| FJP13007H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.92 грн |
| 10+ | 93.83 грн |
| 50+ | 90.84 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.88 грн |
| 10+ | 110.92 грн |
| 50+ | 98.82 грн |
| FJP13009TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.80 грн |
| 10+ | 81.89 грн |
| 50+ | 66.88 грн |
| 100+ | 61.89 грн |
| 250+ | 60.89 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJV992FMTF PNP SMD transistors
FJV992FMTF PNP SMD transistors
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.40 грн |
| 299+ | 3.98 грн |
| 821+ | 3.76 грн |
| FL7701MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FL7701MX LED drivers
FL7701MX LED drivers
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.25 грн |
| 15+ | 79.86 грн |
| 42+ | 74.87 грн |
| FMBA14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.45 грн |
| 257+ | 4.63 грн |
| 705+ | 4.38 грн |
| FNB41060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Output current: 10A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Case: SPMAA-A26
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Motion SPM® 45
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; SPMAA-A26
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Output current: 10A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 6
Case: SPMAA-A26
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Technology: Motion SPM® 45
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 32W
Collector-emitter voltage: 600V
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1515.75 грн |
| 3+ | 1406.68 грн |
| FNB41560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FNB41560 Motor and PWM drivers
FNB41560 Motor and PWM drivers
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1666.25 грн |
| 2+ | 1074.08 грн |
| 4+ | 1016.18 грн |
| FOD2711A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711A Optocouplers - digital output
FOD2711A Optocouplers - digital output
на замовлення 792 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.12 грн |
| 42+ | 28.35 грн |
| 116+ | 26.85 грн |
| FOD2711ASDV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
FOD2711ASDV Optocouplers - analog output
на замовлення 252 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.25 грн |
| 42+ | 28.95 грн |
| 113+ | 27.35 грн |












