Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 29 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2435.00 грн
10+2205.09 грн
30+1869.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2612.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X60MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 176A
Max. forward impulse current: 0.336kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2610.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2600.20 грн
10+2299.96 грн
25+2223.58 грн
100+1983.34 грн
250+1917.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10093.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11707.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10281.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7589.33 грн
10+6799.95 грн
30+5861.33 грн
100+5814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.29 грн
10+345.30 грн
25+286.29 грн
100+267.44 грн
250+254.87 грн
500+245.79 грн
1000+237.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 33A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 33A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.14 грн
10+328.76 грн
25+314.27 грн
100+274.48 грн
250+262.22 грн
500+253.37 грн
1000+240.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.84 грн
10+345.30 грн
30+280.71 грн
120+270.23 грн
270+261.85 грн
510+252.78 грн
2520+247.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.64 грн
10+344.95 грн
25+329.94 грн
100+289.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+459.83 грн
10+365.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.93 грн
10+477.80 грн
25+398.02 грн
100+371.48 грн
250+355.42 грн
500+344.25 грн
1000+342.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.78 грн
5+474.94 грн
10+417.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.50 грн
5+332.00 грн
25+321.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.33 грн
10+434.97 грн
25+416.36 грн
100+370.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.57 грн
10+587.81 грн
30+479.02 грн
120+458.77 грн
270+452.48 грн
510+437.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.65 грн
10+590.57 грн
25+565.99 грн
100+498.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.90 грн
10+758.89 грн
25+727.84 грн
100+641.14 грн
250+638.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+539.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.43 грн
10+620.53 грн
25+601.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1224.06 грн
120+1165.94 грн
270+1125.78 грн
510+1069.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.90 грн
10+944.35 грн
30+780.67 грн
120+750.65 грн
270+729.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1224.06 грн
120+1165.94 грн
270+1125.78 грн
510+1069.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.78 грн
10+1002.85 грн
25+965.86 грн
100+856.60 грн
250+825.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.05 грн
10+772.50 грн
30+643.81 грн
120+604.01 грн
270+578.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.92 грн
10+672.72 грн
25+645.23 грн
100+568.83 грн
250+545.04 грн
500+528.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3228.48 грн
10+2943.06 грн
30+2480.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3661.06 грн
5+3563.30 грн
10+3460.66 грн
25+3165.81 грн
50+2879.69 грн
100+2707.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3084.90 грн
10+2747.86 грн
25+2664.06 грн
100+2385.15 грн
250+2311.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.40 грн
10+136.69 грн
25+129.33 грн
100+111.67 грн
250+105.64 грн
500+101.36 грн
1000+95.57 грн
2500+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+115.63 грн
25+95.66 грн
100+87.98 грн
250+83.09 грн
500+79.60 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE04MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.62 грн
10+108.33 грн
25+102.43 грн
100+88.24 грн
250+83.41 грн
500+79.94 грн
1000+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E-2308147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.31 грн
10+119.65 грн
25+97.76 грн
100+90.08 грн
250+85.19 грн
500+81.70 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GeneSiC SEMICONDUCTOR GE04MPS06E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR GE04MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.27 грн
3000+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.78 грн
5+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.39 грн
10+155.60 грн
25+147.33 грн
100+127.24 грн
250+120.47 грн
500+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E-2449760.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.71 грн
10+147.76 грн
25+121.50 грн
50+111.72 грн
100+105.44 грн
250+101.95 грн
500+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+122.86 грн
25+100.55 грн
100+92.17 грн
250+87.98 грн
500+83.79 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.23 грн
10+173.76 грн
25+148.39 грн
100+112.34 грн
250+99.13 грн
500+91.00 грн
1000+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q.pdf Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR GE06MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.17 грн
3000+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2435.00 грн
10+2205.09 грн
30+1869.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2612.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 176A
Max. forward impulse current: 0.336kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2610.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2600.20 грн
10+2299.96 грн
25+2223.58 грн
100+1983.34 грн
250+1917.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+10093.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11707.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+10281.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7589.33 грн
10+6799.95 грн
30+5861.33 грн
100+5814.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+394.29 грн
10+345.30 грн
25+286.29 грн
100+267.44 грн
250+254.87 грн
500+245.79 грн
1000+237.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 33A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 33A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+384.14 грн
10+328.76 грн
25+314.27 грн
100+274.48 грн
250+262.22 грн
500+253.37 грн
1000+240.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+413.84 грн
10+345.30 грн
30+280.71 грн
120+270.23 грн
270+261.85 грн
510+252.78 грн
2520+247.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+400.64 грн
10+344.95 грн
25+329.94 грн
100+289.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+459.83 грн
10+365.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+540.93 грн
10+477.80 грн
25+398.02 грн
100+371.48 грн
250+355.42 грн
500+344.25 грн
1000+342.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+532.78 грн
5+474.94 грн
10+417.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+367.50 грн
5+332.00 грн
25+321.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+504.33 грн
10+434.97 грн
25+416.36 грн
100+370.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+687.57 грн
10+587.81 грн
30+479.02 грн
120+458.77 грн
270+452.48 грн
510+437.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+682.65 грн
10+590.57 грн
25+565.99 грн
100+498.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+875.90 грн
10+758.89 грн
25+727.84 грн
100+641.14 грн
250+638.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+539.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+716.43 грн
10+620.53 грн
25+601.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+1224.06 грн
120+1165.94 грн
270+1125.78 грн
510+1069.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1072.90 грн
10+944.35 грн
30+780.67 грн
120+750.65 грн
270+729.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+1224.06 грн
120+1165.94 грн
270+1125.78 грн
510+1069.81 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 92A
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1143.78 грн
10+1002.85 грн
25+965.86 грн
100+856.60 грн
250+825.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+870.05 грн
10+772.50 грн
30+643.81 грн
120+604.01 грн
270+578.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+776.92 грн
10+672.72 грн
25+645.23 грн
100+568.83 грн
250+545.04 грн
500+528.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3228.48 грн
10+2943.06 грн
30+2480.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3661.06 грн
5+3563.30 грн
10+3460.66 грн
25+3165.81 грн
50+2879.69 грн
100+2707.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 122A
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3084.90 грн
10+2747.86 грн
25+2664.06 грн
100+2385.15 грн
250+2311.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+163.40 грн
10+136.69 грн
25+129.33 грн
100+111.67 грн
250+105.64 грн
500+101.36 грн
1000+95.57 грн
2500+94.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.23 грн
10+115.63 грн
25+95.66 грн
100+87.98 грн
250+83.09 грн
500+79.60 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.62 грн
10+108.33 грн
25+102.43 грн
100+88.24 грн
250+83.41 грн
500+79.94 грн
1000+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E-2308147.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.31 грн
10+119.65 грн
25+97.76 грн
100+90.08 грн
250+85.19 грн
500+81.70 грн
1000+78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR
GE04MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.27 грн
3000+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+135.78 грн
5+114.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.39 грн
10+155.60 грн
25+147.33 грн
100+127.24 грн
250+120.47 грн
500+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 17A
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E-2449760.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.71 грн
10+147.76 грн
25+121.50 грн
50+111.72 грн
100+105.44 грн
250+101.95 грн
500+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.56 грн
10+122.86 грн
25+100.55 грн
100+92.17 грн
250+87.98 грн
500+83.79 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+281.23 грн
10+173.76 грн
25+148.39 грн
100+112.34 грн
250+99.13 грн
500+91.00 грн
1000+82.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q.pdf
GE06MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.17 грн
3000+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]