| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NCP1342ANDAAD1R2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1342DADBDD1R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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FQPF9N90CT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 8 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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1N485B. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N485B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N485BTR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
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1N483B. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery Rectifier Bauform - Diode: DO-35 Durchlassstoßstrom: 4 Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1N483B Series Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead |
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Мінімальне замовлення: 22000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDS8870 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP2202W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22 tariffCode: 85363030 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP22 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCP1090DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1095GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVB tariffCode: 84733020 Prozessorkern: NCP1095DBR2 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2 euEccn: NLR Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device) hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP1092DRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Bauform - Controller-IC: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr Tastverhältnis (%): - Frequenz: - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung: 57V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV274DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RSL10-SOLARSENS-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORM tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Sensor euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10 Leiterplatte: Evaluationsboard SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Prozessorkern: NCH-RSL10-101S51-ACG Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQP5N60C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5501DT50G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 500 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 16 Eingangsspannung, min.: 2.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 230 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NLSX4373DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Bauform - Logikbaustein: SOIC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 20ns Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLSF595DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 8Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 7V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 12mA Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLSF595DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 8Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Eingangsspannung, max.: 7V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 12mA Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDT86102LZ. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 08AK6006 tariffCode: 0 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD060LR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Bauform - Optokoppler: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV74VHC50DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFER MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14503BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP3105LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP3105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP3105LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP3105LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP31 productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 250kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 1.5A Bausteintopologie: Boost, Buck Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SGF5N150UFTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5 Verlustleistung: 62.5 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-3PF Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7 Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PN2907ATFR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2907ATF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2907ATAR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2907ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PN2907ATA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung Pd: 625 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSD1691GS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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KSD1691YS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 Verlustleistung: 1.3 Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| FQPF7N65CYDTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7N65CYDTU - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |
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NCP302LSN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5 Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low Verzögerungszeit: - Bauform - digitaler IC: TSOP MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 800 Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 10 Schwellenspannung: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP302LSN30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SK536-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CP MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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SS22T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SS22T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSVPZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NSVPZTA92T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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PZTA92 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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PZTA92 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300 Verlustleistung: 1 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV20091SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.15V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NCV20091SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s) tariffCode: 85423190 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.15V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz Eingangsoffsetspannung: 500µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP4306AAAZZZADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C IC-Bauform: SOIC Versorgungsspannung, min.: 4V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 35V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DVK-SFJK-API-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-API-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK-API, Sigfox™ RCZ3&7, sehr energiesparend, API-Bibliothek tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität IC-Funktion: HF-Transceiver euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan Leiterplatte: Development Kit SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Prozessorkern: AX-SFJK-API-1-01 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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DVK-SFJK-1-GEVK | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK, Sigfox™ RCZ3&7, äußerst energiesparend, API-Bibliothek tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität IC-Funktion: HF-Transceiver euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan Leiterplatte: Development Kit SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NTR4171PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTR4171PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC846BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 38727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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30A02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAY73 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAY73 - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 500 mA, 1 V, 1 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 1µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAY73 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 125V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAY72TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAY72TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 200 mA, 1 V, 400 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 400ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAY72 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 125V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISL9V3040P3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040P3 - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V MSL: - Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 21A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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NC7S14P5X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7S14P5X. - INVERTER, SCHMITT TRIGGER, SC-70-5, FULL REEL Logikfunktion: Inverter Logik-IC-Familie: 7S Bauform - Logikbaustein: SC-70 Ausgangsstrom: 2.6 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 7S14 Versorgungsspannung, max.: 6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: With Schmitt Trigger Input Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Single SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCP1342ANDAAD1R2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342ANDAAD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1342DADBDD1R2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1342DADBDD1R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FQPF9N90CT |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FQPF9N90CT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 8 A, 1.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.12
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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| 1N485B. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N485B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N485B. - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N485B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N485BTR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N485BTR - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1N483B. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery Rectifier
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N483B Series
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - 1N483B. - Standard Recovery Rectifier
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N483B Series
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22000 шт
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| FDS8870 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDS8870 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0042 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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| NUP2202W1T2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP2202W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SC-88, 6 Pin(s), 5 V, 500 W, NUP22
tariffCode: 85363030
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1090DG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP1090DG - PoE-Controller (Power Over Ethernet), 57 V/500 mA, Unterspannungsabschaltung ab 3.6 V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1095GEVB |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1095DBR2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCP1095GEVB - POE-PD INTERFACE CONTROLLER EVB
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCP1095DBR2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCP1095DBR2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: POE-Controller (Power-Over-Ethernet), PD-Controller (Powered Device)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP1092DRG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NCP1092DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV274DR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - NCV274DR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RSL10-SOLARSENS-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORM
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: NCH-RSL10-101S51-ACG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - RSL10-SOLARSENS-GEVK - RSL10 SOLAR CELL MULTI-SENSOR PLATFORM
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101S51-ACG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Solarbetriebener BLE-Sensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: RSL10
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: NCH-RSL10-101S51-ACG
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FQP5N60C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FQP5N60C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP5501DT50G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 500
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP5501DT50G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 16V, 230mV Dropout, 5Vout, 500mAout, TO-252-3
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 500
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 16
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 230
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NLSX4373DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NLSX4373DR2G - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1mA, 20ns, 1.5V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Logiktyp: Bidirektionaler Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 20ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLSF595DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLSF595DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NLSF595DTR2G - LED-Treiber, 8 Ausgänge, linear, 1.8V-7Vin, 1MHz Schaltfrequenz, 5.5V/12mAout, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 12mA
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDT86102LZ. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 08AK6006
tariffCode: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 08AK6006
tariffCode: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD060LR2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FOD060LR2 - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLV74VHC50DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74VHC50DTR2G - HEX BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NLV14503BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14503BDR2G - HEX NON-INVERTING BUFFER, 3-STATE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NUP3105LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NUP3105LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NUP3105LT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP3105LT3G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NUP3105LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP3105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 66 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 350 W, NUP31
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 66V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: NUP31
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV3065DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV3065DR2G - LED-Treiber, AEC-Q100, Buck, Boost, 3V bis 40Vin, 250kHz Schaltfrequenz, 1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 250kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Bausteintopologie: Boost, Buck
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SGF5N150UFTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 62.5
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PF
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7
Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SGF5N150UFTU - IGBT, 10 A, 4.7 V, 62.5 W, 1.5 kV, TO-3PF, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 62.5
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3PF
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 4.7
Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2907ATFR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2907ATF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PN2907ATF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PN2907ATAR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - PN2907ATAR - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PN2907ATA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PN2907ATA |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung Pd: 625
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: -
Verlustleistung Pd: 625
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-226AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KSD1691GS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KSD1691YS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
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| NCP302LSN30T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: TSOP
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 800
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Schwellenspannung: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 5 шт
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| NCP302LSN30T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCP302LSN30T1G - Spannungsprüfer-IC, Active-Low-Reset, 0.8V-10Vin, TSOP-5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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| 2SK536-TB-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - 2SK536-TB-E - N-CHANNEL MOSFET 50V, 100MA, SINGLE CP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| SS22T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Мінімальне замовлення: 100 шт
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| SS22T3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - SS22T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 20V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Мінімальне замовлення: 5 шт
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| PZTA92T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVPZTA92T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA92T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 50 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVPZTA92T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVPZTA92T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA92 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| PZTA92 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZTA92 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
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| NCV20091SN3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV20091SN3T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV20091SN3T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCP4306AAAZZZADR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: SOIC
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP4306AAAZZZADR2G - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber, 4V bis 35V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Treiber
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: SOIC
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DVK-SFJK-API-1-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-API-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK-API, Sigfox™ RCZ3&7, sehr energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFJK-API-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-API-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK-API, Sigfox™ RCZ3&7, sehr energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFJK-API-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DVK-SFJK-1-GEVK |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK, Sigfox™ RCZ3&7, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Description: ONSEMI - DVK-SFJK-1-GEVK - Development Kit, HF-Transceiver-SoC AX-SFJK, Sigfox™ RCZ3&7, äußerst energiesparend, API-Bibliothek
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: HF-Transceiver
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Mini-Modul mit SoC, Debugging-Adapter mit Flachbandkabel, Mini-USB-Kabel und SMA-Antenne
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: HF-Transceiver - Sigfox-Netzwerke Japan
Leiterplatte: Development Kit
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Prozessorkern: AX-SFAZ-1-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTR4171PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC846BDW1T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: ONSEMI - BC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 38727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 30A02CH-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 700mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAY73 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAY73 - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 500 mA, 1 V, 1 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAY73
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 125V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAY73 - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 500 mA, 1 V, 1 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAY73
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 125V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAY72TR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAY72TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 200 mA, 1 V, 400 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAY72
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 125V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAY72TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 125 V, 200 mA, 1 V, 400 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAY72
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 125V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISL9V3040P3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ISL9V3040P3 - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - ISL9V3040P3 - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NC7S14P5X. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S14P5X. - INVERTER, SCHMITT TRIGGER, SC-70-5, FULL REEL
Logikfunktion: Inverter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 2.6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: With Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Single
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7S14P5X. - INVERTER, SCHMITT TRIGGER, SC-70-5, FULL REEL
Logikfunktion: Inverter
Logik-IC-Familie: 7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 2.6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 7S14
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: With Schmitt Trigger Input
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Single
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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