Результат пошуку "50n60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар
Infineon Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
у наявності: 5 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS SGW50N60HS
Код товару: 217211
Додати до обраних Обраний товар
China Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
у наявності: 7 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies infineon_aikw50n60ct_ds_en.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c6127ca1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.77 грн
30+390.14 грн
120+330.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 Fairchild Semiconductor fdbl0150n60-d.pdf Description: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+392.88 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi FDBL0150N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.80 грн
10+438.77 грн
50+352.71 грн
100+309.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 onsemi FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T IGB50N60T Infineon Technologies Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.10 грн
10+244.70 грн
100+174.63 грн
500+147.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies infineon_igb50n60t_ds_en.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55 Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.33 грн
2000+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3 Infineon Technologies IGW50N60H3_2_2.pdf IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Manufacturer series: H3
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+211.19 грн
30+168.69 грн
60+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
30+176.80 грн
120+145.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 Infineon info-tigw50n60h3.pdf IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+321.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.15 грн
10+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 IKFW50N60DH3XKSA1 Infineon Technologies infineon_ikfw50n60dh3_datasheet_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e88a432b2 Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
30+329.01 грн
120+284.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate charge: 249nC
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.31 грн
10+191.95 грн
30+151.24 грн
120+118.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
30+146.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 IKW50N60H3 Infineon info-tikw50n60h3.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+174.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+469.82 грн
2+370.61 грн
10+268.40 грн
30+228.52 грн
60+216.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon Technologies Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T IKW50N60T Infineon TIKW50n60t_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TAFKSA1 IKW50N60TAFKSA1 Infineon Technologies IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+365.93 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+424.18 грн
10+284.19 грн
30+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
30+268.26 грн
120+224.40 грн
510+180.43 грн
1020+169.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw50n60t_ds_en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+961.11 грн
5+714.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.66 грн
30+528.57 грн
60+487.32 грн
120+424.80 грн
510+380.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+797.34 грн
10+612.42 грн
30+476.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+791.08 грн
10+614.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFT50N60P3 IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.90 грн
30+613.63 грн
60+566.66 грн
120+494.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+953.05 грн
3+796.90 грн
10+702.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate charge: 200nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1055.07 грн
3+889.96 грн
10+777.78 грн
30+699.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixx-50n60b3-datasheet?assetguid=0584ed69-861c-477c-9ed3-244c01c8d170 Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.42 грн
30+585.13 грн
120+503.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS DS100302BIXXH50N60B3D1.pdf Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1167.28 грн
30+691.16 грн
120+596.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS DS100548BIXYN150N60B3.pdf Description: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2089.14 грн
10+1474.72 грн
100+1191.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 IXYN150N60B3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWG NGTB50N60FWG onsemi ngtb50n60fw-d.pdf Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+287.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG onsemi NGTB50N60S1WG.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+269.66 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWG NGTB50N60SWG onsemi ngtb50n60sw-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+241.06 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG onsemi NGTG50N60FLWG.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+250.44 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG NGTG50N60FWG onsemi ngtg50n60fw-d.pdf Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+241.06 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd.pdf MOSFETs
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HSFKSA1 SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+260.81 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha150n60e.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix siha150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
10+207.01 грн
50+161.36 грн
100+137.65 грн
500+113.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+215.98 грн
50+168.66 грн
100+143.98 грн
500+126.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD250N60EF-GE3 SIHD250N60EF-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 73803
Додати до обраних Обраний товар
SGW50N60HS
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
у наявності: 5 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HS
Код товару: 217211
Додати до обраних Обраний товар
SGW50N60HS
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 100 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 50 А
у наявності: 7 шт
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+240.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 infineon_aikw50n60ct_ds_en.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c6127ca1
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.77 грн
30+390.14 грн
120+330.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 fdbl0150n60-d.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+392.88 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf
FDBL0150N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+664.80 грн
10+438.77 грн
50+352.71 грн
100+309.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60-D.pdf fdbl0150n60-d.pdf
FDBL0150N60
Виробник: onsemi
MOSFETs Update code D
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60T Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf
IGB50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.10 грн
10+244.70 грн
100+174.63 грн
500+147.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 infineon_igb50n60t_ds_en.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42812613d55
IGB50N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+140.33 грн
2000+128.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3 IGW50N60H3_2_2.pdf
IGW50N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Manufacturer series: H3
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+211.19 грн
30+168.69 грн
60+151.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.07 грн
30+176.80 грн
120+145.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 info-tigw50n60h3.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3 TIGW50n60h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.15 грн
10+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 INFN-S-A0001299822-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3XKSA1 infineon_ikfw50n60dh3_datasheet_en.pdf
IKFW50N60DH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 Infineon-IKFW50N60ET-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e88a432b2
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.36 грн
30+329.01 грн
120+284.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Gate charge: 249nC
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.31 грн
10+191.95 грн
30+151.24 грн
120+118.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 Infineon-IKW50N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c1c17cc1
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.81 грн
30+146.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3 info-tikw50n60h3.pdf
IKW50N60H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C;   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+174.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.82 грн
2+370.61 грн
10+268.40 грн
30+228.52 грн
60+216.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T Infineon_IKW50N60T_DS_v02_06_EN.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60T TIKW50n60t_0001.pdf
IKW50N60T
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TAFKSA1 IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21
IKW50N60TAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+365.93 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+424.18 грн
10+284.19 грн
30+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4288ce93e21
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.17 грн
30+268.26 грн
120+224.40 грн
510+180.43 грн
1020+169.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 infineon_ikw50n60t_ds_en.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+961.11 грн
5+714.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFx50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+908.66 грн
30+528.57 грн
60+487.32 грн
120+424.80 грн
510+380.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+797.34 грн
10+612.42 грн
30+476.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.08 грн
10+614.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3 IXFx50N60P3.pdf
IXFT50N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1046.90 грн
30+613.63 грн
60+566.66 грн
120+494.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+953.05 грн
3+796.90 грн
10+702.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 700A
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
Gate charge: 200nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1055.07 грн
3+889.96 грн
10+777.78 грн
30+699.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH150N60C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH150N60C3_Datasheet.PDF
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 600V 150A XPT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXX_50N60B3_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixx-50n60b3-datasheet?assetguid=0584ed69-861c-477c-9ed3-244c01c8d170
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+996.42 грн
30+585.13 грн
120+503.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60B3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60B3D1 DS100302BIXXH50N60B3D1.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1167.28 грн
30+691.16 грн
120+596.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH50N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH50N60C3D1_Datasheet.PDF
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 DS100548BIXYN150N60B3.pdf
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 250A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns
Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2089.14 грн
10+1474.72 грн
100+1191.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN150N60B3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN150N60B3_Datasheet.PDF
IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 600V 140A GENX3
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60FWG ngtb50n60fw-d.pdf
NGTB50N60FWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+287.21 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG.pdf
NGTB50N60S1WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+269.66 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60SWG ngtb50n60sw-d.pdf
NGTB50N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+241.06 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG.pdf
NGTG50N60FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+250.44 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
NGTG50N60FWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH 600V 100A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+241.06 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RM150N60HD-W rm150n60hd.pdf
RM150N60HD-W
Виробник: Rectron
MOSFETs
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HSFKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SGW50N60HSFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+260.81 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs TO-220
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.41 грн
10+207.01 грн
50+161.36 грн
100+137.65 грн
500+113.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.61 грн
10+215.98 грн
50+168.66 грн
100+143.98 грн
500+126.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD250N60EF-GE3
SIHD250N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.