Результат пошуку "irf3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 289
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 226
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 25
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 386
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 431
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 431
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 68
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 295
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 148
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 223
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 223
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 223
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3205PBF Код товару: 25094
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR/Infineon |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: THT |
у наявності: 1619 шт
1399 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів 43 шт - РАДІОМАГ-Харків 39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205SPBF Код товару: 36593
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 Монтаж: SMD |
у наявності: 29 шт
22 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ 6 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF Код товару: 34997
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 Монтаж: THT |
у наявності: 285 шт
184 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF Код товару: 34305
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200 Монтаж: THT |
у наявності: 47 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710PBF Код товару: 43009
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ 4 шт - РАДІОМАГ-Львів 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
300 шт
300 шт - очікується 21.05.2026
|
|
||||||||||||||||
|
IRF3710SPBF Код товару: 43364
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 9 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
|
|
||||||||||||||||
|
IRF3710ZPBF Код товару: 190954
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 53 шт
11 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
|
IRF3717PBF Код товару: 26533
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 20 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22 Монтаж: SMD |
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
|
|
||||||||||||||||
|
IRF3808PBF Код товару: 33009
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150 Монтаж: THT |
у наявності: 44 шт
22 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||||
| IRF3007PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 105477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3007PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3007PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3007PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF300P226 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 28488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSMкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205STRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205STRL | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 668 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
на замовлення 7444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205zкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205zкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 62539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF3205ZPBFAKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET UP TO 60V |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3205ZS | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF331 | HARRIS |
IRF331 |
на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3315 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF341 | International Rectifier HiRel Products |
IRF341 |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF341 | International Rectifier HiRel Products |
IRF341 |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF341 | HARRIS |
IRF341 |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF3415 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 133.3nC |
на замовлення 909 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF3205PBF Код товару: 25094
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1619 шт
1399 шт - склад
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
38 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Харків
39 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRF3205SPBF Код товару: 36593
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 29 шт
22 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| IRF3205ZPBF Код товару: 34997
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 285 шт
184 шт - склад
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
101 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 45.00 грн |
| IRF3415PBF Код товару: 34305
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
38 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 100+ | 44.70 грн |
| IRF3710PBF Код товару: 43009
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 68 шт
42 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
300 шт
300 шт - очікується 21.05.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 36.00 грн |
| 100+ | 32.40 грн |
| IRF3710SPBF Код товару: 43364
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 9 шт
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 68.00 грн |
| 10+ | 63.40 грн |
| IRF3710ZPBF Код товару: 44978
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 49.50 грн |
| 10+ | 44.60 грн |
| 100+ | 39.90 грн |
| IRF3710ZPBF Код товару: 190954
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 53 шт
11 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| IRF3717PBF Код товару: 26533
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
Монтаж: SMD
у наявності: 12 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.00 грн |
| IRF3808PBF Код товару: 33009
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
22 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 289+ | 111.86 грн |
| 500+ | 100.67 грн |
| 1000+ | 92.84 грн |
| 10000+ | 79.82 грн |
| 100000+ | 61.92 грн |
| IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 289+ | 111.86 грн |
| 500+ | 100.67 грн |
| 1000+ | 92.84 грн |
| IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 289+ | 111.86 грн |
| 500+ | 100.67 грн |
| 1000+ | 92.84 грн |
| IRF3007PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 289+ | 111.86 грн |
| 500+ | 100.67 грн |
| 1000+ | 92.84 грн |
| IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 226+ | 143.05 грн |
| 500+ | 129.07 грн |
| 1000+ | 118.31 грн |
| IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 80.58 грн |
| 1600+ | 77.97 грн |
| 2400+ | 76.75 грн |
| IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 75.21 грн |
| 1600+ | 72.78 грн |
| 2400+ | 71.63 грн |
| IRF3007STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
MOSFETs MOSFET 75V D2PAK
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.20 грн |
| 10+ | 147.53 грн |
| 100+ | 89.25 грн |
| 500+ | 77.39 грн |
| 800+ | 61.01 грн |
| IRF300P226 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 1038.86 грн |
| 25+ | 704.10 грн |
| 50+ | 667.84 грн |
| 100+ | 608.21 грн |
| IRF3205 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205; IRF 3205 ; IRF3205; YFW120N06AC; PTP12HN06; MOT110N06F; D3205; IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 33.70 грн |
| IRF3205-CN |
Виробник: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-CN CHIPNOBO TIRF3205 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.25 грн |
| IRF3205-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3205; SP001559536; IRF3205-ML MOSLEADER TIRF3205 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 26.49 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 386+ | 83.72 грн |
| 500+ | 75.36 грн |
| 1000+ | 69.49 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 386+ | 83.72 грн |
| 500+ | 75.36 грн |
| 1000+ | 69.49 грн |
| 10000+ | 59.74 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.32 грн |
| 10+ | 80.02 грн |
| 100+ | 61.15 грн |
| 500+ | 45.60 грн |
| 1000+ | 41.76 грн |
| 2000+ | 41.07 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 386+ | 83.72 грн |
| 500+ | 75.36 грн |
| 1000+ | 69.49 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 386+ | 83.72 грн |
| 500+ | 75.36 грн |
| 1000+ | 69.49 грн |
| IRF3205PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 39105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 150.49 грн |
| 11+ | 78.74 грн |
| 100+ | 65.16 грн |
| 500+ | 45.77 грн |
| 1000+ | 38.77 грн |
| 5000+ | 38.14 грн |
| IRF3205S | ![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.70 грн |
| IRF3205STRL |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.32 грн |
| IRF3205STRL |
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205S; IRF3205STRL; IRF3205STRR; IRF3205S-GURT; MOT100N07E; PTY12HN06; IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 41.32 грн |
| IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.65 грн |
| 10+ | 89.89 грн |
| 50+ | 71.09 грн |
| 100+ | 64.37 грн |
| 250+ | 56.57 грн |
| 500+ | 51.36 грн |
| IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.19 грн |
| 250+ | 88.55 грн |
| IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 229.39 грн |
| 10+ | 152.93 грн |
| 50+ | 129.34 грн |
| 100+ | 98.19 грн |
| 250+ | 88.55 грн |
| IRF3205STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.77 грн |
| 10+ | 109.85 грн |
| 100+ | 67.77 грн |
| 500+ | 51.04 грн |
| 800+ | 50.97 грн |
| 2400+ | 48.60 грн |
| 4800+ | 46.16 грн |
| IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 55.73 грн |
| IRF3205Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3205Z; IRF3205Z; IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 55.73 грн |
| IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.15 грн |
| 10+ | 70.50 грн |
| 20+ | 65.63 грн |
| 50+ | 58.33 грн |
| 100+ | 54.05 грн |
| 200+ | 49.85 грн |
| 500+ | 44.82 грн |
| 1000+ | 41.54 грн |
| IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 431+ | 74.91 грн |
| 500+ | 67.42 грн |
| IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.29 грн |
| 11+ | 79.15 грн |
| 100+ | 65.56 грн |
| 500+ | 54.61 грн |
| 1000+ | 46.51 грн |
| IRF3205ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 62539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 431+ | 74.91 грн |
| 500+ | 67.42 грн |
| 1000+ | 62.18 грн |
| 10000+ | 53.46 грн |
| IRF3205ZPBFAKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.94 грн |
| 10+ | 105.04 грн |
| 100+ | 62.96 грн |
| 500+ | 53.27 грн |
| 1000+ | 42.32 грн |
| IRF3205ZS |
![]() |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 57.22 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 165.40 грн |
| 10+ | 76.37 грн |
| 50+ | 67.14 грн |
| 100+ | 62.94 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFETs MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.53 грн |
| 10+ | 121.07 грн |
| 100+ | 71.82 грн |
| 500+ | 59.13 грн |
| 800+ | 51.39 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 68+ | 189.86 грн |
| 100+ | 188.86 грн |
| 250+ | 181.15 грн |
| 500+ | 166.84 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 86.86 грн |
| 250+ | 78.79 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 198.23 грн |
| 10+ | 138.89 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF3205ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 210.68 грн |
| 10+ | 136.66 грн |
| 50+ | 115.51 грн |
| 100+ | 86.86 грн |
| 250+ | 78.79 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 205.56 грн |
| 10+ | 204.49 грн |
| 25+ | 203.42 грн |
| 100+ | 195.12 грн |
| 250+ | 179.71 грн |
| 500+ | 171.61 грн |
| IRF3205ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 295+ | 109.71 грн |
| 500+ | 98.74 грн |
| 1000+ | 91.06 грн |
| IRF331 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRF331
IRF331
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 219.41 грн |
| 500+ | 208.66 грн |
| 1000+ | 196.83 грн |
| IRF3315 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF3315 TIRF3315
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.69 грн |
| IRF341 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF341
IRF341
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 223+ | 145.20 грн |
| 500+ | 137.67 грн |
| 1000+ | 130.14 грн |
| IRF341 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRF341
IRF341
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 223+ | 145.20 грн |
| 500+ | 137.67 грн |
| 1000+ | 130.14 грн |
| IRF341 |
![]() |
Виробник: HARRIS
IRF341
IRF341
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 223+ | 145.20 грн |
| 500+ | 137.67 грн |
| 1000+ | 130.14 грн |
| IRF3415 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3415 TIRF3415
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.19 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 133.3nC
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.59 грн |
| 10+ | 84.77 грн |
| 50+ | 79.73 грн |
| 100+ | 73.02 грн |
| 250+ | 66.30 грн |
| IRF3415PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 62.79 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]



















