Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148596) > Сторінка 1309 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPD50N03S207GBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 50A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPD50P03LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPP08N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPP15P10PLHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP18P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -18.7A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 81.1W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N65C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP21N50C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP24N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15.4A Power dissipation: 240W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPU03N60C3BKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 38W Case: TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPW11N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
SPW55N80C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT1400N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT1400N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT1900N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT1900N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT2200N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT2200N18P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT3300N16P76XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT3300N18P76XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
STT800N16P55XPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T1190N16TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T1590N28TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T1901N80TOHXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T3160N16TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T3160N18TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T360N22TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | T360N22TOF Button thyristors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T390N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T420N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T430N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T501N70TOHXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T560N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T560N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T560N18TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T590N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | T590N14TOFXPSA1 Button thyristors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T640N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T720N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T740N26TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
T830N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
TD104N14KOF | INFINEON TECHNOLOGIES | TD104N14KOF Diode - thyristor modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
TD120N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V Case: BG-SB20-1 Max. forward voltage: 1.75V Load current: 120A Semiconductor structure: double series Gate current: 100mA Max. forward impulse current: 2.25kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: diode-thyristor Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 190A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TD122N22KOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 122A Case: BG-PB34-1 Max. forward voltage: 1.95V Max. forward impulse current: 3.3kA Gate current: 200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 220A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
TD140N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V Type of module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 140A Case: BG-PB34SB-1 Max. forward voltage: 1.41V Max. forward impulse current: 4.7kA Gate current: 150mA Electrical mounting: screw Max. load current: 220A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
SPD50N03S207GBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.78 грн |
25+ | 41.28 грн |
70+ | 40.36 грн |
100+ | 39.45 грн |
500+ | 38.53 грн |
SPD50P03LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPD50P03LGBTMA1 SMD P channel transistors
SPD50P03LGBTMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPP04N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.14 грн |
3+ | 130.52 грн |
10+ | 108.25 грн |
28+ | 102.75 грн |
250+ | 99.08 грн |
SPP06N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 209.45 грн |
3+ | 183.87 грн |
8+ | 137.61 грн |
22+ | 130.27 грн |
250+ | 128.43 грн |
SPP07N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPP08N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.16 грн |
3+ | 197.20 грн |
7+ | 164.21 грн |
19+ | 155.04 грн |
SPP11N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 255.88 грн |
10+ | 117.18 грн |
27+ | 106.42 грн |
200+ | 101.83 грн |
SPP11N80C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.80 грн |
8+ | 156.24 грн |
20+ | 142.19 грн |
250+ | 136.69 грн |
SPP15P10PLHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
SPP15P10PLHXKSA1 THT P channel transistors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.41 грн |
16+ | 69.72 грн |
43+ | 66.05 грн |
SPP17N80C3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 301.33 грн |
6+ | 221.97 грн |
14+ | 201.82 грн |
1000+ | 194.49 грн |
SPP18P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 81.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.75 грн |
10+ | 91.74 грн |
14+ | 77.98 грн |
38+ | 74.31 грн |
SPP20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.75 грн |
3+ | 226.74 грн |
6+ | 197.24 грн |
10+ | 196.32 грн |
16+ | 186.23 грн |
50+ | 183.48 грн |
100+ | 178.89 грн |
SPP20N60CFD |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPP20N60S5 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.05 грн |
3+ | 280.09 грн |
6+ | 209.16 грн |
15+ | 197.24 грн |
SPP20N65C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 528.56 грн |
3+ | 459.19 грн |
4+ | 338.52 грн |
9+ | 319.25 грн |
SPP21N50C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 492.99 грн |
3+ | 427.75 грн |
4+ | 315.58 грн |
10+ | 298.15 грн |
SPP24N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPP80P06PHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 311.21 грн |
6+ | 196.25 грн |
16+ | 178.89 грн |
50+ | 172.47 грн |
SPU03N60C3BKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPW11N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPW17N80C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 572.03 грн |
3+ | 399.17 грн |
8+ | 363.28 грн |
SPW20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 421.86 грн |
3+ | 366.78 грн |
4+ | 295.40 грн |
11+ | 278.89 грн |
30+ | 274.30 грн |
SPW20N60S5 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 603.64 грн |
3+ | 402.03 грн |
8+ | 366.04 грн |
SPW35N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 896.07 грн |
2+ | 753.56 грн |
5+ | 686.20 грн |
30+ | 659.60 грн |
SPW35N60CFD |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1266.56 грн |
2+ | 882.17 грн |
3+ | 848.58 грн |
4+ | 802.71 грн |
SPW47N60CFDFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPW47N65C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPW55N80C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT1400N16P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N16P55 Thyristor modules
STT1400N16P55 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT1400N18P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
STT1400N18P55XPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT1900N16P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N16P55 Thyristor modules
STT1900N16P55 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT1900N18P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
STT1900N18P55XPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT2200N16P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N16P55 Thyristor modules
STT2200N16P55 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT2200N18P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
STT2200N18P55XPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT3300N16P76XPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
STT3300N16P76XPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT3300N18P76XPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
STT3300N18P76XPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
STT800N16P55XPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
STT800N16P55 Thyristor modules
STT800N16P55 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T1190N16TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T1190N16TOF Button thyristors
T1190N16TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T1590N28TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T1590N28TOF Button thyristors
T1590N28TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T1901N80TOHXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
T1901N80TOHXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T3160N16TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
T3160N16TOFVTXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T3160N18TOFVTXPSA1 Button thyristors
T3160N18TOFVTXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T360N22TOFXPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T360N22TOF Button thyristors
T360N22TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T390N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T390N16TOF Button thyristors
T390N16TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T420N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T420N16TOF Button thyristors
T420N16TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T430N12TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T430N12TOF Button thyristors
T430N12TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T501N70TOHXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T501N70TOHXPSA1 Button thyristors
T501N70TOHXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T560N14TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N14TOF Button thyristors
T560N14TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T560N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N16TOF Button thyristors
T560N16TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T560N18TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T560N18TOFXPSA1 Button thyristors
T560N18TOFXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T590N14TOFXPSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T590N14TOFXPSA1 Button thyristors
T590N14TOFXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T640N12TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T640N12TOF Button thyristors
T640N12TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T720N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T720N16TOF Button thyristors
T720N16TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T740N26TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T740N26TOFXPSA1 Button thyristors
T740N26TOFXPSA1 Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T830N12TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
T830N12TOF Button thyristors
T830N12TOF Button thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TD104N14KOF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
TD104N14KOF Diode - thyristor modules
TD104N14KOF Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TD120N16SOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; Ufmax: 1.75V
Case: BG-SB20-1
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 120A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 100mA
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 190A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2383.93 грн |
2+ | 2173.04 грн |
10+ | 2042.10 грн |
24+ | 2012.75 грн |
TD122N22KOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TD140N16SOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 140A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.41V
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 140A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.41V
Max. forward impulse current: 4.7kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 220A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.