Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 5 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.64 грн
10+410.03 грн
25+325.31 грн
100+297.13 грн
240+275.03 грн
480+271.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi / Fairchild FDBL0150N60-D.pdf MOSFETs Update code D
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.97 грн
10+387.25 грн
100+297.13 грн
500+277.32 грн
1000+272.75 грн
2000+252.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.20 грн
10+214.65 грн
100+143.23 грн
500+128.75 грн
1000+108.18 грн
2000+105.14 грн
5000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.65 грн
10+214.65 грн
100+132.56 грн
500+121.14 грн
1000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T IGP50N60T Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.76 грн
10+202.39 грн
100+134.85 грн
500+114.28 грн
1000+100.57 грн
2500+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.98 грн
10+191.87 грн
100+129.52 грн
500+121.14 грн
1000+113.52 грн
2500+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2.pdf IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.31 грн
10+196.26 грн
100+159.23 грн
480+114.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.41 грн
10+153.96 грн
30+137.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.09 грн
10+191.86 грн
30+164.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T IGW50N60T Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.87 грн
10+212.90 грн
100+137.90 грн
480+123.42 грн
1200+105.14 грн
2640+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.71 грн
10+213.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+354.85 грн
10+266.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.43 грн
10+212.90 грн
100+137.90 грн
480+120.37 грн
1200+109.71 грн
2640+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.54 грн
30+358.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.20 грн
10+230.42 грн
100+151.61 грн
480+139.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.52 грн
10+344.32 грн
100+260.56 грн
480+198.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.86 грн
10+379.37 грн
100+282.65 грн
480+261.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.75 грн
10+153.96 грн
30+135.71 грн
120+122.22 грн
240+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.50 грн
10+191.86 грн
30+162.85 грн
120+146.66 грн
240+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.32 грн
10+153.32 грн
100+111.23 грн
480+84.57 грн
1200+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+290.88 грн
100+204.18 грн
480+181.32 грн
1200+155.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.06 грн
10+264.27 грн
30+238.88 грн
120+214.27 грн
240+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+387.67 грн
10+329.32 грн
30+286.65 грн
120+257.13 грн
240+239.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.31 грн
10+325.92 грн
100+228.56 грн
480+203.42 грн
1200+174.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+278.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+278.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+415.36 грн
10+339.66 грн
30+306.33 грн
120+275.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+498.43 грн
10+423.27 грн
30+367.60 грн
120+330.46 грн
240+308.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.42 грн
10+262.84 грн
100+180.56 грн
480+163.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.61 грн
5+507.11 грн
10+463.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+807.13 грн
5+631.94 грн
10+556.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.62 грн
10+501.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.49 грн
10+584.89 грн
30+454.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+913.79 грн
10+728.86 грн
30+545.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.91 грн
30+569.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+861.49 грн
30+709.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+955.50 грн
10+641.33 грн
120+486.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.20 грн
3+761.07 грн
10+670.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1092.24 грн
3+948.41 грн
10+804.72 грн
30+722.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1007.63 грн
3+849.95 грн
10+742.81 грн
30+668.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1209.16 грн
3+1059.17 грн
10+891.38 грн
30+801.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1128.82 грн
10+817.44 грн
120+611.01 грн
510+582.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.50 грн
10+708.80 грн
120+479.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.83 грн
10+626.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+846.17 грн
10+449.46 грн
120+343.60 грн
510+342.84 грн
1020+332.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2020.33 грн
10+1663.79 грн
100+1265.45 грн
500+1238.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd.pdf MOSFETs
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.32 грн
10+192.75 грн
100+123.42 грн
500+103.61 грн
800+88.38 грн
2400+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.43 грн
10+216.41 грн
100+135.61 грн
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.09 грн
10+237.43 грн
100+152.37 грн
500+121.90 грн
1000+121.14 грн
2000+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.07 грн
10+575.62 грн
100+417.50 грн
500+394.64 грн
1000+356.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.53 грн
10+261.09 грн
100+162.28 грн
500+134.09 грн
1000+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.86 грн
10+313.66 грн
100+196.56 грн
500+195.80 грн
1000+185.13 грн
3000+164.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.87 грн
10+255.83 грн
100+185.13 грн
500+164.56 грн
1000+160.75 грн
3000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.29 грн
10+455.59 грн
100+332.93 грн
500+316.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.87 грн
10+220.79 грн
100+138.66 грн
500+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.69 грн
10+223.80 грн
50+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+482.02 грн
10+278.88 грн
50+265.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 5 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+255.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.64 грн
10+410.03 грн
25+325.31 грн
100+297.13 грн
240+275.03 грн
480+271.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf
FDBL0150N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Update code D
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.97 грн
10+387.25 грн
100+297.13 грн
500+277.32 грн
1000+272.75 грн
2000+252.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.20 грн
10+214.65 грн
100+143.23 грн
500+128.75 грн
1000+108.18 грн
2000+105.14 грн
5000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 Infineon-IGB50N60T-DS-v02_07-EN.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.65 грн
10+214.65 грн
100+132.56 грн
500+121.14 грн
1000+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60T Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.76 грн
10+202.39 грн
100+134.85 грн
500+114.28 грн
1000+100.57 грн
2500+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 Infineon-IGP50N60T-DS-v02_08-EN.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.98 грн
10+191.87 грн
100+129.52 грн
500+121.14 грн
1000+113.52 грн
2500+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.31 грн
10+196.26 грн
100+159.23 грн
480+114.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.41 грн
10+153.96 грн
30+137.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.09 грн
10+191.86 грн
30+164.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60T Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf
IGW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.87 грн
10+212.90 грн
100+137.90 грн
480+123.42 грн
1200+105.14 грн
2640+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.71 грн
10+213.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.85 грн
10+266.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 Infineon_IGW50N60T_DataSheet_v02_08_EN.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.43 грн
10+212.90 грн
100+137.90 грн
480+120.37 грн
1200+109.71 грн
2640+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.54 грн
30+358.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW50N60DH3E-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.20 грн
10+230.42 грн
100+151.61 грн
480+139.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon_IKFW50N60DH3_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.52 грн
10+344.32 грн
100+260.56 грн
480+198.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon_IKFW50N60ET_DS_v02_01_EN.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.86 грн
10+379.37 грн
100+282.65 грн
480+261.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.75 грн
10+153.96 грн
30+135.71 грн
120+122.22 грн
240+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.50 грн
10+191.86 грн
30+162.85 грн
120+146.66 грн
240+137.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon_IKW50N60DTP_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.32 грн
10+153.32 грн
100+111.23 грн
480+84.57 грн
1200+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon_IKW50N60H3_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.87 грн
10+290.88 грн
100+204.18 грн
480+181.32 грн
1200+155.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.06 грн
10+264.27 грн
30+238.88 грн
120+214.27 грн
240+199.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.67 грн
10+329.32 грн
30+286.65 грн
120+257.13 грн
240+239.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.31 грн
10+325.92 грн
100+228.56 грн
480+203.42 грн
1200+174.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+415.36 грн
10+339.66 грн
30+306.33 грн
120+275.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.43 грн
10+423.27 грн
30+367.60 грн
120+330.46 грн
240+308.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.42 грн
10+262.84 грн
100+180.56 грн
480+163.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.61 грн
5+507.11 грн
10+463.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.13 грн
5+631.94 грн
10+556.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.62 грн
10+501.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+761.49 грн
10+584.89 грн
30+454.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.79 грн
10+728.86 грн
30+545.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.91 грн
30+569.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285B3A6FAECB820&compId=IXFH(T%2CQ)50N60P3.pdf?ci_sign=7215fc777fa1c68d55c2b5e1b4f1af550f824e8d
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+861.49 грн
30+709.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+955.50 грн
10+641.33 грн
120+486.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.20 грн
3+761.07 грн
10+670.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4BFA14AED1820&compId=IXFH(Q%2CT)50N60X.pdf?ci_sign=4f276076f8a13b14449da0ce3f84380c73548c0a
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.24 грн
3+948.41 грн
10+804.72 грн
30+722.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1007.63 грн
3+849.95 грн
10+742.81 грн
30+668.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFB84B2D4667820&compId=IXXH150N60C3.pdf?ci_sign=e2edc0f05d79079a7a3e1b1ee77b81648e551054
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1209.16 грн
3+1059.17 грн
10+891.38 грн
30+801.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.82 грн
10+817.44 грн
120+611.01 грн
510+582.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.50 грн
10+708.80 грн
120+479.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1072.83 грн
10+626.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+846.17 грн
10+449.46 грн
120+343.60 грн
510+342.84 грн
1020+332.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2020.33 грн
10+1663.79 грн
100+1265.45 грн
500+1238.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W rm150n60hd.pdf
RM150N60HD-W
Виробник: Rectron
MOSFETs
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.32 грн
10+192.75 грн
100+123.42 грн
500+103.61 грн
800+88.38 грн
2400+83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.43 грн
10+216.41 грн
100+135.61 грн
500+111.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.09 грн
10+237.43 грн
100+152.37 грн
500+121.90 грн
1000+121.14 грн
2000+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+767.07 грн
10+575.62 грн
100+417.50 грн
500+394.64 грн
1000+356.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.53 грн
10+261.09 грн
100+162.28 грн
500+134.09 грн
1000+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.86 грн
10+313.66 грн
100+196.56 грн
500+195.80 грн
1000+185.13 грн
3000+164.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.87 грн
10+255.83 грн
100+185.13 грн
500+164.56 грн
1000+160.75 грн
3000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.29 грн
10+455.59 грн
100+332.93 грн
500+316.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.87 грн
10+220.79 грн
100+138.66 грн
500+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.69 грн
10+223.80 грн
50+221.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.02 грн
10+278.88 грн
50+265.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]