Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (71657) > Сторінка 331 з 1195

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 357 476 595 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AP9214L-AH-HSB-7 AP9214L-AH-HSB-7 Diodes Incorporated AP9214L.pdf Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: U-DFN2535-6
Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.38 грн
10+61.26 грн
25+58.16 грн
100+44.84 грн
250+41.91 грн
500+37.04 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341SNTR-G1 Diodes Incorporated AP4341S.pdf Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341SNTR-G1 Diodes Incorporated AP4341S.pdf Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341SNTR-G1 Diodes Incorporated AP4341S.pdf Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819HW1-7-F 1N5819HW1-7-F Diodes Incorporated 1N5819HW1.pdf Description: DIODE SBR 40V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 10548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
15+20.77 грн
100+13.20 грн
500+9.29 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BS-7-F BCM857BS-7-F Diodes Incorporated BCM857BS.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 31775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.98 грн
50+6.04 грн
100+5.65 грн
500+4.31 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7 DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated DMN2010UDZ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13 DMP6050SFG-13 Diodes Incorporated DMP6050SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.73 грн
10+44.34 грн
100+28.97 грн
500+20.99 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated DMT6009LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.60 грн
10+67.45 грн
100+44.93 грн
500+33.10 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS-13 Diodes Incorporated DMT6015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.48 грн
10+58.69 грн
100+38.85 грн
500+28.44 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.11 грн
10+68.36 грн
100+47.98 грн
500+36.48 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13 DMTH4007LK3-13 Diodes Incorporated DMTH4007LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS-13 Diodes Incorporated DMTH4007LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.10 грн
10+51.06 грн
100+37.46 грн
500+29.50 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13 DMTH4007SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13 DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated DMG4N60SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL.pdf Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.19 грн
6000+23.40 грн
9000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13 DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated DMT3004LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated DMT6009LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated DMT6010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3-13 DMTH3004LK3-13 Diodes Incorporated DMTH3004LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTB-13 DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTB.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SK3-13 DMTH4004SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4004SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.78 грн
5000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13 DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6005LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF-13 Diodes Incorporated PDR5KF.pdf Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-13 SBR10B45P5-13 Diodes Incorporated SBR10B45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.38 грн
10000+9.83 грн
15000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7 SBR10B45P5-7 Diodes Incorporated SBR10B45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.96 грн
3000+11.16 грн
7500+10.59 грн
10500+9.23 грн
37500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR30E45CTB SBR30E45CTB Diodes Incorporated SBR30E45CTB.pdf Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263AB
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13 DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated DMG4N60SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL.pdf Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.19 грн
10+61.26 грн
100+40.58 грн
500+29.75 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13 DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated DMT3004LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.11 грн
10+63.90 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.36 грн
10+74.93 грн
100+50.18 грн
500+37.14 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated DMT6009LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.60 грн
10+67.23 грн
100+44.78 грн
500+32.98 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated DMT6010LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.64 грн
10+79.16 грн
100+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTB-13 DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTB.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
10+91.40 грн
100+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SK3-13 DMTH4004SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4004SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 24268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.56 грн
10+80.75 грн
100+52.84 грн
500+39.32 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13 DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6005LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.32 грн
10+77.88 грн
100+54.65 грн
500+43.41 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF-13 Diodes Incorporated PDR5KF.pdf Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-13 SBR10B45P5-13 Diodes Incorporated SBR10B45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 85110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
12+25.53 грн
100+20.80 грн
500+14.63 грн
1000+11.86 грн
2000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7 SBR10B45P5-7 Diodes Incorporated SBR10B45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 94806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
11+28.33 грн
100+19.68 грн
500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF-13 Diodes Incorporated PDR5KF.pdf Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7D SBR10B45P5-7D Diodes Incorporated SBR10B45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR30E45CTB-13 SBR30E45CTB-13 Diodes Incorporated SBR30E45CTB.pdf Description: DIODE SBR 45V 10A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65352SP-13 AP65352SP-13 Diodes Incorporated Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 650kHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.765V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65454SP-13 AP65454SP-13 Diodes Incorporated AP65454.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A SO-8EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65454SP-13 AP65454SP-13 Diodes Incorporated AP65454.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A SO-8EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X2G404SLBFDE PI7C9X2G404SLBFDE Diodes Incorporated PI7C9X2G404SL_Sept2017_DS.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 128LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PCI Express
Applications: Packet Switch, 4-Port/4-Lane
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Part Status: Active
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.98 грн
10+647.70 грн
90+558.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116S92-7 BAV116S92-7 Diodes Incorporated BAV116S92_Rev4-3_Nov2021.pdf Description: DIODE STANDARD 85V 215MA SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116S92-7 BAV116S92-7 Diodes Incorporated BAV116S92_Rev4-3_Nov2021.pdf Description: DIODE STANDARD 85V 215MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.66 грн
100+31.31 грн
500+22.79 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-12FS4-7B AP7343D-12FS4-7B Diodes Incorporated AP7343.pdf Description: IC REG LINEAR 1.2V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.58V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.04 грн
10+33.69 грн
25+27.80 грн
100+19.85 грн
250+16.77 грн
500+14.88 грн
1000+13.08 грн
2500+11.40 грн
5000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-27FS4-7B AP7343D-27FS4-7B Diodes Incorporated AP7343.pdf Description: IC REG LINEAR 2.7V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 300mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-28FS4-7B AP7343D-28FS4-7B Diodes Incorporated AP7343.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 114082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-18FS4-7B AP7343D-18FS4-7B Diodes Incorporated AP7343.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.39V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-33FS4-7B AP7343D-33FS4-7B Diodes Incorporated AP7343.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 869976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP9214L-AH-HSB-7 AP9214L.pdf
AP9214L-AH-HSB-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BATT PROT LI-ION 1CELL 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Protection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: U-DFN2535-6
Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
10+61.26 грн
25+58.16 грн
100+44.84 грн
250+41.91 грн
500+37.04 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341S.pdf
AP4341SNTR-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341S.pdf
AP4341SNTR-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP4341SNTR-G1 AP4341S.pdf
AP4341SNTR-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ACDC PSR ACCEL SOT23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819HW1-7-F 1N5819HW1.pdf
1N5819HW1-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: Super Barrier
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 10548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.30 грн
15+20.77 грн
100+13.20 грн
500+9.29 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BS-7-F BCM857BS.pdf
BCM857BS-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 31775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.98 грн
50+6.04 грн
100+5.65 грн
500+4.31 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2010UDZ-7 DMN2010UDZ.pdf
DMN2010UDZ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13 DMP6050SFG.pdf
DMP6050SFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.73 грн
10+44.34 грн
100+28.97 грн
500+20.99 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
DMT6009LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.60 грн
10+67.45 грн
100+44.93 грн
500+33.10 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LPS-13 DMT6015LPS.pdf
DMT6015LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.16W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.48 грн
10+58.69 грн
100+38.85 грн
500+28.44 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS.pdf
DMTH4004SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.11 грн
10+68.36 грн
100+47.98 грн
500+36.48 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LK3-13 DMTH4007LK3.pdf
DMTH4007LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS.pdf
DMTH4007LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+51.06 грн
100+37.46 грн
500+29.50 грн
1000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPS-13 DMTH4007SPS.pdf
DMTH4007SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13 DMG4N60SK3.pdf
DMG4N60SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
DMN1250UFEL-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.19 грн
6000+23.40 грн
9000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13 DMT3004LPS.pdf
DMT3004LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG.pdf
DMT6007LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS.pdf
DMT6010LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS.pdf
DMT69M8LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH3004LK3-13 DMTH3004LK3.pdf
DMTH3004LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTB-13 DMTH4004SCTB.pdf
DMTH4004SCTB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SK3-13 DMTH4004SK3.pdf
DMTH4004SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.78 грн
5000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD.pdf
DMTH4007SPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13 DMTH6005LPS.pdf
DMTH6005LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF.pdf
PDR5KF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-13 SBR10B45P5.pdf
SBR10B45P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.38 грн
10000+9.83 грн
15000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7 SBR10B45P5.pdf
SBR10B45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 94500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+12.96 грн
3000+11.16 грн
7500+10.59 грн
10500+9.23 грн
37500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR30E45CTB SBR30E45CTB.pdf
SBR30E45CTB
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY SBR 45V 15A TO263AB
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4N60SK3-13 DMG4N60SK3.pdf
DMG4N60SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
DMN1250UFEL-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.19 грн
10+61.26 грн
100+40.58 грн
500+29.75 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3004LPS-13 DMT3004LPS.pdf
DMT3004LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 15 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.11 грн
10+63.90 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG.pdf
DMT6007LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.36 грн
10+74.93 грн
100+50.18 грн
500+37.14 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.60 грн
10+67.23 грн
100+44.78 грн
500+32.98 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LSS-13 DMT6010LSS.pdf
DMT6010LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.64 грн
10+79.16 грн
100+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS.pdf
DMT69M8LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTB-13 DMTH4004SCTB.pdf
DMTH4004SCTB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.99 грн
10+91.40 грн
100+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SK3-13 DMTH4004SK3.pdf
DMTH4004SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPD-13 DMTH4007SPD.pdf
DMTH4007SPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 24268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.56 грн
10+80.75 грн
100+52.84 грн
500+39.32 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13 DMTH6005LPS.pdf
DMTH6005LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 4896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.32 грн
10+77.88 грн
100+54.65 грн
500+43.41 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF.pdf
PDR5KF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-13 SBR10B45P5.pdf
SBR10B45P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 85110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.00 грн
12+25.53 грн
100+20.80 грн
500+14.63 грн
1000+11.86 грн
2000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7 SBR10B45P5.pdf
SBR10B45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 380 µA @ 45 V
на замовлення 94806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
11+28.33 грн
100+19.68 грн
500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LSS-13 DMT69M8LSS.pdf
DMT69M8LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDR5KF-13 PDR5KF.pdf
PDR5KF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE FAST 800V 5A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10B45P5-7D SBR10B45P5.pdf
SBR10B45P5-7D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR30E45CTB-13 SBR30E45CTB.pdf
SBR30E45CTB-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 10A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65352SP-13
AP65352SP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 650kHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.765V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65454SP-13 AP65454.pdf
AP65454SP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG BUCK ADJ 4A SO-8EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP65454SP-13 AP65454.pdf
AP65454SP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG BUCK ADJ 4A SO-8EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI7C9X2G404SLBFDE PI7C9X2G404SL_Sept2017_DS.pdf
PI7C9X2G404SLBFDE
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 128LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PCI Express
Applications: Packet Switch, 4-Port/4-Lane
Supplier Device Package: 128-LQFP (14x14)
Part Status: Active
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.98 грн
10+647.70 грн
90+558.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116S92-7 BAV116S92_Rev4-3_Nov2021.pdf
BAV116S92-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 85V 215MA SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116S92-7 BAV116S92_Rev4-3_Nov2021.pdf
BAV116S92-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 85V 215MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ.pdf
DMC3028LSDXQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 41107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.22 грн
10+47.66 грн
100+31.31 грн
500+22.79 грн
1000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-12FS4-7B AP7343.pdf
AP7343D-12FS4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 1.2V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.58V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 9648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.04 грн
10+33.69 грн
25+27.80 грн
100+19.85 грн
250+16.77 грн
500+14.88 грн
1000+13.08 грн
2500+11.40 грн
5000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-27FS4-7B AP7343.pdf
AP7343D-27FS4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 2.7V 300MA 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 300mA
Protection Features: Over Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-28FS4-7B AP7343.pdf
AP7343D-28FS4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 2.8V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 114082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-18FS4-7B AP7343.pdf
AP7343D-18FS4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 1.8V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.39V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 10875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP7343D-33FS4-7B AP7343.pdf
AP7343D-33FS4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 3.3V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.29V @ 300mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 869976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+36.03 грн
25+29.79 грн
100+21.29 грн
250+18.03 грн
500+16.02 грн
1000+14.10 грн
2500+12.31 грн
5000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 326 327 328 329 330 331 332 333 334 335 336 357 476 595 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]