Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123023) > Сторінка 2016 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XMC4700 RELAX KIT XMC4700 RELAX KIT INFINEON TECHNOLOGIES xmc4700_4800.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4700; Comp: XMC4700-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4700
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller
Components: XMC4700-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB B micro x2
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4
Application: building automation; CAV; motors; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT INFINEON TECHNOLOGIES xmc4700_4800.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4800; Comp: XMC4800-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4800
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller; expansion board
Components: XMC4800-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB 2.0 x2; USB B micro x2
Application: building automation; CAV; EtherCAT; motors; photovoltaics
Number of add-on connectors: 2
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7125RTRL INFINEON TECHNOLOGIES auips7125.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7d96a132a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.8A; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.8A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 24mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+416.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Bandwidth: 0.05...6GHz
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Application: telecommunication
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT015N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 169nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.00 грн
10+50.24 грн
50+34.57 грн
100+29.52 грн
500+21.72 грн
1000+19.57 грн
2000+17.91 грн
4000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr6225pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.22 грн
10+45.52 грн
50+38.72 грн
100+35.90 грн
250+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8743pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.18 грн
10+56.38 грн
100+53.06 грн
500+48.09 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2908pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3915TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
10+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 IRFB4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
50+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.86 грн
6+74.62 грн
25+59.70 грн
250+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 75A; Idm: 13A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.93 грн
10+52.73 грн
75+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.22 грн
5+97.01 грн
10+85.40 грн
50+58.87 грн
100+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GTR FM25040B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25040B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec8ff1b416c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P10TFI010 S29GL256P10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P90FFIR20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gp-s29gl512p-s29gl256p-s29gl128p-1-gbit512256128-mbit-3-v-page-flash-with-90-nm-mirrorbit-process-technology-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cyp Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P11TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI023 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV10 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV23 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6696.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25W256-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+557.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G FM24CL64B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL64B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 64kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.87 грн
10+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10ZSXI CY7C1041GN30-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.41 грн
10+228.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-GTR FM25CL64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SOD323
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.79 грн
45+9.70 грн
100+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SOD323
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+10.53 грн
100+9.29 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N06S2L07.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.44 грн
10+136.80 грн
25+121.05 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 SPW11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW11N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
12+34.66 грн
25+26.70 грн
50+23.96 грн
100+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.41 грн
10+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.15 грн
5+203.13 грн
10+184.89 грн
25+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2183SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.08 грн
3+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.86 грн
5+116.91 грн
10+106.13 грн
25+92.03 грн
50+83.74 грн
95+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
Turn-off time: 200ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.44 грн
10+155.05 грн
25+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.29 грн
5+91.20 грн
10+81.25 грн
25+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF IR2112SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+435.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR1169STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4700 RELAX KIT xmc4700_4800.pdf
XMC4700 RELAX KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4700; Comp: XMC4700-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4700
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller
Components: XMC4700-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB B micro x2
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4
Application: building automation; CAV; motors; photovoltaics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT xmc4700_4800.pdf
XMC4800 RELAX ETHERCAT KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC4800; Comp: XMC4800-F144
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC4800
Kit contents: development board with XMCmicrocontroller; expansion board
Components: XMC4800-F144
Interface: CAN x6; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USIC x2
Connection: pin strips; RJ45; USB 2.0 x2; USB B micro x2
Application: building automation; CAV; EtherCAT; motors; photovoltaics
Number of add-on connectors: 2
Kind of architecture: Cortex M4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5I-DTE.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7125RTRL auips7125.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7d96a132a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.8A; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.8A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 24mΩ
Active logical level: high
Operating temperature: -40...150°C
Integrated circuit features: thermal protection
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+416.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Bandwidth: 0.05...6GHz
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Application: telecommunication
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5-DTE.pdf
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Gate charge: 169nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF irlr2705pbf.pdf
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.00 грн
10+50.24 грн
50+34.57 грн
100+29.52 грн
500+21.72 грн
1000+19.57 грн
2000+17.91 грн
4000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF irlr2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cb38f2673
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
On-state resistance: 40mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF irlr6225pbf.pdf
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.22 грн
10+45.52 грн
50+38.72 грн
100+35.90 грн
250+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF irlr8743pbf.pdf
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.18 грн
10+56.38 грн
100+53.06 грн
500+48.09 грн
1000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRLPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF irlr2908pbf.pdf
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRLPBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
10+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFB4310ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3G-dte.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
50+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.86 грн
6+74.62 грн
25+59.70 грн
250+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N10S402ATMA1 Infineon-IPB180N10S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d1d0bbe013d2129cf8a2f88
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 75A; Idm: 13A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.93 грн
10+52.73 грн
75+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30P06PGBTMA1 SPD30P06PGBTMA1-DTE.pdf
SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.22 грн
5+97.01 грн
10+85.40 грн
50+58.87 грн
100+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GTR Infineon-FM25040B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec8ff1b416c&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25040B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P10TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
S29GL256P10TFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10TFI010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P90FFIR20 infineon-s29gl01gp-s29gl512p-s29gl256p-s29gl128p-1-gbit512256128-mbit-3-v-page-flash-with-90-nm-mirrorbit-process-technology-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cyp
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256P11TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSOP56
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB020 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB023 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI010 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI020 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI023 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV10 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV20 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHIV23 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV010 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10FHI010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6696.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25W256-G FM25W256-G.pdf
FM25W256-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2.7÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+557.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-G FM24CL64B-G.pdf
FM24CL64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 64kb FRAM
Clock frequency: 1MHz
Memory organisation: 8kx8bit
Interface: I2C
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.87 грн
10+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GN30-10ZSXI Infineon-CY7C1041GN_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed82ae859a5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C1041GN30-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.41 грн
10+228.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-GTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25CL64B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SOD323
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+11.79 грн
45+9.70 грн
100+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SOD323
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+10.53 грн
100+9.29 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07.pdf
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.44 грн
10+136.80 грн
25+121.05 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N80C3 description SPW11N80C3-DTE.pdf
SPW11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.36 грн
12+34.66 грн
25+26.70 грн
50+23.96 грн
100+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description ir2112.pdf
IR2112PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.41 грн
10+203.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.15 грн
5+203.13 грн
10+184.89 грн
25+179.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF.pdf
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.08 грн
3+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 5...20V DC
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.86 грн
5+116.91 грн
10+106.13 грн
25+92.03 грн
50+83.74 грн
95+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR21094SPBF.pdf
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
Turn-off time: 200ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.44 грн
10+155.05 грн
25+143.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Turn-off time: 0.22µs
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.29 грн
5+91.20 грн
10+81.25 грн
25+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Turn-off time: 200ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description ir2112.pdf
IR2112SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612SPBF pvg612.pdf?fileId=5546d462533600a401535683c1892937
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 2A
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 2A
Manufacturer series: PVG612
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.6x6.5x3.4mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Number of poles: 1
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+435.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF.pdf
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]