Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 227 шт
174 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+26.00 грн
10+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+501.63 грн
10+328.52 грн
30+315.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+588.37 грн
5+461.54 грн
10+400.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS IXF_48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+425.34 грн
3+367.82 грн
10+313.44 грн
50+284.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1412.92 грн
3+1322.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+686.60 грн
30+560.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+846.50 грн
5+693.32 грн
10+593.89 грн
30+513.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1425.46 грн
5+1192.15 грн
10+1021.84 грн
30+971.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+544.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
10+94.73 грн
25+80.54 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.47 грн
10+135.04 грн
25+110.63 грн
50+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.80 грн
5+131.01 грн
10+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 STP28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+340.69 грн
10+205.58 грн
50+164.97 грн
100+156.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 STP28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.00 грн
3+198.52 грн
10+187.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 ST en.DM00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2 STMicroelectronics STW18N60DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.44 грн
10+152.17 грн
30+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STW28N60M2 STMicroelectronics STx28N60M2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.84 грн
10+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 STW48N60M2 STMicroelectronics stw48n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+772.30 грн
10+614.72 грн
30+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B64CCFDC20D2&compId=stw48n60m6-4.pdf?ci_sign=925f714fb1f1ab07bc3f6c584db50b789db289a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.88 грн
3+247.90 грн
10+179.53 грн
30+161.09 грн
120+149.44 грн
300+142.65 грн
900+128.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+406.53 грн
3+313.41 грн
10+227.08 грн
30+203.79 грн
120+189.23 грн
300+180.50 грн
900+173.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK28N60C4 WMK28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.23 грн
3+205.58 грн
10+165.94 грн
25+148.47 грн
100+137.80 грн
250+131.01 грн
500+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML08N60C4 WML08N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
5+67.82 грн
10+55.02 грн
25+49.49 грн
100+45.80 грн
250+43.77 грн
500+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N60C4 WML28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.07 грн
3+161.24 грн
10+131.01 грн
25+117.42 грн
100+108.69 грн
250+103.83 грн
500+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N60F2 WML28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.34 грн
3+166.28 грн
10+134.89 грн
25+121.30 грн
100+112.57 грн
250+106.75 грн
500+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMM28N60C4 WMM28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.94 грн
10+108.69 грн
25+103.83 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N60C2 WMM38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.34 грн
10+172.32 грн
50+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BF98N60 BYD
на замовлення 54080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM ON Semiconductor fqi8n60c-d.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N60CF fairchild 07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N60CF fairchild to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FAIRCHILD FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf 06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CLF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F FSC 09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C/FSC FSC 08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60L IR sihfps38n60l.pdf SUPER247
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LPBF VISHAY sihfps38n60l.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH5P8128N-60T
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF8N60TH
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF8N60TH=FQPF8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP8N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP8N60TH=FQP8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MF8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTD8N60ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 227 шт
174 шт - склад
35 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+26.00 грн
10+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.63 грн
10+328.52 грн
30+315.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.37 грн
5+461.54 грн
10+400.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXF_48N60P.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1195.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.34 грн
3+367.82 грн
10+313.44 грн
50+284.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1412.92 грн
3+1322.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.60 грн
30+560.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+846.50 грн
5+693.32 грн
10+593.89 грн
30+513.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1425.46 грн
5+1192.15 грн
10+1021.84 грн
30+971.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+544.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
10+94.73 грн
25+80.54 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.47 грн
10+135.04 грн
25+110.63 грн
50+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 stp18n60m2.pdf
STP18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.80 грн
5+131.01 грн
10+105.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STP28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+340.69 грн
10+205.58 грн
50+164.97 грн
100+156.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STP28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.00 грн
3+198.52 грн
10+187.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 en.DM00095328.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2 STW18N60DM2-DTE.pdf
STW18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.44 грн
10+152.17 грн
30+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N60M2 STx28N60M2-DTE.pdf
STW28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.84 грн
10+189.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2 stw48n60m2.pdf
STW48N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M2-4 STW48N60M2-4-DTE.pdf
STW48N60M2-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.30 грн
10+614.72 грн
30+461.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B64CCFDC20D2&compId=stw48n60m6-4.pdf?ci_sign=925f714fb1f1ab07bc3f6c584db50b789db289a2
STW48N60M6-4
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.88 грн
3+247.90 грн
10+179.53 грн
30+161.09 грн
120+149.44 грн
300+142.65 грн
900+128.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.53 грн
3+313.41 грн
10+227.08 грн
30+203.79 грн
120+189.23 грн
300+180.50 грн
900+173.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMK28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.23 грн
3+205.58 грн
10+165.94 грн
25+148.47 грн
100+137.80 грн
250+131.01 грн
500+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML08N60C4
WML08N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
5+67.82 грн
10+55.02 грн
25+49.49 грн
100+45.80 грн
250+43.77 грн
500+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WML28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.07 грн
3+161.24 грн
10+131.01 грн
25+117.42 грн
100+108.69 грн
250+103.83 грн
500+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N60F2
WML28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.34 грн
3+166.28 грн
10+134.89 грн
25+121.30 грн
100+112.57 грн
250+106.75 грн
500+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMM28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMM28N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.94 грн
10+108.69 грн
25+103.83 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N60C2 WMx38N60C2.pdf
WMM38N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.34 грн
10+172.32 грн
50+161.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BF98N60
Виробник: BYD
на замовлення 54080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60C
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N60CF
Виробник: fairchild
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N60CF
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqp8n60c-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60CLF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C, 7.5A 600V 1.2R,TO-220F
Виробник: FSC
09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C/FSC
Виробник: FSC
08+;
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60L sihfps38n60l.pdf
Виробник: IR
SUPER247
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPS38N60LPBF sihfps38n60l.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LH5P8128N-60T
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF8N60TH
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDF8N60TH=FQPF8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP8N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MDP8N60TH=FQP8N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MF8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MP8N60
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MTD8N60ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]