Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 274 шт
200 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.22 грн
17+20.83 грн
100+12.28 грн
500+10.01 грн
1000+9.25 грн
2000+8.64 грн
4000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.30 грн
4+282.66 грн
10+266.87 грн
30+260.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+529.56 грн
4+352.24 грн
10+320.25 грн
30+312.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH18N60P-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.96 грн
10+340.82 грн
510+275.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.63 грн
3+359.25 грн
8+339.51 грн
30+326.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-28N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+600.44 грн
10+339.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh48n60x3-datasheet.pdf MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+806.49 грн
10+499.47 грн
120+395.66 грн
510+364.59 грн
1020+360.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1260.14 грн
3+1150.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN48N60P-Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2327.49 грн
10+1956.03 грн
100+1483.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.78 грн
3+304.77 грн
4+251.08 грн
11+237.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.73 грн
3+379.79 грн
4+301.30 грн
11+285.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.27 грн
10+245.81 грн
100+195.56 грн
500+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.46 грн
10+296.37 грн
100+184.95 грн
500+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH28N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.65 грн
10+332.11 грн
510+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.31 грн
10+272.83 грн
510+232.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1149.60 грн
3+1024.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1379.52 грн
3+1276.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.25 грн
3+440.57 грн
6+416.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+707.10 грн
3+549.02 грн
6+499.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH48N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+589.83 грн
10+348.67 грн
120+294.09 грн
510+273.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+727.00 грн
3+459.52 грн
6+434.26 грн
30+418.47 грн
120+417.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+872.40 грн
3+572.64 грн
6+521.11 грн
30+502.16 грн
120+501.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.86 грн
10+227.51 грн
100+195.56 грн
500+191.77 грн
1000+187.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1224.42 грн
2+869.30 грн
3+821.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1469.31 грн
2+1083.29 грн
3+986.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGR48N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1565.22 грн
10+1209.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+531.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.00 грн
10+207.46 грн
100+135.68 грн
500+120.52 грн
1000+110.66 грн
2000+106.87 грн
5000+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.88 грн
10+242.33 грн
100+199.35 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.38 грн
10+216.17 грн
100+140.98 грн
500+125.07 грн
1000+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.04 грн
10+330.36 грн
100+231.94 грн
500+206.93 грн
1000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.28 грн
10+285.91 грн
100+229.67 грн
500+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1355.64 грн
10+810.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.76 грн
10+339.95 грн
100+249.37 грн
500+229.67 грн
1000+205.41 грн
2500+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.21 грн
10+378.31 грн
100+311.53 грн
500+289.55 грн
1000+288.03 грн
3000+265.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.52 грн
10+409.69 грн
100+351.70 грн
500+280.45 грн
1000+218.30 грн
2000+209.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.45 грн
10+271.96 грн
100+228.15 грн
500+186.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.17 грн
10+300.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.50 грн
10+164.75 грн
100+100.05 грн
500+86.41 грн
1000+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.93 грн
10+149.93 грн
100+90.96 грн
500+76.56 грн
1000+67.16 грн
2000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.42 грн
10+161.26 грн
100+105.36 грн
500+84.89 грн
1000+71.02 грн
2000+68.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.66 грн
10+210.94 грн
100+129.61 грн
500+118.24 грн
1000+110.66 грн
2000+107.63 грн
5000+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.36 грн
10+127.26 грн
100+78.83 грн
500+63.82 грн
1000+59.58 грн
2000+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.74 грн
10+82.11 грн
14+68.69 грн
38+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.89 грн
10+102.33 грн
14+82.43 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.34 грн
10+92.40 грн
100+57.30 грн
500+51.09 грн
1000+48.43 грн
2500+40.63 грн
5000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics en.DM00184996.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.38 грн
10+83.24 грн
100+50.56 грн
500+40.40 грн
1000+36.31 грн
2500+31.84 грн
5000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 STF18N60DM2 STMicroelectronics en.DM00172444.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.76 грн
10+152.54 грн
100+97.02 грн
500+81.86 грн
1000+67.16 грн
2000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 274 шт
200 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.22 грн
17+20.83 грн
100+12.28 грн
500+10.01 грн
1000+9.25 грн
2000+8.64 грн
4000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.30 грн
4+282.66 грн
10+266.87 грн
30+260.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.56 грн
4+352.24 грн
10+320.25 грн
30+312.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH18N60P-Datasheet.PDF
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.96 грн
10+340.82 грн
510+275.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.63 грн
3+359.25 грн
8+339.51 грн
30+326.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-28N60P3-Datasheet.PDF
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+600.44 грн
10+339.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh48n60x3-datasheet.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.49 грн
10+499.47 грн
120+395.66 грн
510+364.59 грн
1020+360.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1050.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.14 грн
3+1150.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFN48N60P-Datasheet.PDF
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2327.49 грн
10+1956.03 грн
100+1483.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.78 грн
3+304.77 грн
4+251.08 грн
11+237.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.73 грн
3+379.79 грн
4+301.30 грн
11+285.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.27 грн
10+245.81 грн
100+195.56 грн
500+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.46 грн
10+296.37 грн
100+184.95 грн
500+184.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH28N60B3D1-Datasheet.PDF
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+560.65 грн
10+332.11 грн
510+282.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.31 грн
10+272.83 грн
510+232.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1149.60 грн
3+1024.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1379.52 грн
3+1276.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.25 грн
3+440.57 грн
6+416.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.10 грн
3+549.02 грн
6+499.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH48N60B3D1-Datasheet.PDF
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+589.83 грн
10+348.67 грн
120+294.09 грн
510+273.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+727.00 грн
3+459.52 грн
6+434.26 грн
30+418.47 грн
120+417.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.40 грн
3+572.64 грн
6+521.11 грн
30+502.16 грн
120+501.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.86 грн
10+227.51 грн
100+195.56 грн
500+191.77 грн
1000+187.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1224.42 грн
2+869.30 грн
3+821.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1469.31 грн
2+1083.29 грн
3+986.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGR48N60C3D1-Datasheet.PDF
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1565.22 грн
10+1209.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+531.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.00 грн
10+207.46 грн
100+135.68 грн
500+120.52 грн
1000+110.66 грн
2000+106.87 грн
5000+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.88 грн
10+242.33 грн
100+199.35 грн
500+187.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.38 грн
10+216.17 грн
100+140.98 грн
500+125.07 грн
1000+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.04 грн
10+330.36 грн
100+231.94 грн
500+206.93 грн
1000+193.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.28 грн
10+285.91 грн
100+229.67 грн
500+222.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1355.64 грн
10+810.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.76 грн
10+339.95 грн
100+249.37 грн
500+229.67 грн
1000+205.41 грн
2500+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.21 грн
10+378.31 грн
100+311.53 грн
500+289.55 грн
1000+288.03 грн
3000+265.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.52 грн
10+409.69 грн
100+351.70 грн
500+280.45 грн
1000+218.30 грн
2000+209.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.45 грн
10+271.96 грн
100+228.15 грн
500+186.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.17 грн
10+300.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
STB18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.50 грн
10+164.75 грн
100+100.05 грн
500+86.41 грн
1000+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.93 грн
10+149.93 грн
100+90.96 грн
500+76.56 грн
1000+67.16 грн
2000+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.42 грн
10+161.26 грн
100+105.36 грн
500+84.89 грн
1000+71.02 грн
2000+68.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STB28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.66 грн
10+210.94 грн
100+129.61 грн
500+118.24 грн
1000+110.66 грн
2000+107.63 грн
5000+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.36 грн
10+127.26 грн
100+78.83 грн
500+63.82 грн
1000+59.58 грн
2000+54.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.74 грн
10+82.11 грн
14+68.69 грн
38+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.89 грн
10+102.33 грн
14+82.43 грн
38+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.34 грн
10+92.40 грн
100+57.30 грн
500+51.09 грн
1000+48.43 грн
2500+40.63 грн
5000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 en.DM00184996.pdf
STD8N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.38 грн
10+83.24 грн
100+50.56 грн
500+40.40 грн
1000+36.31 грн
2500+31.84 грн
5000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 en.DM00172444.pdf
STF18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.76 грн
10+152.54 грн
100+97.02 грн
500+81.86 грн
1000+67.16 грн
2000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]