Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1123) > Сторінка 15 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.61 грн
10+33.12 грн
100+23.30 грн
500+19.30 грн
1000+17.90 грн
3000+15.90 грн
6000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD25N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.18 грн
16+26.58 грн
100+19.42 грн
500+16.08 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PanJit Semiconductor PJD30N04S-AU Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.38 грн
69+17.20 грн
190+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.96 грн
49+24.40 грн
134+23.10 грн
9000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD60N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001 PanJit Semiconductor PJx80N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE138K.pdf PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.90 грн
225+5.28 грн
618+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJE5UFN10A-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: DFN2510
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE5UFN10A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510-10; Ch: 4
Case: DFN2510-10
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 19922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.21 грн
164+7.20 грн
450+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+23.58 грн
170+7.00 грн
466+6.60 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.25 грн
170+7.00 грн
250+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20_T0_00001 PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; ITO220AB
Case: ITO220AB
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.69 грн
133+9.00 грн
365+8.50 грн
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.92 грн
18+18.17 грн
100+11.90 грн
500+9.10 грн
1000+8.10 грн
10000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.43 грн
29+14.58 грн
100+9.92 грн
500+7.58 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+26.60 грн
141+8.40 грн
386+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.20 грн
141+8.40 грн
386+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+39.95 грн
111+10.80 грн
304+10.20 грн
7500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+67.52 грн
65+18.30 грн
179+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PanJit Semiconductor PJMB125N60FRC Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
19+17.41 грн
235+5.06 грн
644+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD190N65FR2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF125N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+241.22 грн
10+214.95 грн
25+190.99 грн
50+176.99 грн
100+161.99 грн
250+144.99 грн
500+131.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+201.01 грн
10+172.49 грн
25+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF190N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+244.45 грн
10+131.88 грн
50+114.99 грн
100+110.99 грн
250+104.99 грн
500+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.71 грн
10+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+195.99 грн
10+112.15 грн
50+97.99 грн
100+93.99 грн
250+87.99 грн
500+84.00 грн
1000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.32 грн
10+89.99 грн
50+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+213.22 грн
10+153.68 грн
50+131.99 грн
100+122.99 грн
250+117.99 грн
500+105.99 грн
1000+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.68 грн
10+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+125.99 грн
10+88.26 грн
50+79.00 грн
100+77.00 грн
250+72.00 грн
500+70.00 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.99 грн
10+70.83 грн
50+65.83 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF580N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: ITO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.58Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201 PanJit Semiconductor Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH074N60FRCH.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH074N60FRC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH080N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMH120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.61 грн
10+33.12 грн
100+23.30 грн
500+19.30 грн
1000+17.90 грн
3000+15.90 грн
6000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.18 грн
16+26.58 грн
100+19.42 грн
500+16.08 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1 PJD30N04S-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.38 грн
69+17.20 грн
190+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 209 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.96 грн
49+24.40 грн
134+23.10 грн
9000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1 PJD60N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001 PJx80N03.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001 PJE138K.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE138K-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.90 грн
225+5.28 грн
618+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1 PJE5UFN10A-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: DFN2510
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001 PJE5UFN10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510-10; Ch: 4
Case: DFN2510-10
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE5V0U8TB-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 19922 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.21 грн
164+7.20 грн
450+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8403-R1 SMD P channel transistors
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.58 грн
170+7.00 грн
466+6.60 грн
1000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJE8408-R1 SMD N channel transistors
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.25 грн
170+7.00 грн
250+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20_T0_00001 PJx18N20.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; ITO220AB
Case: ITO220AB
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC03C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.69 грн
133+9.00 грн
365+8.50 грн
5000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C-AU_R1_000A1 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7V; 1A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.92 грн
18+18.17 грн
100+11.90 грн
500+9.10 грн
1000+8.10 грн
10000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.43 грн
29+14.58 грн
100+9.92 грн
500+7.58 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.77V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 3pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC12C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.60 грн
141+8.40 грн
386+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.20 грн
141+8.40 грн
386+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9407-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.95 грн
111+10.80 грн
304+10.20 грн
7500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.52 грн
65+18.30 грн
179+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB125N60FRC_R2_00201 PJMB125N60FRC
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 11.4÷12.6V; 40W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Max. off-state voltage: 8.5V
Breakdown voltage: 11.4...12.6V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ20A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 21V; 1.4A; 0.04kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Leakage current: 50nA
Max. forward impulse current: 1.4A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 17V
Breakdown voltage: 21V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Case: SOT23
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.41 грн
235+5.06 грн
644+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF060N65FR2_T0_00601 PJMF060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48.3A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48.3A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF080N65FR2_T0_00601 PJMF080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 29.2A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29.2A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF125N60FRC_T0_00601 PJMF125N60FRC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; ITO220AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Gate-source voltage: 30V
Case: ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.22 грн
10+214.95 грн
25+190.99 грн
50+176.99 грн
100+161.99 грн
250+144.99 грн
500+131.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.01 грн
10+172.49 грн
25+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N65FR2_T0_00601 PJMF190N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.6A; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.6A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.45 грн
10+131.88 грн
50+114.99 грн
100+110.99 грн
250+104.99 грн
500+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.71 грн
10+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.99 грн
10+112.15 грн
50+97.99 грн
100+93.99 грн
250+87.99 грн
500+84.00 грн
1000+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.32 грн
10+89.99 грн
50+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.22 грн
10+153.68 грн
50+131.99 грн
100+122.99 грн
250+117.99 грн
500+105.99 грн
1000+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.68 грн
10+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
PJMF390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.99 грн
10+88.26 грн
50+79.00 грн
100+77.00 грн
250+72.00 грн
500+70.00 грн
1000+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
PJMF390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.99 грн
10+70.83 грн
50+65.83 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: ITO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.58Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH040N60EC_T0_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 71A; Idm: 212A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH060N65FR2_T0_00601 PJMH060N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRCH_T0_00601 PJMH074N60FRCH.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH074N60FRC_T0_00601 PJMH074N60FRC.pdf
PJMH074N60FRC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 446W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH080N65FR2_T0_00601 PJMH080N65FR2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH099N60EC_T0_00601 PJMH099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH120N60EC_T0_00601 PJMH120N60EC.pdf
PJMH120N60EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]