Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
1+26 грн
10+ 22.4 грн
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661-3159417.pdf Standard LEDs - SMD 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.83 грн
16+ 19.44 грн
100+ 6.92 грн
1000+ 4.9 грн
4000+ 4.83 грн
8000+ 3.72 грн
24000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.38mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.38mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.6 грн
16+ 17.34 грн
100+ 7.78 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.42 грн
2000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microchip Technology 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.79 грн
100+ 391.89 грн
FQPF8N60CFT Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+269.5 грн
10+ 134.29 грн
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+536.07 грн
3+ 444.05 грн
7+ 404.75 грн
50+ 402.3 грн
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS media-3321463.pdf MOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.13 грн
10+ 366.37 грн
30+ 289.2 грн
120+ 265.05 грн
270+ 249.38 грн
510+ 233.71 грн
1020+ 215.43 грн
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+688.98 грн
2+ 505.91 грн
3+ 486.36 грн
6+ 460.24 грн
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+544.86 грн
3+ 357.61 грн
8+ 325.6 грн
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.82 грн
10+ 464.71 грн
30+ 345.34 грн
120+ 344.69 грн
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFx28N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.79 грн
30+ 358.74 грн
120+ 320.97 грн
510+ 265.78 грн
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS media-3320745.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 48A 600V X3 TO
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.03 грн
10+ 655.4 грн
30+ 494.19 грн
120+ 440 грн
270+ 424.34 грн
510+ 398.22 грн
1020+ 351.22 грн
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.46 грн
30+ 505.76 грн
120+ 452.52 грн
IXFH78N60X3 IXFH78N60X3 IXYS media-3320397.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 78A 600V X3 TO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.61 грн
10+ 861.86 грн
30+ 663.92 грн
60+ 663.27 грн
120+ 624.75 грн
270+ 611.05 грн
510+ 564.04 грн
IXFK48N60Q3 IXFK48N60Q3 IXYS IXFK(X)48N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1734.76 грн
2+ 1581.28 грн
IXFK98N60X3 IXYS Description: DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1090.35 грн
25+ 849.6 грн
100+ 799.64 грн
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS media-3323038.pdf description Discrete Semiconductor Modules 600V 48A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2080.77 грн
10+ 1822.07 грн
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+597.59 грн
3+ 438.12 грн
7+ 399.04 грн
IXFQ28N60P3 IXFQ28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.88 грн
10+ 394.14 грн
30+ 310.75 грн
120+ 285.28 грн
270+ 270.92 грн
510+ 246.12 грн
1020+ 236.32 грн
IXFQ28N60P3 IXFQ28N60P3 IXYS IXFx28N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.12 грн
10+ 350.89 грн
100+ 292.37 грн
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+397.22 грн
3+ 344.05 грн
4+ 254.6 грн
11+ 240.73 грн
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=fcc2a0bb-fae0-4c8a-90c1-d356d431a8fa&filename=littelfuse-discrete-igbts-pt-ixgh48n60b3d1-datasheet Description: IGBT 600V 120A 300W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.34 грн
10+ 308.32 грн
100+ 249.44 грн
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBT Transistors 48 Amps 600V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.9 грн
10+ 346.85 грн
50+ 261.78 грн
100+ 229.14 грн
250+ 214.78 грн
500+ 204.99 грн
1000+ 174.3 грн
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf IGBT Transistors IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.9 грн
10+ 346.85 грн
25+ 291.81 грн
100+ 244.16 грн
250+ 236.32 грн
500+ 216.74 грн
800+ 174.96 грн
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf Description: IXGA48N60A3 TRL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.34 грн
10+ 308.32 грн
100+ 249.44 грн
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf Description: IXGA48N60A3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+230.25 грн
1600+ 189.85 грн
2400+ 178.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS media-3323495.pdf IGBT Transistors 28 Amps 600V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.55 грн
10+ 486.49 грн
30+ 384.51 грн
120+ 362.97 грн
510+ 356.44 грн
1020+ 349.26 грн
2520+ 342.73 грн
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh28n60b3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 66A 190W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 340µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.69 грн
30+ 403.44 грн
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 120A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.01 грн
30+ 343.98 грн
120+ 307.78 грн
510+ 254.86 грн
1020+ 229.37 грн
2010+ 214.93 грн
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.49 грн
10+ 415.16 грн
30+ 327.07 грн
120+ 300.3 грн
270+ 293.77 грн
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh48n60a3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.68 грн
30+ 480.73 грн
120+ 430.12 грн
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1611.73 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+719.74 грн
3+ 483.88 грн
6+ 440.66 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS media-3322724.pdf IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+686.23 грн
10+ 580.33 грн
30+ 457.63 грн
120+ 419.77 грн
270+ 368.19 грн
510+ 351.87 грн
1020+ 331.64 грн
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+710.95 грн
3+ 466.08 грн
6+ 425.15 грн
30+ 424.34 грн
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS media-3320052.pdf IGBT Transistors 30 Amps 600V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
1+679.37 грн
10+ 573.57 грн
30+ 411.93 грн
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgr48n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+457.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.3 грн
10+ 179.43 грн
25+ 146.89 грн
100+ 126 грн
250+ 118.81 грн
500+ 112.29 грн
1000+ 95.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 SIHA18N60E-GE3 Vishay Siliconix siha18n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.14 грн
10+ 160.89 грн
100+ 130.14 грн
500+ 108.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 SIHA18N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.82 грн
10+ 207.21 грн
25+ 159.29 грн
100+ 147.54 грн
500+ 126 грн
1000+ 105.76 грн
2000+ 102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.62 грн
50+ 262.86 грн
100+ 225.31 грн
500+ 187.96 грн
1000+ 160.94 грн
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.15 грн
10+ 319.82 грн
25+ 277.45 грн
100+ 224.57 грн
500+ 199.76 грн
1000+ 170.39 грн
2000+ 169.08 грн
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.58 грн
50+ 293.98 грн
100+ 251.98 грн
500+ 210.2 грн
1000+ 179.98 грн
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb28n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.7 грн
10+ 350.6 грн
25+ 260.48 грн
100+ 229.79 грн
250+ 223.27 грн
500+ 209.56 грн
1000+ 185.4 грн
SIHB28N60EF-T1-GE3 SIHB28N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.58 грн
10+ 311.45 грн
100+ 251.98 грн
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.58 грн
10+ 311.45 грн
100+ 251.98 грн
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+232.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.97 грн
50+ 258.79 грн
100+ 221.81 грн
500+ 185.03 грн
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.82 грн
10+ 317.57 грн
25+ 249.38 грн
100+ 216.74 грн
250+ 210.21 грн
500+ 193.24 грн
1000+ 169.73 грн
SIHFPS38N60L-GE3 SIHFPS38N60L-GE3 Vishay / Siliconix sihfps38n60l.pdf MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.96 грн
10+ 433.18 грн
25+ 362.32 грн
SIHFPS38N60L-GE3 SIHFPS38N60L-GE3 Vishay Siliconix sihfps38n60l.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.5 грн
30+ 377.39 грн
120+ 337.66 грн
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg018n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1079.05 грн
25+ 841.41 грн
100+ 791.91 грн
FQPF8N60C
Код товару: 13455
description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 215 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
598-8N60-107F C18661-3159417.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Standard LEDs - SMD 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.83 грн
16+ 19.44 грн
100+ 6.92 грн
1000+ 4.9 грн
4000+ 4.83 грн
8000+ 3.72 грн
24000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.38mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.38mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.6 грн
16+ 17.34 грн
100+ 7.78 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.42 грн
2000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
APT38N60BC6 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet
APT38N60BC6
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.79 грн
100+ 391.89 грн
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+269.5 грн
10+ 134.29 грн
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+536.07 грн
3+ 444.05 грн
7+ 404.75 грн
50+ 402.3 грн
IXFH18N60P media-3321463.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.13 грн
10+ 366.37 грн
30+ 289.2 грн
120+ 265.05 грн
270+ 249.38 грн
510+ 233.71 грн
1020+ 215.43 грн
IXFH18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+688.98 грн
2+ 505.91 грн
3+ 486.36 грн
6+ 460.24 грн
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+544.86 грн
3+ 357.61 грн
8+ 325.6 грн
IXFH28N60P3 media-3319352.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+511.82 грн
10+ 464.71 грн
30+ 345.34 грн
120+ 344.69 грн
IXFH28N60P3 IXFx28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.79 грн
30+ 358.74 грн
120+ 320.97 грн
510+ 265.78 грн
IXFH48N60X3 media-3320745.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 48A 600V X3 TO
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+722.03 грн
10+ 655.4 грн
30+ 494.19 грн
120+ 440 грн
270+ 424.34 грн
510+ 398.22 грн
1020+ 351.22 грн
IXFH48N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh48n60x3_datasheet.pdf.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+657.46 грн
30+ 505.76 грн
120+ 452.52 грн
IXFH78N60X3 media-3320397.pdf
IXFH78N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 78A 600V X3 TO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+956.61 грн
10+ 861.86 грн
30+ 663.92 грн
60+ 663.27 грн
120+ 624.75 грн
270+ 611.05 грн
510+ 564.04 грн
IXFK48N60Q3 IXFK(X)48N60Q3.pdf
IXFK48N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1734.76 грн
2+ 1581.28 грн
IXFK98N60X3
Виробник: IXYS
Description: DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1090.35 грн
25+ 849.6 грн
100+ 799.64 грн
IXFN48N60P description media-3323038.pdf
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 48A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2080.77 грн
10+ 1822.07 грн
IXFP18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+597.59 грн
3+ 438.12 грн
7+ 399.04 грн
IXFQ28N60P3 media-3319352.pdf
IXFQ28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.88 грн
10+ 394.14 грн
30+ 310.75 грн
120+ 285.28 грн
270+ 270.92 грн
510+ 246.12 грн
1020+ 236.32 грн
IXFQ28N60P3 IXFx28N60P3.pdf
IXFQ28N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+425.12 грн
10+ 350.89 грн
100+ 292.37 грн
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.22 грн
3+ 344.05 грн
4+ 254.6 грн
11+ 240.73 грн
IXGA48N60A3 media?resourcetype=datasheets&itemid=fcc2a0bb-fae0-4c8a-90c1-d356d431a8fa&filename=littelfuse-discrete-igbts-pt-ixgh48n60b3d1-datasheet
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 120A 300W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.34 грн
10+ 308.32 грн
100+ 249.44 грн
IXGA48N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGA48N60A3 media-3323854.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 48 Amps 600V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.9 грн
10+ 346.85 грн
50+ 261.78 грн
100+ 229.14 грн
250+ 214.78 грн
500+ 204.99 грн
1000+ 174.3 грн
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.9 грн
10+ 346.85 грн
25+ 291.81 грн
100+ 244.16 грн
250+ 236.32 грн
500+ 216.74 грн
800+ 174.96 грн
IXGA48N60A3-TRL media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+192.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGA48N60A3-TRL littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
Description: IXGA48N60A3 TRL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+381.34 грн
10+ 308.32 грн
100+ 249.44 грн
IXGA48N60A3-TRL littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
Description: IXGA48N60A3 TRL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+230.25 грн
1600+ 189.85 грн
2400+ 178.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGH28N60B3D1 media-3323495.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 28 Amps 600V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.55 грн
10+ 486.49 грн
30+ 384.51 грн
120+ 362.97 грн
510+ 356.44 грн
1020+ 349.26 грн
2520+ 342.73 грн
IXGH28N60B3D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh28n60b3d1_datasheet.pdf.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 66A 190W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 340µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.69 грн
30+ 403.44 грн
IXGH48N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 120A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.01 грн
30+ 343.98 грн
120+ 307.78 грн
510+ 254.86 грн
1020+ 229.37 грн
2010+ 214.93 грн
IXGH48N60A3 media-3323854.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.49 грн
10+ 415.16 грн
30+ 327.07 грн
120+ 300.3 грн
270+ 293.77 грн
IXGH48N60A3D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgh48n60a3d1_datasheet.pdf.pdf
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+625.68 грн
30+ 480.73 грн
120+ 430.12 грн
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1611.73 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+719.74 грн
3+ 483.88 грн
6+ 440.66 грн
IXGH48N60B3D1 media-3322724.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+686.23 грн
10+ 580.33 грн
30+ 457.63 грн
120+ 419.77 грн
270+ 368.19 грн
510+ 351.87 грн
1020+ 331.64 грн
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+710.95 грн
3+ 466.08 грн
6+ 425.15 грн
30+ 424.34 грн
IXGH48N60C3D1 media-3320052.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 30 Amps 600V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+679.37 грн
10+ 573.57 грн
30+ 411.93 грн
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGR48N60C3D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgr48n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+457.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.3 грн
10+ 179.43 грн
25+ 146.89 грн
100+ 126 грн
250+ 118.81 грн
500+ 112.29 грн
1000+ 95.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.14 грн
10+ 160.89 грн
100+ 130.14 грн
500+ 108.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.82 грн
10+ 207.21 грн
25+ 159.29 грн
100+ 147.54 грн
500+ 126 грн
1000+ 105.76 грн
2000+ 102.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.62 грн
50+ 262.86 грн
100+ 225.31 грн
500+ 187.96 грн
1000+ 160.94 грн
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.15 грн
10+ 319.82 грн
25+ 277.45 грн
100+ 224.57 грн
500+ 199.76 грн
1000+ 170.39 грн
2000+ 169.08 грн
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.58 грн
50+ 293.98 грн
100+ 251.98 грн
500+ 210.2 грн
1000+ 179.98 грн
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.7 грн
10+ 350.6 грн
25+ 260.48 грн
100+ 229.79 грн
250+ 223.27 грн
500+ 209.56 грн
1000+ 185.4 грн
SIHB28N60EF-T1-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.58 грн
10+ 311.45 грн
100+ 251.98 грн
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.58 грн
10+ 311.45 грн
100+ 251.98 грн
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+232.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.97 грн
50+ 258.79 грн
100+ 221.81 грн
500+ 185.03 грн
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.82 грн
10+ 317.57 грн
25+ 249.38 грн
100+ 216.74 грн
250+ 210.21 грн
500+ 193.24 грн
1000+ 169.73 грн
SIHFPS38N60L-GE3 sihfps38n60l.pdf
SIHFPS38N60L-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.96 грн
10+ 433.18 грн
25+ 362.32 грн
SIHFPS38N60L-GE3 sihfps38n60l.pdf
SIHFPS38N60L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+491.5 грн
30+ 377.39 грн
120+ 337.66 грн
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1079.05 грн
25+ 841.41 грн
100+ 791.91 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]