Результат пошуку "8n60" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 156 шт
  • 133 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+58.00 грн
10+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight DIA_Selector_Guide_SMD_060820.pdf Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.35mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.21 грн
26+12.05 грн
100+8.42 грн
500+6.36 грн
1000+5.85 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+19.62 грн
24+13.21 грн
100+8.11 грн
500+6.53 грн
1000+5.93 грн
2000+5.56 грн
4000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+487.86 грн
100+416.14 грн
250+353.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CFTM FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor FAIRS27264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU FQI8N60CTU Fairchild Semiconductor FAIRS46430-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU FQI8N60CTU onsemi fqi8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FQP8N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT FQPF8N60CFT onsemi fqpf8n60cf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.95 грн
10+123.60 грн
50+94.59 грн
100+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+614.02 грн
3+355.82 грн
8+336.33 грн
30+332.95 грн
60+323.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 18A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+704.20 грн
10+427.36 грн
120+342.34 грн
510+295.04 грн
1020+292.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+739.01 грн
3+421.90 грн
7+399.03 грн
60+382.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=0683B130-25E9-4BDF-83CC-FEAE5EFC5D64&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-28N60P3-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.13 грн
30+431.41 грн
60+395.53 грн
120+342.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 86 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+804.04 грн
10+521.47 грн
120+347.59 грн
510+346.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=67EA31BE-E988-4F5D-B493-EBB79D4843CF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-48N60P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1662.78 грн
25+1035.59 грн
50+962.68 грн
100+845.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2733.58 грн
10+1946.86 грн
100+1689.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS IXFR48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1124.94 грн
2+959.02 грн
3+906.49 грн
30+903.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=3FD09457-F4E0-488F-9EA6-7360AB1739C2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR48N60P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1808.47 грн
30+1106.68 грн
60+1031.24 грн
120+908.27 грн
510+893.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+480.81 грн
3+401.57 грн
4+260.93 грн
11+246.53 грн
100+237.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+548.29 грн
10+289.22 грн
500+215.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS 238_IXGA48N60A3.pdf Description: IGBT PT 600V 120A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.96 грн
10+315.59 грн
100+228.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 741 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+522.02 грн
10+347.07 грн
100+218.47 грн
500+197.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 432 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+666.53 грн
10+383.33 грн
120+307.05 грн
510+279.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=FFCF00ED-E88E-4FFE-BA28-DE9EC4168EC3&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.51 грн
30+315.38 грн
120+264.26 грн
510+212.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 407 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+601.72 грн
10+346.20 грн
120+250.00 грн
510+229.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=8CD78C94-E0A0-45E1-A824-B54DE69C6DF4&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH48N60A3D1-Datasheet.PDF Description: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+690.45 грн
30+388.96 грн
120+340.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+925.13 грн
2+599.81 грн
5+566.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+516.40 грн
3+472.73 грн
6+446.47 грн
10+429.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+680.55 грн
10+474.84 грн
120+294.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=FFCF00ED-E88E-4FFE-BA28-DE9EC4168EC3&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF Description: IGBT PT 600V 120A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.45 грн
50+244.24 грн
100+223.46 грн
500+175.55 грн
1000+164.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 IXGP48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+522.02 грн
10+322.03 грн
100+238.74 грн
500+212.46 грн
1000+196.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS IXGR48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1362.15 грн
3+1196.23 грн
30+1153.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1896.25 грн
10+1416.76 грн
120+1012.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS TIXGR48n60c3d1_0001.pdf IXGR48N60C3D1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 TIXGR48n60c3d1
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
2+605.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF MOT28N60HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_83.html Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2451.64 грн
10+457.24 грн
100+173.93 грн
500+105.09 грн
1000+87.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZG NDF08N60ZG onsemi NDF08N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 55950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZH NDF08N60ZH onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 729 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+346.84 грн
10+202.89 грн
100+145.64 грн
500+122.37 грн
1000+108.11 грн
2000+107.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-GE3 SIHA18N60E-GE3 Vishay Siliconix siha18n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.97 грн
10+209.76 грн
50+162.86 грн
100+138.67 грн
500+117.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+359.98 грн
10+232.24 грн
100+150.90 грн
500+126.88 грн
1000+110.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.55 грн
10+354.40 грн
50+281.06 грн
100+241.64 грн
500+202.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 SIHB28N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.55 грн
10+354.40 грн
50+281.06 грн
100+227.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+241.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.95 грн
10+302.32 грн
50+238.81 грн
100+204.93 грн
500+171.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+501.87 грн
10+262.46 грн
100+208.71 грн
500+204.95 грн
1000+191.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+572.82 грн
10+378.15 грн
100+265.01 грн
500+234.98 грн
1000+228.23 грн
2000+220.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg018n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.31 грн
25+820.39 грн
50+759.64 грн
100+664.97 грн
500+619.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 423 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1437.29 грн
10+840.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.17 грн
10+328.09 грн
50+259.96 грн
100+223.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 851 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+541.28 грн
10+285.77 грн
500+227.47 грн
1000+201.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 SIHG28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.80 грн
10+352.03 грн
50+279.77 грн
100+240.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 SIHG28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+578.95 грн
10+307.35 грн
100+245.49 грн
500+219.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh068n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.08 грн
10+307.12 грн
50+242.79 грн
100+208.40 грн
500+194.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+508.88 грн
10+266.78 грн
100+212.46 грн
500+198.20 грн
1000+186.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj8n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.12 грн
10+137.40 грн
50+105.19 грн
100+88.97 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+571.94 грн
10+362.61 грн
100+231.98 грн
500+210.21 грн
1000+192.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 156 шт
  • 133 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 30 шт
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+58.00 грн
10+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F DIA_Selector_Guide_SMD_060820.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.35mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.21 грн
26+12.05 грн
100+8.42 грн
500+6.36 грн
1000+5.85 грн
2000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.62 грн
24+13.21 грн
100+8.11 грн
500+6.53 грн
1000+5.93 грн
2000+5.56 грн
4000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT38N60BC6
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+487.86 грн
100+416.14 грн
250+353.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CFTM FAIRS27264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB8N60CFTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+130.90 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU FAIRS46430-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI8N60CTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU fqi8n60c-d.pdf
FQI8N60CTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP8N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
256+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
FQPF8N60CFT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.95 грн
10+123.60 грн
50+94.59 грн
100+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Gate charge: 35nC
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+201.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.02 грн
3+355.82 грн
8+336.33 грн
30+332.95 грн
60+323.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH18N60P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH18N60P_Datasheet.PDF
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 18A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+704.20 грн
10+427.36 грн
120+342.34 грн
510+295.04 грн
1020+292.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+739.01 грн
3+421.90 грн
7+399.03 грн
60+382.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 media?resourcetype=datasheets&itemid=0683B130-25E9-4BDF-83CC-FEAE5EFC5D64&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-28N60P3-Datasheet.PDF
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+760.13 грн
30+431.41 грн
60+395.53 грн
120+342.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 86 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+804.04 грн
10+521.47 грн
120+347.59 грн
510+346.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P media?resourcetype=datasheets&itemid=67EA31BE-E988-4F5D-B493-EBB79D4843CF&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-48N60P-Datasheet.PDF
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1662.78 грн
25+1035.59 грн
50+962.68 грн
100+845.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2733.58 грн
10+1946.86 грн
100+1689.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P.pdf
IXFR48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1124.94 грн
2+959.02 грн
3+906.49 грн
30+903.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P media?resourcetype=datasheets&itemid=3FD09457-F4E0-488F-9EA6-7360AB1739C2&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFR48N60P-Datasheet.PDF
IXFR48N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1808.47 грн
30+1106.68 грн
60+1031.24 грн
120+908.27 грн
510+893.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.81 грн
3+401.57 грн
4+260.93 грн
11+246.53 грн
100+237.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+548.29 грн
10+289.22 грн
500+215.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL 238_IXGA48N60A3.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.96 грн
10+315.59 грн
100+228.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 741 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.02 грн
10+347.07 грн
100+218.47 грн
500+197.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 432 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+666.53 грн
10+383.33 грн
120+307.05 грн
510+279.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 media?resourcetype=datasheets&itemid=FFCF00ED-E88E-4FFE-BA28-DE9EC4168EC3&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.51 грн
30+315.38 грн
120+264.26 грн
510+212.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 407 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+601.72 грн
10+346.20 грн
120+250.00 грн
510+229.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=8CD78C94-E0A0-45E1-A824-B54DE69C6DF4&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXGH48N60A3D1-Datasheet.PDF
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.45 грн
30+388.96 грн
120+340.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+925.13 грн
2+599.81 грн
5+566.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+516.40 грн
3+472.73 грн
6+446.47 грн
10+429.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH48N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+680.55 грн
10+474.84 грн
120+294.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 media?resourcetype=datasheets&itemid=FFCF00ED-E88E-4FFE-BA28-DE9EC4168EC3&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-48N60A3-Datasheet.PDF
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.45 грн
50+244.24 грн
100+223.46 грн
500+175.55 грн
1000+164.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGP48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGP48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 600V 48A GENX3
на замовлення 579 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.02 грн
10+322.03 грн
100+238.74 грн
500+212.46 грн
1000+196.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1362.15 грн
3+1196.23 грн
30+1153.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1896.25 грн
10+1416.76 грн
120+1012.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1_0001.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IXGR48N60C3D1 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 TIXGR48n60c3d1
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+605.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT28N60HF index_83.html
MOT28N60HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2451.64 грн
10+457.24 грн
100+173.93 грн
500+105.09 грн
1000+87.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZG NDF08N60Z.pdf
NDF08N60ZG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 55950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
356+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZH
NDF08N60ZH
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+58.50 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 729 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+346.84 грн
10+202.89 грн
100+145.64 грн
500+122.37 грн
1000+108.11 грн
2000+107.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-GE3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.97 грн
10+209.76 грн
50+162.86 грн
100+138.67 грн
500+117.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+359.98 грн
10+232.24 грн
100+150.90 грн
500+126.88 грн
1000+110.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.55 грн
10+354.40 грн
50+281.06 грн
100+241.64 грн
500+202.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T1-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.55 грн
10+354.40 грн
50+281.06 грн
100+227.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+241.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.95 грн
10+302.32 грн
50+238.81 грн
100+204.93 грн
500+171.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+501.87 грн
10+262.46 грн
100+208.71 грн
500+204.95 грн
1000+191.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.82 грн
10+378.15 грн
100+265.01 грн
500+234.98 грн
1000+228.23 грн
2000+220.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1341.31 грн
25+820.39 грн
50+759.64 грн
100+664.97 грн
500+619.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 423 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1437.29 грн
10+840.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.17 грн
10+328.09 грн
50+259.96 грн
100+223.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 851 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+541.28 грн
10+285.77 грн
500+227.47 грн
1000+201.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 sihg28n60ef.pdf
SIHG28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+540.80 грн
10+352.03 грн
50+279.77 грн
100+240.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 sihg28n60ef.pdf
SIHG28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+578.95 грн
10+307.35 грн
100+245.49 грн
500+219.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.08 грн
10+307.12 грн
50+242.79 грн
100+208.40 грн
500+194.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+508.88 грн
10+266.78 грн
100+212.46 грн
500+198.20 грн
1000+186.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
SIHJ8N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.12 грн
10+137.40 грн
50+105.19 грн
100+88.97 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+571.94 грн
10+362.61 грн
100+231.98 грн
500+210.21 грн
1000+192.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.