Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 29 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2557.67 грн
10+2092.62 грн
30+1813.37 грн
100+1720.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2608.16 грн
10+2306.99 грн
25+2230.39 грн
100+1989.40 грн
250+1922.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2389.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2557.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+9891.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7612.54 грн
10+6820.75 грн
30+5879.26 грн
100+5832.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+9404.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11743.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7439.16 грн
10+6647.97 грн
25+6453.30 грн
100+5789.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.50 грн
10+346.35 грн
25+287.17 грн
100+268.26 грн
250+255.65 грн
500+246.54 грн
1000+238.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.31 грн
10+329.77 грн
25+315.23 грн
100+275.32 грн
250+263.02 грн
500+254.14 грн
1000+241.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.86 грн
10+346.00 грн
25+330.95 грн
100+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.11 грн
10+346.35 грн
30+281.57 грн
120+271.06 грн
270+262.65 грн
510+253.55 грн
2520+248.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.41 грн
5+476.40 грн
10+418.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.87 грн
10+436.30 грн
25+417.63 грн
100+371.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.59 грн
10+479.26 грн
25+399.23 грн
100+372.62 грн
250+356.51 грн
500+345.30 грн
1000+343.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.74 грн
10+592.38 грн
25+567.72 грн
100+500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+689.67 грн
10+589.61 грн
30+480.48 грн
120+460.17 грн
270+453.87 грн
510+439.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.58 грн
10+761.21 грн
25+730.07 грн
100+643.11 грн
250+640.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+541.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.62 грн
10+622.43 грн
25+603.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1199.58 грн
120+1142.62 грн
270+1103.26 грн
510+1048.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.18 грн
10+947.24 грн
30+783.06 грн
120+752.94 грн
270+731.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.27 грн
10+1005.91 грн
25+968.81 грн
100+859.22 грн
250+828.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1119.61 грн
120+1066.45 грн
270+1029.71 грн
510+978.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+872.71 грн
10+774.87 грн
30+645.78 грн
120+605.86 грн
270+580.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+779.30 грн
10+674.78 грн
25+647.21 грн
100+570.57 грн
250+546.71 грн
500+529.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3094.33 грн
10+2756.27 грн
25+2672.21 грн
100+2392.45 грн
250+2319.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3238.35 грн
10+2952.06 грн
30+2488.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3672.26 грн
5+3574.20 грн
10+3471.24 грн
25+3175.49 грн
50+2888.50 грн
100+2715.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A-2308132.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.54 грн
10+128.88 грн
25+105.76 грн
100+97.36 грн
250+91.75 грн
500+87.55 грн
1000+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.90 грн
10+137.11 грн
25+129.72 грн
100+112.01 грн
250+105.96 грн
500+101.67 грн
1000+95.86 грн
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.01 грн
10+108.66 грн
25+102.74 грн
100+88.51 грн
250+83.67 грн
500+80.18 грн
1000+75.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E-2308147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.73 грн
10+120.02 грн
25+98.06 грн
100+90.35 грн
250+85.45 грн
500+81.95 грн
1000+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.03 грн
10+99.07 грн
25+81.25 грн
100+74.94 грн
250+70.74 грн
500+68.64 грн
2500+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.96 грн
10+156.08 грн
25+147.78 грн
100+127.63 грн
250+120.84 грн
500+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E-2449760.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.24 грн
10+148.21 грн
25+121.87 грн
50+112.07 грн
100+105.76 грн
250+102.26 грн
500+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.09 грн
10+174.29 грн
25+148.84 грн
100+112.69 грн
250+99.43 грн
500+91.28 грн
1000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.00 грн
10+123.24 грн
25+100.86 грн
100+92.45 грн
250+88.25 грн
500+84.05 грн
1000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q.pdf Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E-2449700.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.65 грн
10+175.59 грн
25+144.99 грн
100+133.78 грн
250+126.77 грн
500+121.87 грн
1000+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR GE08MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163669-3479648.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.33 грн
10+145.79 грн
25+119.77 грн
100+110.67 грн
250+105.06 грн
500+100.86 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q.pdf Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor GE10MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor GE10MPS06A.pdf Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.03 грн
10+220.65 грн
25+209.73 грн
100+182.31 грн
250+173.25 грн
500+166.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E-2449344.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.70 грн
10+202.98 грн
25+168.10 грн
100+155.49 грн
250+148.49 грн
500+142.18 грн
1000+137.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR GE10MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.66 грн
10+168.34 грн
25+139.38 грн
100+128.88 грн
250+122.57 грн
500+118.37 грн
1000+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2557.67 грн
10+2092.62 грн
30+1813.37 грн
100+1720.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2608.16 грн
10+2306.99 грн
25+2230.39 грн
100+1989.40 грн
250+1922.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2389.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2557.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+9891.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7612.54 грн
10+6820.75 грн
30+5879.26 грн
100+5832.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+9404.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11743.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7439.16 грн
10+6647.97 грн
25+6453.30 грн
100+5789.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.50 грн
10+346.35 грн
25+287.17 грн
100+268.26 грн
250+255.65 грн
500+246.54 грн
1000+238.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.31 грн
10+329.77 грн
25+315.23 грн
100+275.32 грн
250+263.02 грн
500+254.14 грн
1000+241.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.86 грн
10+346.00 грн
25+330.95 грн
100+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.11 грн
10+346.35 грн
30+281.57 грн
120+271.06 грн
270+262.65 грн
510+253.55 грн
2520+248.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.41 грн
5+476.40 грн
10+418.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.87 грн
10+436.30 грн
25+417.63 грн
100+371.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.59 грн
10+479.26 грн
25+399.23 грн
100+372.62 грн
250+356.51 грн
500+345.30 грн
1000+343.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.74 грн
10+592.38 грн
25+567.72 грн
100+500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.67 грн
10+589.61 грн
30+480.48 грн
120+460.17 грн
270+453.87 грн
510+439.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+878.58 грн
10+761.21 грн
25+730.07 грн
100+643.11 грн
250+640.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+541.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.62 грн
10+622.43 грн
25+603.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1199.58 грн
120+1142.62 грн
270+1103.26 грн
510+1048.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1076.18 грн
10+947.24 грн
30+783.06 грн
120+752.94 грн
270+731.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1147.27 грн
10+1005.91 грн
25+968.81 грн
100+859.22 грн
250+828.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1119.61 грн
120+1066.45 грн
270+1029.71 грн
510+978.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.71 грн
10+774.87 грн
30+645.78 грн
120+605.86 грн
270+580.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.30 грн
10+674.78 грн
25+647.21 грн
100+570.57 грн
250+546.71 грн
500+529.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3094.33 грн
10+2756.27 грн
25+2672.21 грн
100+2392.45 грн
250+2319.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3238.35 грн
10+2952.06 грн
30+2488.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3672.26 грн
5+3574.20 грн
10+3471.24 грн
25+3175.49 грн
50+2888.50 грн
100+2715.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A-2308132.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.54 грн
10+128.88 грн
25+105.76 грн
100+97.36 грн
250+91.75 грн
500+87.55 грн
1000+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.90 грн
10+137.11 грн
25+129.72 грн
100+112.01 грн
250+105.96 грн
500+101.67 грн
1000+95.86 грн
2500+95.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.01 грн
10+108.66 грн
25+102.74 грн
100+88.51 грн
250+83.67 грн
500+80.18 грн
1000+75.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E-2308147.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.73 грн
10+120.02 грн
25+98.06 грн
100+90.35 грн
250+85.45 грн
500+81.95 грн
1000+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E-3479634.pdf
GE04MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.03 грн
10+99.07 грн
25+81.25 грн
100+74.94 грн
250+70.74 грн
500+68.64 грн
2500+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.96 грн
10+156.08 грн
25+147.78 грн
100+127.63 грн
250+120.84 грн
500+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E-2449760.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.24 грн
10+148.21 грн
25+121.87 грн
50+112.07 грн
100+105.76 грн
250+102.26 грн
500+97.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.09 грн
10+174.29 грн
25+148.84 грн
100+112.69 грн
250+99.43 грн
500+91.28 грн
1000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666-3479785.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.00 грн
10+123.24 грн
25+100.86 грн
100+92.45 грн
250+88.25 грн
500+84.05 грн
1000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q.pdf
GE06MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E-2449700.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.65 грн
10+175.59 грн
25+144.99 грн
100+133.78 грн
250+126.77 грн
500+121.87 грн
1000+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR Genesic_07032024_3163669-3479648.pdf
GE08MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.33 грн
10+145.79 грн
25+119.77 грн
100+110.67 грн
250+105.06 грн
500+100.86 грн
1000+96.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q.pdf
GE08MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A.pdf
GE10MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06A GE10MPS06A.pdf
GE10MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.03 грн
10+220.65 грн
25+209.73 грн
100+182.31 грн
250+173.25 грн
500+166.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E-2449344.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.70 грн
10+202.98 грн
25+168.10 грн
100+155.49 грн
250+148.49 грн
500+142.18 грн
1000+137.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E-TR Genesic_07032024_3163668-3479722.pdf
GE10MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.66 грн
10+168.34 грн
25+139.38 грн
100+128.88 грн
250+122.57 грн
500+118.37 грн
1000+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]