Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
  • 64 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661.pdf Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight DIA_Selector_Guide_SMD_060820.pdf Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.35mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.99 грн
26+11.75 грн
100+8.21 грн
500+6.20 грн
1000+5.70 грн
2000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microchip Technology APT47N60B_SC3(G)_F.pdf MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CFTM FQB8N60CFTM Fairchild Semiconductor FAIRS27264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU FQI8N60CTU onsemi fqi8n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FQP8N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT FQPF8N60CFT onsemi fqpf8n60cf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.17 грн
50+92.26 грн
100+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTU FQPF8N60CYDTU Fairchild Semiconductor FAIRS25225-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+105.56 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+610.98 грн
5+481.15 грн
10+434.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFx28N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.17 грн
30+396.91 грн
120+336.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P IXFK48N60P IXYS 99375.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1622.01 грн
25+1009.94 грн
100+879.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF description MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS IXFR48N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1331.90 грн
3+1148.90 грн
5+1081.12 грн
10+974.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P IXYS 99184.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1664.24 грн
30+1018.20 грн
120+890.45 грн
510+822.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.81 грн
3+334.71 грн
10+273.63 грн
50+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh28n60b3d1-datasheet?assetguid=e150a4e4-c3b3-4a0b-bf8d-054c4d80deff Description: IGBT PT 600V 66A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 340µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.89 грн
30+340.23 грн
120+286.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3 Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.99 грн
30+290.15 грн
120+243.13 грн
510+195.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 IXGH48N60A3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4 Description: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.82 грн
30+357.85 грн
120+302.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+913.77 грн
3+808.33 грн
10+728.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+498.34 грн
10+424.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1709.60 грн
30+1049.50 грн
120+919.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 IXYS TIXGR48n60c3d1_0001.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+584.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZG NDF08N60ZG onsemi NDF08N60Z.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 55666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZH onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-GE3 SIHA18N60E-GE3 Vishay Siliconix siha18n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.22 грн
10+192.95 грн
100+135.95 грн
500+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 SIHB18N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb18n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.09 грн
50+258.60 грн
100+236.90 грн
500+186.67 грн
1000+175.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 SIHB28N60EF-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb28n60ef.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihf068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.73 грн
50+232.89 грн
100+212.96 грн
500+167.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 SIHF28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihf28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg018n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1307.62 грн
25+800.10 грн
100+691.03 грн
500+604.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.70 грн
10+319.92 грн
100+232.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 SIHG28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.11 грн
10+343.34 грн
100+250.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj8n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.29 грн
10+133.98 грн
100+92.46 грн
500+70.11 грн
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp28n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.61 грн
50+255.74 грн
100+234.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp38n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.91 грн
50+297.88 грн
100+273.57 грн
500+216.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics STB18N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.13 грн
10+154.84 грн
100+107.72 грн
500+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+139.17 грн
100+96.21 грн
500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60C
Код товару: 13455
3 Додати до обраних Обраний товар
description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 7,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 71 шт
  • 64 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F C18661.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Single Colour LEDs 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
598-8N60-107F DIA_Selector_Guide_SMD_060820.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Description: LED GRN/YLW CLEAR 0603 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: Green, Yellow
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 49mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Viewing Angle: 140°
Height (Max): 0.35mm
Wavelength - Dominant: 570nm
Supplier Device Package: 0603
Lens Transparency: Clear
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.10mm x 0.80mm
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.99 грн
26+11.75 грн
100+8.21 грн
500+6.20 грн
1000+5.70 грн
2000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
APT38N60BC6 APT47N60B_SC3(G)_F.pdf
APT38N60BC6
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET Superjunction 600 V 38 A TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQB8N60CFTM FAIRS27264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB8N60CFTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+116.53 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI8N60CTU fqi8n60c-d.pdf
FQI8N60CTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 24810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
264+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP8N60C FAIRS46958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP8N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
256+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
FQPF8N60CFT
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 6.26A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.13A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.17 грн
50+92.26 грн
100+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N60CYDTU FAIRS25225-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF8N60CYDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 25 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
195+105.56 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.98 грн
5+481.15 грн
10+434.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_28N60P3_Datasheet.PDF
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH28N60P3 IXFx28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+699.17 грн
30+396.91 грн
120+336.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60P 99375.pdf
IXFK48N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1622.01 грн
25+1009.94 грн
100+879.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFN48N60P description Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFN48N60P_Datasheet.PDF
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 600V 48A
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P IXFR48N60P.pdf
IXFR48N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1331.90 грн
3+1148.90 грн
5+1081.12 грн
10+974.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P 99184.pdf
IXFR48N60P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1664.24 грн
30+1018.20 грн
120+890.45 грн
510+822.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+402.81 грн
3+334.71 грн
10+273.63 грн
50+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH28N60B3D1_Datasheet.PDF
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH28N60B3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh28n60b3d1-datasheet?assetguid=e150a4e4-c3b3-4a0b-bf8d-054c4d80deff
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 66A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/125ns
Switching Energy: 340µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+606.89 грн
30+340.23 грн
120+286.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet.PDF
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3 littelfuse-discrete-igbts-ixg-48n60a3-datasheet?assetguid=ffcf00ed-e88e-4ffe-ba28-de9ec4168ec3
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 120A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.99 грн
30+290.15 грн
120+243.13 грн
510+195.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60A3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh48n60a3d1-datasheet?assetguid=8cd78c94-e0a0-45e1-a824-b54de69c6df4
IXGH48N60A3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+635.82 грн
30+357.85 грн
120+302.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+913.77 грн
3+808.33 грн
10+728.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 280A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+498.34 грн
10+424.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 48 Amps 600V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1709.60 грн
30+1049.50 грн
120+919.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1_0001.pdf
IXGR48N60C3D1
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+584.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZG NDF08N60Z.pdf
NDF08N60ZG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V
на замовлення 55666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
356+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDF08N60ZH
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA18N60E-GE3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.22 грн
10+192.95 грн
100+135.95 грн
500+108.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB18N60E-GE3 sihb18n60e.pdf
SIHB18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.09 грн
50+258.60 грн
100+236.90 грн
500+186.67 грн
1000+175.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB28N60EF-T5-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+456.73 грн
50+232.89 грн
100+212.96 грн
500+167.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF28N60EF-GE3 sihf28n60ef.pdf
SIHF28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1307.62 грн
25+800.10 грн
100+691.03 грн
500+604.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+492.70 грн
10+319.92 грн
100+232.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N60EF-GE3 sihg28n60ef.pdf
SIHG28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+527.11 грн
10+343.34 грн
100+250.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
SIHJ8N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.29 грн
10+133.98 грн
100+92.46 грн
500+70.11 грн
1000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+496.61 грн
50+255.74 грн
100+234.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+570.91 грн
50+297.88 грн
100+273.57 грн
500+216.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60DM2 STB18N60DM2.pdf
STB18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.13 грн
10+154.84 грн
100+107.72 грн
500+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N60M2 en.DM00086800.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.89 грн
10+139.17 грн
100+96.21 грн
500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]