Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74766) > Сторінка 1236 з 1247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DXTN22040CFGQ-7 DIODES INCORPORATED DXTN22040CFGQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7 DIODES INCORPORATED DXTN22040DFGQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7 DIODES INCORPORATED DXTP22040CFGQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7 DIODES INCORPORATED DXTP22040DFGQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C8V2-7-F AZ23C8V2-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A017D94BAE6143&compId=AZ23C_ser.pdf?ci_sign=f8289f634af17fc3dccb307520c64a27b76de4d8 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.05 грн
45+8.95 грн
54+7.51 грн
108+3.72 грн
500+2.88 грн
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C8V2-7-F BZT52C8V2-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED5211ADD746A18&compId=BZT52Cxx_ser.pdf?ci_sign=95d454b64d194db3b460a4ff8a5c90b54420aea6 Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.89 грн
87+4.64 грн
112+3.58 грн
170+2.36 грн
1600+1.41 грн
3000+1.33 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C8V2-7-F DIODES INCORPORATED DZ23C2V7-DZ23C51.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C8V2Q-7-F DIODES INCORPORATED ds18004.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20200CT-13 DIODES INCORPORATED MBRB20200CT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.89V
Leakage current: 10mA
Max. forward impulse current: 170A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20200CT-13 DIODES INCORPORATED MBRD20200CT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5320T-7 DIODES INCORPORATED DSS5320T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 600mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 100...220
Quantity in set/package: 3000pcs.
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...180MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B330A-13-F B330A-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EA383D53230469&compId=B320A-13-F.pdf?ci_sign=edde656f9367791a6672056dbd13e96b0d748afe Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 30V; 3A; reel,tape; 850mW
Power dissipation: 0.85W
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 200pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 80A
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.40 грн
21+19.66 грн
25+17.18 грн
100+13.83 грн
250+12.07 грн
500+10.95 грн
1000+9.91 грн
2000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
B330-13-F B330-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891DDE384AD3893D3&compId=b320-360.pdf?ci_sign=a7c4b845509518010457286ef84ddac7dd4d2bb2 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 3A; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 200pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 30V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.15 грн
15+26.86 грн
17+24.14 грн
100+16.54 грн
250+14.23 грн
500+12.79 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34FHTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CBF247D42A18BF&compId=ZXMN2F34FH.pdf?ci_sign=799affe8426fd8dcc5d6bb0a5196f1cffc52a0d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.52 грн
28+14.71 грн
32+12.71 грн
50+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 DIODES INCORPORATED ABS210.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; SOPA4
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Case: SOPA4
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Leads: soldering pads
Max. load current: 2A
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ16AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 17.8÷19.7V; 57.7A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 57.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100A-13-F SMAJ100A-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 111÷123V; 2.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 100V
Breakdown voltage: 111...123V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.22 грн
30+13.43 грн
36+11.11 грн
100+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100CA-13-F SMAJ100CA-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 111÷123V; 2.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 100V
Breakdown voltage: 111...123V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 DIODES INCORPORATED SBR10A45SP5.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SBR®; SMD; 45V; 10A
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SBR®
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.53V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 12V
Gate charge: 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DIODES INCORPORATED DMP2010UFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 103nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DIODES INCORPORATED DMP3013SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.94W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 33.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13 DIODES INCORPORATED DMP3018SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13 DIODES INCORPORATED DMP3036SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 16.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMT2004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LFV-13 DIODES INCORPORATED DMT69M8LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 60A; 2.2W
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 2.2W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 8.9A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13 DMHC3025LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC3025LSDQ_ds.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.1/-4.3A; Idm: 60÷-30A
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 40/80mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6.1/-4.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Pulsed drain current: 60...-30A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT04T14-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70BF021E3E0D3&compId=74AHCT04.pdf?ci_sign=0e24153ef9bf53f04a7a698e97f691b9fe46b158 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: AHCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT04S14-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70BF021E2E0D3&compId=74AHCT04.pdf?ci_sign=43a8565fa61cbe99c83ebef35db1c07a9957a5b4 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS,TTL; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: AHCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 870mA; 320mW; automotive industry; SMT
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 870mA
Gate-source voltage: 6V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2DD2679-13 2DD2679-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEE8CD0E25B72143&compId=2DD2679.pdf?ci_sign=0a8e99213e0100f76a2e4a465697386013dba603 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 900mW; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 240MHz
Current gain: 270...680
Quantity in set/package: 2500pcs.
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.27 грн
22+18.94 грн
100+13.11 грн
500+10.31 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCX495TA FCX495TA DIODES INCORPORATED FCX495.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 2A
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.04 грн
18+22.54 грн
100+16.23 грн
200+14.55 грн
500+12.55 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AL5817MP-13 DIODES INCORPORATED AL5817.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; MSOP8EP; 15mA; Ch: 1; 4.5÷60VDC
Case: MSOP8EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 15mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...60V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC05T14-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70AF034FA80D3&compId=74AHC05.pdf?ci_sign=5f80977ad5823ca24149439ffc4ff0f5686d638d Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; AHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of output: open drain
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: inverter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7 DIODES INCORPORATED DMT2004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13 DIODES INCORPORATED DMT2005UDV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 40A
Gate charge: 46.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3066LQ-13 DMN3066LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3066LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 1.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 4.1nC
Pulsed drain current: 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP04G KBP04G DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439 Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP04G DIODES INCORPORATED ds21203.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2311AMP-13 DIODES INCORPORATED AP23x1A.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Mounting: SMD
Case: MSOP8EP
Active logical level: high
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Output current: 2A
Number of channels: 1
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-13 DIODES INCORPORATED DMC1028UVT.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-13 DIODES INCORPORATED DMN3060LVT.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51CA-13-F SMAJ51CA-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.80 грн
27+14.87 грн
32+12.87 грн
50+8.71 грн
100+7.51 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CA-13-F SMAJ54CA-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D5V0P4URL6SO-7 D5V0P4URL6SO-7 DIODES INCORPORATED D5V0P4URL6SO.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.5V; 20A; unidirectional; SOT23-6; Ch: 4
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.5V
Max. forward impulse current: 20A
Application: HDMI
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V0S-7-F BZT52C3V0S-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED534E388BC6A18&compId=BZT52CxxS_ser.pdf?ci_sign=19b509c5a9084fd233a8e598b6a776ae01cc116a Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT458QTA DIODES INCORPORATED FMMT458.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.225A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.225A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Current gain: 15...300
Pulsed collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC216436A758BF&compId=ZXMN6A09G.pdf?ci_sign=04dbc1273ac4c3eb2ce59b14697641c045db5b7a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.59 грн
10+71.77 грн
15+66.10 грн
50+52.75 грн
100+47.16 грн
200+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B7E25FB2D91BF&compId=ZXMC6A09DN8TA.pdf?ci_sign=c66943eacf319df19153cba6185df9177d2c8bb8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.045/0.055Ω
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 4.8/-5.1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTC ZXMN10A09KTC DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CBC341120678BF&compId=ZXMN10A09K.pdf?ci_sign=3f2949a1a3d78163da9615e4694cdd4317761576 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 4.31W
Drain current: 7.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GQTA DIODES INCORPORATED ZXMN6A09GQ.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: ZXMN6A09GQTA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC DIODES INCORPORATED ZXMN6A09K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7 DMP2004K-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA3CA5FD6FE748&compId=DMP2004K.pdf?ci_sign=0f2e2648481c019baa8fd6e1a50e7a79e6d3eaa4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.08 грн
35+11.43 грн
52+7.83 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+3.93 грн
1500+3.60 грн
3000+3.11 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BCM846BS-7 DIODES INCORPORATED BCM846BS.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT459QTA DIODES INCORPORATED FMMT459Q.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 0.15A; 806mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.5A
Current gain: 50...120
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1213A-02SR-7 D1213A-02SR-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE984FD3EF5C2B178BF&compId=D1213A-02SR.pdf?ci_sign=f26653fc9b86e82e84f472e6500285f2defe62ac Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; 0.4W; unidirectional; SOT143; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.85pF
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.4W
Version: ESD
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.99 грн
18+22.38 грн
21+19.34 грн
100+11.91 грн
500+8.95 грн
1000+8.07 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040CFGQ-7 DXTN22040CFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN22040DFGQ-7 DXTN22040DFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040CFGQ-7 DXTP22040CFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP22040DFGQ-7 DXTP22040DFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C8V2-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B7A017D94BAE6143&compId=AZ23C_ser.pdf?ci_sign=f8289f634af17fc3dccb307520c64a27b76de4d8
AZ23C8V2-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.05 грн
45+8.95 грн
54+7.51 грн
108+3.72 грн
500+2.88 грн
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C8V2-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED5211ADD746A18&compId=BZT52Cxx_ser.pdf?ci_sign=95d454b64d194db3b460a4ff8a5c90b54420aea6
BZT52C8V2-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.89 грн
87+4.64 грн
112+3.58 грн
170+2.36 грн
1600+1.41 грн
3000+1.33 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C8V2-7-F DZ23C2V7-DZ23C51.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C8V2Q-7-F ds18004.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 8.2V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20200CT-13 MBRB20200CT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.89V
Leakage current: 10mA
Max. forward impulse current: 170A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20200CT-13 MBRD20200CT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 200V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: DPAK
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5320T-7 DSS5320T.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; 600mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 20V
Current gain: 100...220
Quantity in set/package: 3000pcs.
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...180MHz
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B330A-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EA383D53230469&compId=B320A-13-F.pdf?ci_sign=edde656f9367791a6672056dbd13e96b0d748afe
B330A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 30V; 3A; reel,tape; 850mW
Power dissipation: 0.85W
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 200pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 80A
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.40 грн
21+19.66 грн
25+17.18 грн
100+13.83 грн
250+12.07 грн
500+10.95 грн
1000+9.91 грн
2000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
B330-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE891DDE384AD3893D3&compId=b320-360.pdf?ci_sign=a7c4b845509518010457286ef84ddac7dd4d2bb2
B330-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 30V; 3A; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 200pF
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 30V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.15 грн
15+26.86 грн
17+24.14 грн
100+16.54 грн
250+14.23 грн
500+12.79 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2F34FHTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CBF247D42A18BF&compId=ZXMN2F34FH.pdf?ci_sign=799affe8426fd8dcc5d6bb0a5196f1cffc52a0d7
ZXMN2F34FHTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.9A; 0.95W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 0.95W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.52 грн
28+14.71 грн
32+12.71 грн
50+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 ABS210.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; SOPA4
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Case: SOPA4
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Leads: soldering pads
Max. load current: 2A
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ16AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 17.8÷19.7V; 57.7A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 57.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100A-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ100A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 111÷123V; 2.5A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 100V
Breakdown voltage: 111...123V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.22 грн
30+13.43 грн
36+11.11 грн
100+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100CA-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ100CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 111÷123V; 2.5A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 100V
Breakdown voltage: 111...123V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10A45SP5-13 SBR10A45SP5.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SBR®; SMD; 45V; 10A
Mounting: SMD
Case: PowerDI®5
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SBR®
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.53V
Load current: 10A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13 DMN1004UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 12V
Gate charge: 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
On-state resistance: 12.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 103nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.94W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -10A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 33.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13 DMP3018SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3036SFV-13 DMP3036SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -80A; 2.3W
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 16.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-13 DMT2004UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LFV-13 DMT69M8LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.9A; Idm: 60A; 2.2W
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 2.2W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain current: 8.9A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2
DMMT5551S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC3025LSDQ-13 DMHC3025LSDQ_ds.pdf
DMHC3025LSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.1/-4.3A; Idm: 60÷-30A
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 40/80mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6.1/-4.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Pulsed drain current: 60...-30A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT04T14-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70BF021E3E0D3&compId=74AHCT04.pdf?ci_sign=0e24153ef9bf53f04a7a698e97f691b9fe46b158
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: AHCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT04S14-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70BF021E2E0D3&compId=74AHCT04.pdf?ci_sign=43a8565fa61cbe99c83ebef35db1c07a9957a5b4
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS,TTL; SMD; SO14; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 6
Number of inputs: 1
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: push-pull
Family: AHCT
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 870mA; 320mW; automotive industry; SMT
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.32W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 870mA
Gate-source voltage: 6V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2DD2679-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEE8CD0E25B72143&compId=2DD2679.pdf?ci_sign=0a8e99213e0100f76a2e4a465697386013dba603
2DD2679-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 900mW; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 240MHz
Current gain: 270...680
Quantity in set/package: 2500pcs.
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.27 грн
22+18.94 грн
100+13.11 грн
500+10.31 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FCX495TA FCX495.pdf
FCX495TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 2A
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.04 грн
18+22.54 грн
100+16.23 грн
200+14.55 грн
500+12.55 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AL5817MP-13 AL5817.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; MSOP8EP; 15mA; Ch: 1; 4.5÷60VDC
Case: MSOP8EP
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 15mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...60V DC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC05T14-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E70AF034FA80D3&compId=74AHC05.pdf?ci_sign=5f80977ad5823ca24149439ffc4ff0f5686d638d
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 2÷5.5VDC; AHC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHC
Kind of output: open drain
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Kind of integrated circuit: inverter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFDF-7 DMT2004UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 11.2A; Idm: 70A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11.2A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFG-7 DMT2004UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2004UFV-7 DMT2004UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 55A; Idm: 90A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 55A
Gate charge: 53.7nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT2005UDV-13 DMT2005UDV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 40A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Pulsed drain current: 70A
Drain current: 40A
Gate charge: 46.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3066LQ-13 DMN3066LQ.pdf
DMN3066LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 21A; 1.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 1.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 4.1nC
Pulsed drain current: 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP04G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CD8E613AAA733D7&compId=KBP005G_ser.pdf?ci_sign=471abe1c817507136ba76f3ade949bcde4486439
KBP04G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP04G ds21203.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 40A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 40A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2311AMP-13 AP23x1A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Mounting: SMD
Case: MSOP8EP
Active logical level: high
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 70mΩ
Output current: 2A
Number of channels: 1
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC1028UVT-13 DMC1028UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LVT-13 DMN3060LVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51CA-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ51CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.80 грн
27+14.87 грн
32+12.87 грн
50+8.71 грн
100+7.51 грн
500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CA-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ54CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D5V0P4URL6SO-7 D5V0P4URL6SO.pdf
D5V0P4URL6SO-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4.5V; 20A; unidirectional; SOT23-6; Ch: 4
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4.5V
Max. forward impulse current: 20A
Application: HDMI
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS array
Capacitance: 3pF
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V0S-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED534E388BC6A18&compId=BZT52CxxS_ser.pdf?ci_sign=19b509c5a9084fd233a8e598b6a776ae01cc116a
BZT52C3V0S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT458QTA FMMT458.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.225A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 0.225A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Current gain: 15...300
Pulsed collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CC216436A758BF&compId=ZXMN6A09G.pdf?ci_sign=04dbc1273ac4c3eb2ce59b14697641c045db5b7a
ZXMN6A09GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.59 грн
10+71.77 грн
15+66.10 грн
50+52.75 грн
100+47.16 грн
200+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMC6A09DN8TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B7E25FB2D91BF&compId=ZXMC6A09DN8TA.pdf?ci_sign=c66943eacf319df19153cba6185df9177d2c8bb8
ZXMC6A09DN8TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.045/0.055Ω
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 4.8/-5.1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A09KTC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CBC341120678BF&compId=ZXMN10A09K.pdf?ci_sign=3f2949a1a3d78163da9615e4694cdd4317761576
ZXMN10A09KTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 4.31W
Drain current: 7.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GQTA ZXMN6A09GQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Transistors - Unclassified
Description: ZXMN6A09GQTA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC ZXMN6A09K.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004K-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA3CA5FD6FE748&compId=DMP2004K.pdf?ci_sign=0f2e2648481c019baa8fd6e1a50e7a79e6d3eaa4
DMP2004K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -600mA
On-state resistance: 2Ω
Power dissipation: 0.55W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.08 грн
35+11.43 грн
52+7.83 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+3.93 грн
1500+3.60 грн
3000+3.11 грн
6000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BCM846BS-7 BCM846BS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT459QTA FMMT459Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 0.15A; 806mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.5A
Current gain: 50...120
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1213A-02SR-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE984FD3EF5C2B178BF&compId=D1213A-02SR.pdf?ci_sign=f26653fc9b86e82e84f472e6500285f2defe62ac
D1213A-02SR-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; 0.4W; unidirectional; SOT143; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.85pF
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.4W
Version: ESD
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.99 грн
18+22.38 грн
21+19.34 грн
100+11.91 грн
500+8.95 грн
1000+8.07 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1247  [ Наступна Сторінка >> ]