Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 304 шт
220 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661-3159417.pdf Multi-Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.16 грн
16+22.00 грн
100+12.93 грн
500+10.56 грн
1000+9.80 грн
2000+9.11 грн
4000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+291.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT ONS fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+350.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.78 грн
4+284.60 грн
10+269.46 грн
30+259.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+576.93 грн
4+354.66 грн
10+323.35 грн
30+310.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS media-3321463.pdf MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.69 грн
10+344.13 грн
510+277.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+277.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.38 грн
3+362.73 грн
8+342.80 грн
120+330.04 грн
510+329.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.69 грн
10+396.93 грн
120+298.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1272.34 грн
3+1161.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS media-3323038.pdf description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2458.07 грн
10+2066.51 грн
100+1571.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+189.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+368.31 грн
3+307.72 грн
4+255.11 грн
10+254.31 грн
11+240.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+441.97 грн
3+383.47 грн
4+306.13 грн
10+305.17 грн
11+288.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.36 грн
10+255.23 грн
100+204.34 грн
500+181.38 грн
1000+179.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf IGBTs IGBT
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.79 грн
10+316.84 грн
100+222.71 грн
500+197.45 грн
800+195.16 грн
2400+187.50 грн
4800+171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS media-3323495.pdf IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.51 грн
10+397.81 грн
120+334.44 грн
510+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.97 грн
10+355.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1160.73 грн
3+1037.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1392.88 грн
3+1292.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.47 грн
3+444.84 грн
6+420.13 грн
25+415.34 грн
30+408.97 грн
90+404.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+666.56 грн
3+554.34 грн
6+504.15 грн
25+498.41 грн
30+490.76 грн
90+485.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS media-3322724.pdf IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+698.22 грн
10+405.73 грн
120+315.31 грн
510+293.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+809.59 грн
3+463.97 грн
6+438.46 грн
120+436.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+971.51 грн
3+578.18 грн
6+526.16 грн
120+523.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS media-3320052.pdf IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.30 грн
10+507.83 грн
120+401.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.40 грн
10+233.23 грн
100+192.86 грн
500+189.03 грн
1000+175.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.25 грн
2+877.72 грн
3+829.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1673.10 грн
2+1093.78 грн
3+995.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS media-3321660.pdf IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1418.77 грн
10+983.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+536.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.29 грн
10+219.15 грн
100+143.11 грн
500+127.81 грн
1000+114.03 грн
2000+110.21 грн
5000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.79 грн
10+264.91 грн
100+210.46 грн
500+189.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.79 грн
10+227.95 грн
100+148.47 грн
500+132.40 грн
1000+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.26 грн
10+309.80 грн
100+240.31 грн
500+209.70 грн
2000+205.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.37 грн
10+335.32 грн
100+255.62 грн
500+238.78 грн
1000+225.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1430.38 грн
10+897.72 грн
100+711.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.40 грн
10+359.09 грн
100+272.45 грн
500+242.61 грн
1000+208.17 грн
2500+205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.01 грн
10+389.89 грн
100+300.00 грн
1000+298.47 грн
3000+273.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.47 грн
10+352.05 грн
100+247.20 грн
500+231.13 грн
2000+199.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.76 грн
10+332.68 грн
100+255.62 грн
500+208.17 грн
1000+202.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.15 грн
10+303.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.61 грн
10+174.26 грн
100+105.61 грн
500+91.07 грн
1000+78.06 грн
2000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.50 грн
10+155.78 грн
100+98.73 грн
500+80.36 грн
1000+70.94 грн
2000+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 STB18N60M6 STMicroelectronics stb18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.25 грн
10+175.14 грн
100+114.80 грн
500+92.60 грн
1000+75.77 грн
2000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.97 грн
10+227.07 грн
100+140.05 грн
500+124.75 грн
1000+117.09 грн
2000+114.03 грн
5000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics en.DM00095328.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.11 грн
10+134.66 грн
100+83.42 грн
500+67.50 грн
1000+62.99 грн
2000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.71 грн
5+143.50 грн
9+110.01 грн
24+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.05 грн
5+178.82 грн
9+132.02 грн
24+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.14 грн
10+94.17 грн
100+60.54 грн
500+54.03 грн
1000+48.67 грн
2500+43.93 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
Додати до обраних Обраний товар

description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 304 шт
220 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661-3159417.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Multi-Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.16 грн
16+22.00 грн
100+12.93 грн
500+10.56 грн
1000+9.80 грн
2000+9.11 грн
4000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+291.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.78 грн
4+284.60 грн
10+269.46 грн
30+259.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F947DBC0FB820&compId=IXFH18N60P.pdf?ci_sign=bd290d15bb21710ec04d5c26f4876dfbfab4b722
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.93 грн
4+354.66 грн
10+323.35 грн
30+310.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P media-3321463.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.69 грн
10+344.13 грн
510+277.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A285A2A90AE15820&compId=IXFH(Q)28N60P3.pdf?ci_sign=0f34ebb36ef205574a8cc03b1e646bbbf9a5d93c
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.38 грн
3+362.73 грн
8+342.80 грн
120+330.04 грн
510+329.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 media-3319352.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.69 грн
10+396.93 грн
120+298.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1060.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A94E9FB88C78BF&compId=IXF_48N60P.pdf?ci_sign=2d8decaa7bf5853333c30536e1424c18bf5cd01b
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1272.34 грн
3+1161.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description media-3323038.pdf
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2458.07 грн
10+2066.51 грн
100+1571.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+189.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N60X pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CDF95398E2D820&compId=IXFA(H%2CP)18N60X.pdf?ci_sign=d43d444d5e96d35a699d08922c4b96c997b61fd1
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+368.31 грн
3+307.72 грн
4+255.11 грн
10+254.31 грн
11+240.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AE53B33B1DDB820&compId=IXGA(P%2CH)48N60A3.pdf?ci_sign=3de66c7eadd74b16b8875cd3a050200178617cff
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.97 грн
3+383.47 грн
4+306.13 грн
10+305.17 грн
11+288.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 media-3323854.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.36 грн
10+255.23 грн
100+204.34 грн
500+181.38 грн
1000+179.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.79 грн
10+316.84 грн
100+222.71 грн
500+197.45 грн
800+195.16 грн
2400+187.50 грн
4800+171.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 media-3323495.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.51 грн
10+397.81 грн
120+334.44 грн
510+310.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 media-3323854.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.97 грн
10+355.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1160.73 грн
3+1037.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B381E6C0878A5E28&compId=IXGH48N60B3C1-DTE.pdf?ci_sign=721837839cfff5b1fb45e8394d3190c2f5f5cb01
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1392.88 грн
3+1292.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.47 грн
3+444.84 грн
6+420.13 грн
25+415.34 грн
30+408.97 грн
90+404.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BF95DB9A0A17820&compId=IXGH48N60B3D1.pdf?ci_sign=b88ef15e046b033bedf0667f01dda5696c066ffb
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+666.56 грн
3+554.34 грн
6+504.15 грн
25+498.41 грн
30+490.76 грн
90+485.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 media-3322724.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.22 грн
10+405.73 грн
120+315.31 грн
510+293.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+809.59 грн
3+463.97 грн
6+438.46 грн
120+436.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99BFA3ABB7C7C7820&compId=IXGH48N60C3D1.pdf?ci_sign=9e8b41e0496f7b4552d6efd4bbf0620554365264
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+971.51 грн
3+578.18 грн
6+526.16 грн
120+523.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60C3D1 media-3320052.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 30 Amps 600V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.30 грн
10+507.83 грн
120+401.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 media-3323854.pdf
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.40 грн
10+233.23 грн
100+192.86 грн
500+189.03 грн
1000+175.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1394.25 грн
2+877.72 грн
3+829.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Collector current: 26A
Pulsed collector current: 230A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1673.10 грн
2+1093.78 грн
3+995.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 media-3321660.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1418.77 грн
10+983.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+536.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.29 грн
10+219.15 грн
100+143.11 грн
500+127.81 грн
1000+114.03 грн
2000+110.21 грн
5000+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.79 грн
10+264.91 грн
100+210.46 грн
500+189.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.79 грн
10+227.95 грн
100+148.47 грн
500+132.40 грн
1000+106.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.26 грн
10+309.80 грн
100+240.31 грн
500+209.70 грн
2000+205.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.37 грн
10+335.32 грн
100+255.62 грн
500+238.78 грн
1000+225.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1430.38 грн
10+897.72 грн
100+711.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.40 грн
10+359.09 грн
100+272.45 грн
500+242.61 грн
1000+208.17 грн
2500+205.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.01 грн
10+389.89 грн
100+300.00 грн
1000+298.47 грн
3000+273.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.47 грн
10+352.05 грн
100+247.20 грн
500+231.13 грн
2000+199.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.76 грн
10+332.68 грн
100+255.62 грн
500+208.17 грн
1000+202.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.15 грн
10+303.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
STB18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.61 грн
10+174.26 грн
100+105.61 грн
500+91.07 грн
1000+78.06 грн
2000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.50 грн
10+155.78 грн
100+98.73 грн
500+80.36 грн
1000+70.94 грн
2000+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M6 stb18n60m6.pdf
STB18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.25 грн
10+175.14 грн
100+114.80 грн
500+92.60 грн
1000+75.77 грн
2000+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf
STB28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.97 грн
10+227.07 грн
100+140.05 грн
500+124.75 грн
1000+117.09 грн
2000+114.03 грн
5000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N60M2 en.DM00095328.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.11 грн
10+134.66 грн
100+83.42 грн
500+67.50 грн
1000+62.99 грн
2000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.71 грн
5+143.50 грн
9+110.01 грн
24+103.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.05 грн
5+178.82 грн
9+132.02 грн
24+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.14 грн
10+94.17 грн
100+60.54 грн
500+54.03 грн
1000+48.67 грн
2500+43.93 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]