Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123023) > Сторінка 2015 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC110N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
10+114.42 грн
50+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.37 грн
10+124.37 грн
25+112.76 грн
100+96.18 грн
250+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
6+81.25 грн
10+70.48 грн
25+58.04 грн
50+52.23 грн
100+50.58 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.04 грн
5+120.22 грн
10+108.61 грн
25+94.52 грн
50+87.89 грн
100+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.24 грн
10+112.76 грн
20+95.35 грн
50+77.94 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.26 грн
10+126.86 грн
50+113.59 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.90 грн
10+143.44 грн
25+129.34 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.65 грн
5+111.10 грн
10+79.60 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.70 грн
10+88.72 грн
50+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.01 грн
10+117.73 грн
50+87.89 грн
100+77.11 грн
250+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
34+12.52 грн
50+8.54 грн
100+7.25 грн
500+5.14 грн
1000+4.46 грн
3000+3.68 грн
6000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT6202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT62E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.25 грн
21+19.82 грн
50+14.76 грн
100+13.10 грн
250+11.19 грн
500+9.78 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT62E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
6+70.97 грн
10+62.85 грн
50+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA524N6.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXI CY8C28452-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 478A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.6mΩ
Gate charge: 267nC
Power dissipation: 375W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3BR4765JG.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.86 грн
25+84.57 грн
100+78.77 грн
500+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.97 грн
10+44.27 грн
100+31.34 грн
500+25.29 грн
1000+23.38 грн
2000+21.56 грн
2500+21.14 грн
5000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL INFINEON TECHNOLOGIES BTS3800SL.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
10+62.43 грн
25+52.40 грн
100+40.71 грн
250+34.82 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXI-040 CY8C3866AXI-040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Clock frequency: 67MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LTI-M445 CY8C4126LTI-M445 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4125AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP032 CY8C5868AXI-LP032 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP035 CY8C5868AXI-LP035 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
32+13.35 грн
100+9.58 грн
500+6.71 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.47 грн
10+140.95 грн
25+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.23 грн
10+176.60 грн
25+156.70 грн
100+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.47 грн
21+20.40 грн
100+13.18 грн
250+11.28 грн
500+10.12 грн
1000+9.29 грн
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.86 грн
10+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.75 грн
12+36.98 грн
100+29.77 грн
250+28.11 грн
500+27.03 грн
1000+26.12 грн
2000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65213.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C65213.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES S25FL.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-en.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 INFINEON TECHNOLOGIES 002-00466%20Rev%20J.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP220N25NFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8736pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1ICE2QR2280ZXKLA1
ICE2QR2280ZXKLA1ICE2QR2280ZXKLA1
 ICE2QR2280ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QR2280Z.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 BTS716GBXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716GB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
Power dissipation: 3.6W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.12 грн
5+224.69 грн
10+211.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 IPB19DP10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV020 INFINEON TECHNOLOGIES CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV020 INFINEON TECHNOLOGIES FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV023 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 24nC
Turn-off time: 90ns
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.11 грн
13+33.58 грн
25+27.44 грн
100+20.40 грн
500+15.42 грн
1000+13.76 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.15 грн
10+71.30 грн
20+69.65 грн
50+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3G-DTE.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
10+114.42 грн
50+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 60mΩ
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
Power dissipation: 1.9W
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.37 грн
10+124.37 грн
25+112.76 грн
100+96.18 грн
250+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
6+81.25 грн
10+70.48 грн
25+58.04 грн
50+52.23 грн
100+50.58 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.76 грн
10+85.40 грн
20+76.28 грн
50+65.50 грн
100+58.87 грн
200+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF irfs52n15d.pdf
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.04 грн
5+120.22 грн
10+108.61 грн
25+94.52 грн
50+87.89 грн
100+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
10+78.77 грн
20+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.24 грн
10+112.76 грн
20+95.35 грн
50+77.94 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.26 грн
10+126.86 грн
50+113.59 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.90 грн
10+143.44 грн
25+129.34 грн
50+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF irfs7537pbf.pdf
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.65 грн
5+111.10 грн
10+79.60 грн
25+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF irfs3307zpbf.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.70 грн
10+88.72 грн
50+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6-DTE.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.01 грн
10+117.73 грн
50+87.89 грн
100+77.11 грн
250+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.75 грн
34+12.52 грн
50+8.54 грн
100+7.25 грн
500+5.14 грн
1000+4.46 грн
3000+3.68 грн
6000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT62E6327HTSA1.pdf
BAT6202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.25 грн
21+19.82 грн
50+14.76 грн
100+13.10 грн
250+11.19 грн
500+9.78 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1.pdf
BAT62E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
6+70.97 грн
10+62.85 грн
50+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 BGA524N6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28452-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 478A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.6mΩ
Gate charge: 267nC
Power dissipation: 375W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JG.pdf
ICE3BR4765JGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.86 грн
25+84.57 грн
100+78.77 грн
500+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G-DTE.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.97 грн
10+44.27 грн
100+31.34 грн
500+25.29 грн
1000+23.38 грн
2000+21.56 грн
2500+21.14 грн
5000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL.pdf
BTS3800SL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
10+62.43 грн
25+52.40 грн
100+40.71 грн
250+34.82 грн
500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866AXI-040 Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C3866AXI-040
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 8kBSRAM,64kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Clock frequency: 67MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 72
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LTI-M445 CY8C4125AZI-M443.pdf
CY8C4126LTI-M445
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; QFN68; 8kBSRAM,64kBFLASH
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Case: QFN68
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 55
Memory: 8kB SRAM; 64kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP032 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
CY8C5868AXI-LP032
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5868AXI-LP035 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
CY8C5868AXI-LP035
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 64kBSRAM,256kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of core: 32-bit
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: watchdog
Memory: 64kB SRAM; 256kB FLASH
Clock frequency: 67MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21E6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS21E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
32+13.35 грн
100+9.58 грн
500+6.71 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI-DTE.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 65mA; 250mW; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 70
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF.pdf
IRFP7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 382 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.47 грн
10+140.95 грн
25+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf
IRFS7530TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.23 грн
10+176.60 грн
25+156.70 грн
100+132.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.47 грн
21+20.40 грн
100+13.18 грн
250+11.28 грн
500+10.12 грн
1000+9.29 грн
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6-DTE.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+142.86 грн
10+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.75 грн
12+36.98 грн
100+29.77 грн
250+28.11 грн
500+27.03 грн
1000+26.12 грн
2000+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-28PVXIT Infineon-CY7C65213.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213A-32LTXIT Infineon-CY7C65213.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x8,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x8; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN32
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA011 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA013 infineon-s25fl064l-64-mbit-8-mbyte-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFA010 S25FL.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFA010 infineon-s25fl512s-512-mb-64-mb-fl-s-flash-spi-multi-i-o-3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70FL01GSAGMFA010 002-00466%20Rev%20J.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SOIC16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 IPP220N25NFD-DTE.pdf
IPP220N25NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 61A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 61A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 ICE2QR2280Z.pdf
ICE2QR2280ZXKLA1ICE2QR2280ZXKLA1
ICE2QR2280ZXKLA1ICE2QR2280ZXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GBXUMA1 BTS716GB.pdf
BTS716GBXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Turn-off time: 0.25ms
Turn-on time: 270µs
Power dissipation: 3.6W
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.12 грн
5+224.69 грн
10+211.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
IPB19DP10NMATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV020 CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80DHV023 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV020 FASLS03740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHV023 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 100ns
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RC2ATMA1 Infineon-IKD04N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522334a44d1d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 8A; 36.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 36.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 24nC
Turn-off time: 90ns
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+49.11 грн
13+33.58 грн
25+27.44 грн
100+20.40 грн
500+15.42 грн
1000+13.76 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF irfb4615pbf.pdf
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.15 грн
10+71.30 грн
20+69.65 грн
50+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon-BSC093N15NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb01507033a3fa1175
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 87A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 87A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]