Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126755) > Сторінка 173 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLE72742EXUMA1 TLE72742EXUMA1 Infineon Technologies TLE7274-2.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 14SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72742GATMA1 TLE72742GATMA1 Infineon Technologies TLE7274-2.pdf Description: IC REG LIN 5V 300MA PG-TO263-5-1
Qualification: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 40 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 TLE82092SAAUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8209-2SA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f5818836a1e Description: IC MOTOR DRIVER 4.4V-5.25V 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 8.6A
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.4V ~ 5.25V
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-65
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC) Servo, Brushed DC Servo
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 20550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+246.86 грн
1600+232.30 грн
2400+229.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8250GVIOXUMA1 TLE8250GVIOXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8250GVIO-DS-v01_11-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e9864a3f12 Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GV33XUMA1 TLE8458GV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8458-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d2da4b66071 Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Duplex: Full
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Protocol: LINbus
Data Rate: 20kbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GUXUMA1 TLE8458GUXUMA1 Infineon Technologies TLE8458_Rev1.1_2014-04-01.pdf Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Protocol: LINbus
Data Rate: 20kbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Duplex: Full
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GUV33XUMA1 TLE8458GUV33XUMA1 Infineon Technologies TLE8458_Rev1.1_2014-04-01.pdf Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Duplex: Full
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF IRFHS9301TRPBF Infineon Technologies irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61 Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.76 грн
8000+12.91 грн
12000+12.27 грн
20000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6276-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBF IRLR6225PBF Infineon Technologies irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1 Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1 BSC0908NSATMA1 Infineon Technologies BSC0908NS.pdf Description: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6 IPD60R1K4C6 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5 Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6 IPD60R3K3C6 Infineon Technologies Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6BTMA1 IPD65R380C6BTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R380C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f095378172fa3 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.11 грн
30+238.08 грн
120+198.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09 Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.99 грн
30+658.90 грн
60+608.77 грн
120+531.75 грн
510+485.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 12357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.76 грн
10+85.21 грн
100+57.68 грн
500+43.05 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSI BSC0902NSI Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1 BSC0908NSATMA1 Infineon Technologies BSC0908NS.pdf Description: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.10 грн
10+118.73 грн
50+90.45 грн
100+76.33 грн
500+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.55 грн
10+100.33 грн
100+68.32 грн
500+51.23 грн
1000+47.09 грн
2000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.74 грн
100+58.60 грн
500+43.66 грн
1000+40.02 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.56 грн
10+70.86 грн
50+52.99 грн
100+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.83 грн
10+94.53 грн
50+71.42 грн
100+60.03 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6 IPD60R1K4C6 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5 Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6 IPD60R450E6 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a196a77652b30 Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS Infineon Technologies BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS Infineon Technologies BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSI BSC0902NSI Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3 G Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6 IPD60R450E6 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a196a77652b30 Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-ZS25XI CY14B256LA-ZS25XI Infineon Technologies Infineon-CY14B256LA_256-Kbit_(32_K_8)_nvSRAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd9bf63054 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.35 грн
10+1173.52 грн
25+1118.95 грн
40+1024.75 грн
135+961.91 грн
270+927.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXA CY62126EV30LL-45ZSXA Infineon Technologies CY62126EV30_RevH.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64K x 16
Access Time: 45 ns
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.31 грн
10+277.48 грн
25+264.53 грн
40+242.27 грн
135+227.45 грн
270+221.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV18LL-55BVI CY62167EV18LL-55BVI Infineon Technologies Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZC CY7C1245KV18-400BZC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1268KV18-450BZXC CY7C1268KV18-450BZXC Infineon Technologies CY7C12%2868%2C70%29KV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 450 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZC CY7C1312KV18-250BZC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 18
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413KV18-250BZC CY7C1413KV18-250BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1414KV18-250BZXC CY7C1414KV18-250BZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZC CY7C1415KV18-250BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZXC CY7C1415KV18-250BZXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-333BZC CY7C1415KV18-333BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZC CY7C1418KV18-250BZC Infineon Technologies Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72742EXUMA1 TLE7274-2.pdf
TLE72742EXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 300MA 14SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72742GATMA1 TLE7274-2.pdf
TLE72742GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 300MA PG-TO263-5-1
Qualification: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 40 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 200mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 30 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE82092SAAUMA1 Infineon-TLE8209-2SA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0f5818836a1e
TLE82092SAAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 4.4V-5.25V 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 8.6A
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.4V ~ 5.25V
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-65
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC) Servo, Brushed DC Servo
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 20550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+246.86 грн
1600+232.30 грн
2400+229.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8250GVIOXUMA1 Infineon-TLE8250GVIO-DS-v01_11-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f9e9864a3f12
TLE8250GVIOXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GV33XUMA1 Infineon-TLE8458-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d2da4b66071
TLE8458GV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Duplex: Full
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Protocol: LINbus
Data Rate: 20kbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GUXUMA1 TLE8458_Rev1.1_2014-04-01.pdf
TLE8458GUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Protocol: LINbus
Data Rate: 20kbps
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Type: Transceiver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Duplex: Full
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8458GUV33XUMA1 TLE8458_Rev1.1_2014-04-01.pdf
TLE8458GUV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 7V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Duplex: Full
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9351TRPBF irfhs9351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a8d41f63
IRFHS9351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBF irfhs8342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623992e1f5f
IRFHS8342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS9301TRPBF irfhs9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623a01c1f61
IRFHS9301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.76 грн
8000+12.91 грн
12000+12.27 грн
20000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6276TRPBF infineon-irlhs6276-datasheet-en.pdf
IRLHS6276TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225PBF irlr6225pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d99bc26c1
IRLR6225PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1 BSC0908NS.pdf
BSC0908NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
BSC900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c
BSZ22DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6 Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5
IPD60R1K4C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
IPD60R3K3C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R380C6BTMA1 Infineon-IPD65R380C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f095378172fa3
IPD65R380C6BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.11 грн
30+238.08 грн
120+198.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6_2.1_.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304327b897500127f24dd83c3c09
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1121.99 грн
30+658.90 грн
60+608.77 грн
120+531.75 грн
510+485.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 12357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.76 грн
10+85.21 грн
100+57.68 грн
500+43.05 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSI BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0908NSATMA1 BSC0908NS.pdf
BSC0908NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
BSC0909NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.10 грн
10+118.73 грн
50+90.45 грн
100+76.33 грн
500+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
BSC900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.55 грн
10+100.33 грн
100+68.32 грн
500+51.23 грн
1000+47.09 грн
2000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
BSZ12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.14 грн
10+86.74 грн
100+58.60 грн
500+43.66 грн
1000+40.02 грн
2000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c
BSZ22DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.56 грн
10+70.86 грн
50+52.99 грн
100+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
BSZ900N20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 9616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.83 грн
10+94.53 грн
50+71.42 грн
100+60.03 грн
500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K4C6 Infineon-IPD60R1K4C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129eef00aaa05e5
IPD60R1K4C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6 Infineon--DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a196a77652b30
IPD60R450E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NS BSC0901NS_Rev+1.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbc8040080376
BSC0901NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 9190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NS BSC0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cc053cffb38b5
BSC0902NS
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 17985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSI BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
на замовлення 24617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
на замовлення 9186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R450E6 Infineon--DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a196a77652b30
IPD60R450E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256LA-ZS25XI Infineon-CY14B256LA_256-Kbit_(32_K_8)_nvSRAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd9bf63054
CY14B256LA-ZS25XI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1373.35 грн
10+1173.52 грн
25+1118.95 грн
40+1024.75 грн
135+961.91 грн
270+927.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62126EV30LL-45ZSXA CY62126EV30_RevH.pdf
CY62126EV30LL-45ZSXA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64K x 16
Access Time: 45 ns
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+324.31 грн
10+277.48 грн
25+264.53 грн
40+242.27 грн
135+227.45 грн
270+221.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62167EV18LL-55BVI Infineon-CY62167EV18_MoBL_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe53a531d2&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62167EV18LL-55BVI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1245KV18-400BZC download
CY7C1245KV18-400BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1268KV18-450BZXC CY7C12%2868%2C70%29KV18.pdf
CY7C1268KV18-450BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 450 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZC download
CY7C1312KV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 18
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1413KV18-250BZC Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
CY7C1413KV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1414KV18-250BZXC download
CY7C1414KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZC Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
CY7C1415KV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZXC Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
CY7C1415KV18-250BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-333BZC Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
CY7C1415KV18-333BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 1M x 36
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZC Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1418KV18-250BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 18
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 250 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 36Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]