Результат пошуку "50n60" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 240
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| E250N60 | ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IGW50N60TP | Infineon technologies |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 59A Power dissipation: 120W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 240 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IKW50N60DTP | Infineon |
на замовлення 15600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IKW50N60DTP | Infineon technologies |
на замовлення 239 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| IXGK50N60AU1 | IXYS |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IXGN50N60BD3 | ABB |
07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IXGN50N60BD3 | IXYS |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IXGN50N60BD3 | IXYS |
MODULE |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IXSK50N60AU1 | IXYS |
09+ QFN |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| IXSN50N60U1 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| NGTB50N60L2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| NGTG50N60FWG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| RFP50N60 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFD |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFDTU=== |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFDTU===Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFDTU==Fa |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFDTU==Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| SGL50N60RUFTU |
|
на замовлення 4950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| SGW50N60HS | INFINEON | MODULE |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| SM50N60P |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| TD250N600KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
IGBT IKW50N60H3 Код товару: 177225 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
|
IGW50N60H3 Код товару: 107816 |
Infineon |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247-3 Vces: 600 V Vce: 1,85 V Ic 25: 100 A Ic 100: 50 A Pd 25: 333 W td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235 |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
IKW50N60H3 Код товару: 94376 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||
|
IKW50N60T Код товару: 145126 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
IKW50N60TA Код товару: 139366 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
IXFT50N60P3 Код товару: 152198 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
IXGX50N60C2D1 Код товару: 166974 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||
|
KGT50N60KDA (транзистор) Код товару: 49839 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||
 |
NGTG50N60FLWG Код товару: 83454 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||
| 5SDD 50N6000 | ABB |
Category: Diodes - others Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm Case: Ø151/100mm Mounting: Press-Pack Max. off-state voltage: 6kV Features of semiconductor devices: high voltage Max. forward impulse current: 71.2kA Threshold on-voltage: 0.8V Load current: 4.21kA Type of diode: hockey-puck rectifying |
товар відсутній |
||||||||||
| 5SDD 50N6000 | ABB |
Category: Diodes - others Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm Case: Ø151/100mm Mounting: Press-Pack Max. off-state voltage: 6kV Features of semiconductor devices: high voltage Max. forward impulse current: 71.2kA Threshold on-voltage: 0.8V Load current: 4.21kA Type of diode: hockey-puck rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode |
товар відсутній |
|||||||||
| APT50N60JCCU2 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
||||||||||
| APT50N60JCCU2 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
APT50N60JCCU2 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
APT50N60JCCU2 | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC0061 |
товар відсутній |
|||||||||
 |
APT50N60JCU2 | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
APT50N60JCU3 | Microsemi |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FDBL0150N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGP50N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGP50N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGP50N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKFW50N60DH3EXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKFW50N60DH3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKFW50N60ETXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFH50N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
| IKFW50N60ETXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 420.27 грн |
| IGW50N60H3 Код товару: 107816 |
|
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товар відсутній
| 5SDD 50N6000 |
|
Виробник: ABB
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm
Case: Ø151/100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 71.2kA
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 4.21kA
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm
Case: Ø151/100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 71.2kA
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 4.21kA
Type of diode: hockey-puck rectifying
товар відсутній
| 5SDD 50N6000 |
|
Виробник: ABB
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm
Case: Ø151/100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 71.2kA
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 4.21kA
Type of diode: hockey-puck rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying; 6kV; 4.21kA; Ø151/100mm
Case: Ø151/100mm
Mounting: Press-Pack
Max. off-state voltage: 6kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. forward impulse current: 71.2kA
Threshold on-voltage: 0.8V
Load current: 4.21kA
Type of diode: hockey-puck rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| AIKW50N60CTXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
| AIKW50N60CTXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| AIKW50N60CTXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
| APT50N60JCCU2 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
| APT50N60JCCU2 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 38A; ISOTOP; screw; Idm: 130A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT50N60JCCU2 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
| FDBL0150N60 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній
| IGB50N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товар відсутній
| IGB50N60TATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IGB50N60TATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| IGP50N60TXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
| IGP50N60TXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IGP50N60TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IGW50N60H3FKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 441.73 грн |
| 3+ | 375.94 грн |
| 4+ | 313.86 грн |
| 9+ | 297.26 грн |
| IGW50N60TFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKFW50N60DH3EXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKFW50N60DH3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKFW50N60ETXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKW50N60DTPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKW50N60TAFKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
| IKW50N60TFKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 526.68 грн |
| 3+ | 388.88 грн |
| 8+ | 353.72 грн |
| IXFH50N60P3 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній