Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123028) > Сторінка 2011 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY8C22345-24PVXA CY8C22345-24PVXA INFINEON TECHNOLOGIES CY8C22345-24PVXA.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Mounting: SMD
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+329.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.29 грн
5+138.46 грн
10+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.37 грн
10+149.24 грн
25+115.25 грн
50+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.26 грн
10+181.58 грн
50+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.19 грн
5+161.68 грн
10+143.44 грн
15+135.15 грн
25+131.00 грн
50+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120CS7.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 38ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 490ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 125W
Gate charge: 150nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.37 грн
10+220.55 грн
30+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8748pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.18 грн
7+65.33 грн
10+58.04 грн
25+49.83 грн
50+44.36 грн
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+510.74 грн
10+320.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN7550B.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.64 грн
12+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI000 S25FL128SAGNFI000 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI001 S25FL128SAGNFI001 INFINEON TECHNOLOGIES 001-98283%20Rev%20T.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI011 S25FL128SAGNFI011 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.12 грн
5+291.85 грн
25+271.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811 Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irl40sc228-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.94 грн
10+205.62 грн
25+174.94 грн
50+155.87 грн
100+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7257.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF IRS2108PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2108.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094SPBF IRS21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2109.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT122N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBF IRF7805TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.68 грн
10+89.79 грн
50+63.59 грн
100+55.05 грн
125+52.65 грн
250+46.51 грн
500+41.79 грн
800+39.30 грн
1600+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R750P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.39 грн
14+31.51 грн
15+29.52 грн
50+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU95R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 73W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 950V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.94 грн
5+112.76 грн
10+97.84 грн
25+81.25 грн
50+71.30 грн
75+66.33 грн
150+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlh5030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.18 грн
10+79.60 грн
20+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
7+60.69 грн
10+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp90n20d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+337.52 грн
10+241.27 грн
25+219.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC CY7C65632-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC CY7C65642-48AXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT CY7C65642-48AXCT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Turn-off time: 60ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Voltage class: 200V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.97 грн
5+85.40 грн
10+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2010SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: THT
Case: DIP14
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+336.62 грн
3+286.88 грн
5+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.58 грн
10+177.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR166.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
29+14.59 грн
36+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR162.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
10+55.05 грн
100+42.78 грн
250+40.63 грн
500+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS50080-1TEA INFINEON TECHNOLOGIES BTS500801TEA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...30V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.34 грн
10+201.48 грн
100+170.80 грн
500+149.24 грн
1000+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50080-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.70 грн
5+314.24 грн
25+282.73 грн
100+262.00 грн
250+249.56 грн
500+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
10+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7805zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 IRF3205ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
10+43.03 грн
100+32.17 грн
500+28.77 грн
1000+26.20 грн
2000+24.04 грн
4000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+69.81 грн
10+63.10 грн
50+48.50 грн
100+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES FP15R12W1T4B3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2882.27 грн
2+2581.88 грн
3+2552.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES FP75R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+20170.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP450H6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
14+29.68 грн
100+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.11 грн
28+15.26 грн
100+9.49 грн
250+7.74 грн
500+6.50 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.11 грн
17+24.62 грн
100+17.99 грн
250+16.17 грн
500+15.09 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 326W
Gate charge: 115nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.01 грн
6+305.12 грн
10+278.58 грн
20+243.76 грн
30+230.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW25N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 2004ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 92.4W
Gate charge: 147nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.16 грн
10+173.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
5+102.81 грн
10+90.71 грн
50+65.33 грн
100+57.21 грн
250+49.00 грн
500+44.44 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C22345-24PVXA CY8C22345-24PVXA.pdf
CY8C22345-24PVXA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Clock frequency: 24MHz
Interface: I2C; SPI; UART
Supply voltage: 3...5.25V DC
Case: SSOP28
Mounting: SMD
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Integrated circuit features: CapSense
Kind of core: 8-bit
Number of inputs/outputs: 24
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+329.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.29 грн
5+138.46 грн
10+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.37 грн
10+149.24 грн
25+115.25 грн
50+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF irfs3004pbf.pdf
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.26 грн
10+181.58 грн
50+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+215.19 грн
5+161.68 грн
10+143.44 грн
15+135.15 грн
25+131.00 грн
50+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 37A; 125W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 38ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 490ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 125W
Gate charge: 150nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.37 грн
10+220.55 грн
30+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF irlb8748pbf.pdf
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.18 грн
7+65.33 грн
10+58.04 грн
25+49.83 грн
50+44.36 грн
100+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.74 грн
10+320.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550B.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.64 грн
12+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI000 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL128SAGNFI000
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI001 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL128SAGNFI001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFI011 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGNFI011
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+349.12 грн
5+291.85 грн
25+271.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...45V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC228 infineon-irl40sc228-ds-en.pdf
IRL40SC228
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 557A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 557A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+308.94 грн
10+205.62 грн
25+174.94 грн
50+155.87 грн
100+150.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257.pdf
TLE7257SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
DC supply current: 3mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF irs2108.pdf
IRS2108PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094SPBF irs2109.pdf
IRS21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOF.pdf
TT122N22KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805TRPBF description irf7805pbf.pdf
IRF7805TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF irl530nspbf.pdf
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.68 грн
10+89.79 грн
50+63.59 грн
100+55.05 грн
125+52.65 грн
250+46.51 грн
500+41.79 грн
800+39.30 грн
1600+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7S.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.39 грн
14+31.51 грн
15+29.52 грн
50+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7.pdf
IPU95R750P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 73W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 950V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.94 грн
5+112.76 грн
10+97.84 грн
25+81.25 грн
50+71.30 грн
75+66.33 грн
150+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSG-DTE.pdf
BSZ100N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLH5030TRPBF irlh5030pbf.pdf
IRLH5030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.18 грн
10+79.60 грн
20+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
7+60.69 грн
10+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+337.52 грн
10+241.27 грн
25+219.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-48AXC download
CY7C65632-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65632-28LTXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; QFN28
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: QFN28
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXC Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXC
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65642-48AXCT Infineon-CY7C65642_HX2VL_VERY_LOW-POWER_USB_2.0_TETRAHUB_CONTROLLER-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecba5984534&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C65642-48AXCT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: HUB controller; GPIO,I2C,SPI,USB 2.0; 3.15÷3.45VDC; TQFP48
Type of integrated circuit: HUB controller
Interface: GPIO; I2C; SPI; USB 2.0
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 3.15...3.45V DC
Case: TQFP48
Integrated circuit features: USB HUB
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 80ns
Power: 625mW
Turn-off time: 60ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Voltage class: 200V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+116.97 грн
5+85.40 грн
10+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010SPBF.pdf
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: THT
Case: DIP14
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+336.62 грн
3+286.88 грн
5+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.58 грн
10+177.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166.pdf
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
29+14.59 грн
36+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162.pdf
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3G-DTE.pdf
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
10+55.05 грн
100+42.78 грн
250+40.63 грн
500+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TEA BTS500801TEA.pdf
BTS50080-1TEA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO252-5-11
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...30V DC
Output current: 10A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 39V
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.34 грн
10+201.48 грн
100+170.80 грн
500+149.24 грн
1000+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMA BTS50080-1TMA.pdf
BTS50080-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Case: PG-TO220-7-4
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+402.70 грн
5+314.24 грн
25+282.73 грн
100+262.00 грн
250+249.56 грн
500+224.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.5mΩ
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
10+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7805ZTRPBF irf7805zpbf.pdf
IRF7805ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
10+43.03 грн
100+32.17 грн
500+28.77 грн
1000+26.20 грн
2000+24.04 грн
4000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+69.81 грн
10+63.10 грн
50+48.50 грн
100+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4B3.pdf
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EasyPIM™ 1B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2882.27 грн
2+2581.88 грн
3+2552.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4.pdf
FP75R12KT4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-ECONO3-3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 3
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20170.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327XTSA1 Infineon-BFP450-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f034c5f3916
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327-dte.pdf
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 24GHz
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.61 грн
14+29.68 грн
100+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.11 грн
28+15.26 грн
100+9.49 грн
250+7.74 грн
500+6.50 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.11 грн
17+24.62 грн
100+17.99 грн
250+16.17 грн
500+15.09 грн
1000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 326W
Gate charge: 115nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+359.01 грн
6+305.12 грн
10+278.58 грн
20+243.76 грн
30+230.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 2004ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 92.4W
Gate charge: 147nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.16 грн
10+173.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.04 грн
5+102.81 грн
10+90.71 грн
50+65.33 грн
100+57.21 грн
250+49.00 грн
500+44.44 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]