Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5614) > Сторінка 34 з 94

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 45 54 63 72 81 90 94  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1431.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2307.83 грн
10+1624.70 грн
100+1378.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A GE12MPS06A GeneSiC Semiconductor Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Max: 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2449.20 грн
10+1730.08 грн
100+1485.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W GBPC1510W GeneSiC Semiconductor gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08 GeneSiC Semiconductor gbl06.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+112.41 грн
10+75.04 грн
25+64.85 грн
100+48.70 грн
250+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100AD MSRT100100AD GeneSiC Semiconductor msrt100100ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120AD MSRT100120AD GeneSiC Semiconductor msrt100120ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140AD MSRT100140AD GeneSiC Semiconductor msrt100140ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160AD MSRT100160AD GeneSiC Semiconductor msrt100160ad.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080AD MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor msrt10080ad.pdf Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100D MSRT100100D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120D MSRT100120D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160D MSRT100160D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080D MSRT10080D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140D MSRT100140D GeneSiC Semiconductor msrt100160d.pdf Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060D MSRT10060D GeneSiC Semiconductor msrt100100d.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W GBPC3504W GeneSiC Semiconductor gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1n2128a.pdf Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.87 грн
10+188.37 грн
25+160.86 грн
100+121.79 грн
250+107.46 грн
500+98.65 грн
1000+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.07 грн
10+329.17 грн
25+314.51 грн
100+275.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1199A 1N1199A GeneSiC Semiconductor 1n1199a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1n3889.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W GBPC3510W GeneSiC Semiconductor gbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G GeneSiC Semiconductor kbj4005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100 MBRT120100 GeneSiC Semiconductor mbrt120100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100R MBRT120100R GeneSiC Semiconductor mbrt120100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7535 GeneSiC Semiconductor mbr7520.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7545 GeneSiC Semiconductor mbr75100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A MSRT250100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W GBPC3501W GeneSiC Semiconductor gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTRL MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.24 грн
10+95.97 грн
25+75.18 грн
100+66.05 грн
250+61.25 грн
400+51.49 грн
1200+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.99 грн
10+86.46 грн
25+65.11 грн
100+52.67 грн
250+45.74 грн
500+41.17 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W GBPC2502W GeneSiC Semiconductor gbpc2502w.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.57 грн
10+259.83 грн
25+206.26 грн
100+179.49 грн
250+163.75 грн
500+152.73 грн
1000+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2504T KBPC2504T GeneSiC Semiconductor kbpc2504t.pdf Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.69 грн
10+239.92 грн
25+189.73 грн
100+163.75 грн
250+148.00 грн
500+139.34 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3508W KBPC3508W GeneSiC Semiconductor kbpc3508w.pdf Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G GBU15G GeneSiC Semiconductor gbu15g-3477831.pdf Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.36 грн
10+99.59 грн
25+75.58 грн
100+61.72 грн
250+53.85 грн
500+48.65 грн
1000+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2510G KBJ2510G GeneSiC Semiconductor kbj2510g-3477718.pdf Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC15005W KBPC15005W GeneSiC Semiconductor kbpc15005w.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.75 грн
10+229.05 грн
25+181.07 грн
100+156.66 грн
250+142.49 грн
500+132.26 грн
1000+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W KBPC1502W GeneSiC Semiconductor kbpc1502w.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.75 грн
10+229.05 грн
25+181.07 грн
100+156.66 грн
250+142.49 грн
500+132.26 грн
1000+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2501W KBPC2501W GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.69 грн
10+239.92 грн
25+189.73 грн
100+164.54 грн
250+149.58 грн
500+139.34 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC35005W KBPC35005W GeneSiC Semiconductor kbpc35005w.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3501T KBPC3501T GeneSiC Semiconductor kbpc3501t.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1501W KBPC1501W GeneSiC Semiconductor kbpc1501w-3481915.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2504G KBJ2504G GeneSiC Semiconductor kbj2504g-2450633.pdf Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.82 грн
10+154.81 грн
25+121.24 грн
100+103.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
W02M GeneSiC Semiconductor W005M%7EW10M.pdf %5BLumimax%5DW005M-W10M.pdf Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1431.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2307.83 грн
10+1624.70 грн
100+1378.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE12MPS06A
GE12MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Max: 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2449.20 грн
10+1730.08 грн
100+1485.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W gbpc1506t.pdf
GBPC1510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL08 gbl06.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.41 грн
10+75.04 грн
25+64.85 грн
100+48.70 грн
250+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100AD msrt100100ad.pdf
MSRT100100AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120AD msrt100120ad.pdf
MSRT100120AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140AD msrt100140ad.pdf
MSRT100140AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160AD msrt100160ad.pdf
MSRT100160AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080AD msrt10080ad.pdf
MSRT10080AD
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100100D msrt100100d.pdf
MSRT100100D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100120D msrt100160d.pdf
MSRT100120D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100160D msrt100160d.pdf
MSRT100160D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10080D msrt100100d.pdf
MSRT10080D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 800V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT100140D msrt100160d.pdf
MSRT100140D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT10060D msrt100100d.pdf
MSRT10060D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W gbpc35005t.pdf
GBPC3504W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N2128AR 1n2128a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.87 грн
10+188.37 грн
25+160.86 грн
100+121.79 грн
250+107.46 грн
500+98.65 грн
1000+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.07 грн
10+329.17 грн
25+314.51 грн
100+275.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1199A 1n1199a.pdf
1N1199A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K gbu6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893 1n3889.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K gbu4j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W gbpc3506t.pdf
GBPC3510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G kbj4005g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100 mbrt120100.pdf
MBRT120100
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100R mbrt120100.pdf
MBRT120100R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7535 mbr7520.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7545 mbr75100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A
MSRT250100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf
MSRTA400100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A
MSRTA500100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W gbpc35005t.pdf
GBPC3501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.79 грн
10+262.50 грн
25+240.54 грн
100+197.82 грн
250+181.26 грн
500+169.70 грн
1000+156.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G kbl406g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL.pdf
MBR60020CTL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTRL MBR60020CTRL.pdf
MBR60020CTRL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ctr.pdf
MBR60020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR mbr60020ctr.pdf
MBR60020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR mbr600150ct.pdf
MBR600200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G kbu8g.pdf
KBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.24 грн
10+95.97 грн
25+75.18 грн
100+66.05 грн
250+61.25 грн
400+51.49 грн
1200+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.99 грн
10+86.46 грн
25+65.11 грн
100+52.67 грн
250+45.74 грн
500+41.17 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W gbpc2502w.pdf
GBPC2502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.57 грн
10+259.83 грн
25+206.26 грн
100+179.49 грн
250+163.75 грн
500+152.73 грн
1000+148.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2504T kbpc2504t.pdf
KBPC2504T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.69 грн
10+239.92 грн
25+189.73 грн
100+163.75 грн
250+148.00 грн
500+139.34 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3508W kbpc3508w.pdf
KBPC3508W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G gbu15g-3477831.pdf
GBU15G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.36 грн
10+99.59 грн
25+75.58 грн
100+61.72 грн
250+53.85 грн
500+48.65 грн
1000+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2510G kbj2510g-3477718.pdf
KBJ2510G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC15005W kbpc15005w.pdf
KBPC15005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.75 грн
10+229.05 грн
25+181.07 грн
100+156.66 грн
250+142.49 грн
500+132.26 грн
1000+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W kbpc1502w.pdf
KBPC1502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.75 грн
10+229.05 грн
25+181.07 грн
100+156.66 грн
250+142.49 грн
500+132.26 грн
1000+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2501W kbpc2501w.pdf
KBPC2501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.69 грн
10+239.92 грн
25+189.73 грн
100+164.54 грн
250+149.58 грн
500+139.34 грн
1000+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC35005W kbpc35005w.pdf
KBPC35005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3501T kbpc3501t.pdf
KBPC3501T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.14 грн
10+254.40 грн
25+201.54 грн
100+175.56 грн
250+160.60 грн
500+149.58 грн
1000+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1501W kbpc1501w-3481915.pdf
KBPC1501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2504G kbj2504g-2450633.pdf
KBJ2504G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
10+154.81 грн
25+121.24 грн
100+103.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
W02M W005M%7EW10M.pdf %5BLumimax%5DW005M-W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 45 54 63 72 81 90 94  [ Наступна Сторінка >> ]