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SZBZX84B16LT1G SZBZX84B16LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS2632DTBR2G NCS2632DTBR2G ONSEMI 1783618.pdf Description: ONSEMI - NCS2632DTBR2G - AMPLIFIER, AUDIO, CLASS AB, TSSOP-14
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Versorgungsspannung: 2.2V to 5.5V
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Lastimpedanz: 600
Verstärkerklasse: AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FCH190N65F-F155 FCH190N65F-F155 ONSEMI FCH190N65F-D.PDF Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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BD788G BD788G ONSEMI 2028681.pdf description Description: ONSEMI - BD788G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NCV8711ASN330T1G NCV8711ASN330T1G ONSEMI 3108676.pdf Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.22 грн
500+34.61 грн
1000+28.92 грн
2500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV8711ASN330T1G NCV8711ASN330T1G ONSEMI 3108676.pdf Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+120.99 грн
12+74.27 грн
100+48.22 грн
500+34.61 грн
1000+28.92 грн
2500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NTPF165N65S3H NTPF165N65S3H ONSEMI ntpf165n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.40 грн
10+226.97 грн
100+211.07 грн
500+169.75 грн
1000+153.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NC7SV74L8X NC7SV74L8X ONSEMI 2907145.pdf Description: ONSEMI - NC7SV74L8X - Flipflop, D, 13 ns, 200 MHz, MicroPak
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
IC-Ausgang: Komplementär
Ausgangsstrom: -
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Ausbreitungsverzögerung: 13
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.49 грн
20+44.60 грн
100+33.74 грн
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NCV2333DR2G NCV2333DR2G ONSEMI NCS333-D.PDF Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 ONSEMI 3750003.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.99 грн
10+337.36 грн
100+261.41 грн
500+235.36 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+747.14 грн
50+549.31 грн
100+448.63 грн
500+399.37 грн
1000+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FDBL0110N60 FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.83 грн
10+363.85 грн
100+271.12 грн
500+239.46 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 2400 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+169.56 грн
10+147.48 грн
100+137.77 грн
500+126.29 грн
1000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 2400 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.77 грн
500+126.29 грн
1000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDBL0110N60 FDBL0110N60 ONSEMI fdbl0110n60-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+363.85 грн
100+271.12 грн
500+239.46 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+747.14 грн
50+549.31 грн
100+448.63 грн
500+399.37 грн
1000+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDBL0150N80 FDBL0150N80 ONSEMI fdbl0150n80-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.99 грн
10+280.84 грн
100+209.30 грн
500+191.89 грн
1000+174.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.79 грн
5+498.09 грн
10+434.50 грн
50+382.97 грн
100+334.58 грн
250+327.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+606.72 грн
5+544.01 грн
10+480.43 грн
50+409.21 грн
100+342.91 грн
250+336.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI 2729320.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.20 грн
10+249.05 грн
100+189.88 грн
500+162.37 грн
1000+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDBL86063-F085 FDBL86063-F085 ONSEMI 2357021.pdf Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FQP13N06L FQP13N06L ONSEMI 1783741.pdf Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
13+69.77 грн
100+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FQP13N06L. FQP13N06L. ONSEMI 2265207.pdf Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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FOD817B3SD FOD817B3SD ONSEMI 2303998.pdf Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
200+21.08 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FOD817B3S FOD817B3S ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD817B FOD817B ONSEMI 2907264.pdf Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD817B300 FOD817B300 ONSEMI 2299543.pdf Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.94 грн
39+22.78 грн
100+15.63 грн
500+12.05 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
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SZBZX84C20LT1G SZBZX84C20LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.40 грн
103+8.63 грн
249+3.55 грн
500+3.22 грн
1000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 62
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BZX85C4V7. BZX85C4V7. ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 ONSEMI 3971539.pdf Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+433.62 грн
5+374.45 грн
10+314.40 грн
50+268.98 грн
100+228.61 грн
250+208.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
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AR0144CSSC00SUKA0-CRBR AR0144CSSC00SUKA0-CRBR ONSEMI AR0144CS_Web.pdf Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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AR0144CSSC20SUKA0-CRBR AR0144CSSC20SUKA0-CRBR ONSEMI AR0144CS_Web.pdf Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 ONSEMI Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG ONSEMI 2354277.pdf Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.33 грн
14+64.65 грн
100+42.66 грн
500+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
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DTC143EET1G DTC143EET1G ONSEMI ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.62 грн
1500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NSV45025T1G NSV45025T1G ONSEMI NSI45025-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSVC2030JBT3G NSVC2030JBT3G ONSEMI NSIC2030JB-D.PDF Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45025AZT1G NSV45025AZT1G ONSEMI NSI45025AZ-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030AT1G NSV45030AT1G ONSEMI NSI45030A-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV50010YT1G NSV50010YT1G ONSEMI NSI50010Y-D.PDF Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030T1G NSV45030T1G ONSEMI NSI45030-D.PDF Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7WV14P6X NC7WV14P6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7WV14P6X NC7WV14P6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7WV14L6X NC7WV14L6X ONSEMI NC7WV14-D.pdf Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDH210N08 FDH210N08 ONSEMI FDH210N08-D.PDF Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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2SJ652-1E 2SJ652-1E ONSEMI 2337914.pdf Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BCP68T1G BCP68T1G ONSEMI 1796166.pdf Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NTPF150N65S3HF NTPF150N65S3HF ONSEMI NTPF150N65S3HF-D.PDF Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVHL020N090SC1 NVHL020N090SC1 ONSEMI 2913026.pdf Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FAN9673Q FAN9673Q ONSEMI FAN9673-D.PDF Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FAN9673QX FAN9673QX ONSEMI 2304655.pdf Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FAN9673QX FAN9673QX ONSEMI 2304655.pdf Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NCP1380DDR2G NCP1380DDR2G ONSEMI 1842134.pdf Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 110kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.75 грн
250+49.28 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FNB35060T FNB35060T ONSEMI ONSM-S-A0003587421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415100
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2626.46 грн
5+2266.14 грн
10+1905.82 грн
50+1734.42 грн
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FPDB50PH60.. FPDB50PH60.. ONSEMI 2304407.pdf Description: ONSEMI - FPDB50PH60.. - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPMHA-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 50
Bauform - IPM: SPMHA-027
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FNC42060F FNC42060F ONSEMI ONSM-S-A0003587496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNC42060F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 20 A, 2 kV, SPMAA-A26, SPM45
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM45
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMAA-A26
Produktpalette: Motion SPM 45 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1156.91 грн
5+1039.46 грн
10+921.11 грн
50+746.25 грн
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FSA515GEVB ONSEMI 2815750.pdf Description: ONSEMI - FSA515GEVB - EVALUATIONSBOARD, DEPLETION-SWITCH
Prozessorkern: FSA515UCX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSA515UCX
Unterart Anwendung: Depletion-Switch
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NTP6412ANG NTP6412ANG ONSEMI ntb6412an-d.pdf Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.67 грн
10+120.99 грн
100+120.11 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCV5230DR2G NCV5230DR2G ONSEMI NE5230-D.PDF Description: ONSEMI - NCV5230DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 600 kHz, 0.25 V/µs, 1.8V bis 15V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 0.25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 600
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NTE4151PT1G NTE4151PT1G ONSEMI 1921128.pdf Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+15.28 грн
87+10.24 грн
107+8.29 грн
500+7.47 грн
1500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 58
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SZBZX84B16LT1G 2236792.pdf
SZBZX84B16LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B16LT1G - Zener-Diode, 16 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS2632DTBR2G 1783618.pdf
NCS2632DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS2632DTBR2G - AMPLIFIER, AUDIO, CLASS AB, TSSOP-14
Anzahl der Kanäle: 2 Channel
Versorgungsspannung: 2.2V to 5.5V
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Lastimpedanz: 600
Verstärkerklasse: AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FCH190N65F-F155 FCH190N65F-D.PDF
FCH190N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH190N65F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20.6
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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BD788G description 2028681.pdf
BD788G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD788G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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NCV8711ASN330T1G 3108676.pdf
NCV8711ASN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 18V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 100mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 215mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.22 грн
500+34.61 грн
1000+28.92 грн
2500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV8711ASN330T1G 3108676.pdf
NCV8711ASN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.99 грн
12+74.27 грн
100+48.22 грн
500+34.61 грн
1000+28.92 грн
2500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NTPF165N65S3H ntpf165n65s3h-d.pdf
NTPF165N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF165N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.165 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.40 грн
10+226.97 грн
100+211.07 грн
500+169.75 грн
1000+153.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NC7SV74L8X 2907145.pdf
NC7SV74L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV74L8X - Flipflop, D, 13 ns, 200 MHz, MicroPak
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
IC-Ausgang: Komplementär
Ausgangsstrom: -
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Ausbreitungsverzögerung: 13
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.49 грн
20+44.60 грн
100+33.74 грн
500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NCV2333DR2G NCS333-D.PDF
NCV2333DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV2333DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 270 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 270
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDBL86361-F085 3750003.pdf
FDBL86361-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+513.99 грн
10+337.36 грн
100+261.41 грн
500+235.36 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL9401-F085T6 ONSM-S-A0015368685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9401-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+747.14 грн
50+549.31 грн
100+448.63 грн
500+399.37 грн
1000+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
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FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
FDBL0110N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+537.83 грн
10+363.85 грн
100+271.12 грн
500+239.46 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86366-F085 ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 2400 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+169.56 грн
10+147.48 грн
100+137.77 грн
500+126.29 грн
1000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
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FDBL86366-F085 ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 2400 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.77 грн
500+126.29 грн
1000+115.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
FDBL0110N60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+363.85 грн
100+271.12 грн
500+239.46 грн
1000+214.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDBL9401-F085T6 ONSM-S-A0015368685-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9401-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9401-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 600 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180.7W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+747.14 грн
50+549.31 грн
100+448.63 грн
500+399.37 грн
1000+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDBL0150N80 fdbl0150n80-d.pdf
FDBL0150N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+445.99 грн
10+280.84 грн
100+209.30 грн
500+191.89 грн
1000+174.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL0200N100 2859343.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+560.79 грн
5+498.09 грн
10+434.50 грн
50+382.97 грн
100+334.58 грн
250+327.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+606.72 грн
5+544.01 грн
10+480.43 грн
50+409.21 грн
100+342.91 грн
250+336.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FDBL86363-F085 2729320.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.20 грн
10+249.05 грн
100+189.88 грн
500+162.37 грн
1000+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
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FDBL86063-F085 2357021.pdf
FDBL86063-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86063-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FQP13N06L 1783741.pdf
FQP13N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.20 грн
13+69.77 грн
100+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FQP13N06L. 2265207.pdf
FQP13N06L.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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FOD817B3SD 2303998.pdf
FOD817B3SD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3SD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.05 грн
200+21.08 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FOD817B3S 2907264.pdf
FOD817B3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B3S - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD817B 2907264.pdf
FOD817B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 4
CTR, min.: 130
Isolationsspannung: 5
Durchlassstrom If, max.: 50
Bauform - Optokoppler: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD817B300 2299543.pdf
FOD817B300
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817B300 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.94 грн
39+22.78 грн
100+15.63 грн
500+12.05 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
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SZBZX84C20LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C20LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C20LT1G - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX84CxxxLT1G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.40 грн
103+8.63 грн
249+3.55 грн
500+3.22 грн
1000+2.47 грн
5000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 62
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BZX85C4V7. 2303870.pdf
BZX85C4V7.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C4V7. - Zener-Diode, 4.7 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: BZX85C
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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FCH067N65S3-F155 3971539.pdf
FCH067N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH067N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+433.62 грн
5+374.45 грн
10+314.40 грн
50+268.98 грн
100+228.61 грн
250+208.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
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AR0144CSSC00SUKA0-CRBR AR0144CS_Web.pdf
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AR0144CSSC20SUKA0-CRBR AR0144CS_Web.pdf
AR0144CSSC20SUKA0-CRBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CRBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTLJD3119CTBG 2354277.pdf
NTLJD3119CTBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.33 грн
14+64.65 грн
100+42.66 грн
500+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
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DTC143EET1G ONSM-S-A0013750038-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC143EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.62 грн
1500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
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NSV45025T1G NSI45025-D.PDF
NSV45025T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025T1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSVC2030JBT3G NSIC2030JB-D.PDF
NSVC2030JBT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVC2030JBT3G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 175°C, 1 Ausgang, 120V, AEC-Q101, DO-214AA (SMB)-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 120
Bauform - Treiber: DO-214AA (SMB)
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45025AZT1G NSI45025AZ-D.PDF
NSV45025AZT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45025AZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 25mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030AT1G NSI45030A-D.PDF
NSV45030AT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030AT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV50010YT1G NSI50010Y-D.PDF
NSV50010YT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV50010YT1G - LED-Treiber, AC/DC, 10mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 50V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 50
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NSV45030T1G NSI45030-D.PDF
NSV45030T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV45030T1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOD-123-2
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOD-123
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NC7WV14P6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7WV14P6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14P6X - Schmitt-Trigger-Inverter, Familie NC7WV14, 1 Eingang, 900 mV-3.6V Versorgungsspannung, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WV
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7WV14L6X NC7WV14-D.pdf
NC7WV14L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WV14L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Zwei, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7WV14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7WV
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7WV14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDH210N08 FDH210N08-D.PDF
FDH210N08
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH210N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 462
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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2SJ652-1E 2337914.pdf
2SJ652-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SJ652-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 28 A, 0.0285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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BCP68T1G 1796166.pdf
BCP68T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP68T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 20 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 1.5
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NTPF150N65S3HF NTPF150N65S3HF-D.PDF
NTPF150N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 192
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVHL020N090SC1 2913026.pdf
NVHL020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 118
Verlustleistung Pd: 503
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FAN9673Q FAN9673-D.PDF
FAN9673Q
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673Q - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FAN9673QX 2304655.pdf
FAN9673QX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
Versorgungsstrom: 6
Bauform - Controller-IC: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): 97
Frequenz: 75
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 32
UVLO: -
Produktpalette: FAN9673
Versorgungsspannung, max.: -
Einschaltstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FAN9673QX 2304655.pdf
FAN9673QX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN9673QX - IC, PFC-Controller, drei Kanäle, 30V & 1mA Versorgung, 97% Tastverhältnis, 55kHz bis 75kHz, LQFP-32
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NCP1380DDR2G 1842134.pdf
NCP1380DDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1380DDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, quasi-resonant, 8.3V-18V Versorgungsspannung, 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 110kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 8.3V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Quasi-resonanter Regler
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.75 грн
250+49.28 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FNB35060T ONSM-S-A0003587421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNB35060T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB35060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415100
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2626.46 грн
5+2266.14 грн
10+1905.82 грн
50+1734.42 грн
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FPDB50PH60.. 2304407.pdf
FPDB50PH60..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB50PH60.. - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), SPM, IGBT, 600 V, 50 A, 2500 Vrms, SPMHA-027, SPM3
IPM-Baureihe: SPM3
Isolationsspannung: 2500
Nennstrom (Ic/Id): 50
Bauform - IPM: SPMHA-027
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FNC42060F ONSM-S-A0003587496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNC42060F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNC42060F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 20 A, 2 kV, SPMAA-A26, SPM45
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM45
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMAA-A26
Produktpalette: Motion SPM 45 Series
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1156.91 грн
5+1039.46 грн
10+921.11 грн
50+746.25 грн
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FSA515GEVB 2815750.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA515GEVB - EVALUATIONSBOARD, DEPLETION-SWITCH
Prozessorkern: FSA515UCX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FSA515UCX
Unterart Anwendung: Depletion-Switch
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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NTP6412ANG ntb6412an-d.pdf
NTP6412ANG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP6412ANG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.67 грн
10+120.99 грн
100+120.11 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
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NCV5230DR2G NE5230-D.PDF
NCV5230DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5230DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 600 kHz, 0.25 V/µs, 1.8V bis 15V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 15V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 0.25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 600
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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NTE4151PT1G 1921128.pdf
NTE4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+15.28 грн
87+10.24 грн
107+8.29 грн
500+7.47 грн
1500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 58
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