Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
5 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.96 грн
10+411.80 грн
25+326.72 грн
100+298.41 грн
240+276.22 грн
480+272.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild FDBL0150N60-D.pdf MOSFETs Update code D
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.35 грн
10+388.92 грн
100+298.41 грн
500+278.51 грн
1000+273.92 грн
2000+254.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.61 грн
10+215.58 грн
100+143.85 грн
500+129.31 грн
1000+108.65 грн
2000+105.59 грн
5000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.07 грн
10+215.58 грн
100+133.13 грн
500+121.66 грн
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.11 грн
10+203.26 грн
100+135.43 грн
500+114.77 грн
1000+101.00 грн
2500+94.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.33 грн
10+192.70 грн
100+130.07 грн
500+121.66 грн
1000+114.01 грн
2500+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2.pdf IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.85 грн
10+197.10 грн
100+159.91 грн
480+114.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.96 грн
6+175.35 грн
15+165.78 грн
30+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.75 грн
6+218.51 грн
15+198.94 грн
30+194.16 грн
120+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+290.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.29 грн
10+213.82 грн
100+138.49 грн
480+123.95 грн
1200+105.59 грн
2640+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.29 грн
4+235.92 грн
10+223.96 грн
11+223.17 грн
30+214.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+375.95 грн
4+293.99 грн
10+268.76 грн
11+267.80 грн
30+257.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.86 грн
10+213.82 грн
100+138.49 грн
480+120.89 грн
1200+110.18 грн
2640+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.32 грн
4+290.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+404.79 грн
4+362.52 грн
9+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.95 грн
10+231.42 грн
100+152.26 грн
480+140.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.98 грн
10+345.81 грн
100+261.68 грн
480+199.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.14 грн
10+381.00 грн
100+283.87 грн
480+262.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.84 грн
8+125.13 грн
21+117.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.55 грн
10+153.98 грн
100+110.18 грн
480+84.93 грн
1200+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.46 грн
10+292.13 грн
100+205.06 грн
480+182.10 грн
1200+156.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.48 грн
5+219.18 грн
12+207.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+410.97 грн
5+273.13 грн
12+248.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.80 грн
10+236.70 грн
100+147.67 грн
480+146.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.19 грн
10+327.33 грн
100+229.54 грн
480+204.29 грн
1200+175.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+273.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+273.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.32 грн
4+282.15 грн
10+266.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.39 грн
4+351.60 грн
10+319.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.44 грн
10+263.97 грн
100+185.16 грн
480+164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.60 грн
2+512.49 грн
5+511.69 грн
6+483.79 грн
30+465.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+889.92 грн
2+638.64 грн
5+614.03 грн
6+580.55 грн
30+558.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+847.14 грн
10+503.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.86 грн
2+502.92 грн
6+475.03 грн
120+457.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+989.83 грн
2+626.72 грн
6+570.03 грн
120+548.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.51 грн
2+592.99 грн
5+560.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+934.21 грн
2+738.95 грн
5+672.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.51 грн
10+672.25 грн
120+548.61 грн
510+495.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+986.22 грн
2+655.15 грн
4+619.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1183.47 грн
2+816.42 грн
4+743.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1067.77 грн
2+711.74 грн
3+710.95 грн
4+672.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1281.32 грн
2+886.94 грн
3+853.13 грн
4+807.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH150N60C3-Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.69 грн
10+820.96 грн
120+706.23 грн
510+692.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXX-50N60B3-Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.65 грн
10+711.85 грн
120+512.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60B3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1077.45 грн
10+740.01 грн
510+631.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60C3D1-Datasheet.PDF IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.47 грн
10+512.99 грн
120+403.23 грн
510+394.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN150N60B3-Datasheet.PDF IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2029.03 грн
10+1670.96 грн
100+1434.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd.pdf MOSFETs
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.61 грн
10+193.58 грн
100+123.95 грн
500+104.06 грн
800+88.76 грн
2400+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.76 грн
10+217.34 грн
100+136.20 грн
500+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.72 грн
10+236.70 грн
100+156.09 грн
500+127.78 грн
1000+124.72 грн
2000+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.30 грн
10+589.54 грн
100+426.95 грн
500+396.34 грн
1000+358.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.13 грн
10+262.21 грн
100+162.98 грн
500+134.67 грн
1000+132.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.76 грн
10+315.01 грн
100+197.41 грн
500+196.64 грн
1000+185.93 грн
3000+165.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.14 грн
10+251.66 грн
100+185.93 грн
500+165.27 грн
1000+161.45 грн
3000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.04 грн
10+453.16 грн
100+338.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.22 грн
10+221.74 грн
100+139.26 грн
500+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.68 грн
10+266.61 грн
100+212.71 грн
500+191.29 грн
1000+182.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+227.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 10 шт
5 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.96 грн
10+411.80 грн
25+326.72 грн
100+298.41 грн
240+276.22 грн
480+272.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf
FDBL0150N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.35 грн
10+388.92 грн
100+298.41 грн
500+278.51 грн
1000+273.92 грн
2000+254.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.61 грн
10+215.58 грн
100+143.85 грн
500+129.31 грн
1000+108.65 грн
2000+105.59 грн
5000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.07 грн
10+215.58 грн
100+133.13 грн
500+121.66 грн
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.11 грн
10+203.26 грн
100+135.43 грн
500+114.77 грн
1000+101.00 грн
2500+94.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.33 грн
10+192.70 грн
100+130.07 грн
500+121.66 грн
1000+114.01 грн
2500+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.85 грн
10+197.10 грн
100+159.91 грн
480+114.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.96 грн
6+175.35 грн
15+165.78 грн
30+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.75 грн
6+218.51 грн
15+198.94 грн
30+194.16 грн
120+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.29 грн
10+213.82 грн
100+138.49 грн
480+123.95 грн
1200+105.59 грн
2640+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.29 грн
4+235.92 грн
10+223.96 грн
11+223.17 грн
30+214.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.95 грн
4+293.99 грн
10+268.76 грн
11+267.80 грн
30+257.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.86 грн
10+213.82 грн
100+138.49 грн
480+120.89 грн
1200+110.18 грн
2640+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.32 грн
4+290.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.79 грн
4+362.52 грн
9+329.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.95 грн
10+231.42 грн
100+152.26 грн
480+140.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.98 грн
10+345.81 грн
100+261.68 грн
480+199.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.14 грн
10+381.00 грн
100+283.87 грн
480+262.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.84 грн
8+125.13 грн
21+117.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon-IKW50N60DTP-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.55 грн
10+153.98 грн
100+110.18 грн
480+84.93 грн
1200+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.46 грн
10+292.13 грн
100+205.06 грн
480+182.10 грн
1200+156.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.48 грн
5+219.18 грн
12+207.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.97 грн
5+273.13 грн
12+248.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 Infineon-IKW50N60H3-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.80 грн
10+236.70 грн
100+147.67 грн
480+146.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.19 грн
10+327.33 грн
100+229.54 грн
480+204.29 грн
1200+175.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.32 грн
4+282.15 грн
10+266.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.39 грн
4+351.60 грн
10+319.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 Infineon-IKW50N60T-DS-v02_06-EN.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.44 грн
10+263.97 грн
100+185.16 грн
480+164.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.60 грн
2+512.49 грн
5+511.69 грн
6+483.79 грн
30+465.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.92 грн
2+638.64 грн
5+614.03 грн
6+580.55 грн
30+558.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+847.14 грн
10+503.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.86 грн
2+502.92 грн
6+475.03 грн
120+457.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+989.83 грн
2+626.72 грн
6+570.03 грн
120+548.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+778.51 грн
2+592.99 грн
5+560.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.21 грн
2+738.95 грн
5+672.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-50N60P3-Datasheet.PDF
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.51 грн
10+672.25 грн
120+548.61 грн
510+495.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.22 грн
2+655.15 грн
4+619.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.47 грн
2+816.42 грн
4+743.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1067.77 грн
2+711.74 грн
3+710.95 грн
4+672.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1281.32 грн
2+886.94 грн
3+853.13 грн
4+807.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH150N60C3-Datasheet.PDF
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1133.69 грн
10+820.96 грн
120+706.23 грн
510+692.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXX-50N60B3-Datasheet.PDF
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.65 грн
10+711.85 грн
120+512.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60B3D1-Datasheet.PDF
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1077.45 грн
10+740.01 грн
510+631.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXXH50N60C3D1-Datasheet.PDF
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.47 грн
10+512.99 грн
120+403.23 грн
510+394.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN150N60B3-Datasheet.PDF
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2029.03 грн
10+1670.96 грн
100+1434.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W rm150n60hd.pdf
RM150N60HD-W
Виробник: Rectron
MOSFETs
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.61 грн
10+193.58 грн
100+123.95 грн
500+104.06 грн
800+88.76 грн
2400+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.76 грн
10+217.34 грн
100+136.20 грн
500+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.72 грн
10+236.70 грн
100+156.09 грн
500+127.78 грн
1000+124.72 грн
2000+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.30 грн
10+589.54 грн
100+426.95 грн
500+396.34 грн
1000+358.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.13 грн
10+262.21 грн
100+162.98 грн
500+134.67 грн
1000+132.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.76 грн
10+315.01 грн
100+197.41 грн
500+196.64 грн
1000+185.93 грн
3000+165.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+348.14 грн
10+251.66 грн
100+185.93 грн
500+165.27 грн
1000+161.45 грн
3000+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.04 грн
10+453.16 грн
100+338.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.22 грн
10+221.74 грн
100+139.26 грн
500+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.68 грн
10+266.61 грн
100+212.71 грн
500+191.29 грн
1000+182.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+227.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]