Результат пошуку "50n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.14 грн
10+195.04 грн
30+168.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 Infineon IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+304.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+360.74 грн
10+270.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.89 грн
30+363.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.16 грн
10+195.04 грн
30+165.55 грн
120+149.09 грн
240+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+165.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+394.10 грн
10+334.78 грн
30+291.40 грн
120+261.39 грн
240+243.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+286.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+286.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+506.70 грн
10+430.29 грн
30+373.69 грн
120+335.94 грн
240+313.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+820.52 грн
5+642.42 грн
10+565.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+928.95 грн
10+740.95 грн
30+554.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+875.77 грн
30+720.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1110.36 грн
3+964.13 грн
10+818.06 грн
30+734.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1229.21 грн
3+1076.73 грн
10+906.16 грн
30+815.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+495.23 грн
10+285.52 грн
50+273.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
E250N60 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TP Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1 IXYS IXGK50N60AU1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2%2C3.pdf MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 ABB IXGN50N60BD2%2C3.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2%2C3.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1.pdf 09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG ON Semiconductor ngtg50n60fw-d.pdf
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS INFINEON MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N600KOF AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3
Код товару: 107816
Додати до обраних Обраний товар

Infineon igw50n60h3_2_2.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товару немає в наявності
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 транзистор
Код товару: 205715
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3
Код товару: 94376
Додати до обраних Обраний товар

INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T
Код товару: 145126
Додати до обраних Обраний товар

INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TA
Код товару: 139366
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 152198
Додати до обраних Обраний товар

IXFx50N60P3.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N60C2D1
Код товару: 166974
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx50n60c2d1_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KGT50N60KDA (транзистор)
Код товару: 49839
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар

NGTG50N60FLWG.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар

SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.14 грн
10+195.04 грн
30+168.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.74 грн
10+270.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.89 грн
30+363.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.16 грн
10+195.04 грн
30+165.55 грн
120+149.09 грн
240+139.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.10 грн
10+334.78 грн
30+291.40 грн
120+261.39 грн
240+243.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.70 грн
10+430.29 грн
30+373.69 грн
120+335.94 грн
240+313.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.52 грн
5+642.42 грн
10+565.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.95 грн
10+740.95 грн
30+554.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.77 грн
30+720.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1110.36 грн
3+964.13 грн
10+818.06 грн
30+734.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 700A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.21 грн
3+1076.73 грн
10+906.16 грн
30+815.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.23 грн
10+285.52 грн
50+273.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
E250N60
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK50N60AU1 IXGK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2%2C3.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2%2C3.pdf
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2%2C3.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSK50N60AU1 IXSK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSN50N60U1
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TD250N600KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65F1A
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60H3FKSA1; YGW50N65F1A LUXIN-SEMI TYGW50n65f1a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
YGW50N65T1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 650V; 20V; 100A; 150A; 312W; 4V~6V; 180nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW50N60TFKSA1; RGS00TS65EHRC11; YGW50N65T1 LUXIN-SEMI TYGW50n65t1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGBT IKW50N60H3
Код товару: 177225
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3
Код товару: 107816
Додати до обраних Обраний товар

igw50n60h3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,85 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
Pd 25: 333 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/235
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 транзистор
Код товару: 205715
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3
Код товару: 94376
Додати до обраних Обраний товар

INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW50N60H3
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T
Код товару: 145126
Додати до обраних Обраний товар

INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TA
Код товару: 139366
Додати до обраних Обраний товар

INFN-S-A0000110252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 152198
Додати до обраних Обраний товар

IXFx50N60P3.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGX50N60C2D1
Код товару: 166974
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgx50n60c2d1_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KGT50N60KDA (транзистор)
Код товару: 49839
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG
Код товару: 83454
Додати до обраних Обраний товар

NGTG50N60FLWG.pdf
NGTG50N60FLWG
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]