Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144190) > Сторінка 1850 з 2404

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1845 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1920 2160 2400 2404  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS8949-F085 FDS8949-F085 ONSEMI 2277575.pdf Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H11 ONSEMI KSE44H-D.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11TU KSE44H11TU ONSEMI 694309.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.69 грн
250+34.21 грн
1000+22.91 грн
2000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 FDBL9403-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 159.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+633.17 грн
50+428.42 грн
100+322.34 грн
500+274.88 грн
1000+237.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.85 грн
10+197.35 грн
100+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 FDBL0090N40 ONSEMI FDBL0090N40-D.pdf Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SHN1B01FDW1T1G SHN1B01FDW1T1G ONSEMI hn1b01fdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS21801SQ3T2G NCS21801SQ3T2G ONSEMI ncs21801-d.pdf Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.18 грн
500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI fqpf45n15v2-d.pdf Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.38 грн
10+129.10 грн
100+115.94 грн
500+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-H. 2SD1803S-H. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-E. 2SD1803S-TL-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-E. 2SD1803T-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X NC7WZ04P6X ONSEMI NC7WZ04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+8.17 грн
219+3.76 грн
265+3.11 грн
500+2.50 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X. NC7WZ04P6X. ONSEMI 2277582.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A FDS9431A ONSEMI 2304010.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.84 грн
500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A FDS9400A ONSEMI 2304004.pdf Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB40PH60B FPDB40PH60B ONSEMI fpdb40ph60b-d.pdf Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPMGC-027
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 40A
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
usEccn: EAR99
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.11 грн
5+1181.64 грн
10+943.17 грн
50+866.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB60PH60B FPDB60PH60B ONSEMI FPDB60PH60B-D.pdf Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 ONSEMI FCD360N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.69 грн
10+138.15 грн
100+107.72 грн
500+83.23 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E FCD380N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.92 грн
10+104.43 грн
100+81.49 грн
500+68.95 грн
1000+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z FCD1300N80Z ONSEMI 2859337.pdf Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 ONSEMI FCD600N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z ONSEMI 2907347.pdf Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 ONSEMI 2859338.pdf Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 ONSEMI 2859338.pdf Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z ONSEMI 2859337.pdf Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z ONSEMI 2907347.pdf Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N457TR 1N457TR ONSEMI FAIRS28741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK3.3G NCV33269DTRK3.3G ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK5.0G NCV33269DTRK5.0G ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRKG NCV33269DTRKG ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DT-5.0G. NCV33269DT-5.0G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK-12G. NCV33269DTRK-12G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DR2G. NCV33269DR2G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V6 BZX79C3V6 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.88 грн
91+9.13 грн
210+3.93 грн
500+3.29 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060B2 FNB41060B2 ONSEMI ONSM-S-A0003587311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L FSV2060L ONSEMI fsv2060l-d.pdf Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+91.27 грн
12+70.14 грн
100+63.65 грн
500+47.34 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V FSV20120V ONSEMI 2729250.pdf Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.10 грн
12+71.46 грн
100+63.89 грн
500+54.37 грн
1000+48.91 грн
5000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L FSV2060L ONSEMI fsv2060l-d.pdf Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.65 грн
500+47.34 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V FSV20120V ONSEMI 2729250.pdf Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.89 грн
500+54.37 грн
1000+48.91 грн
5000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085 FDD86580-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.34 грн
11+77.95 грн
100+51.89 грн
500+38.25 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI 2304131.pdf Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.71 грн
26+32.15 грн
100+19.82 грн
500+17.10 грн
1000+14.38 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI 2299524.pdf Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 FDB024N06 ONSEMI 1863385.pdf Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FYP1010DNTU FYP1010DNTU ONSEMI FYP1010DN-D.pdf Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.62 грн
10+160.35 грн
100+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G NCV20074DR2G ONSEMI 2673621.pdf Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.52 грн
14+61.75 грн
50+55.83 грн
100+45.74 грн
250+39.54 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G NCV20074DR2G ONSEMI 2673621.pdf Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.74 грн
250+39.54 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G NCV20074DTBR2G ONSEMI 2578411.pdf Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G NCV20074DTBR2G ONSEMI 2578411.pdf Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84B5V1LT1G SZBZX84B5V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.14 грн
83+9.95 грн
250+6.28 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1202. GBPC1202. ONSEMI ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GBPC1202. - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panel Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363YTU KSD363YTU ONSEMI KSD363-D.pdf Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT605 NZT605 ONSEMI nzt605-d.pdf Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.82 грн
500+18.63 грн
1000+15.65 грн
5000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYS KSC2690AYS ONSEMI ksc2690a-d.pdf Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.10 грн
20+43.01 грн
100+31.74 грн
500+23.29 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS KSA1220AYS ONSEMI 2299880.pdf Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085 2277575.pdf
FDS8949-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H-D.pdf
KSE44H11
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11TU 694309.pdf
KSE44H11TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+47.69 грн
250+34.21 грн
1000+22.91 грн
2000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 159.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+633.17 грн
50+428.42 грн
100+322.34 грн
500+274.88 грн
1000+237.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+296.85 грн
10+197.35 грн
100+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 FDBL0090N40-D.pdf
FDBL0090N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SHN1B01FDW1T1G hn1b01fdw1t1-d.pdf
SHN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS21801SQ3T2G ncs21801-d.pdf
NCS21801SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.18 грн
500+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 fqpf45n15v2-d.pdf
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+257.38 грн
10+129.10 грн
100+115.94 грн
500+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-H. EN2085-D.PDF
2SD1803S-H.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-E. EN2085-D.PDF
2SD1803S-TL-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-E. EN2085-D.PDF
2SD1803T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X NC7WZ04-D.PDF
NC7WZ04P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
101+8.17 грн
219+3.76 грн
265+3.11 грн
500+2.50 грн
1500+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X. 2277582.pdf
NC7WZ04P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A 2304010.pdf
FDS9431A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+42.84 грн
500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A 2304004.pdf
FDS9400A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB40PH60B fpdb40ph60b-d.pdf
FPDB40PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPMGC-027
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 40A
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
usEccn: EAR99
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1420.11 грн
5+1181.64 грн
10+943.17 грн
50+866.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB60PH60B FPDB60PH60B-D.pdf
FPDB60PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0-D.PDF
FCD360N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+209.69 грн
10+138.15 грн
100+107.72 грн
500+83.23 грн
1000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E ONSM-S-A0003584659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCD380N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+129.92 грн
10+104.43 грн
100+81.49 грн
500+68.95 грн
1000+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z 2859337.pdf
FCD1300N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0-D.PDF
FCD600N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z 2907347.pdf
FCD2250N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 2859338.pdf
FCD260N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 2859338.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z 2859337.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z 2907347.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N457TR FAIRS28741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N457TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK3.3G MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK3.3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK5.0G MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK5.0G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRKG MC33269-D.PDF
NCV33269DTRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DT-5.0G. MC33269-D.PDF
NCV33269DT-5.0G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK-12G. MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK-12G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DR2G. MC33269-D.PDF
NCV33269DR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V6 BZX79C2V4-D.PDF
BZX79C3V6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
56+14.88 грн
91+9.13 грн
210+3.93 грн
500+3.29 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060B2 ONSM-S-A0003587311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNB41060B2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L fsv2060l-d.pdf
FSV2060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+91.27 грн
12+70.14 грн
100+63.65 грн
500+47.34 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V 2729250.pdf
FSV20120V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.10 грн
12+71.46 грн
100+63.89 грн
500+54.37 грн
1000+48.91 грн
5000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L fsv2060l-d.pdf
FSV2060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.65 грн
500+47.34 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V 2729250.pdf
FSV20120V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.89 грн
500+54.37 грн
1000+48.91 грн
5000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085 ONSM-S-A0013178603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86580-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+123.34 грн
11+77.95 грн
100+51.89 грн
500+38.25 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ 2304131.pdf
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.042 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 8309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+52.71 грн
26+32.15 грн
100+19.82 грн
500+17.10 грн
1000+14.38 грн
5000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 2299524.pdf
FDB024N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB024N06 1863385.pdf
FDB024N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FYP1010DNTU FYP1010DN-D.pdf
FYP1010DNTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDB060AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+177.62 грн
10+160.35 грн
100+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G 2673621.pdf
NCV20074DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+85.52 грн
14+61.75 грн
50+55.83 грн
100+45.74 грн
250+39.54 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DR2G 2673621.pdf
NCV20074DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+45.74 грн
250+39.54 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G 2578411.pdf
NCV20074DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20074DTBR2G 2578411.pdf
NCV20074DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84B5V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84B5V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+14.14 грн
83+9.95 грн
250+6.28 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1202. ONSM-S-A0013296829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GBPC1202.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1202. - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panel Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+421.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363YTU KSD363-D.pdf
KSD363YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NZT605 nzt605-d.pdf
NZT605
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT605 - Darlington-Transistor, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 110V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.82 грн
500+18.63 грн
1000+15.65 грн
5000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC2690AYS ksc2690a-d.pdf
KSC2690AYS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+67.10 грн
20+43.01 грн
100+31.74 грн
500+23.29 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS 2299880.pdf
KSA1220AYS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1845 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1855 1920 2160 2400 2404  [ Наступна Сторінка >> ]