Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1216) > Сторінка 15 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.96 грн
28+14.37 грн
100+9.71 грн
133+7.03 грн
365+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.55 грн
17+18.20 грн
100+11.84 грн
141+7.86 грн
386+7.49 грн
10000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC05C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.96 грн
28+14.61 грн
100+9.87 грн
141+6.55 грн
386+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC08C-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+14.08 грн
30+10.92 грн
100+9.47 грн
145+7.96 грн
390+7.49 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC12C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.73 грн
50+8.76 грн
100+7.90 грн
145+6.63 грн
390+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PanJit Semiconductor PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.80 грн
145+7.86 грн
390+7.49 грн
10000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.71 грн
13+23.42 грн
100+12.98 грн
111+10.14 грн
304+9.57 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001 PJL9407_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.76 грн
22+18.79 грн
100+10.82 грн
111+8.45 грн
304+7.97 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor PJL9850.pdf PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.83 грн
73+15.25 грн
200+14.40 грн
2500+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB390N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.75 грн
47+8.53 грн
59+6.79 грн
100+6.16 грн
235+3.95 грн
644+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.31 грн
28+10.63 грн
50+8.15 грн
100+7.39 грн
235+4.74 грн
644+4.48 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PJMBZ9V1A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD390N65EC.pdf PJMD390N65EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001 PJMD580N60E1_L2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD600N65E1_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD900N60EC.pdf PJMD900N60EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PanJit Semiconductor PJMD990N65EC.pdf PJMD990N65EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF099N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF120N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1 PanJit Semiconductor PJMF130N65EC-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.91 грн
9+136.76 грн
24+124.12 грн
2000+119.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+204.92 грн
9+109.75 грн
24+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF280N65E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF360N60EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf PJMF390N65EC-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF580N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF580N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF600N65E1.pdf PJMF600N65E1-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
On-state resistance: 990mΩ
Power dissipation: 22.5W
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF990N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
On-state resistance: 990mΩ
Power dissipation: 22.5W
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC03C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC03C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.75÷5.25V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 4.75...5.25V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.96 грн
28+14.37 грн
100+9.71 грн
133+7.03 грн
365+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.55 грн
17+18.20 грн
100+11.84 грн
141+7.86 грн
386+7.49 грн
10000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC05C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC05C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.03÷7.77V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.03...7.77V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.96 грн
28+14.61 грн
100+9.87 грн
141+6.55 грн
386+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC08C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC08C-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.08 грн
30+10.92 грн
100+9.47 грн
145+7.96 грн
390+7.49 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC12C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
PJGBLC12C_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 13.97÷15.44V; 1A; 350W; bidirectional; SOD323
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 13.97...15.44V
Max. forward impulse current: 1A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 3pF
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.73 грн
50+8.76 грн
100+7.90 грн
145+6.63 грн
390+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
PJGBLC24C_R1_00001 PJGBLC03_C24C_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJGBLC24C-R1 Protection diodes - arrays
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.80 грн
145+7.86 грн
390+7.49 грн
10000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.71 грн
13+23.42 грн
100+12.98 грн
111+10.14 грн
304+9.57 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9407_R2_00001
PJL9407_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOP8
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.76 грн
22+18.79 грн
100+10.82 грн
111+8.45 грн
304+7.97 грн
1000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJL9850-R2 Multi channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.83 грн
73+15.25 грн
200+14.40 грн
2500+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMB390N65EC-T0 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB390N65EC_R2_00601 PJMB390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ12A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ12A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ15A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ15A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ18A-AU_R1_007A1 PJMBZ5V6A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ18A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
PJMBZ27V-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.75 грн
47+8.53 грн
59+6.79 грн
100+6.16 грн
235+3.95 грн
644+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R1_000A1 PJMBZ15V-AU_SERIES.pdf
PJMBZ27V-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 25.65÷28.35V; 40W; double,common cathode; SOT23
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 22V
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 50pF
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Leakage current: 50nA
Breakdown voltage: 25.65...28.35V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.31 грн
28+10.63 грн
50+8.15 грн
100+7.39 грн
235+4.74 грн
644+4.48 грн
6000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ27V-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ27V-AU-R2 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ33A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 31.35÷34.65V; 40W; double,common anode; SOT23
Case: SOT23
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Leakage current: 50nA
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 31.35...34.65V
Peak pulse power dissipation: 40W
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode; double
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ5V6A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ5V6A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V2A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ6V2A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ6V8A-AU_R1_007A1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6C3115A4D6400D6&compId=PJMBZ5V6A-AU_SER.pdf?ci_sign=f585ee1c43ce1983a9bfbd35e4572630b7b120c6
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.46÷7.14V; 24W; double,common anode; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.46...7.14V
Peak pulse power dissipation: 24W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 4.5V
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMBZ9V1A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMBZ9V1A-AU-R1 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD390N65EC_L2_00001 PJMD390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMD390N65EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD580N60E1_L2_00001
PJMD580N60E1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD600N65E1_L2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001 PJMD900N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMD900N60EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD990N65EC_L2_00001 PJMD990N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMD990N65EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 88A; 14W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
Power dissipation: 14W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF120N60EC_T0_00001 PJMF120N60EC.pdf
PJMF120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 33W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 51nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF130N65EC_T0_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMF130N65EC-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.91 грн
9+136.76 грн
24+124.12 грн
2000+119.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+204.92 грн
9+109.75 грн
24+103.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 34W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF280N65E1_T0_00001 PJMF280N65E1.pdf
PJMF280N65E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF360N60EC_T0_00001 PJMF360N60EC.pdf
PJMF360N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 30W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 30W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMF390N65EC-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 28W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 28W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF600N65E1_T0_00001 PJMF600N65E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMF600N65E1-T0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC.pdf
PJMF990N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
On-state resistance: 990mΩ
Power dissipation: 22.5W
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF990N65EC_T0_00001 PJMF990N65EC.pdf
PJMF990N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 22.5W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.7nC
On-state resistance: 990mΩ
Power dissipation: 22.5W
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 9.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]