Результат пошуку "6n50" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP1R6N50D2 | IXYS | IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors |
на замовлення 161 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP6N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 64ns |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP6N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 64ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ16N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ26N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ26N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ26N50P | IXYS | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds |
на замовлення 299 шт: термін постачання 315-324 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTT16N50D2 | IXYS | MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs |
на замовлення 300 шт: термін постачання 524-533 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTT36N50P | IXYS | MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTX46N50L | IXYS | MOSFET 44 Amps 500V |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY1R6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
на замовлення 2778 шт: термін постачання 460-469 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY1R6N50D2-TRL | IXYS | Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 549-558 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PBES16N50R | TE Connectivity / Alcoswitch | Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NO |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG16N50C-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHS36N50D-E3 | VISHAY | SIHS36N50D-E3 THT N channel transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHS36N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CHANNEL |
на замовлення 3385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW16N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD16N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF16N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1206N5006R8CCT | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
E26N50 | ST |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
E36N50 | ST |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FDA16N50 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD6N50 | fairchild | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD6N50 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FMV16N50E | FUJI | 10+ SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQA16N50 | FAIRCHIL | 09+ QFN-16 |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQA16N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N50 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N50 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N50 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD6N50C | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD6N50C | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD6N50C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD6N50C | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF16N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF6N50 | Fairchild |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
G6N50E | HARRIS |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFH26N50 | Ixys Semiconductor GmbH | MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFH26N50P | Ixys Semiconductor GmbH | ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFH26N50Q | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN66N50Q2 | IXYS | 66A/500V/MOS/1U |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGH26N50 | TO-220 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXTN36N50 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXTN36N50 | IXYS | MODULE |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
LXFB26N50 | TO-220 |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTV16N50E |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MTV16N50E/D |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MTY16N50E/D |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTP6N50 |
на замовлення 6830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P6N50 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PHP6N50E | PHILIPS | TO-220AB |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PHP6N50E | PHILIPS | TO-220 |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PHX6N50E |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RFG6N50E |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IXTP1R6N50D2 |
Виробник: IXYS
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.17 грн |
8+ | 125.5 грн |
22+ | 118.07 грн |
IXTP1R6N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.69 грн |
10+ | 242.31 грн |
50+ | 175.7 грн |
100+ | 146.63 грн |
250+ | 138.05 грн |
500+ | 121.53 грн |
1000+ | 113.61 грн |
IXTP6N50D2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 455.69 грн |
3+ | 302.73 грн |
8+ | 286.91 грн |
IXTP6N50D2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 546.83 грн |
3+ | 377.25 грн |
8+ | 344.29 грн |
IXTP6N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 658.86 грн |
10+ | 581.08 грн |
50+ | 434.62 грн |
100+ | 383.1 грн |
250+ | 373.19 грн |
500+ | 355.35 грн |
1000+ | 328.27 грн |
IXTQ16N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 370.48 грн |
IXTQ16N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 328.99 грн |
3+ | 284.65 грн |
5+ | 218.79 грн |
13+ | 206.41 грн |
IXTQ26N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 411.23 грн |
IXTQ26N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 493.48 грн |
3+ | 378.97 грн |
8+ | 345.12 грн |
30+ | 339.34 грн |
IXTQ26N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
на замовлення 299 шт:
термін постачання 315-324 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 765.2 грн |
10+ | 495.25 грн |
30+ | 344.13 грн |
120+ | 308.46 грн |
IXTQ36N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 771.37 грн |
10+ | 669.96 грн |
30+ | 525.11 грн |
510+ | 515.2 грн |
IXTT16N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
на замовлення 300 шт:
термін постачання 524-533 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1480.31 грн |
10+ | 1345.99 грн |
IXTT36N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 793.71 грн |
10+ | 745.91 грн |
30+ | 571.34 грн |
120+ | 517.18 грн |
270+ | 484.15 грн |
510+ | 473.59 грн |
IXTX46N50L |
Виробник: IXYS
MOSFET 44 Amps 500V
MOSFET 44 Amps 500V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3219.55 грн |
10+ | 3051.26 грн |
30+ | 2312.45 грн |
60+ | 2264.89 грн |
120+ | 2219.32 грн |
IXTY1R6N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 460-469 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.53 грн |
70+ | 170.15 грн |
560+ | 131.44 грн |
IXTY1R6N50D2-TRL |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 549-558 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.3 грн |
10+ | 210.41 грн |
100+ | 147.95 грн |
500+ | 135.4 грн |
PBES16N50R |
Виробник: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NO
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NO
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3199.51 грн |
5+ | 2976.82 грн |
10+ | 2336.89 грн |
25+ | 2152.6 грн |
50+ | 2013.9 грн |
100+ | 1863.96 грн |
250+ | 1844.81 грн |
SIHG16N50C-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 316.71 грн |
10+ | 262.06 грн |
100+ | 184.28 грн |
500+ | 157.86 грн |
1000+ | 131.44 грн |
SIHS36N50D-E3 |
Виробник: VISHAY
SIHS36N50D-E3 THT N channel transistors
SIHS36N50D-E3 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 646.41 грн |
3+ | 432.63 грн |
7+ | 408.69 грн |
SIHS36N50D-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CHANNEL
MOSFET 500V N-CHANNEL
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 455.42 грн |
10+ | 413.22 грн |
30+ | 307.14 грн |
120+ | 278.07 грн |
510+ | 245.71 грн |
1020+ | 229.86 грн |
SPW16N50C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.8 грн |
10+ | 227.88 грн |
25+ | 164.47 грн |
100+ | 162.49 грн |
240+ | 147.95 грн |
480+ | 121.53 грн |
1200+ | 116.25 грн |
STD16N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.67 грн |
10+ | 97.23 грн |
100+ | 67.37 грн |
500+ | 56.87 грн |
1000+ | 48.28 грн |
2500+ | 44.91 грн |
5000+ | 43.46 грн |
STF16N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ 13 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.25 грн |
10+ | 124.57 грн |
100+ | 86.53 грн |
250+ | 74.64 грн |
500+ | 73.98 грн |
1000+ | 73.32 грн |
10000+ | 50.13 грн |
FDD6N50 |
Виробник: fairchild
07+ to-252/d-pak
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IXFH26N50 |
Виробник: Ixys Semiconductor GmbH
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IXFH26N50P |
Виробник: Ixys Semiconductor GmbH
( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек
( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)