Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5528) > Сторінка 29 з 93

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 45 54 63 72 81 90 93  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.82 грн
10+664.37 грн
25+636.96 грн
100+561.52 грн
250+538.45 грн
500+521.97 грн
1000+497.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1270.66 грн
10+1116.64 грн
25+1076.57 грн
100+956.95 грн
250+922.68 грн
500+897.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.28 грн
10+1294.38 грн
25+1243.01 грн
100+1097.54 грн
250+1054.41 грн
500+1022.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8749.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502T KBPC1502T GeneSiC Semiconductor kbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A KBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W KBPC1502W GeneSiC Semiconductor kbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC-W
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.54 грн
10+441.90 грн
25+422.76 грн
100+371.59 грн
250+355.78 грн
500+344.28 грн
1000+327.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB50MPS17-247.pdf Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263 GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8078.30 грн
10+7219.14 грн
25+7007.74 грн
100+6287.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.90 грн
10+330.74 грн
25+316.01 грн
100+276.81 грн
250+264.28 грн
500+255.06 грн
1000+242.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.02 грн
10+705.07 грн
25+676.97 грн
100+597.10 грн
250+572.72 грн
500+555.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.44 грн
10+1141.86 грн
25+1096.24 грн
100+967.49 грн
250+928.61 грн
500+900.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.79 грн
10+242.82 грн
25+230.81 грн
100+200.67 грн
250+191.37 грн
500+184.06 грн
1000+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.68 грн
10+514.32 грн
25+493.00 грн
100+434.53 грн
250+416.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.18 грн
10+555.27 грн
25+533.04 грн
100+470.06 грн
250+451.38 грн
500+437.00 грн
1000+417.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.02 грн
10+492.49 грн
25+471.97 грн
100+415.83 грн
250+398.71 грн
500+385.88 грн
1000+367.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1466.60 грн
10+1275.01 грн
25+1223.93 грн
100+1080.05 грн
250+1037.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2412.11 грн
10+2131.36 грн
25+2059.76 грн
100+1835.47 грн
250+1773.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2387.30 грн
10+2108.21 грн
25+2037.28 грн
100+1815.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8045 MBR8045 GeneSiC Semiconductor mbr80100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1870.48 грн
10+1517.67 грн
25+1417.72 грн
100+1200.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.90 грн
10+699.96 грн
25+673.35 грн
100+596.23 грн
250+573.37 грн
500+556.95 грн
1000+532.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K.pdf Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23336.46 грн
10+21097.85 грн
25+20574.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor GD50MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1245.84 грн
10+1092.34 грн
25+1052.05 грн
100+933.04 грн
250+899.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3771.76 грн
10+3333.13 грн
25+3220.97 грн
100+2870.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor GE04MPS06A.pdf Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
10+148.89 грн
25+140.87 грн
100+121.63 грн
250+115.06 грн
500+110.41 грн
1000+104.10 грн
2500+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+169.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.54 грн
10+223.05 грн
25+211.69 грн
100+184.06 грн
250+174.75 грн
500+168.11 грн
1000+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.06 грн
10+826.61 грн
25+792.79 грн
100+698.36 грн
250+695.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20100.35 грн
10+18292.56 грн
25+17885.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.18 грн
10+117.99 грн
25+111.57 грн
100+96.12 грн
250+90.86 грн
500+87.07 грн
1000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GeneSiC Semiconductor GD60MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3360.18 грн
10+2993.07 грн
25+2901.79 грн
100+2598.00 грн
250+2518.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.34 грн
10+327.86 грн
25+312.12 грн
100+273.06 грн
250+260.54 грн
500+250.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.42 грн
10+358.10 грн
25+342.31 грн
100+298.98 грн
250+285.62 грн
500+275.98 грн
1000+261.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2975.14 грн
10+2631.02 грн
25+2543.04 грн
100+2313.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12N GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS12N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6758.87 грн
10+5997.93 грн
25+5805.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+835.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.24 грн
10+744.62 грн
25+717.02 грн
100+635.13 грн
250+610.71 грн
500+593.68 грн
1000+567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.04 грн
10+841.36 грн
25+807.92 грн
100+713.97 грн
250+686.16 грн
500+665.47 грн
1000+634.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506W GBPC1506W GeneSiC Semiconductor gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3428.64 грн
10+3027.43 грн
25+2924.96 грн
100+2605.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D.pdf Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+765.82 грн
10+662.47 грн
25+634.95 грн
100+558.84 грн
250+535.59 грн
500+518.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.03 грн
10+414.37 грн
25+396.26 грн
100+348.09 грн
250+333.13 грн
500+322.25 грн
1000+306.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor GD60MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+846.25 грн
10+732.76 грн
25+702.81 грн
100+619.59 грн
250+593.68 грн
500+575.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1420.40 грн
10+1248.23 грн
25+1203.95 грн
100+1069.04 грн
250+1031.20 грн
500+1003.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+743.57 грн
10+643.27 грн
25+616.49 грн
100+543.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.21 грн
10+465.05 грн
25+445.54 грн
100+392.28 грн
250+375.96 грн
500+364.40 грн
1000+347.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.82 грн
10+664.37 грн
25+636.96 грн
100+561.52 грн
250+538.45 грн
500+521.97 грн
1000+497.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1270.66 грн
10+1116.64 грн
25+1076.57 грн
100+956.95 грн
250+922.68 грн
500+897.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1486.28 грн
10+1294.38 грн
25+1243.01 грн
100+1097.54 грн
250+1054.41 грн
500+1022.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8749.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502T kbpc15005t.pdf
KBPC1502T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A KBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W kbpc15005t.pdf
KBPC1502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC-W
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.54 грн
10+441.90 грн
25+422.76 грн
100+371.59 грн
250+355.78 грн
500+344.28 грн
1000+327.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50MPS17-247 GB50MPS17-247.pdf
GB50MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 1700V 50A TO-247-2
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GB25MPS17-247 GB25MPS17-247.pdf
GB25MPS17-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 52A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2350pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 52A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS17-263 GB05MPS17-263.pdf
GB05MPS17-263
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 18A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1700V 115A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 115A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8078.30 грн
10+7219.14 грн
25+7007.74 грн
100+6287.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.90 грн
10+330.74 грн
25+316.01 грн
100+276.81 грн
250+264.28 грн
500+255.06 грн
1000+242.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.02 грн
10+705.07 грн
25+676.97 грн
100+597.10 грн
250+572.72 грн
500+555.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1313.44 грн
10+1141.86 грн
25+1096.24 грн
100+967.49 грн
250+928.61 грн
500+900.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.79 грн
10+242.82 грн
25+230.81 грн
100+200.67 грн
250+191.37 грн
500+184.06 грн
1000+174.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.68 грн
10+514.32 грн
25+493.00 грн
100+434.53 грн
250+416.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.18 грн
10+555.27 грн
25+533.04 грн
100+470.06 грн
250+451.38 грн
500+437.00 грн
1000+417.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.02 грн
10+492.49 грн
25+471.97 грн
100+415.83 грн
250+398.71 грн
500+385.88 грн
1000+367.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 374W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1466.60 грн
10+1275.01 грн
25+1223.93 грн
100+1080.05 грн
250+1037.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2412.11 грн
10+2131.36 грн
25+2059.76 грн
100+1835.47 грн
250+1773.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2387.30 грн
10+2108.21 грн
25+2037.28 грн
100+1815.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8045 mbr80100.pdf
MBR8045
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1870.48 грн
10+1517.67 грн
25+1417.72 грн
100+1200.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.90 грн
10+699.96 грн
25+673.35 грн
100+596.23 грн
250+573.37 грн
500+556.95 грн
1000+532.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23336.46 грн
10+21097.85 грн
25+20574.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1245.84 грн
10+1092.34 грн
25+1052.05 грн
100+933.04 грн
250+899.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3771.76 грн
10+3333.13 грн
25+3220.97 грн
100+2870.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06A GE04MPS06A.pdf
GE04MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
10+148.89 грн
25+140.87 грн
100+121.63 грн
250+115.06 грн
500+110.41 грн
1000+104.10 грн
2500+103.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+169.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.54 грн
10+223.05 грн
25+211.69 грн
100+184.06 грн
250+174.75 грн
500+168.11 грн
1000+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+954.06 грн
10+826.61 грн
25+792.79 грн
100+698.36 грн
250+695.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20100.35 грн
10+18292.56 грн
25+17885.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE04MPS06E GE04MPS06E.pdf
GE04MPS06E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.18 грн
10+117.99 грн
25+111.57 грн
100+96.12 грн
250+90.86 грн
500+87.07 грн
1000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3360.18 грн
10+2993.07 грн
25+2901.79 грн
100+2598.00 грн
250+2518.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.34 грн
10+327.86 грн
25+312.12 грн
100+273.06 грн
250+260.54 грн
500+250.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.42 грн
10+358.10 грн
25+342.31 грн
100+298.98 грн
250+285.62 грн
500+275.98 грн
1000+261.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2975.14 грн
10+2631.02 грн
25+2543.04 грн
100+2313.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS12N GD2X100MPS12N.pdf
GD2X100MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6758.87 грн
10+5997.93 грн
25+5805.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+852.24 грн
10+744.62 грн
25+717.02 грн
100+635.13 грн
250+610.71 грн
500+593.68 грн
1000+567.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.04 грн
10+841.36 грн
25+807.92 грн
100+713.97 грн
250+686.16 грн
500+665.47 грн
1000+634.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506W gbpc1506t.pdf
GBPC1506W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3428.64 грн
10+3027.43 грн
25+2924.96 грн
100+2605.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+765.82 грн
10+662.47 грн
25+634.95 грн
100+558.84 грн
250+535.59 грн
500+518.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.03 грн
10+414.37 грн
25+396.26 грн
100+348.09 грн
250+333.13 грн
500+322.25 грн
1000+306.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS06H GD60MPS06H.pdf
GD60MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+846.25 грн
10+732.76 грн
25+702.81 грн
100+619.59 грн
250+593.68 грн
500+575.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.40 грн
10+1248.23 грн
25+1203.95 грн
100+1069.04 грн
250+1031.20 грн
500+1003.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.57 грн
10+643.27 грн
25+616.49 грн
100+543.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.21 грн
10+465.05 грн
25+445.54 грн
100+392.28 грн
250+375.96 грн
500+364.40 грн
1000+347.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 45 54 63 72 81 90 93  [ Наступна Сторінка >> ]