| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FQU10N20CTU | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5040 шт В кошику од. на суму грн. |
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NB3H83905CDTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16 MSL: MSL 1 - Unlimited Bauform - Takt-IC: TSSOP Frequenz: 100 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3.135 Takt-IC: Fanout Buffer Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.465 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NCV8664DT50RKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK) Nennausgangsspannung: 5V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Ausgangsstrom, max.: 150mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 150mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS36000DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Ruhestrom: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3 Bauform - Sensor: SOIC Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Bandbreite: - Versorgungsspannung, max.: 5.75 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 440 шт В кошику од. на суму грн. |
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UJ3D06530TS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 72nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 90W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCS20072DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 9593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20062DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s) Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 1.2 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NUP4114UPXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-563 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: NUP4114 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 34175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 34175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14025BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025 Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4025 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 3 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Drei SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 935 шт В кошику од. на суму грн. |
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NC7WZ132K8X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ132K8X. - NAND-Gatter, NC7W132, 4 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NAND-Gatter Logik-IC-Familie: 7WZ Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: US8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: US8 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 7W132 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 4Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 6586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NE5517DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NE5517DG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC Versorgungsspannung: 44 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Betriebstemperatur, min.: 0 Eingangsspannung, max.: 5 Spannungsanstieg: 50 Verstärkungsbandbreite: 2 Eingangsspannung, min.: -5 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Ausgangsstrom, min.: 350 Eingangswiderstand: 26 Ausgangsstrom -, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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В кошику од. на суму грн. |
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FSB70250 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB70250 - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 2A SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLV272DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLV272DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLV274DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLV274DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: - Bauform - Verstärker: TSSOP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 2.4V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 3MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV952DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV952DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3.6 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 26V, TSSOP, 8 Pin(s) Versorgungsspannung: 2.7V bis 26V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 1 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Bandbreite: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NGTB25N120FL3WG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 349 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NGTB25N120FLWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 192 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Kollektorstrom: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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FOD4108S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD4108S - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Triac-Betriebsart: Nulldurchgang hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD4108 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD4108 - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Triac-Betriebsart: Nulldurchgang isCanonical: Y Isolationsspannung: 5kV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Bauform - Optokoppler: DIP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FOD4108SD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD4108SD - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108 Anzahl der Pins: 6 Isolationsspannung: 5 Triac-Betriebsart: Nulldurchgang Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800 Produktpalette: FOD4108 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FOD4108V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD4108V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108 Anzahl der Pins: 6 Isolationsspannung: 5 Triac-Betriebsart: Nulldurchgang Bauform - Optokoppler: DIP Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800 Produktpalette: FOD4108 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FS7140-02G-XTP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SSOP-16, 0°C bis 70°C MSL: MSL 3 - 168 Stunden PLL-Typ: Takterzeugung Frequenz: 340 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 Bauform - PLL: SSOP SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FS6377-01G-XTP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 150MHz, 4.5V bis 5.5V, SOIC-16, 0°C bis 70°C MSL: MSL 2 - 1 Jahr PLL-Typ: Takterzeugung Frequenz: 150 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 70 Bauform - PLL: SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NLV14572UBDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14572UBDR2G - Logik-IC, Konfigurierbares Multifunktionsgatter, Sechs, 16 Pin(s), SOIC, 4572 Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: SOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: 4572 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: - Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTTFS015P03P8ZTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVTFS4C05NWFTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 68W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CAT5137SDI-00GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT5137SDI-00GT3 - Digitalpotentiometer, flüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.7 V tariffCode: 85423990 Bauform - Potentiometer: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anzahl der Potentiometer: Einfach Widerstandsverlauf: Linear MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl Schritte: 128 Betriebstemperatur, min.: -40°C Widerstandstoleranz: ± 20% Versorgungsspannung, min.: 2.7V Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C euEccn: NLR Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C Gesamtwiderstand: 100kohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Single 128-Tap Volatile Digital Pots productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV4275ADS50R4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 450 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 42 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 5.5 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCV4275ADS50R4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 450 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 42 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: 5.5 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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NVR4003NT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 4136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTPF190N65S3HF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 36W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDH300ATR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDH333TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCP400N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 195 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 195 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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FCB199N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 98 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 98 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| FCB199N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 98 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 98 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
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NCP1246BLD065R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1246BLD065R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7 tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: 65kHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: - Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Maximale Nennleistung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Eingangsspannung, min.: - Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP12N50NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDP18N20F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 100 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDP19N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP12N50 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 165 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 165 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP15N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 170 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 170 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDP060AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 255W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDP030N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDP030N06B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP030N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP020N06B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP020N06B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP053N08B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP053N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP032N08B-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP032N08B-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDP032N08-F102 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP032N08-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
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NTUD3169CZT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 18045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDC6320C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 220 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 900 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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FDG6320C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 220 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850 Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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NCP1239JD65R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7 tariffCode: 85423990 Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 125°C Tastverhältnis, max.: 84% productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 7Pin(s) Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig) Betriebstemperatur, min.: -40°C Schaltfrequenz, max.: - Ausgangsstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Schaltfrequenz, min.: - hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage Tastverhältnis, min.: - Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung Produktpalette: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 65kHz rohsCompliant: YES SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Versorgungsspannung, min.: - Ausgangsspannung: - Qualifikation: - Frequenz: 65kHz Topologie: Flyback Bauform - Controller-IC: SOIC rohsPhthalatesCompliant: YES Eingangsspannung: 35V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - isCanonical: N euEccn: NLR |
на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NB3H83905CDTG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| NCV8664DT50RKG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS36000DG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику
од. на суму грн.
| UJ3D06530TS |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ATP304-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20072DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 9593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCS20062DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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од. на суму грн.
| NUP4114UPXV6T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTZD3154NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 34175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTZD3154NT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 34175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTZD3152PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NLV14025BDG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14025BDG - Logik-IC, NOR-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4025
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4025
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 935 шт
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од. на суму грн.
| NC7WZ132K8X. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ132K8X. - NAND-Gatter, NC7W132, 4 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ONSEMI - NC7WZ132K8X. - NAND-Gatter, NC7W132, 4 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, US8-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7W132
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 6586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NE5517DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5517DG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: 5
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: 5
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FSB70250 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB70250 - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 2A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FSB70250 - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 2A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| TLV272DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLV272DR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Description: ONSEMI - TLV272DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLV274DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLV274DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - TLV274DTBR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Bauform - Verstärker: TSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 2.4V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV952DTBR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV952DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3.6 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 26V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 26V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV952DTBR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3.6 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 26V, TSSOP, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.7V bis 26V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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| NGTB25N120FL3WG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| NGTB25N120FLWG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| FOD4108S |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108S - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD4108S - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD4108 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108 - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FOD4108 - Optokoppler, Triac-Ausgang, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Bauform - Optokoppler: DIP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FOD4108SD |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108SD - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD4108SD - Optokoppler, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| FOD4108V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4108V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD4108V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Nulldurchgang, 800 V, FOD4108
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Nulldurchgang
Bauform - Optokoppler: DIP
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800
Produktpalette: FOD4108
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
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| FS7140-02G-XTP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SSOP-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SSOP-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SSOP
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS6377-01G-XTP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 150MHz, 4.5V bis 5.5V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 150MHz, 4.5V bis 5.5V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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| NLV14572UBDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14572UBDR2G - Logik-IC, Konfigurierbares Multifunktionsgatter, Sechs, 16 Pin(s), SOIC, 4572
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: 4572
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: -
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14572UBDR2G - Logik-IC, Konfigurierbares Multifunktionsgatter, Sechs, 16 Pin(s), SOIC, 4572
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: SOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: 4572
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: -
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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од. на суму грн.
| NTTFS015P03P8ZTWG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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| NVTFS4C05NWFTAG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 2900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CAT5137SDI-00GT3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5137SDI-00GT3 - Digitalpotentiometer, flüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.7 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 128
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100kohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Single 128-Tap Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CAT5137SDI-00GT3 - Digitalpotentiometer, flüchtig, 100 kohm, Einfach, I2C, Linear, ± 20%, 2.7 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 128
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Temperaturkoeffizient: ± 300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: I2C
Gesamtwiderstand: 100kohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Single 128-Tap Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NCV4275ADS50R4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCV4275ADS50R4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCV4275ADS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 42V, 250mV Dropout, 5Vout, 450mAout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 450
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 42
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 450mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NVR4003NT3G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: ONSEMI - NVR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTPF190N65S3HF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: ONSEMI - NTPF190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 36W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDH300ATR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDH300ATR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDH333TR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDH333TR - HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCP400N80Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCP400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FCB199N65S3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCB199N65S3 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCB199N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 98
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 98
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1246BLD065R2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1246BLD065R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
Description: ONSEMI - NCP1246BLD065R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP12N50NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP18N20F |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDP12N50 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDP15N40 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| FDP060AN08A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP030N06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTUD3169CZT5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC6320C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDC6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Мінімальне замовлення: 5 шт
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| FDG6320C |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
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| NCP1239JD65R2G. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
Description: ONSEMI - NCP1239JD65R2G. - PWM-Controller, Festfrequenz-Current-Mode, 10V-30V Versorgungsspannung, 65kHz, 500mAout, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Schaltfrequenz, max.: -
Ausgangsstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Schaltfrequenz, min.: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Tastverhältnis, min.: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: -
Ausgangsspannung: -
Qualifikation: -
Frequenz: 65kHz
Topologie: Flyback
Bauform - Controller-IC: SOIC
rohsPhthalatesCompliant: YES
Eingangsspannung: 35V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)