Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123028) > Сторінка 2012 з 2051

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2050 2051  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3103spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7084TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 1.1kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.8kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.48 грн
10+194.01 грн
25+144.27 грн
50+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR FM25L16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC160N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3904SH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I CY8CMBR3102-SX1I INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
490+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS02G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.50 грн
7+67.99 грн
10+62.18 грн
25+54.72 грн
50+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms5703pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
51+8.21 грн
100+5.41 грн
250+4.59 грн
1000+3.65 грн
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.61 грн
47+8.87 грн
59+7.13 грн
100+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt412.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 200mA
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
Control current: 3...25mA
Operate time: 2ms
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+404.48 грн
5+294.34 грн
10+290.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF PVT412APBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
On-state resistance:
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PV
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+394.66 грн
100+329.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt322.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Operate time: 3ms
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Case: DIP8
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.33 грн
10+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 S29AL008J70TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 8Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Connection: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Type of development kit: Cypress
Software: included
Programmers and development kits features: ISP programmer
Associated circuits: PSoC
Interface: USB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 XC822MT1FRIAAFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC82X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Interface: I2C; SPI; UART
Communictions protocol: DALI
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Case: PG-TSSOP-16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of 10bit A/D converters: 4
Number of 16bit timers: 3
Number of PWM channels: 1
Number of input capture channels: 1
Number of output compare channels: 1
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.97 грн
6+81.25 грн
25+76.28 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 CY8C5267AXI-LP051 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 32-bit
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+895.58 грн
10+827.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
10+65.42 грн
100+43.03 грн
250+37.23 грн
500+33.75 грн
1000+30.76 грн
2000+28.27 грн
4000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20957S.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.37 грн
10+156.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.25 грн
10+68.40 грн
50+47.84 грн
100+41.70 грн
200+36.90 грн
250+35.57 грн
500+32.34 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
24+17.91 грн
50+12.19 грн
100+10.32 грн
500+7.23 грн
1000+6.19 грн
3000+5.04 грн
6000+4.52 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
12+37.14 грн
13+33.33 грн
25+26.95 грн
50+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10ZSXI CY7C1021DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 3...3.6V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.29 грн
5+117.73 грн
10+111.10 грн
25+103.64 грн
50+97.84 грн
95+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.31 грн
10+145.92 грн
25+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.47 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+222.33 грн
5+182.41 грн
10+166.65 грн
25+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.79 грн
12+35.74 грн
100+22.30 грн
250+19.15 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.29 грн
4+129.34 грн
10+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFx2905ZPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 42A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.68 грн
10+100.32 грн
20+91.20 грн
50+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7324pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV199E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-GTR FM24CL04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Mounting: SMD
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.26 грн
10+111.10 грн
25+100.32 грн
50+87.89 грн
100+76.28 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+101.98 грн
25+88.72 грн
50+80.42 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2HS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-20
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: push-pull
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Application: SMPS
Operating temperature: -25...125°C
Output current: 6mA
Operating voltage: 11...18V DC
Frequency: 30kHz...1MHz
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.44 грн
10+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+566.10 грн
10+476.74 грн
25+441.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF irl3103spbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF irfs3206pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N22K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 1.1kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.8kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 1.07kA
Case: BG-PB70AT-1
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.48 грн
10+194.01 грн
25+144.27 грн
50+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R260M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49f0e3671656
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-GTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3G-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1I Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3108-LQXIT Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN16
Case: QFN16
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3106S-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: CY8CMBR3106S-LQXI
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
490+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.50 грн
7+67.99 грн
10+62.18 грн
25+54.72 грн
50+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF irlms5703pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description irlms1503pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
51+8.21 грн
100+5.41 грн
250+4.59 грн
1000+3.65 грн
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850BE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.61 грн
47+8.87 грн
59+7.13 грн
100+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF pvt412.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 200mA
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
Control current: 3...25mA
Operate time: 2ms
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Release time: 0.5ms
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+404.48 грн
5+294.34 грн
10+290.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
On-state resistance:
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PV
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+394.66 грн
100+329.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pvt322.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Operating temperature: -40...85°C
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Operate time: 3ms
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Case: DIP8
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
Technology: HEXFET®
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.33 грн
10+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 8Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Connection: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Type of development kit: Cypress
Software: included
Programmers and development kits features: ISP programmer
Associated circuits: PSoC
Interface: USB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 XC82X-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Interface: I2C; SPI; UART
Communictions protocol: DALI
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Case: PG-TSSOP-16
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of 10bit A/D converters: 4
Number of 16bit timers: 3
Number of PWM channels: 1
Number of input capture channels: 1
Number of output compare channels: 1
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.97 грн
6+81.25 грн
25+76.28 грн
100+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Mounting: SMD
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 32-bit
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+895.58 грн
10+827.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.04 грн
10+65.42 грн
100+43.03 грн
250+37.23 грн
500+33.75 грн
1000+30.76 грн
2000+28.27 грн
4000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.37 грн
10+156.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.25 грн
10+68.40 грн
50+47.84 грн
100+41.70 грн
200+36.90 грн
250+35.57 грн
500+32.34 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9925 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.57 грн
24+17.91 грн
50+12.19 грн
100+10.32 грн
500+7.23 грн
1000+6.19 грн
3000+5.04 грн
6000+4.52 грн
9000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
12+37.14 грн
13+33.33 грн
25+26.95 грн
50+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10ZSXI description Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 3...3.6V
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.29 грн
5+117.73 грн
10+111.10 грн
25+103.64 грн
50+97.84 грн
95+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+168.31 грн
10+145.92 грн
25+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+129.47 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+222.33 грн
5+182.41 грн
10+166.65 грн
25+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.79 грн
12+35.74 грн
100+22.30 грн
250+19.15 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -420...200mA
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 150ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.29 грн
4+129.34 грн
10+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFx2905ZPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Pulsed drain current: 240A
Drain current: 42A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.68 грн
10+100.32 грн
20+91.20 грн
50+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-GTR Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Mounting: SMD
Kind of transistor: HBT; RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Collector-emitter voltage: 13V
Frequency: 45GHz
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.26 грн
10+111.10 грн
25+100.32 грн
50+87.89 грн
100+76.28 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+101.98 грн
25+88.72 грн
50+80.42 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF irf7424pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-20
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: push-pull
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Application: SMPS
Operating temperature: -25...125°C
Output current: 6mA
Operating voltage: 11...18V DC
Frequency: 30kHz...1MHz
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.44 грн
10+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+566.10 грн
10+476.74 грн
25+441.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2050 2051  Наступна Сторінка >> ]