Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1049) > Сторінка 15 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMP210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001 PJMP390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001 PJMP990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMP990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1 PanJit Semiconductor PJP125N06SA-AU.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4435EP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201 PanJit Semiconductor PJQ4435EP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4544S6P-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PanJit Semiconductor PJQ5423.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5431E-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor PJQ5431E-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+155.42 грн
29+41.23 грн
79+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5808-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -31A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -31A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: 25V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001 PJS6403_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -46A; 2W; SOT23-6
Case: SOT23-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -46A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 46mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.71 грн
117+10.06 грн
320+9.57 грн
24000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6601-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.29 грн
131+8.98 грн
360+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+15.30 грн
217+5.42 грн
597+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
18+18.70 грн
178+6.61 грн
489+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03W_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.2V; 0.35kW; SOD323
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.2V
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05CW_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 0.35kW; SOD323
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.34 грн
189+6.21 грн
518+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 0.35kW; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.23 грн
204+5.78 грн
559+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+46.74 грн
11+28.38 грн
100+17.46 грн
500+13.22 грн
1000+11.94 грн
3000+10.16 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.95 грн
19+22.77 грн
100+14.55 грн
500+11.02 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+25.74 грн
204+5.78 грн
559+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf PJT7800-R1 Multi channel transistors
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.00 грн
174+6.81 грн
477+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+43.77 грн
169+7.00 грн
463+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7808.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+44.94 грн
145+8.09 грн
399+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.55 грн
69+17.26 грн
188+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.30 грн
89+13.22 грн
245+12.53 грн
25000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.31 грн
23+13.93 грн
100+7.65 грн
500+5.80 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.59 грн
37+11.18 грн
100+6.37 грн
500+4.83 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+26.56 грн
20+15.67 грн
100+10.56 грн
500+8.48 грн
1000+7.79 грн
2000+7.30 грн
4000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.13 грн
33+12.58 грн
100+8.80 грн
500+7.07 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8872B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB032N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP032N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP032N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf PSMP050N10NS2-T0 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+277.27 грн
9+137.12 грн
24+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf PSMP055N08NS1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.66 грн
18+68.07 грн
48+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQB280N10LS2_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC042N10LS2_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor PSMQC060N06LS1-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC120N06LS1-AU_R2_006A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC120N06LS1_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC280N10LS2-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC280N10LS2_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQE090N08LS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMQE090N08LS2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PanJit Semiconductor PZS513V9BAS_SERIES.pdf PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
26+12.29 грн
284+4.13 грн
781+3.92 грн
6000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB500V-40.pdf RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
32+10.23 грн
637+1.84 грн
1753+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 PanJit Semiconductor RB501V-40.pdf RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
27+12.11 грн
624+1.88 грн
1716+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
38+8.50 грн
53+5.84 грн
100+4.21 грн
500+3.28 грн
1000+2.89 грн
2000+2.52 грн
5000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30_R1_00001 PanJit Semiconductor RB520S30.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.08 грн
88+4.69 грн
118+3.51 грн
500+2.73 грн
1000+2.41 грн
2000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB520S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 10ns
Application: automotive industry
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.85 грн
70+5.92 грн
100+4.26 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
2000+2.56 грн
2500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor RB520S40-AU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 10ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+10.62 грн
42+7.38 грн
100+5.11 грн
500+3.94 грн
1000+3.49 грн
2000+3.08 грн
2500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC.pdf
PJMP210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP360N60EC_T0_00001 PJMP360N60EC.pdf
PJMP360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP390N65EC_T0_00001 PJMP390N65EC.pdf
PJMP390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP990N65EC_T0_00001 PJMP990N65EC.pdf
PJMP990N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1 PJP125N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 215A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP-AU_R2_002A1 PJQ4435EP-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4435EP_R2_00201 PJQ4435EP.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -41A; Idm: -138A; 13.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -41A
Pulsed drain current: -138A
Power dissipation: 13.5W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4468AP-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4544S6P-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PJQ5423.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5431E-AU_R2_006A1 PJQ5431E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.42 грн
29+41.23 грн
79+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5808-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -31A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -31A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: 25V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001
PJS6403_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -46A; 2W; SOT23-6
Case: SOT23-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -46A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 46mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.71 грн
117+10.06 грн
320+9.57 грн
24000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6601-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.29 грн
131+8.98 грн
360+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD03TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.30 грн
217+5.42 грн
597+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD05TS-AU-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.70 грн
178+6.61 грн
489+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PJSD03W_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.2V; 0.35kW; SOD323
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.2V
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 10µA
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PJSD05CW_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 0.35kW; SOD323
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Mounting: SMD
Case: SOD323
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.34 грн
189+6.21 грн
518+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 0.35kW; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT138K-AU-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.23 грн
204+5.78 грн
559+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.74 грн
11+28.38 грн
100+17.46 грн
500+13.22 грн
1000+11.94 грн
3000+10.16 грн
6000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6/2.2nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 400/600mΩ
Drain current: 1A/-700mA
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.95 грн
19+22.77 грн
100+14.55 грн
500+11.02 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.74 грн
204+5.78 грн
559+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7800-R1 Multi channel transistors
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.00 грн
174+6.81 грн
477+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
169+7.00 грн
463+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7838-R1 Multi channel transistors
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.94 грн
145+8.09 грн
399+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.55 грн
69+17.26 грн
188+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.30 грн
89+13.22 грн
245+12.53 грн
25000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.31 грн
23+13.93 грн
100+7.65 грн
500+5.80 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1nC
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.59 грн
37+11.18 грн
100+6.37 грн
500+4.83 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.56 грн
20+15.67 грн
100+10.56 грн
500+8.48 грн
1000+7.79 грн
2000+7.30 грн
4000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.13 грн
33+12.58 грн
100+8.80 грн
500+7.07 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8872B_R1_00001 PJX8872B.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_R2_00601 PSMB032N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB032N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 398A; Idm: 1592A; 250W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 398A
Pulsed drain current: 1592A
Power dissipation: 250W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP032N08NS1_T0_00601 PSMP032N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PSMP050N10NS2-T0 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.27 грн
9+137.12 грн
24+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PSMP055N08NS1-T0 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.66 грн
18+68.07 грн
48+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQB280N10LS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC042N10LS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 PSMQC060N06LS1-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC060N06LS1_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC120N06LS1-AU_R2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC120N06LS1_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC280N10LS2-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQC280N10LS2_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQE090N08LS2_R2_00601 PSMQE090N08LS2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZS516V2BAS_R1_00001 PZS513V9BAS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PZS516V2BAS-R1 SMD Zener diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
26+12.29 грн
284+4.13 грн
781+3.92 грн
6000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
RB500V-40_R1_00001 RB500V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB500V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.23 грн
637+1.84 грн
1753+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RB501V-40_R1_00001 RB501V-40.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
RB501V-40-R1 SMD Schottky diodes
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.11 грн
624+1.88 грн
1716+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
38+8.50 грн
53+5.84 грн
100+4.21 грн
500+3.28 грн
1000+2.89 грн
2000+2.52 грн
5000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S30_R1_00001 RB520S30.pdf
RB520S30_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Leakage current: 1µA
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.08 грн
88+4.69 грн
118+3.51 грн
500+2.73 грн
1000+2.41 грн
2000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU.pdf
RB520S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 10ns
Application: automotive industry
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.85 грн
70+5.92 грн
100+4.26 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
2000+2.56 грн
2500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RB520S40-AU_R1_000A1 RB520S40-AU.pdf
RB520S40-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 0.25A; 10ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.6mA
Reverse recovery time: 10ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
30+10.62 грн
42+7.38 грн
100+5.11 грн
500+3.94 грн
1000+3.49 грн
2000+3.08 грн
2500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]