Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 29 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10098.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+9914.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 33A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 33A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.79 грн
10+343.10 грн
25+284.47 грн
100+265.74 грн
250+253.25 грн
500+244.23 грн
1000+235.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.70 грн
10+326.67 грн
25+312.27 грн
100+272.74 грн
250+260.56 грн
500+251.75 грн
1000+238.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.21 грн
10+343.10 грн
30+278.92 грн
120+268.52 грн
270+260.19 грн
510+251.17 грн
2520+246.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+447.91 грн
10+359.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.09 грн
10+342.76 грн
25+327.84 грн
100+287.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.49 грн
10+474.76 грн
25+395.49 грн
100+369.12 грн
250+353.16 грн
500+342.06 грн
1000+340.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO263-7
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.97 грн
5+323.21 грн
25+319.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.40 грн
5+471.92 грн
10+414.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.12 грн
10+432.20 грн
25+413.71 грн
100+368.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.31 грн
10+586.82 грн
25+562.39 грн
100+495.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.20 грн
10+584.07 грн
30+475.97 грн
120+455.85 грн
270+449.61 грн
510+435.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.33 грн
10+754.06 грн
25+723.21 грн
100+637.07 грн
250+634.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+535.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J-TR GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.88 грн
10+616.58 грн
25+597.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1202.30 грн
120+1145.21 грн
270+1105.76 грн
510+1050.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.08 грн
10+938.35 грн
30+775.71 грн
120+745.88 грн
270+725.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1202.30 грн
120+1145.21 грн
270+1105.76 грн
510+1050.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1136.51 грн
10+996.47 грн
25+959.72 грн
100+851.15 грн
250+820.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor gd50mps12h.pdf Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H-3075533.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.52 грн
10+767.59 грн
30+639.72 грн
120+600.17 грн
270+575.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.98 грн
10+668.45 грн
25+641.13 грн
100+565.21 грн
250+541.58 грн
500+524.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3065.29 грн
10+2730.39 грн
25+2647.13 грн
100+2369.99 грн
250+2297.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3637.79 грн
5+3540.65 грн
10+3438.66 грн
25+3145.68 грн
50+2861.38 грн
100+2690.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3207.96 грн
10+2924.35 грн
30+2465.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.36 грн
10+135.82 грн
25+128.50 грн
100+110.96 грн
250+104.96 грн
500+100.72 грн
1000+94.96 грн
2500+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.37 грн
10+114.90 грн
25+95.06 грн
100+87.42 грн
250+82.57 грн
500+79.10 грн
1000+75.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE04MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GeneSiC SEMICONDUCTOR GE04MPS06E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.79 грн
10+107.64 грн
25+101.77 грн
100+87.68 грн
250+82.88 грн
500+79.43 грн
1000+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E-2308147.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.42 грн
10+118.89 грн
25+97.14 грн
100+89.50 грн
250+84.65 грн
500+81.18 грн
1000+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR GE04MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE04MPS06Q.pdf Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR GE04MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.80 грн
3000+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC Semiconductor GE06MPS06A.pdf Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.21 грн
10+154.62 грн
25+146.39 грн
100+126.43 грн
250+119.70 грн
500+118.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.11 грн
5+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E-2449760.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.61 грн
10+146.82 грн
25+120.73 грн
50+111.01 грн
100+104.77 грн
250+101.30 грн
500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.44 грн
10+172.66 грн
25+147.45 грн
100+111.63 грн
250+98.50 грн
500+90.42 грн
1000+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.66 грн
10+122.08 грн
25+99.91 грн
100+91.59 грн
250+87.42 грн
500+83.26 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE06MPS06Q.pdf Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR GE06MPS06Q-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163666.pdf SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.61 грн
3000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC SEMICONDUCTOR GE08MPS06A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GeneSiC Semiconductor GE08MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E-2449700.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.75 грн
10+173.94 грн
25+143.62 грн
100+132.52 грн
250+125.58 грн
500+120.73 грн
1000+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GeneSiC Semiconductor GE08MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GeneSiC SEMICONDUCTOR GE08MPS06E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR GE08MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor Genesic_07032024_3163669.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q.pdf Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q GeneSiC Semiconductor GE08MPS06Q.pdf SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+10098.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+9914.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 33A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 33A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. load current: 86A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.79 грн
10+343.10 грн
25+284.47 грн
100+265.74 грн
250+253.25 грн
500+244.23 грн
1000+235.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.70 грн
10+326.67 грн
25+312.27 грн
100+272.74 грн
250+260.56 грн
500+251.75 грн
1000+238.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.21 грн
10+343.10 грн
30+278.92 грн
120+268.52 грн
270+260.19 грн
510+251.17 грн
2520+246.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.91 грн
10+359.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.09 грн
10+342.76 грн
25+327.84 грн
100+287.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+537.49 грн
10+474.76 грн
25+395.49 грн
100+369.12 грн
250+353.16 грн
500+342.06 грн
1000+340.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO263-7
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+357.97 грн
5+323.21 грн
25+319.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+529.40 грн
5+471.92 грн
10+414.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.12 грн
10+432.20 грн
25+413.71 грн
100+368.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.31 грн
10+586.82 грн
25+562.39 грн
100+495.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+683.20 грн
10+584.07 грн
30+475.97 грн
120+455.85 грн
270+449.61 грн
510+435.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+870.33 грн
10+754.06 грн
25+723.21 грн
100+637.07 грн
250+634.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+535.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TR GD30MPS12J.pdf
GD30MPS12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.88 грн
10+616.58 грн
25+597.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1202.30 грн
120+1145.21 грн
270+1105.76 грн
510+1050.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1066.08 грн
10+938.35 грн
30+775.71 грн
120+745.88 грн
270+725.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+1202.30 грн
120+1145.21 грн
270+1105.76 грн
510+1050.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1136.51 грн
10+996.47 грн
25+959.72 грн
100+851.15 грн
250+820.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H gd50mps12h.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H-3075533.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.52 грн
10+767.59 грн
30+639.72 грн
120+600.17 грн
270+575.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.98 грн
10+668.45 грн
25+641.13 грн
100+565.21 грн
250+541.58 грн
500+524.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3065.29 грн
10+2730.39 грн
25+2647.13 грн
100+2369.99 грн
250+2297.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3637.79 грн
5+3540.65 грн
10+3438.66 грн
25+3145.68 грн
50+2861.38 грн
100+2690.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3207.96 грн
10+2924.35 грн
30+2465.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.36 грн
10+135.82 грн
25+128.50 грн
100+110.96 грн
250+104.96 грн
500+100.72 грн
1000+94.96 грн
2500+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.37 грн
10+114.90 грн
25+95.06 грн
100+87.42 грн
250+82.57 грн
500+79.10 грн
1000+75.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 7A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 7A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. load current: 11A
Max. forward impulse current: 22A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.79 грн
10+107.64 грн
25+101.77 грн
100+87.68 грн
250+82.88 грн
500+79.43 грн
1000+74.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E-2308147.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.42 грн
10+118.89 грн
25+97.14 грн
100+89.50 грн
250+84.65 грн
500+81.18 грн
1000+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E-TR Genesic_07032024_GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q GE04MPS06Q.pdf
GE04MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06Q-TR
GE04MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.80 грн
3000+73.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.21 грн
10+154.62 грн
25+146.39 грн
100+126.43 грн
250+119.70 грн
500+118.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.11 грн
5+111.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E-2449760.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.61 грн
10+146.82 грн
25+120.73 грн
50+111.01 грн
100+104.77 грн
250+101.30 грн
500+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.44 грн
10+172.66 грн
25+147.45 грн
100+111.63 грн
250+98.50 грн
500+90.42 грн
1000+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.66 грн
10+122.08 грн
25+99.91 грн
100+91.59 грн
250+87.42 грн
500+83.26 грн
1000+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q GE06MPS06Q.pdf
GE06MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06Q-TR Genesic_07032024_3163666.pdf
GE06MPS06Q-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.61 грн
3000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E-2449700.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.75 грн
10+173.94 грн
25+143.62 грн
100+132.52 грн
250+125.58 грн
500+120.73 грн
1000+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E-TR Genesic_07032024_3163669.pdf
GE08MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q.pdf
GE08MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06Q GE08MPS06Q.pdf
GE08MPS06Q
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]