Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126711) > Сторінка 357 з 2112

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2112  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPP15P10PH SPP15P10PH Infineon Technologies Infineon-SPP15P10P_H_G-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132246d96be5a7e Description: 15A, 100V, 0.24OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07 Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.35 грн
10+228.76 грн
100+221.28 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPADAUGHBRDTOBO1 BTS72002EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7200-2EPA DAUG
Part Status: Active
Utilized IC / Part: BTS7200-2EPA
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3894.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS56033LBBAUMA1 Infineon Technologies INFNS27202-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPOC PLUS 12V SPI POWER CONTROLL
на замовлення 67782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0 Infineon Technologies Description: SICOFI SIGNAL PROCESSING CODEC F
на замовлення 14183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+817.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0SICOFI Infineon Technologies Description: SICOFI CODEC FILTER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+872.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0-SICOFI Infineon Technologies Description: SICOFI CODEC FILTER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+872.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2260NV3.0 Infineon Technologies Description: SICOFI SIGNAL PROCESSING CODEC F
Packaging: Bulk
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1220.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205B102ELE6327XTMA1 ESD205B102ELE6327XTMA1 Infineon Technologies ESD205-B1.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 9V PGTSLP219
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 87516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1648+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 1648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1 IPB032N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.07 грн
10+193.18 грн
50+149.58 грн
100+127.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TR2PBF IRFHM9331TR2PBF Infineon Technologies irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 13172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F423MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12968.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F423MR12W1M1B11BOMA1 F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F4-23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690e9d9fb63802 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11290.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
62-0258PBF Infineon Technologies Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD207B102ELSE6327XTSA1 ESD207B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD207-B1-02.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.1VC PGTSSLP23
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.1V
Voltage - Breakdown (Min): 3.65V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
на замовлення 2200769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 5453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KT3BOSA1 FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef Description: IGBT MOD 1200V 40A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR601XUMA1 BCR601XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023 Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 60V
Dimming: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback
Internal Switch(s): No
Current - Output / Channel: 10mA
Applications: LED Lighting
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR601XUMA1 BCR601XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023 Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 60V
Dimming: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback
Internal Switch(s): No
Current - Output / Channel: 10mA
Applications: LED Lighting
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+38.71 грн
25+34.82 грн
100+28.61 грн
250+26.69 грн
500+25.53 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4CEBKMA1 IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF1717MN26E6327XTSA1 BGSF1717MN26E6327XTSA1 Infineon Technologies BGSF1717MN26.pdf Description: IC RF SWITCH SP7T 2.7GHZ TSNP26
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP7T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 1.2V ~ 1.8V
Frequency Range: 100MHz ~ 2.7GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-26-3
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS810A1LDV33XUMA1 TLS810A1LDV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS810A1LD+V33-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015921017a7b3679 Description: IC REG LIN 3.3V 100MA TSON-102
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 15 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+66.66 грн
25+60.35 грн
100+50.13 грн
250+47.03 грн
500+45.16 грн
1000+42.91 грн
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520CP IPA60R520CP Infineon Technologies INFNS17418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 55486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6 IPA60R280E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583476-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R299CP IPA60R299CP Infineon Technologies INFN-S-A0004583224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6 IPA60R190E6 Infineon Technologies INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CP IPA60R165CP Infineon Technologies INFNS16943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6 IPA60R600E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6 IPA60R520C6 Infineon Technologies INFN-S-A0001300323-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R520C6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 111009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Description: RF DIODE SCHOTTKY 4V PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+33.98 грн
100+21.88 грн
500+15.66 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP-INF Infineon Technologies Description: MOTOR CONTROL CO-PACK IGBT W/ULT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR161E6327HTSA1 BAR161E6327HTSA1 Infineon Technologies Bar14_15_16.pdf Description: RF DIODE PIN 100V 250MW PG-SOT23
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 140 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Resistance @ If, F: 12Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09 Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09 Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.54 грн
10+144.62 грн
50+110.76 грн
100+93.70 грн
500+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC42D120E6X1SA4 Infineon Technologies SIDC42D120E6_L4192P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435e2a46402&fileId=db3a304412b407950112b435e3206403 Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC42D120F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC42D120F6_L4195M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435635962d8&fileId=db3a304412b407950112b43563d462d9 Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4181PBF Infineon Technologies Description: IC GATE DRIVER SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9183QKXUMA1 TLE9183QKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9183QK-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189018597be106e Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 521 E6327 Infineon Technologies INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60DE6327 BCW60DE6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7397+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 7397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60FF E6327 BCW 60FF E6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6340+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 6340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FN BCW60FN Infineon Technologies INFNS19454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FE6327 BCW60FE6327 Infineon Technologies Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012fb516e6041665 Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED44175N01BTOBO1 EVAL1ED44175N01BTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Technical_description_1ED44175N01B_Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4626e41e490016e49fdf0691d81 Description: EVAL-1ED44175N01B
Part Status: Active
Embedded: Yes
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED44175N01B
Type: Power Management
Function: Gate Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2089.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies EUPCS02670-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONOPACK 2K
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF33008HLV2.1 Infineon Technologies Description: VINETIC VOICE ACCESS SOLUTION
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+474.36 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6 IPW60R280C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583477-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+111.07 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3 Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.10 грн
30+569.39 грн
120+488.28 грн
510+417.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT270N16KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b Description: SCR MODULE 1.6KV 450A MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42694GXUMA2 TLE42694GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+59.86 грн
25+54.12 грн
100+44.92 грн
250+42.11 грн
500+40.42 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001G ICL8001G Infineon Technologies INFNS16795-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FLYBACK AND PFC LED CONTROLLER
на замовлення 237659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8002G ICL8002G Infineon Technologies INFNS19108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 8DSO
Voltage - Supply (Max): 26V
Voltage - Supply (Min): 9.8V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback, Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): No
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327 BCW68HE6327 Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10PH Infineon-SPP15P10P_H_G-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132246d96be5a7e
SPP15P10PH
Виробник: Infineon Technologies
Description: 15A, 100V, 0.24OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
507+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon-IPDD60R080G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a016170882f757a07
IPDD60R080G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.35 грн
10+228.76 грн
100+221.28 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS72002EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7200-2EPA DAUG
Part Status: Active
Utilized IC / Part: BTS7200-2EPA
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3894.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS56033LBBAUMA1 INFNS27202-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPOC PLUS 12V SPI POWER CONTROLL
на замовлення 67782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI SIGNAL PROCESSING CODEC F
на замовлення 14183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+817.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0SICOFI
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI CODEC FILTER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+872.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2260NV3.0-SICOFI
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI CODEC FILTER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+872.22 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2260NV3.0
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICOFI SIGNAL PROCESSING CODEC F
Packaging: Bulk
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+1220.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205B102ELE6327XTMA1 ESD205-B1.pdf
ESD205B102ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 9V PGTSLP219
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 87516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1648+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 1648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB032N10N5ATMA1 Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca
IPB032N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.07 грн
10+193.18 грн
50+149.58 грн
100+127.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TR2PBF irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59
IRFHM9331TR2PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC859-C
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13172+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 13172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F423MR12W1M1PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12968.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon-F4-23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690e9d9fb63802
F423MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11290.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
62-0258PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD207B102ELSE6327XTSA1 ESD207-B1-02.pdf
ESD207B102ELSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.1VC PGTSSLP23
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.1V
Voltage - Breakdown (Min): 3.65V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
на замовлення 2200769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5453+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 5453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KT3BOSA1 Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef
FS25R12KT3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR601XUMA1 Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023
BCR601XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 60V
Dimming: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback
Internal Switch(s): No
Current - Output / Channel: 10mA
Applications: LED Lighting
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR601XUMA1 Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023
BCR601XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 60V
Dimming: Analog
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback
Internal Switch(s): No
Current - Output / Channel: 10mA
Applications: LED Lighting
Type: Linear
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.09 грн
10+38.71 грн
25+34.82 грн
100+28.61 грн
250+26.69 грн
500+25.53 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPU80R1K4CEBKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSF1717MN26E6327XTSA1 BGSF1717MN26.pdf
BGSF1717MN26E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP7T 2.7GHZ TSNP26
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP7T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 1.2V ~ 1.8V
Frequency Range: 100MHz ~ 2.7GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-26-3
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
262+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 262 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS810A1LDV33XUMA1 Infineon-TLS810A1LD+V33-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015921017a7b3679
TLS810A1LDV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 100MA TSON-102
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 15 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.15 грн
10+66.66 грн
25+60.35 грн
100+50.13 грн
250+47.03 грн
500+45.16 грн
1000+42.91 грн
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0
IPA60R600E6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
438+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520CP INFNS17418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 55486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6 INFN-S-A0004583476-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R280E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R299CP INFN-S-A0004583224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R299CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6 INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R190E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CP INFNS16943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R165CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6 INFN-S-A0004583464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R600E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
379+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6 INFN-S-A0001300323-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R520C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6.pdf
IPA60R520C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 111009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
424+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
BAT1504RE6152HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE SCHOTTKY 4V PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.09 грн
10+33.98 грн
100+21.88 грн
500+15.66 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOTOR CONTROL CO-PACK IGBT W/ULT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR161E6327HTSA1 Bar14_15_16.pdf
BAR161E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 100V 250MW PG-SOT23
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 140 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Resistance @ If, F: 12Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1420+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462727878c201727efd2c445c09
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 137A WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.54 грн
10+144.62 грн
50+110.76 грн
100+93.70 грн
500+75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC42D120E6X1SA4 SIDC42D120E6_L4192P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435e2a46402&fileId=db3a304412b407950112b435e3206403
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC42D120F6X1SA3 SIDC42D120F6_L4195M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435635962d8&fileId=db3a304412b407950112b43563d462d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
111-4181PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRIVER SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9183QKXUMA1 Infineon-TLE9183QK-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189018597be106e
TLE9183QKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 521 E6327 INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60DE6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW60DE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7397+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 7397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60FF E6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 60FF E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6340+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 6340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 60D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8013+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FN INFNS19454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW60FN
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60FE6327 Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012fb516e6041665
BCW60FE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED44175N01BTOBO1 Infineon-Technical_description_1ED44175N01B_Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4626e41e490016e49fdf0691d81
EVAL1ED44175N01BTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL-1ED44175N01B
Part Status: Active
Embedded: Yes
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 1ED44175N01B
Type: Power Management
Function: Gate Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2089.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM35GD120DN2BOSA1 EUPCS02670-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONOPACK 2K
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF33008HLV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: VINETIC VOICE ACCESS SOLUTION
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+474.36 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a
IPW60R280C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+93.94 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6 INFN-S-A0004583477-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R280C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+111.07 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024P7XKSA1 Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+976.10 грн
30+569.39 грн
120+488.28 грн
510+417.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT270N16KOFHPSA1 Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 450A MODULE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42694GXUMA2 Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53
TLE42694GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA 8DSO
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Supply (Max): 8 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
PSRR: 70dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Reset
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.64 грн
10+59.86 грн
25+54.12 грн
100+44.92 грн
250+42.11 грн
500+40.42 грн
1000+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001G INFNS16795-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICL8001G
Виробник: Infineon Technologies
Description: FLYBACK AND PFC LED CONTROLLER
на замовлення 237659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
419+52.19 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8002G INFNS19108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICL8002G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 8DSO
Voltage - Supply (Max): 26V
Voltage - Supply (Min): 9.8V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Topology: Flyback, Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): No
Applications: LED Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Type: AC DC Offline Switcher
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327 INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW68HE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 352 353 354 355 356 357 358 359 360 361 362 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2112  [ Наступна Сторінка >> ]