Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 2021 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IR2156STRPBF IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.08 грн
50+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF IRF3315STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3315spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF3610STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf3805s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R900P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.65 грн
10+72.13 грн
25+61.44 грн
75+51.16 грн
100+48.92 грн
500+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R900P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
10+64.34 грн
75+53.06 грн
150+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+218.06 грн
10+164.17 грн
20+145.92 грн
50+126.03 грн
100+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.47 грн
10+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2008S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF IRS2003STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2007SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.13A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0001467921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1A; Ch: 2; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.13A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2093MTRPBF.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; VFQFN14; 600mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: VFQFN14
Turn-on time: 160ns
Power dissipation: 2.1W
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: half-bridge
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.6A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 70ns
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...2A
Duty cycle factor: 0...98.5%
Operating voltage: 11...25V DC
Input voltage: 85...265V
Frequency: 20...250kHz
Topology: boost
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Application: SMPS
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.29 грн
9+49.75 грн
10+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...2A
Duty cycle factor: 0...98.5%
Operating voltage: 11...25V DC
Input voltage: 80...265V
Frequency: 50...250kHz
Topology: boost
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Application: SMPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1ICE2A180ZXKLA1
ICE2A180ZXKLA1ICE2A180ZXKLA1
 ICE2A180ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2A265.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Operating voltage: 8.5...21V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Input voltage: 80...265V
Output current: 4.1A
Type of integrated circuit: PMIC
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Power: 29/17W
Case: DIP7
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 0.1MHz
Topology: flyback
Breakdown voltage: 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1ED020I12-F2.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.48 грн
4+230.50 грн
10+203.96 грн
25+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12-FI 2ED020I12-FI INFINEON TECHNOLOGIES 10027685.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-18
Output current: -2...1A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Voltage class: 1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.62 грн
10+192.36 грн
25+175.77 грн
100+153.39 грн
250+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-2ed020i12-f2-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; PG-DSO-36; 2A; Ch: 2; MOSFET; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: PG-DSO-36
Output current: 2A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Voltage class: 1.2kV
Pulse fall time: 50ns
Turn-on time: 170ns
Impulse rise time: 30ns
Operating temperature: -40...150°C
Maximum output current: 2A
Power dissipation: 1W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+367.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.08 грн
10+59.70 грн
25+53.15 грн
100+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
8+53.73 грн
10+48.17 грн
50+35.49 грн
100+31.34 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA INFINEON TECHNOLOGIES IGCM15F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 29W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+903.61 грн
10+690.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+50.74 грн
100+34.57 грн
500+27.86 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7258.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.82 грн
11+40.05 грн
25+35.98 грн
100+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3GE INFINEON TECHNOLOGIES TLE7259-3.pdf Category: Ethernet interfaces -integrated circuits
Description: IC: Ethernet interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; 5.5÷27VDC
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: Ethernet interface
DC supply current: 5mA
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: transceiver
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
7+67.99 грн
25+59.70 грн
100+54.72 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EMXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7181EM.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Supply voltage: 7...34V DC
Topology: H-bridge; push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250VSJXUMA1 TLE7250VSJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7250V.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7268SKXUMA1 TLE7268SKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7268LCXUMA1.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷40VDC; LIN; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
Operating temperature: -40...150°C
Number of transmitters: 2
Number of receivers: 2
Supply voltage: 5.5...40V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7251VSJXUMA1 TLE7251VSJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7251V.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 3÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 TLE7182EMXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7182EM.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Supply voltage: 7...34V DC
Topology: H-bridge; push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
On-state resistance: 0.8Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Integrated circuit features: thermal protection
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250SJXUMA1 TLE7250SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7250.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250XSJXUMA1 TLE7250XSJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7250X.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7268LCXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7268LCXUMA1.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷40VDC; LIN; SMD; PG-TSON-14
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-TSON-14
Operating temperature: -40...150°C
Number of transmitters: 2
Number of receivers: 2
Supply voltage: 5.5...40V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 TLE75602ESDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 80V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.69 грн
3+203.96 грн
10+183.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
11+39.13 грн
100+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CS6XKSA1 IKY75N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Mounting: THT
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 440W
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.75 грн
11+39.63 грн
50+29.52 грн
100+26.28 грн
200+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD122N22KOF TD122N22KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD122N22KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
IR2156STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805.pdf
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.08 грн
50+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF irf3315spbf.pdf
IRF3315STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF.pdf
IRF3610STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP irf3805s-7ppbf.pdf
IRF3805STRL-7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7.pdf
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.65 грн
10+72.13 грн
25+61.44 грн
75+51.16 грн
100+48.92 грн
500+41.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7.pdf
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
10+64.34 грн
75+53.06 грн
150+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.06 грн
10+164.17 грн
20+145.92 грн
50+126.03 грн
100+113.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.47 грн
10+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008S.pdf
IRS2008SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf
IRS2005STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780
IRS2003STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF.pdf
IRS2007SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.13A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011STRPBF INFN-S-A0001467921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1A; Ch: 2; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2004STRPBF irs2004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675b86b2782
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.13A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF IRS2093MTRPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005MTRPBF infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; VFQFN14; 600mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Case: VFQFN14
Turn-on time: 160ns
Power dissipation: 2.1W
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: half-bridge
Topology: H-bridge
Integrated circuit features: MOSFET
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 0.6A
Pulse fall time: 30ns
Impulse rise time: 70ns
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...2A
Duty cycle factor: 0...98.5%
Operating voltage: 11...25V DC
Input voltage: 85...265V
Frequency: 20...250kHz
Topology: boost
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Application: SMPS
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+64.29 грн
9+49.75 грн
10+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01G.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...2A
Duty cycle factor: 0...98.5%
Operating voltage: 11...25V DC
Input voltage: 80...265V
Frequency: 50...250kHz
Topology: boost
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: PMIC
Mounting: SMD
Application: SMPS
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1 ICE2A265.pdf
ICE2A180ZXKLA1ICE2A180ZXKLA1
ICE2A180ZXKLA1ICE2A180ZXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Operating voltage: 8.5...21V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Input voltage: 80...265V
Output current: 4.1A
Type of integrated circuit: PMIC
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Power: 29/17W
Case: DIP7
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 0.1MHz
Topology: flyback
Breakdown voltage: 800V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF irfl024npbf.pdf
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12-F2.pdf
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.48 грн
4+230.50 грн
10+203.96 грн
25+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12-FI 10027685.pdf
2ED020I12-FI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-18
Output current: -2...1A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Voltage class: 1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.62 грн
10+192.36 грн
25+175.77 грн
100+153.39 грн
250+138.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 infineon-2ed020i12-f2-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; half-bridge; PG-DSO-36; 2A; Ch: 2; MOSFET; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: H-bridge
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: PG-DSO-36
Output current: 2A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Voltage class: 1.2kV
Pulse fall time: 50ns
Turn-on time: 170ns
Impulse rise time: 30ns
Operating temperature: -40...150°C
Maximum output current: 2A
Power dissipation: 1W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+367.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.08 грн
10+59.70 грн
25+53.15 грн
100+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LG-DTE.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
8+53.73 грн
10+48.17 грн
50+35.49 грн
100+31.34 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF description irfp4227pbf.pdf
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA.pdf
IGCM15F60GA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 29W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+903.61 грн
10+690.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15F60GAXKMA1 Infineon-IKCM15F60GA-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb43b29e78c1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; half-bridge; DIP24; 15A; Iout max: 15A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: half-bridge
Case: DIP24
Output current: 15A
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Maximum output current: 15A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+50.74 грн
100+34.57 грн
500+27.86 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258.pdf
TLE7258SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.82 грн
11+40.05 грн
25+35.98 грн
100+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3.pdf
TLE7259-3GE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Ethernet interfaces -integrated circuits
Description: IC: Ethernet interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; 5.5÷27VDC
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: Ethernet interface
DC supply current: 5mA
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: transceiver
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
7+67.99 грн
25+59.70 грн
100+54.72 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EM.pdf
TLE7181EMXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Supply voltage: 7...34V DC
Topology: H-bridge; push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250VSJXUMA1 TLE7250V.pdf
TLE7250VSJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7268SKXUMA1 TLE7268LCXUMA1.pdf
TLE7268SKXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷40VDC; LIN; SMD; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-14
Operating temperature: -40...150°C
Number of transmitters: 2
Number of receivers: 2
Supply voltage: 5.5...40V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7251VSJXUMA1 TLE7251V.pdf
TLE7251VSJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 3÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 3...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 TLE7182EM.pdf
TLE7182EMXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Supply voltage: 7...34V DC
Topology: H-bridge; push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7230RAUMA1 Infineon-TLE7230R-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa2e2c9520f8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 8; N-Channel; SMD; PG-DSO-36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2A
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-36
On-state resistance: 0.8Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Integrated circuit features: thermal protection
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250SJXUMA1 TLE7250.pdf
TLE7250SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7250XSJXUMA1 TLE7250X.pdf
TLE7250XSJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 4.5÷5.5VDC; PG-DSO-8; -40÷150°C; No.of rec: 1
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 60mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Interface: CAN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7268LCXUMA1 TLE7268LCXUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷40VDC; LIN; SMD; PG-TSON-14
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-TSON-14
Operating temperature: -40...150°C
Number of transmitters: 2
Number of receivers: 2
Supply voltage: 5.5...40V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
TLE75602ESDXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3G-DTE.pdf
IPA037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 80V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.69 грн
3+203.96 грн
10+183.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327-DTE.pdf
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
11+39.13 грн
100+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKY75N120CS6XKSA1 IKY75N120CS6.pdf
IKY75N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Mounting: THT
Pulsed collector current: 300A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 440W
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.75 грн
11+39.63 грн
50+29.52 грн
100+26.28 грн
200+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+233.05 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD122N22KOF TD122N22KOF.pdf
TD122N22KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; Ufmax: 1.95V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]