| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA113EM3T5G | ONSEMI |
DTA113EM3T5G PNP SMD transistors |
на замовлення 23966 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTA114EET1G | ONSEMI |
DTA114EET1G PNP SMD transistors |
на замовлення 5520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTA114YET1G | ONSEMI |
DTA114YET1G PNP SMD transistors |
на замовлення 7132 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTA115EET1G | ONSEMI |
DTA115EET1G PNP SMD transistors |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DTA143ZET1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Case: SC75; SOT416 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 80...140 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC114EET1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 Power dissipation: 0.2/0.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 713 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DTC124EET1G | ONSEMI |
DTC124EET1G NPN SMD transistors |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTC124XET1G | ONSEMI |
DTC124XET1G NPN SMD transistors |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DTC143ZET1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 80...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3610 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DTC144EET1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ECH8695R-TL-W | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8 Application: charging control Semiconductor structure: common drain Case: ECH8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC On-state resistance: 9.1mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 11A Gate-source voltage: ±12.5V Drain-source voltage: 24V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI |
EGF1D-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 5439 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EMC5DXV5T1G | ONSEMI |
EMC5DXV5T1G Complementary transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EMI7208MUTAG | ONSEMI |
EMI7208MUTAG Filters - integrated circuits |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ES1A | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Mounting: SMD Capacitance: 7pF Case: SMA Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 15ns Leakage current: 0.1mA Max. forward voltage: 0.92V Load current: 1A Power dissipation: 1.47W Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES1B | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Capacitance: 7pF Reverse recovery time: 15ns Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Max. forward voltage: 0.92V Features of semiconductor devices: fast switching Load current: 1A Power dissipation: 1.47W Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 100V Case: SMA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES1D | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 15ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 7pF Case: SMA Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.47W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3664 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES1J | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Case: SMA Capacitance: 8pF Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.47W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES2D | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 20ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 18pF Case: SMB Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.35mA Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.66W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES3D | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 30ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 45pF Case: SMC Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 100A Features of semiconductor devices: fast switching Power dissipation: 1.66W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ES3J | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.66W Capacitance: 45pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5B5.0ST1G | ONSEMI |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.8V Semiconductor structure: bidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 1µA Version: ESD Peak pulse power dissipation: 50W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z12T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14.1V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 10nA Version: ESD Max. forward impulse current: 9.6A Peak pulse power dissipation: 240W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z2.5T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 2.5V Breakdown voltage: 4V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 6µA Version: ESD Max. forward impulse current: 11A Peak pulse power dissipation: 0.12kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3965 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z3.3T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.158kW Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 5V Max. forward impulse current: 11.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Leakage current: 50nA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z5.0T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 174W; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.2V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 50nA Version: ESD Max. forward impulse current: 9.4A Peak pulse power dissipation: 174W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z6.0T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 6V Breakdown voltage: 6.8V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 10nA Version: ESD Max. forward impulse current: 8.8A Peak pulse power dissipation: 181W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ESD5Z7.0T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 7V Breakdown voltage: 7.5V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 10nA Version: ESD Max. forward impulse current: 8.8A Peak pulse power dissipation: 0.2kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD7104MUTAG | ONSEMI |
ESD7104MUTAG Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ESD7351HT1G | ONSEMI |
ESD7351HT1G Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 848 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ESD7351XV2T1G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD Type of diode: TVS Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 3.3V Kind of package: reel; tape Breakdown voltage: 5V Version: ESD Capacitance: 0.43...0.6pF Leakage current: 1nA Peak pulse power dissipation: 0.15W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD7551N2T5G | ONSEMI |
ESD7551N2T5G Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 626 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ESD7C3.3DT5G | ONSEMI |
ESD7C3.3DT5G Protection diodes - arrays |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
ESD8008MUTAG | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD Kind of package: reel; tape Version: ESD Mounting: SMD Type of diode: TVS array Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 5.5...8.5V Number of channels: 8 Case: uDFN14 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD8011MUT5G | ONSEMI |
ESD8011MUT5G Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 9975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ESD9B3.3ST5G | ONSEMI |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 5...7V Case: SOD923 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Leakage current: 0.1µA Capacitance: 15pF Peak pulse power dissipation: 0.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10782 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD9B5.0ST5G | ONSEMI |
ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ESD9C3.3ST5G | ONSEMI |
ESD9C3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 6220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ESD9C5.0ST5G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 11V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD923F Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD9L3.3ST5G | ONSEMI |
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 7560 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ESD9R3.3ST5G | ONSEMI |
ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1866 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ESD9X5.0ST5G | ONSEMI |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6.2V Case: SOD923 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Peak pulse power dissipation: 0.15W Version: ESD Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3100CSX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 Technology: MillerDrive™ Protection: undervoltage UVP Output current: -1.8...2.5A Pulse fall time: 14ns Impulse rise time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3100TMPX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: MLP6 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Number of channels: 1 Technology: MillerDrive™ Output current: -2.5...1.8A Pulse fall time: 14ns Impulse rise time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3100TSX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SOT23-5 Output current: -2.5...1.8A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 20ns Pulse fall time: 14ns Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Technology: MillerDrive™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3111CSX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 Technology: MillerDrive™ Output current: -0.9...1.1A Pulse fall time: 17ns Impulse rise time: 18ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3111ESX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SOT23-5 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 Technology: MillerDrive™ Output current: -0.9...1.1A Pulse fall time: 17ns Impulse rise time: 18ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3224CMX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Number of channels: 2 Technology: MillerDrive™ Output current: -4.3...2.8A Pulse fall time: 17ns Impulse rise time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN3224TMX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 4.5...18V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Kind of output: non-inverting Number of channels: 2 Technology: MillerDrive™ Output current: -4.3...2.8A Pulse fall time: 17ns Impulse rise time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FAN4174IS5X | ONSEMI |
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FAN5622SX | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: LED driver Interface: SWD Case: TSOT23-6 Output current: 30mA Number of channels: 2 Supply voltage: 2.7...5.5V DC Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Maximum output current: 30mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2762 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN7380MX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8 Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -180...90mA Impulse rise time: 230ns Pulse fall time: 90ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Type of integrated circuit: driver Technology: MillerDrive™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN7382MX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™ Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -650...350mA Impulse rise time: 140ns Pulse fall time: 80ns Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: H-bridge Type of integrated circuit: driver Technology: MillerDrive™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1209 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN73832MX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8 Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -650...350mA Impulse rise time: 100ns Pulse fall time: 80ns Number of channels: 2 Supply voltage: 15...20V DC Voltage class: 600V Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Type of integrated circuit: driver Technology: MillerDrive™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 834 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FAN7383MX | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™ Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SOP14 Output current: -650...350mA Number of channels: 4 Supply voltage: 15...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 100ns Pulse fall time: 80ns Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Protection: undervoltage UVP Technology: MillerDrive™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FAN7888MX | ONSEMI |
FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 998 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FAN7930CMX-G | ONSEMI |
FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FCA47N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29.7A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FCB070N65S3 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Power dissipation: 312W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 640 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FCB20N60FTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 695 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| DTA113EM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTA113EM3T5G PNP SMD transistors
DTA113EM3T5G PNP SMD transistors
на замовлення 23966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.29 грн |
| 368+ | 3.18 грн |
| 1011+ | 3.02 грн |
| DTA114EET1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTA114EET1G PNP SMD transistors
DTA114EET1G PNP SMD transistors
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 212+ | 1.51 грн |
| 900+ | 1.31 грн |
| 2472+ | 1.24 грн |
| 3000+ | 1.23 грн |
| DTA114YET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTA114YET1G PNP SMD transistors
DTA114YET1G PNP SMD transistors
на замовлення 7132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 212+ | 1.51 грн |
| 1027+ | 1.14 грн |
| 2827+ | 1.08 грн |
| DTA115EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTA115EET1G PNP SMD transistors
DTA115EET1G PNP SMD transistors
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.20 грн |
| 502+ | 2.33 грн |
| 1379+ | 2.20 грн |
| DTA143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Case: SC75; SOT416
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Case: SC75; SOT416
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80...140
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 37+ | 8.42 грн |
| 42+ | 7.12 грн |
| 100+ | 4.41 грн |
| 500+ | 3.25 грн |
| 1000+ | 2.88 грн |
| 3000+ | 2.41 грн |
| DTC114EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Power dissipation: 0.2/0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Power dissipation: 0.2/0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 713 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 38+ | 8.32 грн |
| 60+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.03 грн |
| 500+ | 2.59 грн |
| 1000+ | 2.21 грн |
| 3000+ | 1.83 грн |
| DTC124EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTC124EET1G NPN SMD transistors
DTC124EET1G NPN SMD transistors
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.17 грн |
| 493+ | 2.37 грн |
| 1356+ | 2.24 грн |
| DTC124XET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
DTC124XET1G NPN SMD transistors
DTC124XET1G NPN SMD transistors
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.05 грн |
| 617+ | 1.90 грн |
| 1695+ | 1.80 грн |
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 50+ | 6.16 грн |
| 69+ | 4.31 грн |
| 80+ | 3.74 грн |
| 100+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.42 грн |
| 1500+ | 2.07 грн |
| DTC144EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 31+ | 10.06 грн |
| 63+ | 4.77 грн |
| 100+ | 3.89 грн |
| 500+ | 2.65 грн |
| 1000+ | 2.36 грн |
| 1500+ | 2.21 грн |
| ECH8695R-TL-W |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Application: charging control
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12.5V
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Application: charging control
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±12.5V
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 10+ | 51.55 грн |
| 100+ | 34.71 грн |
| 500+ | 28.28 грн |
| EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EGF1D-ONS SMD universal diodes
EGF1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.96 грн |
| 55+ | 21.46 грн |
| 151+ | 20.27 грн |
| 5000+ | 20.23 грн |
| EMC5DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMC5DXV5T1G Complementary transistors
EMC5DXV5T1G Complementary transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.08 грн |
| 119+ | 9.89 грн |
| 326+ | 9.39 грн |
| 8000+ | 9.34 грн |
| EMI7208MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
EMI7208MUTAG Filters - integrated circuits
EMI7208MUTAG Filters - integrated circuits
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.33 грн |
| 31+ | 37.97 грн |
| 85+ | 35.89 грн |
| ES1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
Leakage current: 0.1mA
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.75 грн |
| 17+ | 18.28 грн |
| 50+ | 14.14 грн |
| 100+ | 12.85 грн |
| 250+ | 11.17 грн |
| 500+ | 9.99 грн |
| 1000+ | 9.69 грн |
| ES1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 0.92V
Features of semiconductor devices: fast switching
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Max. forward voltage: 0.92V
Features of semiconductor devices: fast switching
Load current: 1A
Power dissipation: 1.47W
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 100V
Case: SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 14+ | 22.69 грн |
| 50+ | 15.42 грн |
| 100+ | 13.15 грн |
| 250+ | 10.68 грн |
| 500+ | 9.20 грн |
| 1000+ | 8.21 грн |
| ES1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.62 грн |
| 17+ | 18.89 грн |
| 25+ | 16.02 грн |
| 100+ | 12.95 грн |
| 500+ | 9.59 грн |
| 1000+ | 8.90 грн |
| ES1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Capacitance: 8pF
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.47W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.62 грн |
| 17+ | 18.28 грн |
| 50+ | 13.55 грн |
| 100+ | 12.06 грн |
| 250+ | 10.28 грн |
| 500+ | 9.10 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| ES2D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.75 грн |
| 16+ | 20.33 грн |
| 100+ | 14.14 грн |
| 250+ | 12.46 грн |
| ES3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 11+ | 30.29 грн |
| 50+ | 20.47 грн |
| 100+ | 17.80 грн |
| 500+ | 17.30 грн |
| ES3J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.66W
Capacitance: 45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.49 грн |
| 50+ | 20.02 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| ESD5B5.0ST1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 50W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1µA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 30+ | 10.47 грн |
| 33+ | 9.00 грн |
| 100+ | 5.69 грн |
| 500+ | 4.03 грн |
| 1000+ | 3.48 грн |
| 3000+ | 3.22 грн |
| ESD5Z12T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.6A
Peak pulse power dissipation: 240W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 240W; 14.1V; 9.6A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.6A
Peak pulse power dissipation: 240W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 46+ | 6.78 грн |
| 54+ | 5.54 грн |
| 87+ | 3.42 грн |
| 106+ | 2.81 грн |
| 500+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.82 грн |
| ESD5Z2.5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 11A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 2.5V
Breakdown voltage: 4V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 6µA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 11A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.65 грн |
| 37+ | 8.42 грн |
| 53+ | 5.64 грн |
| 124+ | 2.39 грн |
| 500+ | 2.22 грн |
| 3000+ | 1.95 грн |
| 15000+ | 1.67 грн |
| ESD5Z3.3T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 158W; 5V; 11.2A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.158kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5V
Max. forward impulse current: 11.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.65 грн |
| 41+ | 7.60 грн |
| 60+ | 4.98 грн |
| 100+ | 4.21 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.62 грн |
| 1500+ | 2.44 грн |
| ESD5Z5.0T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 174W; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 174W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 174W; 6.2V; 9.4A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 9.4A
Peak pulse power dissipation: 174W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 52+ | 5.96 грн |
| 74+ | 4.03 грн |
| 100+ | 3.42 грн |
| 200+ | 2.87 грн |
| 500+ | 2.25 грн |
| 1000+ | 1.92 грн |
| ESD5Z6.0T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 181W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 181W; 6.8V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 181W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.58 грн |
| 52+ | 5.96 грн |
| 77+ | 3.86 грн |
| 100+ | 3.24 грн |
| 250+ | 2.62 грн |
| 500+ | 2.25 грн |
| 1000+ | 1.96 грн |
| ESD5Z7.0T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 200W; 7.5V; 8.8A; unidirectional; SOD523; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 10nA
Version: ESD
Max. forward impulse current: 8.8A
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 48+ | 6.47 грн |
| 60+ | 4.94 грн |
| 73+ | 4.11 грн |
| 100+ | 3.43 грн |
| 500+ | 2.33 грн |
| 1000+ | 2.05 грн |
| ESD7104MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD7104MUTAG Protection diodes - arrays
ESD7104MUTAG Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.60 грн |
| 48+ | 24.62 грн |
| 131+ | 23.33 грн |
| 500+ | 23.31 грн |
| ESD7351HT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD7351HT1G Unidirectional TVS SMD diodes
ESD7351HT1G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 100+ | 10.17 грн |
| 133+ | 8.80 грн |
| 366+ | 8.31 грн |
| ESD7351XV2T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 5V; SOD523; reel,tape; 0.43÷0.6pF; ESD
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5V
Version: ESD
Capacitance: 0.43...0.6pF
Leakage current: 1nA
Peak pulse power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 36+ | 8.63 грн |
| 42+ | 7.22 грн |
| 100+ | 4.66 грн |
| 250+ | 4.06 грн |
| 500+ | 4.03 грн |
| ESD7551N2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD7551N2T5G Bidirectional TVS SMD diodes
ESD7551N2T5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.32 грн |
| 200+ | 4.63 грн |
| ESD7C3.3DT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD7C3.3DT5G Protection diodes - arrays
ESD7C3.3DT5G Protection diodes - arrays
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 131+ | 8.90 грн |
| 361+ | 8.50 грн |
| ESD8008MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Number of channels: 8
Case: uDFN14
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 5.5÷8.5V; uDFN14; Ch: 8; reel,tape; ESD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.5...8.5V
Number of channels: 8
Case: uDFN14
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 10+ | 40.87 грн |
| ESD8011MUT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD8011MUT5G Bidirectional TVS SMD diodes
ESD8011MUT5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.34 грн |
| 131+ | 9.00 грн |
| 359+ | 8.50 грн |
| ESD9B3.3ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.3W; 5÷7V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5...7V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 15pF
Peak pulse power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 48+ | 6.47 грн |
| 80+ | 3.74 грн |
| 100+ | 3.08 грн |
| 250+ | 2.53 грн |
| ESD9B5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
ESD9B5.0ST5G Bidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.72 грн |
| 854+ | 1.37 грн |
| 2347+ | 1.30 грн |
| ESD9C3.3ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD9C3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
ESD9C3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.22 грн |
| 309+ | 3.80 грн |
| 848+ | 3.59 грн |
| ESD9C5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 11V; unidirectional; SOD923F; reel,tape
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 11V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD923F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 16+ | 20.02 грн |
| 35+ | 8.50 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 4000+ | 3.98 грн |
| ESD9L3.3ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
ESD9L3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.56 грн |
| 129+ | 9.10 грн |
| 355+ | 8.60 грн |
| ESD9R3.3ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
ESD9R3.3ST5G Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.56 грн |
| 51+ | 23.14 грн |
| 140+ | 21.85 грн |
| ESD9X5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.15W; 6.2V; SOD923; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.2V
Case: SOD923
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Peak pulse power dissipation: 0.15W
Version: ESD
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.52 грн |
| 56+ | 5.54 грн |
| 80+ | 3.72 грн |
| 100+ | 3.16 грн |
| 250+ | 2.57 грн |
| 500+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| FAN3100CSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Protection: undervoltage UVP
Output current: -1.8...2.5A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 10+ | 50.31 грн |
| FAN3100TMPX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; MLP6; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: MLP6
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -2.5...1.8A
Pulse fall time: 14ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.43 грн |
| 10+ | 56.17 грн |
| 25+ | 50.62 грн |
| 100+ | 50.53 грн |
| FAN3100TSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 20ns
Pulse fall time: 14ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.06 грн |
| 10+ | 55.86 грн |
| 25+ | 48.55 грн |
| 100+ | 48.25 грн |
| FAN3111CSX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 10+ | 62.63 грн |
| 25+ | 57.35 грн |
| FAN3111ESX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SOT23-5
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Technology: MillerDrive™
Output current: -0.9...1.1A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 10+ | 47.03 грн |
| 25+ | 39.35 грн |
| 100+ | 35.10 грн |
| FAN3224CMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.88 грн |
| 5+ | 133.48 грн |
| 25+ | 116.67 грн |
| 100+ | 109.75 грн |
| FAN3224TMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; MillerDrive™; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4.5...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Number of channels: 2
Technology: MillerDrive™
Output current: -4.3...2.8A
Pulse fall time: 17ns
Impulse rise time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.45 грн |
| 10+ | 81.12 грн |
| 25+ | 67.24 грн |
| 100+ | 58.34 грн |
| FAN4174IS5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
FAN4174IS5X SMD operational amplifiers
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.76 грн |
| 62+ | 18.98 грн |
| 170+ | 18.00 грн |
| FAN5622SX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SWD; TSOT23-6; 30mA; Ch: 2; 2.7÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Interface: SWD
Case: TSOT23-6
Output current: 30mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Maximum output current: 30mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.09 грн |
| 10+ | 32.86 грн |
| 100+ | 30.16 грн |
| FAN7380MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -180...90mA
Impulse rise time: 230ns
Pulse fall time: 90ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.46 грн |
| 10+ | 95.49 грн |
| 25+ | 76.13 грн |
| 100+ | 66.25 грн |
| FAN7382MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-/low-side,gate driver; MillerDrive™
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 140ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 10+ | 100.63 грн |
| 25+ | 81.08 грн |
| 100+ | 72.18 грн |
| FAN73832MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -650...350mA
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 15...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Type of integrated circuit: driver
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.29 грн |
| 5+ | 88.30 грн |
| 25+ | 76.13 грн |
| 100+ | 68.22 грн |
| FAN7383MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; MillerDrive™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SOP14
Output current: -650...350mA
Number of channels: 4
Supply voltage: 15...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 100ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Protection: undervoltage UVP
Technology: MillerDrive™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.23 грн |
| 10+ | 90.36 грн |
| 25+ | 76.13 грн |
| 100+ | 67.24 грн |
| FAN7888MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
FAN7888MX-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.39 грн |
| 8+ | 154.25 грн |
| 21+ | 146.34 грн |
| FAN7930CMX-G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
FAN7930CMX-G-ONS Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.93 грн |
| 24+ | 49.44 грн |
| 66+ | 46.47 грн |
| FCA47N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1114.87 грн |
| 10+ | 922.06 грн |
| 30+ | 773.21 грн |
| 120+ | 728.72 грн |
| FCB070N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.99 грн |
| 10+ | 380.94 грн |
| 25+ | 356.94 грн |
| FCB20N60FTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.74 грн |
| 3+ | 390.18 грн |
| 10+ | 314.43 грн |
| 25+ | 271.91 грн |
| 50+ | 246.20 грн |
| 100+ | 232.36 грн |




























