Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126655) > Сторінка 389 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TDA5201 TDA5201 Infineon Technologies TDA5201.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Packaging: Bulk
Features: RSSI Equipped
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 40048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201GEG TDA5201GEG Infineon Technologies Infineon-TDA5201-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e286e5c233cb3 Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -113dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Modulation or Protocol: ASK
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 80902 H V1.1 PEF 80902 H V1.1 Infineon Technologies PEF%2080902.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Second Generation Modular
Interface: ISDN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393 BAS16E6393 Infineon Technologies INFNS10853-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6433HTMA1 BAS16E6433HTMA1 Infineon Technologies bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 1677539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5594+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 5594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 174685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
14+21.59 грн
25+20.32 грн
100+17.45 грн
250+16.46 грн
500+15.76 грн
1000+14.86 грн
5000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26072DSTRPBF IRS26072DSTRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 11702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2609DSTRPBF-INF IRS2609DSTRPBF-INF Infineon Technologies Description: IRS2609D - HALF-BRIDGE DRIVER
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 TLE9015QUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
Interface: UART
Function: Battery Balancer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 TLE9015QUXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
Interface: UART
Function: Battery Balancer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETMOTHERBRDTOBO1 PROFETMOTHERBRDTOBO1 Infineon Technologies Profet+_Demoboard_V14.pdf?fileId=5546d4614815da8801484091b947131c Description: MOTHERBOARD PROFET 12V/24V
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Interface
Function: Automotive
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17913.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c Description: SPOC+2 MOTHERBOARD
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
Secondary Attributes: Graphical User Interface (GUI)
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17654.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21201-S7 TDA21201-S7 Infineon Technologies TDA21201.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 30A TO220-7
Packaging: Tube
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Interface: PWM
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Rds On (Typ): 4.8mOhm LS, 13.3mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 9V ~ 15V
Supplier Device Package: P-TO220-7-230
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.06 грн
3000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.22 грн
50+130.74 грн
100+111.05 грн
500+91.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.21 грн
3000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 IPB120P04P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+169.45 грн
50+130.92 грн
100+111.22 грн
500+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 IDD03SG60CXTMA2 Infineon Technologies Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53 Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+129.82 грн
100+88.75 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 TLT807B0EPVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93 Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 70mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 TLT807B0EPVXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93 Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 70mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.47 грн
10+139.86 грн
25+131.94 грн
100+105.48 грн
250+99.05 грн
500+86.66 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.60 грн
50+95.93 грн
100+81.05 грн
500+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 17235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+101.52 грн
50+76.93 грн
100+64.74 грн
500+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SPB80N03S203GATMA1 Infineon Technologies SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 IPI80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 IPI80N03S4L-04 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G IPI023NE7N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 BAT24-02LSE6327 Infineon Technologies INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Power Dissipation (Max): 100 mW
Current - Max: 110 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
50+115.93 грн
100+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE4945LHALA1 Infineon Technologies TLE49x5L.pdf Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Part Status: Last Time Buy
Test Condition: 25°C
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 100mA
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Function: Bipolar Switch
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Collector
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon Technologies Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP001461194 Infineon Technologies Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: IPN50R2K0CEATMA1 - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CE Infineon Technologies INFN-S-A0002272334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 TC333LP32F200FAAKXUMA1 Infineon Technologies infineon-tc33x-tc32x-aa-step-datasheet-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5 IGP40N65H5 Infineon Technologies INFN-S-A0001300424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Part Status: Active
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNL6327 BSL302SNL6327 Infineon Technologies INFNS16736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL302SN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+86.35 грн
50+65.05 грн
100+54.61 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-044DA-INF Infineon Technologies IRSDS19334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 23DIP
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: 23-DIP
Voltage - Load: 200V (Max)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 3A
Applications: AC Motors
Rds On (Typ): 800mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Bulk
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+308.03 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234G BTS5234G Infineon Technologies INFNS05973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+188.90 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234GXUMA1 BTS5234GXUMA1 Infineon Technologies BTS5234G.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 45mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Bulk
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 Infineon Technologies shield2go-boards-and-my-iot-adapter-fast-flexible-and-easy-prototyping-for-iot-applications-5546d4626b2d8e69016b503f3cce0810 Description: TLE493DW2B6 3DSENSE SHIELD2GO
Packaging: Box
Function: Magnetic Hall Effect
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE493D-W2B6
Platform: Shield2Go
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90223PF-GT-269-BNDE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 120PQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 102
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 120-QFP (28x28)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 16x10b
Core Processor: F²MC-16F
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-BQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.94 грн
10000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 20585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+110.95 грн
100+86.50 грн
500+67.06 грн
1000+52.94 грн
2000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 BAS40E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA PGSOT23
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 120mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7B11BOMA1 FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP50R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186fc3272fe Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3642.39 грн
15+2548.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FPXKLA1 IM393M6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-M6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740afd4fc371ae Description: MODULE IGBT 600V 10A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FPXKLA1 IM393S6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-S6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b067a4071b1 Description: MODULE IGBT 600V 6A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6FPXKLA1 IM393L6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-L6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b0683bb71b4 Description: MODULE IGBT 600V 15A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6FPXKLA1 IM393X6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-X6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b06985471b7 Description: MODULE IGBT 600V 20A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-IFF600B12ME4S8P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab2feb70027 Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-5
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24542.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4EB11BPSA1 FF600R12ME4EB11BPSA1 Infineon Technologies Description: MEDIUM POWER ECONO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201 TDA5201.pdf?t.download=true&amp;u=n9mhyd
TDA5201
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Packaging: Bulk
Features: RSSI Equipped
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Modulation or Protocol: ASK
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 40048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5201GEG Infineon-TDA5201-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e286e5c233cb3
TDA5201GEG
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK SINGLE CONVERSION RECEIVER
Frequency: 315MHz ~ 345MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -113dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Features: RSSI Equipped
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Applications: Alarm Systems, Communication Systems
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Modulation or Protocol: ASK
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+119.34 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 80902 H V1.1 PEF%2080902.pdf
PEF 80902 H V1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tray
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Second Generation Modular
Interface: ISDN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Supplier Device Package: P-MQFP-44
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393 INFNS10853-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS16E6393
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6433HTMA1 bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff
BAS16E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 1677539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5594+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 5594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
BGS12P2L6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSLP6-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: GSM, LTE, W-CDMA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.51dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 27dB
Supplier Device Package: PG-TSLP-6-4
IIP3: 74dBm
на замовлення 174685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
14+21.59 грн
25+20.32 грн
100+17.45 грн
250+16.46 грн
500+15.76 грн
1000+14.86 грн
5000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS26072DSTRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS26072DSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 11702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2609DSTRPBF-INF
IRS2609DSTRPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRS2609D - HALF-BRIDGE DRIVER
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9015QUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
Interface: UART
Function: Battery Balancer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9015QUXUMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
TLE9015QUXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BATT BALANCER TQFP-48-11
Supplier Device Package: PG-TQFP-48-11
Interface: UART
Function: Battery Balancer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TQFP Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETMOTHERBRDTOBO1 Profet+_Demoboard_V14.pdf?fileId=5546d4614815da8801484091b947131c
PROFETMOTHERBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOTHERBOARD PROFET 12V/24V
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Interface
Function: Automotive
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17913.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1 Infineon-SPOC_Application_UserManual-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163ee3784416c4c
SPOC2MOTHERBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPOC+2 MOTHERBOARD
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Switch
Packaging: Box
Secondary Attributes: Graphical User Interface (GUI)
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17654.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDA21201-S7 TDA21201.pdf
TDA21201-S7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 30A TO220-7
Packaging: Tube
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: TO-220-7
Mounting Type: Through Hole
Interface: PWM
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 9V ~ 15V
Rds On (Typ): 4.8mOhm LS, 13.3mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 30A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 9V ~ 15V
Supplier Device Package: P-TO220-7-230
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Obsolete
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+164.59 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+93.06 грн
3000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4L_03-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f783b3b5a2e3f
IPB120P04P4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.85 грн
10+169.22 грн
50+130.74 грн
100+111.05 грн
500+91.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+93.21 грн
3000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA2 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
IPB120P04P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14790 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.63 грн
10+169.45 грн
50+130.92 грн
100+111.22 грн
500+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD03SG60CXTMA2 Infineon-IDD03SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127dcb296f11a53
IDD03SG60CXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.28 грн
10+129.82 грн
100+88.75 грн
500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93
TLT807B0EPVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 70mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLT807B0EPVXUMA1 Infineon-TLT807B0EPV-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c10aadbe33e93
TLT807B0EPVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 70MA TSDSO14
Current - Quiescent (Iq): 36 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 70mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 70mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Current Limit, Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Voltage - Output (Max): 20V
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.47 грн
10+139.86 грн
25+131.94 грн
100+105.48 грн
250+99.05 грн
500+86.66 грн
1000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.22 грн
10+125.60 грн
50+95.93 грн
100+81.05 грн
500+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 17235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.60 грн
10+101.52 грн
50+76.93 грн
100+64.74 грн
500+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf
SPB80N03S203GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-H0
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI023NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT24-02LSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Power Dissipation (Max): 100 mW
Current - Max: 110 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f
IRFI4019H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.85 грн
50+115.93 грн
100+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE49x5L.pdf
TLE4945LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Part Status: Last Time Buy
Test Condition: 25°C
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 100mA
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Function: Bipolar Switch
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Collector
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP001461194 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPN50R2K0CEATMA1 - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CE INFN-S-A0002272334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 infineon-tc33x-tc32x-aa-step-datasheet-datasheet-en.pdf
TC333LP32F200FAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5 INFN-S-A0001300424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGP40N65H5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Part Status: Active
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNL6327 INFNS16736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSL302SNL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SN.pdf
BSL302SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.30 грн
10+86.35 грн
50+65.05 грн
100+54.61 грн
500+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-044DA-INF IRSDS19334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 23DIP
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: 23-DIP
Voltage - Load: 200V (Max)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 3A
Applications: AC Motors
Rds On (Typ): 800mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Bulk
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+308.03 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234G INFNS05973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS5234G
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+188.90 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234GXUMA1 BTS5234G.pdf
BTS5234GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 45mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Bulk
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1 Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde
IGD10N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 shield2go-boards-and-my-iot-adapter-fast-flexible-and-easy-prototyping-for-iot-applications-5546d4626b2d8e69016b503f3cce0810
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE493DW2B6 3DSENSE SHIELD2GO
Packaging: Box
Function: Magnetic Hall Effect
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE493D-W2B6
Platform: Shield2Go
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90223PF-GT-269-BNDE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 120PQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 102
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 120-QFP (28x28)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 16x10b
Core Processor: F²MC-16F
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-BQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.94 грн
10000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 20585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.55 грн
10+110.95 грн
100+86.50 грн
500+67.06 грн
1000+52.94 грн
2000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS40E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA PGSOT23
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 120mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
24+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FP50R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186fc3272fe
FP50R12W2T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3642.39 грн
15+2548.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FPXKLA1 Infineon-IM393-M6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740afd4fc371ae
IM393M6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 10A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FPXKLA1 Infineon-IM393-S6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b067a4071b1
IM393S6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 6A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6FPXKLA1 Infineon-IM393-L6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b0683bb71b4
IM393L6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 15A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6FPXKLA1 Infineon-IM393-X6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b06985471b7
IM393X6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 20A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 Infineon-IFF600B12ME4S8P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab2feb70027
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-5
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24542.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4EB11BPSA1
FF600R12ME4EB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 394 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]