Результат пошуку "7n80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPA17N80C3 SPA17N80C3
Код товару: 29151 		Infineon datsdheet-spa17n80c3.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
1+132 грн
SPB17N80C3 SPB17N80C3
Код товару: 37324 		Infineon spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
1+122 грн
167N80 167N80 Hammond Manufacturing 167-1390039.pdf Power Transformers Power transformer, low voltage, enclosed chassis mount, 320VA 115 80VCT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8262.04 грн
10+ 7911.62 грн
25+ 6609.31 грн
50+ 6307.55 грн
100+ 5930.7 грн
FQA7N80 FQA7N80 Fairchild Semiconductor FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQA7N80C FQA7N80C Fairchild Semiconductor FAIRS24235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 25078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQA7N80C-F109 FQA7N80C-F109 onsemi FQA7N80C_F109-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+114.54 грн
Мінімальне замовлення: 179
FQP7N80 FQP7N80 Fairchild Semiconductor FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 12138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+143.86 грн
Мінімальне замовлення: 143
FQPF7N80C FQPF7N80C Fairchild Semiconductor FAIRS46447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+82.5 грн
Мінімальне замовлення: 249
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.03 грн
6+ 137.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA7N80P IXFA7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+227.92 грн
3+ 193.19 грн
6+ 165.56 грн
17+ 157.02 грн
50+ 156.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80P IXFA7N80P Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=B00D4E8D-827B-4A04-B106-292ED53206EE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.95 грн
50+ 198.43 грн
100+ 170.08 грн
500+ 141.88 грн
1000+ 121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK27N80Q IXFK27N80Q Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.09 грн
25+ 1039.11 грн
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.5 грн
3+ 207.66 грн
5+ 184.19 грн
13+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+304.2 грн
3+ 258.77 грн
5+ 221.03 грн
13+ 209.08 грн
IXFP7N80P IXFP7N80P Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=B00D4E8D-827B-4A04-B106-292ED53206EE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+295.4 грн
50+ 225.48 грн
100+ 193.26 грн
500+ 161.22 грн
IXFP7N80P IXFP7N80P IXYS media-3322436.pdf MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.54 грн
10+ 339.17 грн
50+ 256.7 грн
100+ 219.83 грн
250+ 213.01 грн
500+ 185.7 грн
1000+ 168.63 грн
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1403.82 грн
2+ 1233.14 грн
3+ 1232.43 грн
30+ 1184.79 грн
IXFX27N80Q IXFX27N80Q IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1684.59 грн
2+ 1536.69 грн
3+ 1478.92 грн
30+ 1421.74 грн
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1796.79 грн
30+ 1434.33 грн
MSJB17N80-TP MSJB17N80-TP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+296.14 грн
10+ 239.45 грн
100+ 193.68 грн
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.89 грн
10+ 136.61 грн
100+ 93.53 грн
250+ 88.75 грн
500+ 84.66 грн
1000+ 77.15 грн
2000+ 76.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA17N80AE-GE3 SIHA17N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.67 грн
10+ 145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA17N80AEF-GE3 SIHA17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix siha17n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.36 грн
10+ 111.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA17N80E-E3 SIHA17N80E-E3 Vishay Siliconix siha17n80e.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.3 грн
SIHA17N80E-GE3 SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix siha17n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA17N80E-GE3 SIHA17N80E-GE3 Vishay / Siliconix siha17n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.68 грн
10+ 286.57 грн
25+ 242.36 грн
100+ 202.08 грн
250+ 195.94 грн
500+ 179.55 грн
1000+ 153.61 грн
SIHA17N80E-GE3 SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix siha17n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.3 грн
10+ 257.65 грн
100+ 208.4 грн
500+ 173.85 грн
SIHB17N80AE-GE3 SIHB17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.27 грн
10+ 169.59 грн
100+ 119.47 грн
500+ 101.04 грн
1000+ 86.02 грн
5000+ 78.51 грн
10000+ 77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihb17n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.04 грн
10+ 266.94 грн
25+ 224.61 грн
100+ 195.25 грн
250+ 190.48 грн
500+ 179.55 грн
1000+ 164.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB17N80E-GE3 SIHB17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.28 грн
10+ 271.45 грн
100+ 219.62 грн
500+ 183.2 грн
SIHB17N80E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.02 грн
10+ 271.95 грн
100+ 219.98 грн
SIHB17N80E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+203.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.22 грн
10+ 184.5 грн
25+ 150.88 грн
100+ 129.71 грн
250+ 122.21 грн
500+ 104.45 грн
1000+ 95.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.57 грн
25+ 156.17 грн
100+ 133.88 грн
500+ 111.67 грн
1000+ 95.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg17n80aef.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.59 грн
10+ 190 грн
25+ 160.44 грн
100+ 133.13 грн
250+ 129.71 грн
500+ 121.52 грн
1000+ 101.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+ 170.32 грн
100+ 137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.62 грн
50+ 190.49 грн
100+ 163.28 грн
500+ 149.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80E-GE3 SIHG17N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihg17n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.3 грн
10+ 319.54 грн
50+ 242.36 грн
100+ 217.1 грн
250+ 211.64 грн
500+ 197.99 грн
1000+ 170.68 грн
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.98 грн
10+ 111.49 грн
100+ 79.19 грн
500+ 76.46 грн
2500+ 75.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP17N80AE-GE3 SIHP17N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.24 грн
50+ 100.39 грн
100+ 82.6 грн
500+ 69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80aef.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.09 грн
10+ 170.37 грн
100+ 117.43 грн
250+ 112.65 грн
500+ 98.31 грн
1000+ 84.66 грн
2500+ 79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.54 грн
10+ 152.9 грн
100+ 121.68 грн
500+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80E-BE3 SIHP17N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp17n80e.pdf MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.88 грн
10+ 286.57 грн
25+ 213.01 грн
100+ 194.57 грн
250+ 186.38 грн
500+ 178.87 грн
1000+ 159.07 грн
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp17n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.88 грн
10+ 286.57 грн
25+ 234.85 грн
100+ 201.4 грн
250+ 189.79 грн
500+ 178.87 грн
1000+ 172.04 грн
SIHP17N80E-GE3 SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.56 грн
10+ 256.87 грн
100+ 207.8 грн
500+ 173.35 грн
1000+ 148.43 грн
SPA17N80C3 SPA17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf description MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 172.04 грн
1000+ 147.47 грн
SPA17N80C3XK SPA17N80C3XK Infineon Technologies Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN-1226622.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 172.04 грн
1000+ 147.47 грн
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.48 грн
50+ 234.25 грн
100+ 200.78 грн
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.54 грн
10+ 229.25 грн
25+ 161.8 грн
100+ 146.1 грн
250+ 144.73 грн
500+ 139.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.95 грн
4+ 252.46 грн
9+ 238.24 грн
250+ 233.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.95 грн
4+ 314.6 грн
9+ 285.88 грн
250+ 279.91 грн
SPB17N80C3 SPB17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 7583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 173.41 грн
1000+ 147.47 грн
SPB17N80C3 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.95 грн
10+ 272.44 грн
25+ 211.64 грн
100+ 178.87 грн
250+ 177.5 грн
500+ 152.24 грн
1000+ 138.59 грн
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.48 грн
10+ 248.19 грн
100+ 200.78 грн
500+ 167.49 грн
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.6 грн
3+ 265.26 грн
4+ 252.46 грн
9+ 238.24 грн
50+ 233.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.32 грн
3+ 330.56 грн
4+ 302.95 грн
9+ 285.88 грн
50+ 279.91 грн
SPP17N80C3 SPP17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf description MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.82 грн
10+ 276.36 грн
25+ 233.49 грн
100+ 219.15 грн
250+ 216.42 грн
500+ 184.33 грн
2500+ 165.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA17N80C3
Код товару: 29151		 description datsdheet-spa17n80c3.pdf
SPA17N80C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 39 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+132 грн
SPB17N80C3
Код товару: 37324		 spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf
SPB17N80C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+122 грн
167N80 167-1390039.pdf
167N80
Виробник: Hammond Manufacturing
Power Transformers Power transformer, low voltage, enclosed chassis mount, 320VA 115 80VCT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8262.04 грн
10+ 7911.62 грн
25+ 6609.31 грн
50+ 6307.55 грн
100+ 5930.7 грн
FQA7N80 FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA7N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQA7N80C FAIRS24235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA7N80C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 25078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
275+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQA7N80C-F109 FQA7N80C_F109-D.PDF
FQA7N80C-F109
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 17280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
179+114.54 грн
Мінімальне замовлення: 179
FQP7N80 FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP7N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 12138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+143.86 грн
Мінімальне замовлення: 143
FQPF7N80C FAIRS46447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF7N80C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+82.5 грн
Мінімальне замовлення: 249
IXFA7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.03 грн
6+ 137.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFA7N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.92 грн
3+ 193.19 грн
6+ 165.56 грн
17+ 157.02 грн
50+ 156.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=B00D4E8D-827B-4A04-B106-292ED53206EE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF
IXFA7N80P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.95 грн
50+ 198.43 грн
100+ 170.08 грн
500+ 141.88 грн
1000+ 121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFK27N80Q littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf
IXFK27N80Q
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1183.09 грн
25+ 1039.11 грн
IXFP7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.5 грн
3+ 207.66 грн
5+ 184.19 грн
13+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP7N80P IXFA7N80P_IXFP7N80P.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.2 грн
3+ 258.77 грн
5+ 221.03 грн
13+ 209.08 грн
IXFP7N80P media?resourcetype=datasheets&itemid=B00D4E8D-827B-4A04-B106-292ED53206EE&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-7N80P-Datasheet.PDF
IXFP7N80P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+295.4 грн
50+ 225.48 грн
100+ 193.26 грн
500+ 161.22 грн
IXFP7N80P media-3322436.pdf
IXFP7N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.54 грн
10+ 339.17 грн
50+ 256.7 грн
100+ 219.83 грн
250+ 213.01 грн
500+ 185.7 грн
1000+ 168.63 грн
IXFX27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1403.82 грн
2+ 1233.14 грн
3+ 1232.43 грн
30+ 1184.79 грн
IXFX27N80Q IXFK(X)27N80Q.pdf
IXFX27N80Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1684.59 грн
2+ 1536.69 грн
3+ 1478.92 грн
30+ 1421.74 грн
IXFX27N80Q littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf
IXFX27N80Q
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1796.79 грн
30+ 1434.33 грн
MSJB17N80-TP
MSJB17N80-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.14 грн
10+ 239.45 грн
100+ 193.68 грн
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.89 грн
10+ 136.61 грн
100+ 93.53 грн
250+ 88.75 грн
500+ 84.66 грн
1000+ 77.15 грн
2000+ 76.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA17N80AE-GE3 siha17n80ae.pdf
SIHA17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.67 грн
10+ 145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA17N80AEF-GE3 siha17n80aef.pdf
SIHA17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.36 грн
10+ 111.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA17N80E-E3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.3 грн
SIHA17N80E-GE3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHA17N80E-GE3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.68 грн
10+ 286.57 грн
25+ 242.36 грн
100+ 202.08 грн
250+ 195.94 грн
500+ 179.55 грн
1000+ 153.61 грн
SIHA17N80E-GE3 siha17n80e.pdf
SIHA17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.3 грн
10+ 257.65 грн
100+ 208.4 грн
500+ 173.85 грн
SIHB17N80AE-GE3 sihb17n80ae.pdf
SIHB17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.27 грн
10+ 169.59 грн
100+ 119.47 грн
500+ 101.04 грн
1000+ 86.02 грн
5000+ 78.51 грн
10000+ 77.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB17N80E-GE3 sihb17n80e.pdf
SIHB17N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+309.04 грн
10+ 266.94 грн
25+ 224.61 грн
100+ 195.25 грн
250+ 190.48 грн
500+ 179.55 грн
1000+ 164.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB17N80E-GE3 sihb17n80e.pdf
SIHB17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.28 грн
10+ 271.45 грн
100+ 219.62 грн
500+ 183.2 грн
SIHB17N80E-T1-GE3 sihb17n80e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.02 грн
10+ 271.95 грн
100+ 219.98 грн
SIHB17N80E-T1-GE3 sihb17n80e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+203.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.22 грн
10+ 184.5 грн
25+ 150.88 грн
100+ 129.71 грн
250+ 122.21 грн
500+ 104.45 грн
1000+ 95.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AE-GE3 sihg17n80ae.pdf
SIHG17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.57 грн
25+ 156.17 грн
100+ 133.88 грн
500+ 111.67 грн
1000+ 95.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AEF-GE3 sihg17n80aef.pdf
SIHG17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.59 грн
10+ 190 грн
25+ 160.44 грн
100+ 133.13 грн
250+ 129.71 грн
500+ 121.52 грн
1000+ 101.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80AEF-GE3 sihg17n80aef.pdf
SIHG17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.47 грн
10+ 170.32 грн
100+ 137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
SIHG17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.62 грн
50+ 190.49 грн
100+ 163.28 грн
500+ 149.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG17N80E-GE3 sihg17n80e.pdf
SIHG17N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.3 грн
10+ 319.54 грн
50+ 242.36 грн
100+ 217.1 грн
250+ 211.64 грн
500+ 197.99 грн
1000+ 170.68 грн
SIHP17N80AE-GE3 sihp17n80ae.pdf
SIHP17N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.98 грн
10+ 111.49 грн
100+ 79.19 грн
500+ 76.46 грн
2500+ 75.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP17N80AE-GE3 sihp17n80ae.pdf
SIHP17N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.24 грн
50+ 100.39 грн
100+ 82.6 грн
500+ 69.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP17N80AEF-GE3 sihp17n80aef.pdf
SIHP17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.09 грн
10+ 170.37 грн
100+ 117.43 грн
250+ 112.65 грн
500+ 98.31 грн
1000+ 84.66 грн
2500+ 79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80AEF-GE3 sihp17n80aef.pdf
SIHP17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.54 грн
10+ 152.9 грн
100+ 121.68 грн
500+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP17N80E-BE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.88 грн
10+ 286.57 грн
25+ 213.01 грн
100+ 194.57 грн
250+ 186.38 грн
500+ 178.87 грн
1000+ 159.07 грн
SIHP17N80E-GE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.88 грн
10+ 286.57 грн
25+ 234.85 грн
100+ 201.4 грн
250+ 189.79 грн
500+ 178.87 грн
1000+ 172.04 грн
SIHP17N80E-GE3 sihp17n80e.pdf
SIHP17N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.56 грн
10+ 256.87 грн
100+ 207.8 грн
500+ 173.35 грн
1000+ 148.43 грн
SPA17N80C3 description Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf
SPA17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 172.04 грн
1000+ 147.47 грн
SPA17N80C3XK Infineon-SPA17N80C3-DS-v02_08-EN-1226622.pdf
SPA17N80C3XK
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 172.04 грн
1000+ 147.47 грн
SPA17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
SPA17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.48 грн
50+ 234.25 грн
100+ 200.78 грн
SPA17N80C3XKSA1 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf
SPA17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA17N80C3XKSA1 Infineon_SPA17N80C3_DS_v02_08_EN-1732133.pdf
SPA17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.54 грн
10+ 229.25 грн
25+ 161.8 грн
100+ 146.1 грн
250+ 144.73 грн
500+ 139.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+359.95 грн
4+ 252.46 грн
9+ 238.24 грн
250+ 233.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.95 грн
4+ 314.6 грн
9+ 285.88 грн
250+ 279.91 грн
SPB17N80C3 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf
SPB17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 7583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.73 грн
10+ 276.36 грн
25+ 225.98 грн
100+ 193.89 грн
250+ 182.97 грн
500+ 173.41 грн
1000+ 147.47 грн
SPB17N80C3
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+158.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB17N80C3ATMA1 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en-1732134.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.95 грн
10+ 272.44 грн
25+ 211.64 грн
100+ 178.87 грн
250+ 177.5 грн
500+ 152.24 грн
1000+ 138.59 грн
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.48 грн
10+ 248.19 грн
100+ 200.78 грн
500+ 167.49 грн
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+318.6 грн
3+ 265.26 грн
4+ 252.46 грн
9+ 238.24 грн
50+ 233.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.32 грн
3+ 330.56 грн
4+ 302.95 грн
9+ 285.88 грн
50+ 279.91 грн
SPP17N80C3 description Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf
SPP17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+313.82 грн
10+ 276.36 грн
25+ 233.49 грн
100+ 219.15 грн
250+ 216.42 грн
500+ 184.33 грн
2500+ 165.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]