Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (121550) > Сторінка 2013 з 2026

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW61AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 120
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7380pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
13+32.62 грн
25+29.35 грн
100+23.82 грн
500+19.04 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 9.3A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CE
Case: PG-TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R045CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.82 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA057N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.86 грн
10+149.28 грн
50+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
7+66.09 грн
10+57.53 грн
50+39.08 грн
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.67 грн
5+123.28 грн
50+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
10+71.29 грн
15+65.41 грн
25+58.71 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.44 грн
10+101.48 грн
25+86.38 грн
100+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R1K4P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.84 грн
15+28.26 грн
50+22.81 грн
100+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+54.93 грн
15+51.16 грн
25+46.80 грн
75+38.66 грн
100+36.90 грн
500+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
5+134.18 грн
10+121.60 грн
50+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
10+42.44 грн
11+39.84 грн
25+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.70 грн
5+107.35 грн
10+95.61 грн
50+72.96 грн
100+65.41 грн
250+58.71 грн
500+52.83 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R280P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.31 грн
10+83.86 грн
50+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 35nC
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.44 грн
5+135.86 грн
10+119.93 грн
25+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.48 грн
12+37.57 грн
50+28.60 грн
100+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.73 грн
10+92.25 грн
20+82.19 грн
50+70.45 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 9nC
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
10+45.12 грн
50+30.86 грн
100+26.33 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.00 грн
12+37.99 грн
100+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD075N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
17+25.49 грн
18+23.65 грн
25+21.55 грн
50+20.04 грн
100+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.93 грн
15+29.52 грн
50+24.32 грн
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
6+74.81 грн
10+66.09 грн
50+46.55 грн
100+40.09 грн
250+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R125G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.40 грн
10+224.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R2K0P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 9nC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.28 грн
10+44.62 грн
50+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 390A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 153A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 87A
Leakage current: 4.1µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 0.56W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: AG-EASY1B
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U134N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U104N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoBRIDGE™
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: AG-ECONO2B
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3c35823305 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
60+7.04 грн
65+6.46 грн
79+5.37 грн
100+4.92 грн
500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
33+12.75 грн
38+11.24 грн
100+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.51 грн
17+24.99 грн
19+22.22 грн
25+19.04 грн
50+17.28 грн
100+16.52 грн
250+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.85 грн
25+19.04 грн
100+16.86 грн
500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.56 грн
10+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 IPA600N25NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB600N25N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC600N25NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+104.83 грн
10+92.25 грн
50+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
25+17.36 грн
100+9.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+115.73 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.02 грн
10+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW61AE6327HTSA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 120
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSG-DTE.pdf
BSC030N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.74 грн
13+32.62 грн
25+29.35 грн
100+23.82 грн
500+19.04 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R400CEAUMA1 Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 9.3A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CE
Case: PG-TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CP-DTE.pdf
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ CP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3G-DTE.pdf
IPA057N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.82 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3G-DTE.pdf
IPA057N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.86 грн
10+149.28 грн
50+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD09P06PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.80 грн
7+66.09 грн
10+57.53 грн
50+39.08 грн
100+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.67 грн
5+123.28 грн
50+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+108.38 грн
10+71.29 грн
15+65.41 грн
25+58.71 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.44 грн
10+101.48 грн
25+86.38 грн
100+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7S.pdf
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.84 грн
15+28.26 грн
50+22.81 грн
100+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7.pdf
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.80 грн
10+54.93 грн
15+51.16 грн
25+46.80 грн
75+38.66 грн
100+36.90 грн
500+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3G-DTE.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.21 грн
5+134.18 грн
10+121.60 грн
50+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LG-DTE.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.58 грн
10+42.44 грн
11+39.84 грн
25+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.70 грн
5+107.35 грн
10+95.61 грн
50+72.96 грн
100+65.41 грн
250+58.71 грн
500+52.83 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7.pdf
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 18nC
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+146.31 грн
10+83.86 грн
50+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 35nC
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.44 грн
5+135.86 грн
10+119.93 грн
25+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.48 грн
12+37.57 грн
50+28.60 грн
100+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.73 грн
10+92.25 грн
20+82.19 грн
50+70.45 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 9nC
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.74 грн
10+45.12 грн
50+30.86 грн
100+26.33 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.7A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+56.00 грн
12+37.99 грн
100+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LG-DTE.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.71 грн
17+25.49 грн
18+23.65 грн
25+21.55 грн
50+20.04 грн
100+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG-DTE.pdf
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.93 грн
15+29.52 грн
50+24.32 грн
100+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R1K2P7.pdf
IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.74 грн
6+74.81 грн
10+66.09 грн
50+46.55 грн
100+40.09 грн
250+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7.pdf
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 54A
Gate charge: 27nC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.40 грн
10+224.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7.pdf
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 9nC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.28 грн
10+44.62 грн
50+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 390A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237
IDW40G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 153A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5B.pdf
IDW40G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 87A
Leakage current: 4.1µA
Power dissipation: 112W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSV236SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.56W; PG-SOT-363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 0.56W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: AG-EASY1B
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 DDB6U134N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 DDB6U104N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoBRIDGE™
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: AG-ECONO2B
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3c35823305
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR_B11-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161f6857321f16
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO2B; 515W; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
Power dissipation: 515W
Case: AG-ECONO2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.03 грн
60+7.04 грн
65+6.46 грн
79+5.37 грн
100+4.92 грн
500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.06 грн
33+12.75 грн
38+11.24 грн
100+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.51 грн
17+24.99 грн
19+22.22 грн
25+19.04 грн
50+17.28 грн
100+16.52 грн
250+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.85 грн
25+19.04 грн
100+16.86 грн
500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+218.56 грн
10+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA600N25NM3SXKSA1 Infineon-IPA600N25NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d19624b6e3d
IPA600N25NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3G-DTE.pdf
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3G-DTE.pdf
BSC600N25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD600N25N3GATMA1 Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3014-BZXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB controller; GPIO,I2C,I2S,SPI,UART; 512kBSRAM; TFBGA121
Type of integrated circuit: USB controller
Interface: GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Memory: 512kB SRAM
Supply voltage: 1.15...1.25V DC
Case: TFBGA121
Integrated circuit features: watchdog
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of inputs/outputs: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.83 грн
10+92.25 грн
50+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327.pdf
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.29 грн
25+17.36 грн
100+9.81 грн
500+6.57 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG-DTE.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4041KV13-667FCXC Infineon-CY7C4021KV13_CY7C4041KV13_72-Mbit_QDR-IV_HP_SRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec4cc743a40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 667MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.15 грн
10+115.73 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™
Case: TSOP6
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.02 грн
10+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]