Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141182) > Сторінка 1767 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EGF1D ONSEMI EGF1D-D.PDF egf1d-d.pdf EGF1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+51.96 грн
55+21.46 грн
151+20.27 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
EMC5DXV5T1G ONSEMI emc2dxv5t1-d.pdf EMC5DXV5T1G Complementary transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.08 грн
119+9.89 грн
326+9.39 грн
8000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMI7208MUTAG ONSEMI emi7204mu-d.pdf EMI7208MUTAG Filters - integrated circuits
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.33 грн
31+37.97 грн
85+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A ES1A ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+28.75 грн
17+18.28 грн
50+14.14 грн
100+12.85 грн
250+11.17 грн
500+9.99 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B ES1B ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 0.92V
Features of semiconductor devices: fast switching
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.88 грн
14+22.69 грн
50+15.42 грн
100+13.15 грн
250+10.68 грн
500+9.20 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D ES1D ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.62 грн
17+18.89 грн
25+16.02 грн
100+12.95 грн
500+9.59 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES1J ES1J ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.30 грн
21+15.09 грн
50+11.17 грн
100+9.79 грн
250+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D ES2D ONSEMI es2d-d.pdf ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf 5399_ES2D%20SMB.PDF FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2x.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+28.75 грн
16+20.33 грн
100+14.14 грн
250+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D ES3D ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+45.79 грн
11+30.29 грн
50+20.47 грн
100+17.80 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+24.49 грн
50+20.02 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0ST1G ONSEMI ESD5B5.0-DTE.PDF description Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.78 грн
30+10.47 грн
33+9.00 грн
100+5.69 грн
500+4.03 грн
1000+3.48 грн
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z12T1G ESD5Z12T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.6A
Peak pulse power dissipation: 240W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.52 грн
46+6.78 грн
54+5.54 грн
87+3.42 грн
106+2.81 грн
500+2.00 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+10.65 грн
37+8.42 грн
53+5.64 грн
124+2.39 грн
500+2.22 грн
3000+1.95 грн
15000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G ESD5Z3.3T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+10.65 грн
41+7.60 грн
60+4.98 грн
100+4.21 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0T1G ESD5Z5.0T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 174W; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 174W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.52 грн
52+5.96 грн
74+4.03 грн
100+3.42 грн
200+2.87 грн
500+2.25 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G ESD5Z6.0T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF description Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 181W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
34+9.58 грн
52+5.96 грн
77+3.86 грн
100+3.24 грн
250+2.62 грн
500+2.25 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G ESD5Z7.0T1G ONSEMI ESD5Zx-DTE.PDF Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.52 грн
48+6.47 грн
60+4.94 грн
73+4.11 грн
100+3.43 грн
500+2.33 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG ONSEMI esd7104-d.pdf ESD7104MUTAG Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+52.60 грн
48+24.62 грн
131+23.33 грн
500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G ONSEMI esd7351-d.pdf ESD7351HT1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+19.17 грн
100+10.17 грн
133+8.80 грн
366+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G ESD7351XV2T1G ONSEMI esd7351-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.71 грн
36+8.63 грн
42+7.22 грн
100+4.66 грн
250+4.06 грн
500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G ONSEMI esd7551-d.pdf ESD7551N2T5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.32 грн
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G ONSEMI esd7c3.3d-d.pdf ESD7C3.3DT5G Protection diodes - arrays
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.07 грн
131+8.90 грн
361+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG
+1
 		ESD8008MUTAG ONSEMI esd8008-d.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Number of channels: 8
Case: uDFN14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.72 грн
10+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G ONSEMI esd8011-d.pdf ESD8011MUT5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.34 грн
131+9.00 грн
359+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G ESD9B3.3ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
28+11.71 грн
48+6.47 грн
80+3.74 грн
100+3.08 грн
250+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G ONSEMI esd9b-d.pdf ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
37+8.72 грн
854+1.37 грн
2347+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf ESD9C3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+19.22 грн
309+3.80 грн
848+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G ESD9C5.0ST5G ONSEMI esd9c3.3s-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.40 грн
16+20.02 грн
35+8.50 грн
100+5.50 грн
500+5.08 грн
1000+4.54 грн
4000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G ONSEMI esd9l-d.pdf ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.56 грн
129+9.10 грн
355+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G ONSEMI esd9r3.3s-d.pdf ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.56 грн
51+23.14 грн
140+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G ESD9X5.0ST5G ONSEMI esd9x3.3st5g-d.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.52 грн
56+5.54 грн
80+3.72 грн
100+3.16 грн
250+2.57 грн
500+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100CSX ONSEMI FAN3100C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.34 грн
10+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX FAN3100TMPX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+138.43 грн
10+56.17 грн
25+50.62 грн
100+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX FAN3100TSX ONSEMI fan3100t-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.06 грн
10+55.86 грн
25+48.55 грн
100+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111CSX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.19 грн
10+62.63 грн
25+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111ESX ONSEMI FAN3111C.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.02 грн
10+47.03 грн
25+39.35 грн
100+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX FAN3224CMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+145.88 грн
5+133.48 грн
25+116.67 грн
100+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX FAN3224TMX ONSEMI fan3223-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+122.45 грн
10+81.12 грн
25+67.24 грн
100+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X ONSEMI FAN4274-D.PDF FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+43.76 грн
62+18.98 грн
170+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX FAN5622SX ONSEMI fan5626-d.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.09 грн
10+32.86 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380MX ONSEMI FAN7380.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+155.46 грн
10+95.49 грн
25+76.13 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX FAN7382MX ONSEMI fan7382-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.11 грн
10+100.63 грн
25+81.08 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832MX ONSEMI FAN73832.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+103.29 грн
5+88.30 грн
25+76.13 грн
100+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7383MX FAN7383MX ONSEMI fan7383-d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+135.23 грн
10+90.36 грн
25+76.13 грн
100+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7888MX ONSEMI fan7888-d.pdf FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+236.39 грн
8+154.25 грн
21+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7930CMX-G ONSEMI fan7930c-d.pdf FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
24+49.44 грн
66+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI fca47n60_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1114.87 грн
10+922.06 грн
30+773.21 грн
120+728.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3
+1
 		FCB070N65S3 ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+508.99 грн
10+380.94 грн
25+356.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+455.74 грн
3+390.18 грн
10+314.43 грн
25+271.91 грн
50+246.20 грн
100+232.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 FCB260N65S3 ONSEMI fcb260n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+325.84 грн
10+210.49 грн
25+181.93 грн
100+166.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.83 грн
5+137.59 грн
10+114.70 грн
50+80.09 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.30 грн
5+118.08 грн
10+102.83 грн
25+88.00 грн
100+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.83 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+534.54 грн
3+470.27 грн
10+382.65 грн
30+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+842.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+982.83 грн
10+838.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+306.67 грн
3+261.83 грн
10+203.69 грн
50+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+355.65 грн
3+312.15 грн
10+250.16 грн
50+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+386.53 грн
3+341.92 грн
10+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.84 грн
50+146.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1D EGF1D-D.PDF egf1d-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EGF1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.96 грн
55+21.46 грн
151+20.27 грн
5000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
EMC5DXV5T1G emc2dxv5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EMC5DXV5T1G Complementary transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.08 грн
119+9.89 грн
326+9.39 грн
8000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EMI7208MUTAG emi7204mu-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EMI7208MUTAG Filters - integrated circuits
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.33 грн
31+37.97 грн
85+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A ES1x.PDF
ES1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
17+18.28 грн
50+14.14 грн
100+12.85 грн
250+11.17 грн
500+9.99 грн
1000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B ES1x.PDF
ES1B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 0.92V
Features of semiconductor devices: fast switching
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.88 грн
14+22.69 грн
50+15.42 грн
100+13.15 грн
250+10.68 грн
500+9.20 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D ES1x.PDF
ES1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.62 грн
17+18.89 грн
25+16.02 грн
100+12.95 грн
500+9.59 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES1J ES1x.PDF
ES1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.30 грн
21+15.09 грн
50+11.17 грн
100+9.79 грн
250+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D es2d-d.pdf ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf 5399_ES2D%20SMB.PDF FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2x.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf
ES2D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
16+20.33 грн
100+14.14 грн
250+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D ES3J.pdf
ES3D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.79 грн
11+30.29 грн
50+20.47 грн
100+17.80 грн
500+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.49 грн
50+20.02 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5B5.0ST1G description ESD5B5.0-DTE.PDF
ESD5B5.0ST1G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.78 грн
30+10.47 грн
33+9.00 грн
100+5.69 грн
500+4.03 грн
1000+3.48 грн
3000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z12T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z12T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.6A
Peak pulse power dissipation: 240W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.52 грн
46+6.78 грн
54+5.54 грн
87+3.42 грн
106+2.81 грн
500+2.00 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z2.5T1G ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.65 грн
37+8.42 грн
53+5.64 грн
124+2.39 грн
500+2.22 грн
3000+1.95 грн
15000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z3.3T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z3.3T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.65 грн
41+7.60 грн
60+4.98 грн
100+4.21 грн
500+2.99 грн
1000+2.62 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z5.0T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z5.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 174W; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 174W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.52 грн
52+5.96 грн
74+4.03 грн
100+3.42 грн
200+2.87 грн
500+2.25 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z6.0T1G description ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z6.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 181W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.58 грн
52+5.96 грн
77+3.86 грн
100+3.24 грн
250+2.62 грн
500+2.25 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5Z7.0T1G ESD5Zx-DTE.PDF
ESD5Z7.0T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.52 грн
48+6.47 грн
60+4.94 грн
73+4.11 грн
100+3.43 грн
500+2.33 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7104MUTAG esd7104-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD7104MUTAG Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.60 грн
48+24.62 грн
131+23.33 грн
500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351HT1G esd7351-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD7351HT1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.17 грн
100+10.17 грн
133+8.80 грн
366+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7351XV2T1G esd7351-d.pdf
ESD7351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.71 грн
36+8.63 грн
42+7.22 грн
100+4.66 грн
250+4.06 грн
500+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7551N2T5G esd7551-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD7551N2T5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.32 грн
200+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESD7C3.3DT5G esd7c3.3d-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD7C3.3DT5G Protection diodes - arrays
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.07 грн
131+8.90 грн
361+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8008MUTAG esd8008-d.pdf
ESD8008MUTAG
+1
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Number of channels: 8
Case: uDFN14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.72 грн
10+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8011MUT5G esd8011-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD8011MUT5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
131+9.00 грн
359+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B3.3ST5G esd9b-d.pdf
ESD9B3.3ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.71 грн
48+6.47 грн
80+3.74 грн
100+3.08 грн
250+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9B5.0ST5G esd9b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.72 грн
854+1.37 грн
2347+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C3.3ST5G esd9c3.3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD9C3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.22 грн
309+3.80 грн
848+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9C5.0ST5G esd9c3.3s-d.pdf
ESD9C5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.40 грн
16+20.02 грн
35+8.50 грн
100+5.50 грн
500+5.08 грн
1000+4.54 грн
4000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L3.3ST5G esd9l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.56 грн
129+9.10 грн
355+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9R3.3ST5G esd9r3.3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.56 грн
51+23.14 грн
140+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9X5.0ST5G esd9x3.3st5g-d.pdf
ESD9X5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.52 грн
56+5.54 грн
80+3.72 грн
100+3.16 грн
250+2.57 грн
500+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100CSX FAN3100C.pdf
FAN3100CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.34 грн
10+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TMPX fan3100t-d.pdf
FAN3100TMPX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.43 грн
10+56.17 грн
25+50.62 грн
100+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3100TSX fan3100t-d.pdf
FAN3100TSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.06 грн
10+55.86 грн
25+48.55 грн
100+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111CSX FAN3111C.pdf
FAN3111CSX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.19 грн
10+62.63 грн
25+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3111ESX FAN3111C.pdf
FAN3111ESX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.02 грн
10+47.03 грн
25+39.35 грн
100+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224CMX fan3223-d.pdf
FAN3224CMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.88 грн
5+133.48 грн
25+116.67 грн
100+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3224TMX fan3223-d.pdf
FAN3224TMX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.45 грн
10+81.12 грн
25+67.24 грн
100+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IS5X FAN4274-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.76 грн
62+18.98 грн
170+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5622SX fan5626-d.pdf
FAN5622SX
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.09 грн
10+32.86 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7380MX FAN7380.pdf
FAN7380MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.46 грн
10+95.49 грн
25+76.13 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7382MX fan7382-d.pdf
FAN7382MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.11 грн
10+100.63 грн
25+81.08 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN73832MX FAN73832.pdf
FAN73832MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.29 грн
5+88.30 грн
25+76.13 грн
100+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7383MX fan7383-d.pdf
FAN7383MX
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.23 грн
10+90.36 грн
25+76.13 грн
100+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7888MX fan7888-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.39 грн
8+154.25 грн
21+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7930CMX-G fan7930c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
24+49.44 грн
66+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 fca47n60_f109-d.pdf
FCA47N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1114.87 грн
10+922.06 грн
30+773.21 грн
120+728.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB070N65S3 fcb070n65s3-d.pdf
FCB070N65S3
+1
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.99 грн
10+380.94 грн
25+356.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.74 грн
3+390.18 грн
10+314.43 грн
25+271.91 грн
50+246.20 грн
100+232.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCB260N65S3 fcb260n65s3-d.pdf
FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 90W
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.84 грн
10+210.49 грн
25+181.93 грн
100+166.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
5+137.59 грн
10+114.70 грн
50+80.09 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
5+118.08 грн
10+102.83 грн
25+88.00 грн
100+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.54 грн
3+470.27 грн
10+382.65 грн
30+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.83 грн
10+838.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.67 грн
3+261.83 грн
10+203.69 грн
50+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.65 грн
3+312.15 грн
10+250.16 грн
50+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.53 грн
3+341.92 грн
10+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.84 грн
50+146.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1762 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1880 2115 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]