Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147474) > Сторінка 1851 з 2458

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTHL025N065SC1 ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF ONSEMI nthl027n65s3hf-d.pdf NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HF ONSEMI nthl033n65s3hf-d.pdf NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S ONSEMI nthl040n120m3s-d.pdf NTHL040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB4991F420C0C4&compId=NTHL040N65S3F.pdf?ci_sign=b3ba33902596198f4978a472891fb5bd5abcc875 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF ONSEMI nthl040n65s3hf-d.pdf NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H NTHL041N60S5H ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE8818C1A9CA0D6&compId=NTHL041N60S5H.PDF?ci_sign=8f07e389ca7b9532b8cec4d5e06a9f47b7f04df9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+823.39 грн
2+697.16 грн
5+634.97 грн
30+609.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 ONSEMI nthl045n065sc1-d.pdf NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HF ONSEMI nthl050n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 ONSEMI nthl060n065sc1-d.pdf NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 ONSEMI nthl060n090sc1-d.pdf NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F ONSEMI nthl065n65s3f-d.pdf NTHL065N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF ONSEMI nthl065n65s3hf-d.pdf NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H ONSEMI nthl067n65s3h-d.pdf NTHL067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1A ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F ONSEMI nthl082n65s3f-d.pdf NTHL082N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HF ONSEMI nthl082n65s3hf-d.pdf NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H ONSEMI nthl095n65s3h-d.pdf NTHL095N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF ONSEMI nthl095n65s3hf-d.pdf NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 ONSEMI nthl099n60s5-d.pdf NTHL099N60S5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1 ONSEMI NTHL1000N170M1-D.PDF NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3F ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H ONSEMI nthl125n65s3h-d.pdf NTHL125N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H ONSEMI nthl185n60s5h-d.pdf NTHL185N60S5H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf NTHL190N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HF ONSEMI nthld040n65s3hf-d.pdf NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G ONSEMI nths4101p-d.pdf NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.19 грн
10+30.11 грн
50+23.87 грн
65+17.06 грн
178+16.13 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.14 грн
14+21.30 грн
50+15.38 грн
100+13.61 грн
117+9.42 грн
320+8.86 грн
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf NTJD4105CT2G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ONSEMI ntjd4152p-d.pdf NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G ONSEMI ntjd4158c-d.pdf NTJD4158CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
On-state resistance: 445mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.17 грн
13+23.34 грн
100+13.33 грн
122+8.95 грн
336+8.48 грн
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.96 грн
231+4.74 грн
634+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G ONSEMI ntjs3151p-d.pdf NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.15 грн
13+22.46 грн
50+16.32 грн
100+14.64 грн
117+9.32 грн
322+8.86 грн
9000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G ONSEMI ntjs4405n-d.pdf NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3043NT1G NTK3043NT1G ONSEMI ntk3043n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD
Version: ESD
Case: SOT723
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
On-state resistance: 3.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.08 грн
24+12.49 грн
50+8.35 грн
100+7.10 грн
250+5.73 грн
342+3.21 грн
940+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3134NT1G ONSEMI ntk3134n-d.pdf NTK3134NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.48 грн
74+14.95 грн
201+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT1G ONSEMI ntk3139p-d.pdf NTK3139PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G ONSEMI ntljd3115p-d.pdf NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG ONSEMI ntljd3119c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
On-state resistance: 65/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G ONSEMI ntljd4116n-d.pdf NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1G ONSEMI ntljf3117p-d.pdf NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ONSEMI ntljf4156n-d.pdf NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAG ONSEMI ntljf4156n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ONSEMI ntljs17d0p03p8z-d.pdf NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ONSEMI ntljs2103p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAG ONSEMI ntljs3d0n02p8z-d.pdf NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1G ONSEMI ntljs4114n-d.pdf NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAG ONSEMI ntljs4114n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.92W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAG ONSEMI ntljs5d0n03c-d.pdf NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ONSEMI ntljs7d2p02p8z-d.pdf NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAG ONSEMI Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAG ONSEMI ntlus020n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL025N065SC1 nthl025n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL027N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HF nthl033n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9EEB6CE3B7C60C7&compId=NTHL040N120SC1.PDF?ci_sign=d6a134f46763306b2ba210f070ef926d26e4738a
NTHL040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB4991F420C0C4&compId=NTHL040N65S3F.pdf?ci_sign=b3ba33902596198f4978a472891fb5bd5abcc875
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE8818C1A9CA0D6&compId=NTHL041N60S5H.PDF?ci_sign=8f07e389ca7b9532b8cec4d5e06a9f47b7f04df9
NTHL041N60S5H
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+823.39 грн
2+697.16 грн
5+634.97 грн
30+609.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HF nthl050n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 nthl060n090sc1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL065N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL075N065SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBDAE9828496F60D6&compId=NTHL075N065SC1.PDF?ci_sign=430aea5e6198bb2ffbb8f61c66a0b836c3d03f91
NTHL075N065SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL080N120SC1A nthl080n120sc1a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL080N120SC1A THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3F nthl082n65s3f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL082N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL082N65S3HF nthl082n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3H nthl095n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL099N60S5 nthl099n60s5-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL110N65S3F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA83EB6D0A3C8600C4&compId=NTHL110N65S3F.pdf?ci_sign=f8f73c30ce89f168b0320364212851dad40cfe0a
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL125N65S3H nthl125n65s3h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL125N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL160N120SC1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361
NTHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL185N60S5H nthl185n60s5h-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHL190N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHLD040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTHS4101PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD1155LT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A243218288745&compId=NTJD1155L.PDF?ci_sign=6c19d42204cb111b22583f0318a94bc8c98871a3
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Supply voltage: 1.8...8V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.19 грн
10+30.11 грн
50+23.87 грн
65+17.06 грн
178+16.13 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.14 грн
14+21.30 грн
50+15.38 грн
100+13.61 грн
117+9.42 грн
320+8.86 грн
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT1G ntjd4105c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJD4105CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJD4105CT2G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4152PT1G ntjd4152p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJD4152PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJD4158CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A2B8CB75CC745&compId=NTJD4401N.PDF?ci_sign=e7b06145f6f2ab2d1eff110c0d2ecf1a04763571
NTJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
On-state resistance: 445mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 1.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.17 грн
13+23.34 грн
100+13.33 грн
122+8.95 грн
336+8.48 грн
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.96 грн
231+4.74 грн
634+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.15 грн
13+22.46 грн
50+16.32 грн
100+14.64 грн
117+9.32 грн
322+8.86 грн
9000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4405NT1G ntjs4405n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJS4405NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3043NT1G ntk3043n-d.pdf
NTK3043NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723; ESD
Version: ESD
Case: SOT723
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
On-state resistance: 3.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.08 грн
24+12.49 грн
50+8.35 грн
100+7.10 грн
250+5.73 грн
342+3.21 грн
940+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3134NT1G ntk3134n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTK3134NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.48 грн
74+14.95 грн
201+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT1G ntk3139p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G ntljd3115p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJD3115PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG ntljd3119c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: WDFN6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
On-state resistance: 65/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD4116NT1G ntljd4116n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJD4116NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1G ntljf3117p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJF3117PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ntljf4156n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJF4156NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NTAG ntljf4156n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS17D0P03P8ZTAG ntljs17d0p03p8z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJS17D0P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS2103PTBG ntljs2103p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7.7A; Idm: -24A; 3.3W; WDFN6
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -24A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS3D0N02P8ZTAG ntljs3d0n02p8z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1G ntljs4114n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NTAG ntljs4114n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 28A; 1.92W; WDFN6
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.92W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 28A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAG ntljs5d0n03c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJS5D0N03CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS7D2P02P8ZTAG ntljs7d2p02p8z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTLJS7D2P02P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUD4C26NTAG
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTLUS020N03CTAG ntlus020n03c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; Idm: 24A; 1.52W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.52W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]