Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123001) > Сторінка 359 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP295L6327 BSP295L6327 Infineon Technologies INFNS16525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 308310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGF148E6327XTSA1 Infineon Technologies BGF148_Rev1.9.2_4-2-14.pdf Description: IC INTERFACE PROTECTION TSNP14-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6E2C29J0AGV2000A S6E2C29J0AGV2000A Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 1.5MB FLASH 176LQFP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 192K x 8
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 176-LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 152
Part Status: Active
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Peripherals: DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, SD, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60E6_L4303M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435faf1643e&fileId=db3a304412b407950112b435fb6e643f Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6 UNSAWN Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6YX1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60E6.pdf Description: DIODE GP 600V 20A WAFER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA2 Infineon Technologies SIDC09D60F6_L4304M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435f4e8642f&fileId=db3a304412b407950112b435f5666430 Description: DIODE GP 600V 30A WAFER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6X1SA3 Infineon Technologies SIDC09D60E6.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA5 Infineon Technologies SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+98.72 грн
100+67.40 грн
500+50.69 грн
1000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 IPD60R180C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61 Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.10 грн
10+131.18 грн
100+94.43 грн
500+69.84 грн
1000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS102B0MBBOARDTOBO1 TLS102B0MBBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Z8F61701244_TLS10xB0MB_Demoboards-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e016317dad3046601 Description: EVAL BOARD FOR TLS102B0MB
Packaging: Box
Voltage - Output: 2V ~ 14V
Voltage - Input: 4V ~ 45V
Current - Output: 20mA
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS102B0MB
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2380.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRLPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.78 грн
10000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+70.96 грн
100+47.58 грн
500+35.24 грн
1000+32.22 грн
2000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083 Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1 BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083 Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA120-56LTXI CY8CTMA120-56LTXI Infineon Technologies Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE 56VQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Core Processor: M8C
Applications: Touchscreen Controller
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Controller Series: CY8CT
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
RAM Size: 1K x 8
Interface: I²C, SPI, UART/USART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+671.07 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM003 S25FL064LABMFM003 Infineon Technologies Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFM013 S25FL128LAGMFM013 Infineon Technologies Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224 Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG8280AA Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8280AAT Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8285AA Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8285AAT Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8282AA Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8282AAT Infineon Technologies Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8287AAT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8288AAT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8287AA Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8288AA Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW12S65C5XKSA1 AIDW12S65C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03M G IPD031N03M G Infineon Technologies IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 F1225R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7017.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-098LRH E6327 BAR 88-098LRH E6327 Infineon Technologies bar88series.pdf Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Supplier Device Package: PG-TSLP-4-7
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Resistance @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 2 Independent
Package / Case: 4-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM538-1565A Infineon Technologies Description: POWER DRIVER MOD IPM DIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PX3897EDQGG005XUMA1 Infineon Technologies Description: IC REGULATOR 16VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V21X1SA1 Infineon Technologies Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 IPD65R660CFDAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6 Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+92.60 грн
100+62.96 грн
500+47.19 грн
1000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N03S2L-20G SPD30N03S2L-20G Infineon Technologies Infineon-SPD30N03S2L-DS-v01_02-en[1].pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b96e752ea0e08 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N03S2L-07 G SPD30N03S2L-07 G Infineon Technologies Infineon-SPD30N03S2L-DS-v01_02-en[1].pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b96e752ea0e08 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSG BSO130N03MSG Infineon Technologies INFNS16226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHVB00 S25FL128SAGBHVB00 Infineon Technologies 001-98283%20Rev%20T.pdf Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.89 грн
10+269.68 грн
25+261.68 грн
50+239.90 грн
100+234.25 грн
338+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S79FL256SDSMFVG01 S79FL256SDSMFVG01 Infineon Technologies download Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.43 грн
10+513.99 грн
25+498.38 грн
50+456.62 грн
235+432.10 грн
470+421.29 грн
705+408.25 грн
1175+400.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D740N40TXPSA1 D740N40TXPSA1 Infineon Technologies D740N.pdf Description: DIODE GEN PURP 4KV 750A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 mA @ 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 700 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Current - Average Rectified (Io): 750A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 TLE4274GV50ATMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1 Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2XUMA1 BTS740S2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS740S2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa390ea280fe0 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 27mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+274.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS16GA14E6327XTSA1 BGS16GA14E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS16GA14-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f6be87069f8 Description: IC RF SWITCH SP6T 3.8GHZ ATSLP14
Supplier Device Package: PG-ATSLP-14-8
Isolation: 33dB
Test Frequency: 3GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 3.8GHz
Insertion Loss: 0.5dB
Voltage - Supply: 3V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
RF Type: LTE, W-CDMA
Circuit: SP6T
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5E0001XUMA1 TLI4971A120T5E0001XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09 Description: CURRENT SENSOR PG-TISON-8-5
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B1565 ICE3B1565 Infineon Technologies INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Circuit, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUTRXBRGTOBO1 TLE9015QUTRXBRGTOBO1 Infineon Technologies Description: TLE9015QU_TRX_BRG
Embedded: No
Primary Attributes: Cell Balancer
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE9012AQU
Type: Power Management
Function: Battery Monitor
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
98-0086PBF Infineon Technologies Description: IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF Infineon Technologies irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6 Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+69.99 грн
100+54.44 грн
500+43.31 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.23 грн
10+130.51 грн
100+90.13 грн
500+68.39 грн
1000+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.22 грн
50+116.01 грн
100+104.83 грн
500+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT2200N18P55XPSA1 STT2200N18P55XPSA1 Infineon Technologies Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675 Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53035.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP295L6327 description INFNS16525-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP295L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 308310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
831+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 831 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGF148E6327XTSA1 BGF148_Rev1.9.2_4-2-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE PROTECTION TSNP14-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S6E2C29J0AGV2000A download
S6E2C29J0AGV2000A
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 1.5MB FLASH 176LQFP
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 192K x 8
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 176-LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 152
Part Status: Active
Supplier Device Package: 176-LQFP (24x24)
Peripherals: DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CSIO, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, SD, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 32x12b; D/A 2x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6X1SA1 SIDC09D60E6_L4303M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435faf1643e&fileId=db3a304412b407950112b435fb6e643f
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6 UNSAWN fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6YX1SA1 SIDC09D60E6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 20A WAFER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA2 SIDC09D60F6_L4304M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435f4e8642f&fileId=db3a304412b407950112b435f5666430
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 30A WAFER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA1 SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA4 SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60E6X1SA3 SIDC09D60E6.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC09D60F6X1SA5 SIDC09D60F6_ed2.2_3-9-10.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Die
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
IPD60R180P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.63 грн
10+98.72 грн
100+67.40 грн
500+50.69 грн
1000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180C7ATMA1 Infineon-IPD60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd622c0914c61
IPD60R180C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.10 грн
10+131.18 грн
100+94.43 грн
500+69.84 грн
1000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS102B0MBBOARDTOBO1 Infineon-Z8F61701244_TLS10xB0MB_Demoboards-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e016317dad3046601
TLS102B0MBBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLS102B0MB
Packaging: Box
Voltage - Output: 2V ~ 14V
Voltage - Input: 4V ~ 45V
Current - Output: 20mA
Regulator Type: Positive Adjustable
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS102B0MB
Supplied Contents: Board(s)
Channels per IC: 1 - Single
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2380.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLR120NTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.78 грн
10000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+70.96 грн
100+47.58 грн
500+35.24 грн
1000+32.22 грн
2000+31.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083
BSC040N10NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5SCATMA1 Infineon-BSC040N10NS5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dd8030083
BSC040N10NS5SCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 140A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA120-56LTXI
CY8CTMA120-56LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE 56VQFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Core Processor: M8C
Applications: Touchscreen Controller
Program Memory Type: FLASH (16kB)
Controller Series: CY8CT
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
RAM Size: 1K x 8
Interface: I²C, SPI, UART/USART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+671.07 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM003 Infineon-S25FL064L_64-Mbit_(8-Mbyte)_3.0_V_FL-L_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee2d2846996&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FL064LABMFM003
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFM013 Infineon-S25FL256L_S25FL128L_256-MB_(32-MB)_128-MB_(16-MB)_3.0_V_FL-L_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed40e335224
S25FL128LAGMFM013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CG8280AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8280AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8285AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8285AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8282AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8282AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY F-RAM SER 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8287AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8288AAT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8287AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CG8288AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW12S65C5XKSA1 Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f
AIDW12S65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03M G IP%28D%2CS%29031N03L_%20G.pdf
IPD031N03M G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F1225R12KT4GBOSA1 INFNS28255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
F1225R12KT4GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 160W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7017.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAR 88-098LRH E6327 bar88series.pdf
BAR 88-098LRH E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Supplier Device Package: PG-TSLP-4-7
Voltage - Peak Reverse (Max): 80V
Resistance @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 2 Independent
Package / Case: 4-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAM538-1565A
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER DRIVER MOD IPM DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PX3897EDQGG005XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR 16VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICA32V21X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CHIP BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
IPD65R660CFDAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.33 грн
10+92.60 грн
100+62.96 грн
500+47.19 грн
1000+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N03S2L-20G Infineon-SPD30N03S2L-DS-v01_02-en[1].pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b96e752ea0e08
SPD30N03S2L-20G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
989+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD30N03S2L-07 G Infineon-SPD30N03S2L-DS-v01_02-en[1].pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b96e752ea0e08
SPD30N03S2L-07 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
533+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO130N03MSG INFNS16226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO130N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHVB00 001-98283%20Rev%20T.pdf
S25FL128SAGBHVB00
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (6x8)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.89 грн
10+269.68 грн
25+261.68 грн
50+239.90 грн
100+234.25 грн
338+224.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S79FL256SDSMFVG01 download
S79FL256SDSMFVG01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 80 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+573.43 грн
10+513.99 грн
25+498.38 грн
50+456.62 грн
235+432.10 грн
470+421.29 грн
705+408.25 грн
1175+400.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
D740N40TXPSA1 D740N.pdf
D740N40TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 4KV 750A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 mA @ 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 700 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Current - Average Rectified (Io): 750A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1
TLE4274GV50ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+74.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2XUMA1 Infineon-BTS740S2-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa390ea280fe0
BTS740S2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 27mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+274.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS16GA14E6327XTSA1 Infineon-BGS16GA14-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f6be87069f8
BGS16GA14E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP6T 3.8GHZ ATSLP14
Supplier Device Package: PG-ATSLP-14-8
Isolation: 33dB
Test Frequency: 3GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 3.8GHz
Insertion Loss: 0.5dB
Voltage - Supply: 3V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
RF Type: LTE, W-CDMA
Circuit: SP6T
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4971A120T5E0001XUMA1 Infineon-TLI4971-A120T5-E0001-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017034d731621b09
TLI4971A120T5E0001XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CURRENT SENSOR PG-TISON-8-5
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8-5
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+171.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3B1565 INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3B1565
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-DIP-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Circuit, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+95.77 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUTRXBRGTOBO1
TLE9015QUTRXBRGTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE9015QU_TRX_BRG
Embedded: No
Primary Attributes: Cell Balancer
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE9012AQU
Type: Power Management
Function: Battery Monitor
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
98-0086PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF irfr3711zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631d86620d6
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+69.99 грн
100+54.44 грн
500+43.31 грн
1000+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.23 грн
10+130.51 грн
100+90.13 грн
500+68.39 грн
1000+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.22 грн
50+116.01 грн
100+104.83 грн
500+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT2200N18P55XPSA1 Infineon-STT2200N18P55-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172bc99b5485675
STT2200N18P55XPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+53035.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 354 355 356 357 358 359 360 361 362 363 364 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]