Продукція > ROHM > Всі товари виробника ROHM (20879) > Сторінка 191 з 348

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 170 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 204 238 272 306 340 348  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BH1726NUC-E2 BH1726NUC-E2 ROHM bh1726nuc-e.pdf Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 ROHM datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.53 грн
10+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTL R6515KNJTL ROHM 2821285.pdf Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.64 грн
10+238.34 грн
100+206.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DTC914TUBTL DTC914TUBTL ROHM datasheet?p=DTC914TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.50 грн
54+15.29 грн
100+8.70 грн
500+5.35 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DTC943TUBTL DTC943TUBTL ROHM dtc943tub-e.pdf Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.21 грн
60+13.75 грн
100+8.46 грн
500+5.80 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DTC923TUBTL DTC923TUBTL ROHM dtc923tub-e.pdf Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.17 грн
49+16.68 грн
105+7.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL DTA144EE3HZGTL ROHM dta144ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.15 грн
63+13.10 грн
100+8.22 грн
500+5.19 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL DTA144EE3HZGTL ROHM dta144ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.19 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11 SCT2160KEGC11 ROHM sct2160ke-e.pdf Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.57 грн
5+986.70 грн
10+885.84 грн
50+816.52 грн
100+748.83 грн
250+743.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ200 LTR18EZPJ200 ROHM 3980364.pdf Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.50 грн
159+5.12 грн
500+3.54 грн
1000+1.81 грн
2500+1.64 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BU7411SG-TR BU7411SG-TR ROHM 2736351.pdf Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2SA2088U3T106 ROHM 2sa2088u3t106q-e.pdf Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.89 грн
42+19.60 грн
100+12.36 грн
500+8.61 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2SA2088U3T106 ROHM 2sa2088u3t106q-e.pdf Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+8.61 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RPI-222 RPI-222 ROHM datasheet?p=RPI-222&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.60 грн
17+49.13 грн
25+46.69 грн
50+41.09 грн
100+35.84 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ681 KTR10EZPJ681 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11 RGW00TS65EHRC11 ROHM rgw00ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.48 грн
5+486.44 грн
10+398.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 ROHM rgth00ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 ROHM rgth80ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 ROHM 3204099.pdf Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.07 грн
10+495.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11 RGWX5TS65EHRC11 ROHM rgwx5ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11 RGTV60TK65GVC11 ROHM 2644302.pdf Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.97 грн
10+215.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13 RGTH80TS65GC13 ROHM datasheet?p=RGTH80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.61 грн
10+259.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11 RGW00TS65HRC11 ROHM rgw00ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.24 грн
10+335.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 ROHM rgwx5ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.27 грн
5+381.50 грн
10+309.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11 RGWX5TS65HRC11 ROHM rgwx5ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.03 грн
5+270.06 грн
10+247.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 ROHM rgw00ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.57 грн
10+375.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 RGW80TS65EHRC11 ROHM rgw80ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.06 грн
5+451.46 грн
10+366.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11 RGW80TS65HRC11 ROHM rgw80ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.97 грн
10+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 ESD18VHYFHT116 ROHM esd18vhyfht116-e.pdf Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.45 грн
33+25.38 грн
100+16.27 грн
500+11.48 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ESD27VHYT116 ESD27VHYT116 ROHM esd27vhyt116-e.pdf Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.24 грн
500+11.71 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 ESD18VHYFHT116 ROHM esd18vhyfht116-e.pdf Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.27 грн
500+11.48 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD16VHYT116 ESD16VHYT116 ROHM esd16vhyt116-e.pdf Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.35 грн
27+31.07 грн
100+19.93 грн
500+14.50 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ114 ESR10EZPJ114 ROHM esr.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17 R6030KNZC17 ROHM r6030knzc17-e.pdf Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.30 грн
5+412.41 грн
10+298.53 грн
50+255.30 грн
100+209.17 грн
250+204.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8 R6030JNZC8 ROHM Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ305 ESR10EZPJ305 ROHM 3685786.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ305 KTR10EZPJ305 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ392 KTR10EZPJ392 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ184 ESR10EZPJ184 ROHM 3685786.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ184 KTR10EZPJ184 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL RSF015N06TL ROHM rsf015n06tl-e.pdf Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.63 грн
500+14.88 грн
1500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658T2LQ 2SC5658T2LQ ROHM ROHM-S-A0007229557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR ROHM 2920347.pdf Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.21 грн
34+24.16 грн
100+15.05 грн
500+9.59 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R VT6X2T2R ROHM 2920349.pdf Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.92 грн
94+8.70 грн
113+7.22 грн
500+6.02 грн
1000+5.12 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R VT6Z1T2R ROHM 2920350.pdf Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.21 грн
500+9.67 грн
1000+5.86 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R VT6Z2T2R ROHM 2644418.pdf Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR ROHM 2920347.pdf Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.05 грн
500+9.59 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R VT6Z1T2R ROHM 2920350.pdf Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.54 грн
34+24.40 грн
100+15.21 грн
500+9.67 грн
1000+5.86 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R VT6X2T2R ROHM 2920349.pdf Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.70 грн
113+7.22 грн
500+6.02 грн
1000+5.12 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R VT6X12T2R ROHM ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.46 грн
500+12.54 грн
1000+6.41 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R VT6X12T2R ROHM ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.71 грн
32+26.03 грн
100+15.46 грн
500+12.54 грн
1000+6.41 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R VT6Z2T2R ROHM 2644418.pdf Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLFHT116 BZX84B36VLFHT116 ROHM 2702828.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.99 грн
87+9.44 грн
210+3.89 грн
500+3.25 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 BZX84B36VLT116 ROHM 2702808.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.20 грн
82+9.92 грн
153+5.32 грн
500+3.26 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYFHT116 BZX84B36VLYFHT116 ROHM bzx84b36vlyfht116-e.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.03 грн
47+17.33 грн
100+8.62 грн
500+6.73 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 BZX84B36VLT116 ROHM 2702808.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.26 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 BZX84B36VLYT116 ROHM 3122819.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.98 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 BZX84B36VLYT116 ROHM 3122819.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.94 грн
48+17.16 грн
100+9.68 грн
500+5.98 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPJ2R0 ESR18EZPJ2R0 ROHM 3685786.pdf Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPJ2R0 KTR18EZPJ2R0 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BH1726NUC-E2 bh1726nuc-e.pdf
BH1726NUC-E2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+244.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6515KNX3C16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.53 грн
10+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTL 2821285.pdf
R6515KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.64 грн
10+238.34 грн
100+206.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DTC914TUBTL datasheet?p=DTC914TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC914TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.50 грн
54+15.29 грн
100+8.70 грн
500+5.35 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DTC943TUBTL dtc943tub-e.pdf
DTC943TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.21 грн
60+13.75 грн
100+8.46 грн
500+5.80 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DTC923TUBTL dtc923tub-e.pdf
DTC923TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.17 грн
49+16.68 грн
105+7.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL dta144ee3hzgtl-e.pdf
DTA144EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.15 грн
63+13.10 грн
100+8.22 грн
500+5.19 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL dta144ee3hzgtl-e.pdf
DTA144EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.19 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11 sct2160ke-e.pdf
SCT2160KEGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1087.57 грн
5+986.70 грн
10+885.84 грн
50+816.52 грн
100+748.83 грн
250+743.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ200 3980364.pdf
LTR18EZPJ200
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+13.50 грн
159+5.12 грн
500+3.54 грн
1000+1.81 грн
2500+1.64 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
BU7411SG-TR 2736351.pdf
BU7411SG-TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2sa2088u3t106q-e.pdf
2SA2088U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.89 грн
42+19.60 грн
100+12.36 грн
500+8.61 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2sa2088u3t106q-e.pdf
2SA2088U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.36 грн
500+8.61 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RPI-222 datasheet?p=RPI-222&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPI-222
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.60 грн
17+49.13 грн
25+46.69 грн
50+41.09 грн
100+35.84 грн
500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ681 3748846.pdf
KTR10EZPJ681
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11 rgw00ts65ehr-e.pdf
RGW00TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+573.48 грн
5+486.44 грн
10+398.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 rgth00ts65dgc13-e.pdf
RGTH00TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 rgth80ts65dgc13-e.pdf
RGTH80TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 3204099.pdf
RGW80TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+549.07 грн
10+495.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11 rgwx5ts65ehr-e.pdf
RGWX5TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11 2644302.pdf
RGTV60TK65GVC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.97 грн
10+215.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13 datasheet?p=RGTH80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.61 грн
10+259.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11 rgw00ts65hr-e.pdf
RGW00TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+474.24 грн
10+335.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 rgwx5ts65dhr-e.pdf
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+452.27 грн
5+381.50 грн
10+309.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11 rgwx5ts65hr-e.pdf
RGWX5TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.03 грн
5+270.06 грн
10+247.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 rgw00ts65dhr-e.pdf
RGW00TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+542.57 грн
10+375.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 rgw80ts65ehr-e.pdf
RGW80TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+536.06 грн
5+451.46 грн
10+366.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11 rgw80ts65hr-e.pdf
RGW80TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.97 грн
10+236.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 esd18vhyfht116-e.pdf
ESD18VHYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.45 грн
33+25.38 грн
100+16.27 грн
500+11.48 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ESD27VHYT116 esd27vhyt116-e.pdf
ESD27VHYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.24 грн
500+11.71 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 esd18vhyfht116-e.pdf
ESD18VHYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.27 грн
500+11.48 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD16VHYT116 esd16vhyt116-e.pdf
ESD16VHYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.35 грн
27+31.07 грн
100+19.93 грн
500+14.50 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ114 esr.pdf
ESR10EZPJ114
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17 r6030knzc17-e.pdf
R6030KNZC17
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+526.30 грн
5+412.41 грн
10+298.53 грн
50+255.30 грн
100+209.17 грн
250+204.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8
R6030JNZC8
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ305 3685786.pdf
ESR10EZPJ305
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ305 3748846.pdf
KTR10EZPJ305
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ392 3748846.pdf
KTR10EZPJ392
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ184 3685786.pdf
ESR10EZPJ184
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ184 3748846.pdf
KTR10EZPJ184
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
RSF015N06TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.63 грн
500+14.88 грн
1500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658T2LQ ROHM-S-A0007229557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5658T2LQ
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR 2920347.pdf
VT6K1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.21 грн
34+24.16 грн
100+15.05 грн
500+9.59 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R 2920349.pdf
VT6X2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+9.92 грн
94+8.70 грн
113+7.22 грн
500+6.02 грн
1000+5.12 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R 2920350.pdf
VT6Z1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.21 грн
500+9.67 грн
1000+5.86 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R 2644418.pdf
VT6Z2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR 2920347.pdf
VT6K1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.05 грн
500+9.59 грн
1000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R 2920350.pdf
VT6Z1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.54 грн
34+24.40 грн
100+15.21 грн
500+9.67 грн
1000+5.86 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R 2920349.pdf
VT6X2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.70 грн
113+7.22 грн
500+6.02 грн
1000+5.12 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6X12T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.46 грн
500+12.54 грн
1000+6.41 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6X12T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.71 грн
32+26.03 грн
100+15.46 грн
500+12.54 грн
1000+6.41 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R 2644418.pdf
VT6Z2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLFHT116 2702828.pdf
BZX84B36VLFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+13.99 грн
87+9.44 грн
210+3.89 грн
500+3.25 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 2702808.pdf
BZX84B36VLT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+12.20 грн
82+9.92 грн
153+5.32 грн
500+3.26 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYFHT116 bzx84b36vlyfht116-e.pdf
BZX84B36VLYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.03 грн
47+17.33 грн
100+8.62 грн
500+6.73 грн
1000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 2702808.pdf
BZX84B36VLT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.26 грн
1000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 3122819.pdf
BZX84B36VLYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.98 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 3122819.pdf
BZX84B36VLYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.94 грн
48+17.16 грн
100+9.68 грн
500+5.98 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPJ2R0 3685786.pdf
ESR18EZPJ2R0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR18EZPJ2R0 3748846.pdf
KTR18EZPJ2R0
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 102 136 170 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 204 238 272 306 340 348  [ Наступна Сторінка >> ]