Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142540) > Сторінка 1851 з 2376

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1896 2133 2370 2376  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NC7SZ86P5X NC7SZ86P5X ONSEMI 2286284.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ86P5X - XOR-Gatter, NC7S86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.25 грн
201+4.29 грн
275+3.13 грн
500+2.53 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
AX5051-1-TW30 ONSEMI 2354977.pdf Description: ONSEMI - AX5051-1-TW30 - HF-TRANSCEIVER, 940MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Übertragungsstrom: 45
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 16
hazardous: false
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: AMR, Zugangskontrolle, Fernsteuerung, RFID, Telemetrie, drahtlose Audiosysteme/Netzwerke/Wireless-M-Bus
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 400
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Empfangsstrom: 19
Empfindlichkeit (dBm): -116
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK, FSK, MSK, O-QPSK, PSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 940
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431BSNT1G NCV431BSNT1G ONSEMI TLV431A-D.PDF Description: ONSEMI - NCV431BSNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP432BISNT1G NCP432BISNT1G ONSEMI NCP431-D.PDF Description: ONSEMI - NCP432BISNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431BVDR2G NCV431BVDR2G ONSEMI TL431-D.PDF Description: ONSEMI - NCV431BVDR2G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431ASNT1G NCV431ASNT1G ONSEMI TLV431A-D.PDF Description: ONSEMI - NCV431ASNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF FQT3P20TF ONSEMI 2552633.pdf Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.47 грн
13+68.60 грн
100+52.68 грн
500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10TU FQU8P10TU ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20071SN2T1G NCV20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCV20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.35 грн
21+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20071SN2T1G NCV20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCV20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.89 грн
500+23.10 грн
1000+20.44 грн
2500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071XV53T2G NCS20071XV53T2G ONSEMI 2673621.pdf Description: ONSEMI - NCS20071XV53T2G - Operationsverstärker, RRO, 1 Verstärker, 3 MHz, 2.8 V/µs, ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V, SOT-553
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 2.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071XV53T2G NCS20071XV53T2G ONSEMI 2673621.pdf Description: ONSEMI - NCS20071XV53T2G - Operationsverstärker, RRO, 1 Verstärker, 3 MHz, 2.8 V/µs, ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V, SOT-553
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E ONSEMI ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.68 грн
500+22.54 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302BUCX FUSB302BUCX ONSEMI 2313408.pdf Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.48 грн
500+30.37 грн
1000+25.97 грн
2500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1204 GBPC1204 ONSEMI ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GBPC1204 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 12 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+423.49 грн
10+238.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.15 грн
10+300.40 грн
100+221.21 грн
500+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 FDB2710 ONSEMI 1776981.pdf Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+267.70 грн
500+246.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QEB363GR QEB363GR ONSEMI QEB363-D.pdf Description: ONSEMI - QEB363GR - Infrarot-Emitter, 940 nm, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-3/4 (1.8mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.6
hazardous: false
Abfallzeit tf: 1
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 940
Betriebstemperatur, min.: -40
Strahlungsintensität (Ie): 8
Halbwertswinkel: 24
euEccn: NLR
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 100
Anstiegszeit: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.55 грн
27+31.93 грн
100+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
QEB363GR QEB363GR ONSEMI QEB363-D.pdf Description: ONSEMI - QEB363GR - Infrarot-Emitter, 940 nm, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR01L30NXT5G NSR01L30NXT5G ONSEMI ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.59 грн
500+7.82 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0520V2T1G NSR0520V2T1G ONSEMI 2354110.pdf Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G NSR0240HT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.60 грн
1500+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 FDD86540 ONSEMI fdd86540-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.71 грн
10+95.54 грн
100+91.24 грн
500+79.77 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TIP111TU TIP111TU ONSEMI TIP112-D.pdf Description: ONSEMI - TIP111TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G BCP53-10T1G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.54 грн
200+19.98 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T3G BCP53-16T3G ONSEMI 2028660.pdf Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.26 грн
500+9.11 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E ONSEMI 2255218.pdf Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.24 грн
500+45.00 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36LT1G BZX84C36LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.25 грн
223+3.87 грн
374+2.31 грн
500+1.99 грн
1500+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V3LT1G BZX84B3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.53 грн
131+6.58 грн
269+3.20 грн
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V3LT1G BZX84B3V3LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114ASN280T1G NCP114ASN280T1G ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.83 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114ASN280T1G NCP114ASN280T1G ONSEMI 2118270.pdf Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.27 грн
53+16.53 грн
100+10.16 грн
500+7.83 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCP69T1G BCP69T1G ONSEMI ONSM-S-A0011183087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+10.67 грн
18000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SA572DR2G SA572DR2G ONSEMI SA572-D.PDF Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA572DTBR2G. SA572DTBR2G. ONSEMI SA572-D.PDF Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C68LT1G BZX84C68LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.62 грн
1000+4.23 грн
5000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2035.69 грн
5+1730.12 грн
10+1675.89 грн
50+1137.37 грн
100+1049.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ FDS6675BZ ONSEMI 2284482.pdf Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.23 грн
500+32.37 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-TD-E ONSEMI 2SA2012-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ONSEMI ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1985.76 грн
5+1874.73 грн
10+1763.69 грн
50+1569.77 грн
100+1385.57 грн
250+1322.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 FDD86540 ONSEMI fdd86540-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.24 грн
500+79.77 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090DDWR2G NCD57090DDWR2G ONSEMI 3409743.pdf Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.82 грн
250+90.01 грн
500+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5006SNT1G. NCP5006SNT1G. ONSEMI 115288.pdf Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5006SNT1G. NCP5006SNT1G. ONSEMI 115288.pdf Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP13992AADR2G NCP13992AADR2G ONSEMI ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.53 грн
250+63.45 грн
500+59.32 грн
1000+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP13992ABDR2G NCP13992ABDR2G ONSEMI ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.32 грн
250+69.94 грн
500+64.04 грн
1000+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399ARDR2G NCP1399ARDR2G ONSEMI NCP1399-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF. FGP10N60UNDF. ONSEMI FGP10N60UNDF-D.pdf Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560ABDWR2G NCP51560ABDWR2G ONSEMI 3763387.pdf Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.49 грн
250+123.95 грн
500+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560ABDWR2G NCP51560ABDWR2G ONSEMI 3763387.pdf Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.34 грн
10+258.23 грн
25+224.66 грн
50+177.44 грн
100+136.49 грн
250+123.95 грн
500+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.96 грн
50+45.71 грн
250+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A NZT560A ONSEMI ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.71 грн
250+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A. FDS6898A. ONSEMI ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.97 грн
50+64.47 грн
100+53.97 грн
500+42.36 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W CPH6350-TL-W ONSEMI cph6350-d.pdf Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.13 грн
25+34.95 грн
100+23.33 грн
500+16.47 грн
1000+13.65 грн
5000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.67 грн
97+8.95 грн
169+5.11 грн
500+3.44 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G NSD914XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.44 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSD070ALT1G NSD070ALT1G ONSEMI NSD070AL-D.PDF Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G NSD914F3T5G ONSEMI 2337988.pdf Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ86P5X 2286284.pdf
NC7SZ86P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ86P5X - XOR-Gatter, NC7S86, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.25 грн
201+4.29 грн
275+3.13 грн
500+2.53 грн
1000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
AX5051-1-TW30 2354977.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX5051-1-TW30 - HF-TRANSCEIVER, 940MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Übertragungsstrom: 45
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 16
hazardous: false
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: AMR, Zugangskontrolle, Fernsteuerung, RFID, Telemetrie, drahtlose Audiosysteme/Netzwerke/Wireless-M-Bus
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 400
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Empfangsstrom: 19
Empfindlichkeit (dBm): -116
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: ASK, FSK, MSK, O-QPSK, PSK
Anzahl der Pins: 28
Übertragungsrate: 600
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Frequenz, max.: 940
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431BSNT1G TLV431A-D.PDF
NCV431BSNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV431BSNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP432BISNT1G NCP431-D.PDF
NCP432BISNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP432BISNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431BVDR2G TL431-D.PDF
NCV431BVDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV431BVDR2G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV431ASNT1G TLV431A-D.PDF
NCV431ASNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV431ASNT1G - VOLTAGE REFERENCES
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF 2552633.pdf
FQT3P20TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.47 грн
13+68.60 грн
100+52.68 грн
500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQU8P10TU ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQU8P10TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20071SN2T1G 2337856.pdf
NCV20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.35 грн
21+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20071SN2T1G 2337856.pdf
NCV20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G 2337856.pdf
NCS20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.89 грн
500+23.10 грн
1000+20.44 грн
2500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071XV53T2G 2673621.pdf
NCS20071XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071XV53T2G - Operationsverstärker, RRO, 1 Verstärker, 3 MHz, 2.8 V/µs, ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V, SOT-553
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung: ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 2.8
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071XV53T2G 2673621.pdf
NCS20071XV53T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071XV53T2G - Operationsverstärker, RRO, 1 Verstärker, 3 MHz, 2.8 V/µs, ± 1.35V bis ± 18V, 2.7V bis 36V, SOT-553
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3647S-TD-E ONSMS36366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3647S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.68 грн
500+22.54 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302BUCX 2313408.pdf
FUSB302BUCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.48 грн
500+30.37 грн
1000+25.97 грн
2500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1204 ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC1204
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1204 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 12 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+423.49 грн
10+238.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
FDB2710
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.15 грн
10+300.40 грн
100+221.21 грн
500+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 1776981.pdf
FDB2710
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+267.70 грн
500+246.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QEB363GR QEB363-D.pdf
QEB363GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEB363GR - Infrarot-Emitter, 940 nm, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-3/4 (1.8mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.6
hazardous: false
Abfallzeit tf: 1
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 940
Betriebstemperatur, min.: -40
Strahlungsintensität (Ie): 8
Halbwertswinkel: 24
euEccn: NLR
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 50
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 100
Anstiegszeit: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.55 грн
27+31.93 грн
100+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
QEB363GR QEB363-D.pdf
QEB363GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QEB363GR - Infrarot-Emitter, 940 nm, 24 °, T-3/4 (1.8mm), 8 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR01L30NXT5G ONSM-S-A0013749824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR01L30NXT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR01L30NXT5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 530 mV, 4 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 0201
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 530mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.59 грн
500+7.82 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0520V2T1G 2354110.pdf
NSR0520V2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0520V2T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 480mV
Sperrverzögerungszeit: 12ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G ONSM-S-A0013775445-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0240HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0240HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 710 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 710mV
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR02
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.60 грн
1500+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 fdd86540-d.pdf
FDD86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.71 грн
10+95.54 грн
100+91.24 грн
500+79.77 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TIP111TU TIP112-D.pdf
TIP111TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP111TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-10T1G 2028660.pdf
BCP53-10T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.54 грн
200+19.98 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP53-16T3G 2028660.pdf
BCP53-16T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.26 грн
500+9.11 грн
1000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-TL-E 2255218.pdf
2SD1802T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.24 грн
500+45.00 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C36LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C36LT1G - Zener-Diode, 36 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+8.25 грн
223+3.87 грн
374+2.31 грн
500+1.99 грн
1500+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.53 грн
131+6.58 грн
269+3.20 грн
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B3V3LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B3V3LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114ASN280T1G 2118270.pdf
NCP114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.83 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP114ASN280T1G 2118270.pdf
NCP114ASN280T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP114ASN280T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5Vin, 2.8V/300mAout, 170mV Dropout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 2.8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 300mA 2.8V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 170mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 170mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.27 грн
53+16.53 грн
100+10.16 грн
500+7.83 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCP69T1G ONSM-S-A0011183087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP69T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP69T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+10.67 грн
18000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SA572DR2G SA572-D.PDF
SA572DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DR2G - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, WSOIC, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA572DTBR2G. SA572-D.PDF
SA572DTBR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA572DTBR2G. - Audiosteuerung, Dynamikregler, 6V bis 22V, TSSOP, 16 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423990
Audiosteuerung: Dynamikregler
Versorgungsspannung: 6V bis 22V
hazardous: false
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Bauform - Audio-IC: TSSOP
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C68LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C68LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.62 грн
1000+4.23 грн
5000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
NTHL015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2035.69 грн
5+1730.12 грн
10+1675.89 грн
50+1137.37 грн
100+1049.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675BZ 2284482.pdf
FDS6675BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.23 грн
500+32.37 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2012-TD-E 2SA2012-D.PDF
2SA2012-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2012-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVHL040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1985.76 грн
5+1874.73 грн
10+1763.69 грн
50+1569.77 грн
100+1385.57 грн
250+1322.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86540 fdd86540-d.pdf
FDD86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.24 грн
500+79.77 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57090DDWR2G 3409743.pdf
NCD57090DDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57090DDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: Nicht invertierend
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NCx57090y
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.82 грн
250+90.01 грн
500+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5006SNT1G. 115288.pdf
NCP5006SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24
hazardous: false
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25
Eingangsspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: TSOP
Bausteintopologie: Boost (Aufwärts)
Ausgangsstrom, max.: 50
Eingangsspannung, min.: 2.7
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5006SNT1G. 115288.pdf
NCP5006SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5006SNT1G. - LED-Treiber, 1 Ausgang, Boost (Aufwärts), 2.7V-5.5Vin, 24V/50mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
IC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP13992AADR2G ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP13992AADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992AADR2G - Resonanz-Controller, 12V bis 20V, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Resonanz-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.53 грн
250+63.45 грн
500+59.32 грн
1000+55.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP13992ABDR2G ONSM-S-A0016180206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP13992ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP13992ABDR2G - AC/DC-Wandler, Current-Mode-Resonanz, Halbbrücke, 20V AC Eingangsspannung, NSOIC-16
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 750kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20VAC
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Halbbrücke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Nicht isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.32 грн
250+69.94 грн
500+64.04 грн
1000+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1399ARDR2G NCP1399-D.PDF
NCP1399ARDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1399ARDR2G - AC / DC CONVERTERS
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF. FGP10N60UNDF-D.pdf
FGP10N60UNDF.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560ABDWR2G 3763387.pdf
NCP51560ABDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.49 грн
250+123.95 грн
500+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560ABDWR2G 3763387.pdf
NCP51560ABDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+387.34 грн
10+258.23 грн
25+224.66 грн
50+177.44 грн
100+136.49 грн
250+123.95 грн
500+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.96 грн
50+45.71 грн
250+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NZT560A ONSM-S-A0003584069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NZT560A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT560A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.71 грн
250+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A. ONSM-S-A0013339719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6898A.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898A. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.97 грн
50+64.47 грн
100+53.97 грн
500+42.36 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6350-TL-W cph6350-d.pdf
CPH6350-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6350-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.043 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.13 грн
25+34.95 грн
100+23.33 грн
500+16.47 грн
1000+13.65 грн
5000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.67 грн
97+8.95 грн
169+5.11 грн
500+3.44 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914XV2T1G ONSM-S-A0013300536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSD914XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.44 грн
1500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSD070ALT1G NSD070AL-D.PDF
NSD070ALT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD070ALT1G - Kleinsignaldiode, Zwei in Reihe, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25
Sperrverzögerungszeit: 3
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-1123
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: 4
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSD914F3T5G 2337988.pdf
NSD914F3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914F3T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1856 1896 2133 2370 2376  Наступна Сторінка >> ]