Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FQPF5N90 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQPF6N80CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQPF6N80T | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 13.2A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQPF7P20 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQPF85N06 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FQPF8N80CYDTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 59W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQPF9N25C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FQPF9N90CT | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQS4901TF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FQT13N06LTF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.24A Pulsed drain current: 11.2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT13N06TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.24A Pulsed drain current: 11.2A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT1N60CTF-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQT1N80TF-WS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FQT2P25TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Pulsed drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.5nC Drain current: -0.35A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT3P20TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.53A; 2.5W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain current: -530mA кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT4N20LTF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.68A Power dissipation: 2.2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQT4N25TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 3.3A Case: SOT223 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.66A On-state resistance: 1.75Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT5P10TF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.8A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.05Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
FQT7N10LTF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.36A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQU12N20TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU13N06LTU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FQU17P06TU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: IPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQU1N60CTU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.6A Power dissipation: 28W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 11.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.2nC Pulsed drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU1N80TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU2N100TU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1A Power dissipation: 50W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU2N90TU-AM002 | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6.8A Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.08A On-state resistance: 7.2Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU2N90TU-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 6.8A Mounting: THT Case: IPAK Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.08A On-state resistance: 7.2Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU3N50CTU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU4N50TU-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU5N40TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU5N50CTU-WS | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU5N60CTU | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 11.2A Power dissipation: 49W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU5P20TU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; Idm: -14.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Pulsed drain current: -14.8A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC Drain current: -2.34A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQU9N25TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FR014H5JZ | ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 30V; 0.8A; WDFN8; reel,tape; ESD Mounting: SMD Max. forward impulse current: 0.8A Breakdown voltage: 30V Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Case: WDFN8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FS8G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FS8J | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FS8K | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FS8M | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1153UCX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1156P6X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1208BQX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 8; MLP20; 2.3÷4.3VDC; reel,tape; OUT: 8PST-NO Supply voltage: 2.3...4.3V DC Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 8 Quiescent current: 1µA Kind of output: 8PST-NO Kind of package: reel; tape Technology: CMOS; TTL Mounting: SMD Case: MLP20 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1256AL8X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1256L8X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1257L8X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA1259AK8X | ONSEMI |
Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: analog switch; Ch: 2; US8; 1.65÷5.5VDC; reel,tape; CMOS,TTL Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Case: US8 Supply voltage: 1.65...5.5V DC Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Kind of output: SPST-NO x2 Technology: CMOS; TTL кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2147K8X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2257L10X | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2258L10X | ONSEMI | FSA2258L10X Analog multiplexers and switches |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2259UMX | ONSEMI |
Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP10; 1.65÷4.4VDC; OUT: SPDT x2 Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Case: UMLP10 Supply voltage: 1.65...4.4V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of output: SPDT x2 Technology: CMOS; TTL кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2268L10X | ONSEMI | FSA2268L10X Analog multiplexers and switches |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2268UMX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2269L10X | ONSEMI |
Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: analog switch; Ch: 2; MicroPak10; 1.65÷4.5VDC; reel,tape; 500nA Supply voltage: 1.65...4.5V DC Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Quiescent current: 500nA Kind of output: SPDT x2 Kind of package: reel; tape Technology: TTL Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: MicroPak10 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2275AUMX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Kind of output: SPDT x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: UMLP12 Supply voltage: 2.5...5.5V DC кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2275UMX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Kind of output: SPDT x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: UMLP12 Supply voltage: 2.5...5.5V DC кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2276UMX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 1.65÷5.5VDC; reel,tape Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 2 Kind of output: SPDT x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: UMLP12 Supply voltage: 1.65...5.5V DC кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2380BQX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2457UMX | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FSA2467MPX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; reel,tape; 500nA Supply voltage: 1.65...4.3V DC Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 4 Quiescent current: 500nA Kind of output: DPDT x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: MLP16 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
FSA2567MPX | ONSEMI |
![]() Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; OUT: 4PDT; 1uA Case: MLP16 Supply voltage: 1.65...4.3V DC Type of integrated circuit: analog switch Number of channels: 4 Quiescent current: 1µA Kind of output: 4PDT Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
FQPF5N90 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF6N80CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF6N80T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 51W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF7P20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -20.8A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF85N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQPF85N06 THT N channel transistors
FQPF85N06 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 263.78 грн |
7+ | 159.63 грн |
19+ | 151.37 грн |
FQPF8N80CYDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 59W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 59W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N25C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQPF9N25C THT N channel transistors
FQPF9N25C THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQS4901TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQS4901TF Multi channel transistors
FQS4901TF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT13N06LTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT13N06TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT1N60CTF-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT1N80TF-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQT1N80TF-WS SMD N channel transistors
FQT1N80TF-WS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT2P25TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Pulsed drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Drain current: -0.35A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.35A; Idm: -2.2A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Pulsed drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Drain current: -0.35A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT3P20TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.53A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -530mA
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.53A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: -530mA
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT4N20LTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.05 грн |
10+ | 55.35 грн |
35+ | 31.01 грн |
96+ | 29.36 грн |
500+ | 28.62 грн |
1000+ | 28.26 грн |
FQT4N25TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT5P10TF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQT7N10LTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.02 грн |
10+ | 60.88 грн |
25+ | 46.33 грн |
38+ | 28.99 грн |
103+ | 27.43 грн |
FQU12N20TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU12N20TU THT N channel transistors
FQU12N20TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU13N06LTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU13N06LTU THT N channel transistors
FQU13N06LTU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU17P06TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU1N60CTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Pulsed drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.2nC
Pulsed drain current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU1N80TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU1N80TU THT N channel transistors
FQU1N80TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU2N100TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU2N90TU-AM002 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU2N90TU-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU3N50CTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU3N50CTU THT N channel transistors
FQU3N50CTU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU4N50TU-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU5N40TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU5N40TU THT N channel transistors
FQU5N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU5N50CTU-WS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU5N60CTU |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU5P20TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; Idm: -14.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -14.8A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -2.34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; Idm: -14.8A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Pulsed drain current: -14.8A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Drain current: -2.34A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FQU9N25TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQU9N25TU THT N channel transistors
FQU9N25TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FR014H5JZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30V; 0.8A; WDFN8; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Breakdown voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 30V; 0.8A; WDFN8; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Breakdown voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Case: WDFN8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS8G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FS8G-ONS SMD universal diodes
FS8G-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS8J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FS8J-ONS SMD universal diodes
FS8J-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS8K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FS8K-ONS SMD universal diodes
FS8K-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS8M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FS8M-ONS SMD universal diodes
FS8M-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1153UCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA1153UCX Analog multiplexers and switches
FSA1153UCX Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1156P6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA1156P6X Analog multiplexers and switches
FSA1156P6X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1208BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 8; MLP20; 2.3÷4.3VDC; reel,tape; OUT: 8PST-NO
Supply voltage: 2.3...4.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 8
Quiescent current: 1µA
Kind of output: 8PST-NO
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: MLP20
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 8; MLP20; 2.3÷4.3VDC; reel,tape; OUT: 8PST-NO
Supply voltage: 2.3...4.3V DC
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 8
Quiescent current: 1µA
Kind of output: 8PST-NO
Kind of package: reel; tape
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: MLP20
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1256AL8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA1256AL8X Analog multiplexers and switches
FSA1256AL8X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1256L8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA1256L8X Analog multiplexers and switches
FSA1256L8X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1257L8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA1257L8X Analog multiplexers and switches
FSA1257L8X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA1259AK8X |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; US8; 1.65÷5.5VDC; reel,tape; CMOS,TTL
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Case: US8
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: SPST-NO x2
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; US8; 1.65÷5.5VDC; reel,tape; CMOS,TTL
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Case: US8
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: SPST-NO x2
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2147K8X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2147K8X Analog multiplexers and switches
FSA2147K8X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2257L10X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2257L10X Analog multiplexers and switches
FSA2257L10X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2258L10X |
Виробник: ONSEMI
FSA2258L10X Analog multiplexers and switches
FSA2258L10X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2259UMX |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP10; 1.65÷4.4VDC; OUT: SPDT x2
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Case: UMLP10
Supply voltage: 1.65...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: SPDT x2
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP10; 1.65÷4.4VDC; OUT: SPDT x2
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Case: UMLP10
Supply voltage: 1.65...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: SPDT x2
Technology: CMOS; TTL
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2268L10X |
Виробник: ONSEMI
FSA2268L10X Analog multiplexers and switches
FSA2268L10X Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2268UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2268UMX Analog multiplexers and switches
FSA2268UMX Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2269L10X |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; MicroPak10; 1.65÷4.5VDC; reel,tape; 500nA
Supply voltage: 1.65...4.5V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Quiescent current: 500nA
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Technology: TTL
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: MicroPak10
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; MicroPak10; 1.65÷4.5VDC; reel,tape; 500nA
Supply voltage: 1.65...4.5V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Quiescent current: 500nA
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Technology: TTL
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: MicroPak10
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2275AUMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2275UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 2.5÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2276UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 1.65÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 2; UMLP12; 1.65÷5.5VDC; reel,tape
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 2
Kind of output: SPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: UMLP12
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2380BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2380BQX Analog multiplexers and switches
FSA2380BQX Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2457UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2457UMX Analog multiplexers and switches
FSA2457UMX Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2467MPX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; reel,tape; 500nA
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 4
Quiescent current: 500nA
Kind of output: DPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: MLP16
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; reel,tape; 500nA
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 4
Quiescent current: 500nA
Kind of output: DPDT x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: MLP16
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FSA2567MPX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; OUT: 4PDT; 1uA
Case: MLP16
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 4
Quiescent current: 1µA
Kind of output: 4PDT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; Ch: 4; MLP16; 1.65÷4.3VDC; OUT: 4PDT; 1uA
Case: MLP16
Supply voltage: 1.65...4.3V DC
Type of integrated circuit: analog switch
Number of channels: 4
Quiescent current: 1µA
Kind of output: 4PDT
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.05 грн |
10+ | 54.97 грн |
25+ | 46.60 грн |
26+ | 41.65 грн |
72+ | 39.36 грн |
100+ | 39.26 грн |
250+ | 37.89 грн |