Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 254 шт
186 шт - склад
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.07 грн
17+20.74 грн
100+12.22 грн
500+9.96 грн
1000+9.21 грн
2000+8.60 грн
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.34 грн
4+281.40 грн
10+265.68 грн
30+259.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+527.21 грн
4+350.67 грн
10+318.82 грн
30+311.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.09 грн
10+339.31 грн
510+273.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.68 грн
3+357.65 грн
8+338.00 грн
30+324.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.33 грн
10+338.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.90 грн
10+496.38 грн
120+396.17 грн
510+372.77 грн
1020+363.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1045.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1254.53 грн
3+1146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.15 грн
3+303.41 грн
4+250.75 грн
11+236.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+435.78 грн
3+378.10 грн
4+300.90 грн
11+283.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.47 грн
10+295.05 грн
100+215.82 грн
500+183.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.16 грн
10+330.63 грн
510+281.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.38 грн
10+271.62 грн
510+231.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1144.48 грн
3+1020.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1373.38 грн
3+1271.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.63 грн
3+438.61 грн
6+414.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+703.96 грн
3+546.58 грн
6+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.90 грн
10+338.44 грн
120+292.79 грн
510+272.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.77 грн
3+457.48 грн
6+432.33 грн
30+416.60 грн
120+415.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+868.52 грн
3+570.09 грн
6+518.79 грн
30+499.93 грн
120+498.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.00 грн
10+441.71 грн
510+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.96 грн
10+226.49 грн
100+194.69 грн
500+190.91 грн
1000+187.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1218.98 грн
2+865.44 грн
3+818.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1462.77 грн
2+1078.47 грн
3+981.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1556.50 грн
10+1204.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+535.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.58 грн
10+206.54 грн
100+135.07 грн
500+119.98 грн
1000+110.17 грн
2000+106.40 грн
5000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.51 грн
10+241.25 грн
100+198.46 грн
500+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.90 грн
10+215.21 грн
100+140.36 грн
500+124.51 грн
1000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.07 грн
10+328.89 грн
100+230.91 грн
500+206.01 грн
1000+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.94 грн
10+284.64 грн
100+228.65 грн
500+221.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.61 грн
10+783.62 грн
100+658.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.04 грн
10+338.44 грн
100+243.74 грн
500+228.65 грн
1000+202.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.01 грн
10+376.62 грн
100+310.14 грн
500+288.26 грн
1000+286.75 грн
3000+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.29 грн
10+407.86 грн
100+350.14 грн
500+279.20 грн
1000+214.31 грн
2000+202.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.64 грн
10+270.75 грн
100+227.14 грн
500+185.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.93 грн
10+299.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.01 грн
10+149.26 грн
100+90.55 грн
500+76.22 грн
1000+66.86 грн
2000+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.45 грн
10+157.94 грн
100+104.14 грн
500+82.25 грн
1000+70.71 грн
2000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+322.22 грн
10+210.01 грн
100+129.04 грн
500+117.72 грн
1000+104.89 грн
2000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.92 грн
10+130.17 грн
100+78.48 грн
500+63.54 грн
1000+59.31 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.89 грн
10+80.18 грн
14+68.39 грн
38+64.46 грн
50+63.67 грн
100+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.07 грн
10+99.91 грн
14+82.06 грн
38+77.35 грн
50+76.40 грн
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.53 грн
10+93.72 грн
100+57.05 грн
500+50.86 грн
1000+48.22 грн
2500+40.45 грн
5000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics en.DM00184996.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.77 грн
10+85.04 грн
100+50.33 грн
500+40.22 грн
1000+36.15 грн
2500+31.69 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 STF18N60DM2 STMicroelectronics en.DM00172444.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.70 грн
10+151.86 грн
100+96.59 грн
500+81.50 грн
1000+66.86 грн
2000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M2 STF18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086774.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.37 грн
10+95.46 грн
100+78.48 грн
500+60.14 грн
1000+59.76 грн
2000+52.14 грн
5000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3740D2&compId=stf18n60m6.pdf?ci_sign=1a56c0773812371ddae8d7fc5dd750c52392aeff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.84 грн
10+113.19 грн
11+86.47 грн
30+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 254 шт
186 шт - склад
37 шт - РАДІОМАГ-Київ
14 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.07 грн
17+20.74 грн
100+12.22 грн
500+9.96 грн
1000+9.21 грн
2000+8.60 грн
4000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.34 грн
4+281.40 грн
10+265.68 грн
30+259.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.21 грн
4+350.67 грн
10+318.82 грн
30+311.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.09 грн
10+339.31 грн
510+273.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.68 грн
3+357.65 грн
8+338.00 грн
30+324.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.33 грн
10+338.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 600V 48A N-CH X3CLASS
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.90 грн
10+496.38 грн
120+396.17 грн
510+372.77 грн
1020+363.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1254.53 грн
3+1146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+363.15 грн
3+303.41 грн
4+250.75 грн
11+236.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.78 грн
3+378.10 грн
4+300.90 грн
11+283.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.47 грн
10+295.05 грн
100+215.82 грн
500+183.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.16 грн
10+330.63 грн
510+281.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.38 грн
10+271.62 грн
510+231.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1144.48 грн
3+1020.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1373.38 грн
3+1271.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.63 грн
3+438.61 грн
6+414.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+703.96 грн
3+546.58 грн
6+497.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.90 грн
10+338.44 грн
120+292.79 грн
510+272.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+723.77 грн
3+457.48 грн
6+432.33 грн
30+416.60 грн
120+415.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.52 грн
3+570.09 грн
6+518.79 грн
30+499.93 грн
120+498.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+758.00 грн
10+441.71 грн
510+376.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.96 грн
10+226.49 грн
100+194.69 грн
500+190.91 грн
1000+187.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1218.98 грн
2+865.44 грн
3+818.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1462.77 грн
2+1078.47 грн
3+981.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1556.50 грн
10+1204.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+535.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.58 грн
10+206.54 грн
100+135.07 грн
500+119.98 грн
1000+110.17 грн
2000+106.40 грн
5000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.51 грн
10+241.25 грн
100+198.46 грн
500+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.90 грн
10+215.21 грн
100+140.36 грн
500+124.51 грн
1000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.07 грн
10+328.89 грн
100+230.91 грн
500+206.01 грн
1000+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.94 грн
10+284.64 грн
100+228.65 грн
500+221.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.61 грн
10+783.62 грн
100+658.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.04 грн
10+338.44 грн
100+243.74 грн
500+228.65 грн
1000+202.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.01 грн
10+376.62 грн
100+310.14 грн
500+288.26 грн
1000+286.75 грн
3000+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.29 грн
10+407.86 грн
100+350.14 грн
500+279.20 грн
1000+214.31 грн
2000+202.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.64 грн
10+270.75 грн
100+227.14 грн
500+185.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.93 грн
10+299.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.01 грн
10+149.26 грн
100+90.55 грн
500+76.22 грн
1000+66.86 грн
2000+64.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.45 грн
10+157.94 грн
100+104.14 грн
500+82.25 грн
1000+70.71 грн
2000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STB28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.22 грн
10+210.01 грн
100+129.04 грн
500+117.72 грн
1000+104.89 грн
2000+104.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.92 грн
10+130.17 грн
100+78.48 грн
500+63.54 грн
1000+59.31 грн
2000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.89 грн
10+80.18 грн
14+68.39 грн
38+64.46 грн
50+63.67 грн
100+62.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.07 грн
10+99.91 грн
14+82.06 грн
38+77.35 грн
50+76.40 грн
100+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.53 грн
10+93.72 грн
100+57.05 грн
500+50.86 грн
1000+48.22 грн
2500+40.45 грн
5000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N60DM2 en.DM00184996.pdf
STD8N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.77 грн
10+85.04 грн
100+50.33 грн
500+40.22 грн
1000+36.15 грн
2500+31.69 грн
5000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60DM2 en.DM00172444.pdf
STF18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.70 грн
10+151.86 грн
100+96.59 грн
500+81.50 грн
1000+66.86 грн
2000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M2 en.DM00086774.pdf
STF18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.37 грн
10+95.46 грн
100+78.48 грн
500+60.14 грн
1000+59.76 грн
2000+52.14 грн
5000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N60M6 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A786BB3740D2&compId=stf18n60m6.pdf?ci_sign=1a56c0773812371ddae8d7fc5dd750c52392aeff
STF18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.84 грн
10+113.19 грн
11+86.47 грн
30+81.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]