Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149524) > Сторінка 276 з 2493

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2493  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CY8C4127LTI-M475 CY8C4127LTI-M475 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 55
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.42 грн
10+517.05 грн
25+492.99 грн
80+401.72 грн
260+383.66 грн
520+349.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-M433 CY8C4245AZI-M433 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.44 грн
10+190.83 грн
25+175.53 грн
100+148.95 грн
250+141.42 грн
500+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 CY8C4246AZI-M443 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.92 грн
10+283.90 грн
25+262.22 грн
80+226.81 грн
250+226.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.04 грн
10+371.90 грн
25+344.69 грн
90+302.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CY8C5888AXQ-LP096 Infineon Technologies infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2331.68 грн
10+1818.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTQ-LP097 CY8C5888LTQ-LP097 Infineon Technologies infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2054.06 грн
10+1595.42 грн
25+1499.82 грн
100+1308.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2302-68LTXI CYUSB2302-68LTXI Infineon Technologies Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC USB 2.0 HUB 2-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.61 грн
10+319.17 грн
25+294.86 грн
100+251.62 грн
260+239.21 грн
520+232.08 грн
1040+222.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2304-68LTXI CYUSB2304-68LTXI Infineon Technologies Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC USB 2.0 HUB 4-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.29 грн
10+290.14 грн
25+267.77 грн
100+228.16 грн
260+216.72 грн
520+210.15 грн
1040+201.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 2ED020I06FIXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED020I06-FI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fda7f8a9335d0 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 14V ~ 18V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-18-2
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.64 грн
10+150.07 грн
25+137.34 грн
100+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 6EDL04N06PTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 620 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.15 грн
10+173.61 грн
25+159.12 грн
100+134.49 грн
250+127.40 грн
500+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.15 грн
10+70.94 грн
100+57.09 грн
500+50.02 грн
1000+46.55 грн
2000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF IR2213STRPBF Infineon Technologies ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.79 грн
10+349.10 грн
25+322.77 грн
100+275.72 грн
250+262.76 грн
500+254.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF IR2304STRPBF Infineon Technologies ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+63.47 грн
25+57.40 грн
100+47.67 грн
250+44.70 грн
500+42.91 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR3827MTRPBF IR3827MTRPBF Infineon Technologies ir3827m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1d28317c0 Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.2MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR7106STRPBF IR7106STRPBF Infineon Technologies ir7106s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d61a06182a Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Infineon Technologies irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.16 грн
10+60.11 грн
100+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.05 грн
10+204.19 грн
100+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8 Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.12 грн
10+210.75 грн
100+149.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.78 грн
10+182.54 грн
100+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.50 грн
10+115.46 грн
100+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+328.72 грн
10+208.87 грн
100+147.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP Infineon Technologies irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6 Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF Infineon Technologies irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF IRS2117STRPBF Infineon Technologies irs2117pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356767f2127b9 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.17 грн
10+43.30 грн
25+38.97 грн
100+32.13 грн
250+30.01 грн
500+28.73 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF Infineon Technologies irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826 Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.76 грн
10+136.54 грн
25+124.68 грн
100+104.82 грн
250+99.00 грн
500+95.49 грн
1000+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.18 грн
10+90.94 грн
100+61.41 грн
500+45.76 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.50 грн
10+46.42 грн
100+30.34 грн
500+21.99 грн
1000+19.90 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12-B2-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6 Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.41 грн
10+258.65 грн
25+238.34 грн
100+202.70 грн
250+192.70 грн
500+186.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2ED020I12F2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.46 грн
10+337.45 грн
25+311.88 грн
100+266.34 грн
250+253.78 грн
500+246.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.03 грн
10+186.73 грн
25+171.23 грн
100+144.70 грн
250+137.07 грн
500+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 BGM15LA12E6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
Gain: 17.3dB
Current - Supply: 4.9mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598 Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: DC Blocked, Single Line Control
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.39dB
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.06 грн
10+48.96 грн
25+45.99 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 43675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.87 грн
10+121.86 грн
100+83.71 грн
500+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSC079N03LSCG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.55 грн
23+14.52 грн
100+8.96 грн
500+6.90 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74 Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.53 грн
10+43.05 грн
100+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+36.66 грн
100+23.68 грн
500+17.00 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.53 грн
10+42.97 грн
100+28.00 грн
500+20.23 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.47 грн
100+35.16 грн
500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
28+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.84 грн
24+14.02 грн
100+8.78 грн
500+6.10 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.55 грн
10+96.93 грн
100+65.71 грн
500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.87 грн
10+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.71 грн
10+72.66 грн
100+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 28132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.11 грн
10+69.38 грн
100+46.20 грн
500+34.04 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.18 грн
10+91.11 грн
100+61.55 грн
500+45.88 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.16 грн
6000+10.73 грн
9000+10.23 грн
15000+9.07 грн
21000+8.76 грн
30000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+9.61 грн
9000+9.15 грн
15000+8.10 грн
21000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.00 грн
50+49.40 грн
100+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1 IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e76e439a1b24 Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1 IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.53 грн
10+57.16 грн
100+37.62 грн
500+27.42 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 23054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.54 грн
12+29.03 грн
100+18.62 грн
500+13.26 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127LTI-M475 download
CY8C4127LTI-M475
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 55
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.42 грн
10+517.05 грн
25+492.99 грн
80+401.72 грн
260+383.66 грн
520+349.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-M433 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4245AZI-M433
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.44 грн
10+190.83 грн
25+175.53 грн
100+148.95 грн
250+141.42 грн
500+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4246AZI-M443
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.92 грн
10+283.90 грн
25+262.22 грн
80+226.81 грн
250+226.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4247AXI-M485
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.04 грн
10+371.90 грн
25+344.69 грн
90+302.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
CY8C5888AXQ-LP096
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2331.68 грн
10+1818.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTQ-LP097 infineon-psoc-5lp-cy8c58lp-datasheet-datasheet-en.pdf
CY8C5888LTQ-LP097
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2054.06 грн
10+1595.42 грн
25+1499.82 грн
100+1308.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2302-68LTXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB2302-68LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB 2.0 HUB 2-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.61 грн
10+319.17 грн
25+294.86 грн
100+251.62 грн
260+239.21 грн
520+232.08 грн
1040+222.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2304-68LTXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB2304-68LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB 2.0 HUB 4-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.29 грн
10+290.14 грн
25+267.77 грн
100+228.16 грн
260+216.72 грн
520+210.15 грн
1040+201.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 Infineon-2ED020I06-FI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fda7f8a9335d0
2ED020I06FIXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 14V ~ 18V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-18-2
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.64 грн
10+150.07 грн
25+137.34 грн
100+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04N06PTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 620 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+173.61 грн
25+159.12 грн
100+134.49 грн
250+127.40 грн
500+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318S.pdf
BSP318SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+70.94 грн
100+57.09 грн
500+50.02 грн
1000+46.55 грн
2000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8
IR2213STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.79 грн
10+349.10 грн
25+322.77 грн
100+275.72 грн
250+262.76 грн
500+254.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0
IR2304STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.12 грн
10+63.47 грн
25+57.40 грн
100+47.67 грн
250+44.70 грн
500+42.91 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR3827MTRPBF ir3827m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1d28317c0
IR3827MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.2MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR7106STRPBF ir7106s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d61a06182a
IR7106STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e
IRFH5020TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.16 грн
10+60.11 грн
100+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1
IRFS4229TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.05 грн
10+204.19 грн
100+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8
IRFS7530TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.12 грн
10+210.75 грн
100+149.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 7211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.78 грн
10+182.54 грн
100+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.50 грн
10+115.46 грн
100+79.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
IRFS7730TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.72 грн
10+208.87 грн
100+147.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6
IRFS7734TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb
IRFS7787TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF irs2117pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356767f2127b9
IRS2117STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.17 грн
10+43.30 грн
25+38.97 грн
100+32.13 грн
250+30.01 грн
500+28.73 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826
IRS25411STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
10+136.54 грн
25+124.68 грн
100+104.82 грн
250+99.00 грн
500+95.49 грн
1000+91.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c
BSC118N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.18 грн
10+90.94 грн
100+61.41 грн
500+45.76 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.50 грн
10+46.42 грн
100+30.34 грн
500+21.99 грн
1000+19.90 грн
2000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 Infineon-1ED020I12-B2-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6
1ED020I12B2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.41 грн
10+258.65 грн
25+238.34 грн
100+202.70 грн
250+192.70 грн
500+186.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8
2ED020I12F2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.46 грн
10+337.45 грн
25+311.88 грн
100+266.34 грн
250+253.78 грн
500+246.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.03 грн
10+186.73 грн
25+171.23 грн
100+144.70 грн
250+137.07 грн
500+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGM15LA12E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
Gain: 17.3dB
Current - Supply: 4.9mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598
BGSA12GN10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: DC Blocked, Single Line Control
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.39dB
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.06 грн
10+48.96 грн
25+45.99 грн
100+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 43675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.87 грн
10+121.86 грн
100+83.71 грн
500+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCG.pdf
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC882N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.55 грн
23+14.52 грн
100+8.96 грн
500+6.90 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.53 грн
10+43.05 грн
100+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+36.66 грн
100+23.68 грн
500+17.00 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.53 грн
10+42.97 грн
100+28.00 грн
500+20.23 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949
BSP320SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.57 грн
10+53.47 грн
100+35.16 грн
500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.44 грн
28+11.97 грн
100+7.46 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.84 грн
24+14.02 грн
100+8.78 грн
500+6.10 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.55 грн
10+96.93 грн
100+65.71 грн
500+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675
IPD038N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.87 грн
10+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
10+72.66 грн
100+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 28132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.11 грн
10+69.38 грн
100+46.20 грн
500+34.04 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.18 грн
10+91.11 грн
100+61.55 грн
500+45.88 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.16 грн
6000+10.73 грн
9000+10.23 грн
15000+9.07 грн
21000+8.76 грн
30000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.91 грн
6000+9.61 грн
9000+9.15 грн
15000+8.10 грн
21000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43
IPA80R1K4CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e
IPAN50R500CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
50+49.40 грн
100+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon-IPAN65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e76e439a1b24
IPAN65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1 Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c
IPS70R950CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
IPD70R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.53 грн
10+57.16 грн
100+37.62 грн
500+27.42 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c
IPD70R950CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 23054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.54 грн
12+29.03 грн
100+18.62 грн
500+13.26 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 271 272 273 274 275 276 277 278 279 280 281 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2493  [ Наступна Сторінка >> ]