Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD6416ANT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDS015N15MCT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDV20N06T4G-VF01 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDV20P06LT4G-VF01 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTE4151PT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 Mounting: SMD Case: SC89 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 313mW Polarisation: unipolar Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NTE4153NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89 Mounting: SMD Case: SC89 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.66A On-state resistance: 0.23Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTF2955T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 898 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 9A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTF5P03T3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD1100LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD3148NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD4167CT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3130NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3136PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3433T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3441T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3443T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3446T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3455T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS4111PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTGS5120PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L013N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L014N120M3P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTH4L020N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NTH4L022N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L023N065M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L025N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L027N65S3F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L028N170M1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L030N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L040N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTH4L040N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 41A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 160W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTH4L045N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L060N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L060N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L067N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L070N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L075N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 28W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTH4L160N120SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4LN040N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4LN067N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHC5513T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHD3100CT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHD3101FT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHD3102CT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHD4102PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHD4502NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHD4508NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHL015N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHL017N60S5H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHL019N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTHL020N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTHL020N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NTHL022N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTD6416ANT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDS015N15MCT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDV20N06T4G-VF01 |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 313mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 313mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 0.3W; SC89
Mounting: SMD
Case: SC89
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.12 грн |
16+ | 18.98 грн |
25+ | 14.55 грн |
50+ | 12.21 грн |
100+ | 10.26 грн |
152+ | 7.18 грн |
419+ | 6.81 грн |
NTF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.53 грн |
10+ | 83.76 грн |
24+ | 47.18 грн |
64+ | 44.57 грн |
500+ | 43.92 грн |
1000+ | 42.80 грн |
NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTF3055L108T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 9A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.32 грн |
10+ | 58.77 грн |
35+ | 32.08 грн |
95+ | 30.30 грн |
1000+ | 29.28 грн |
NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD1100LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD3148NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGD4167CT1G Multi channel transistors
NTGD4167CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3130NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3136PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3433T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3433T1G SMD P channel transistors
NTGS3433T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3441T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3443T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3446T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3455T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS4111PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.20 грн |
11+ | 27.01 грн |
65+ | 16.78 грн |
179+ | 15.85 грн |
500+ | 15.29 грн |
NTGS5120PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH027N65S3F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L013N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L014N120M3P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L015N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L023N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L025N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
NTH4L027N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L028N170M1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L030N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1391.74 грн |
3+ | 1269.41 грн |
NTH4L045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L060N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L070N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L075N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1325.46 грн |
2+ | 1050.58 грн |
3+ | 956.66 грн |
30+ | 919.36 грн |
NTH4L160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L160N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L160N120SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4LN040N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4LN067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHC5513T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHC5513T1G Multi channel transistors
NTHC5513T1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.84 грн |
25+ | 45.32 грн |
67+ | 42.80 грн |
NTHD3101FT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD3102CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4102PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4502NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4508NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL019N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL020N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.