Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149784) > Сторінка 388 з 2497

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC817-25B5000 BC817-25B5000 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GENERAL PURPOSE TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8955+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60TP IGW40N60TP Infineon Technologies INFN-S-A0002786816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGW40N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB022N04LG IPB022N04LG Infineon Technologies INFNS16273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3 G Infineon Technologies INFN-S-A0002263283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263 Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+478.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65NL5 IKW30N65NL5 Infineon Technologies INFN-S-A0000241585-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7B11BPSA1 F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b Description: IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45174.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGATMA1 IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP080N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03L G IPB080N03L G Infineon Technologies INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
SPB08N03L SPB08N03L Infineon Technologies Infineon-SPB20N60S5-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+284.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LG IPB080N03LG Infineon Technologies INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DB1B6HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLV493D-A1B6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152a6b85c760e80 Description: IC 3D MAGN SENSOR TSOP6-6
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 49711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
KP214N2611 KP214N2611 Infineon Technologies INFNS15304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Bulk
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.18V ~ 4.65V
Operating Pressure: 2.18 ~ 16.68PSI (15 ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.65PSI (4.50kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
на замовлення 211472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+238.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA2 ICE3PCS02GXUMA2 Infineon Technologies INFN-S-A0002955532-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ICE3PCS02 - PFC-CCM (CONTINUOUS
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 21kHz ~ 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-6
Part Status: Active
Current - Startup: 380 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC8256ED Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3897MTRPBF IR3897MTRPBF Infineon Technologies ir3897m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5e3731813 Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 16PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3897MTRPBF IR3897MTRPBF Infineon Technologies ir3897m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5e3731813 Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 16PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3898MTRPBF IR3898MTRPBF Infineon Technologies ir3898m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5ebb01815 Description: IC REG BUCK ADJ 6A 16POWERQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3898MTRPBF IR3898MTRPBF Infineon Technologies ir3898m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5ebb01815 Description: IC REG BUCK ADJ 6A 16POWERQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3899MTRPBF IR3899MTRPBF Infineon Technologies ir3899m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5f3f71817 Description: IC REG BUCK ADJ 9A 16PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 9A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3894MTRPBF IR3894MTRPBF Infineon Technologies ir3894m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5d4d6180f Description: IC REG BUCK ADJ 12A 16PWRQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1480V33-200AXC CY7C1480V33-200AXC Infineon Technologies Infineon-CY7C1480BV33_CY7C1482BV33_72_MBIT_(2M_X_36_4M_X_18)_PIPELINED_SYNC_SRAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec45b3739ca Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+11348.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WE6327 BC817K-25WE6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-16WH6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-16E6327 BC817K-16E6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7572+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7572
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25E6327 BC817K-25E6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WH6327 BC817K-25WH6327 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 23600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5735+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 5735
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WH6433 BC817K-25WH6433 Infineon Technologies INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5735+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 5735
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC07D60AF6X1SA1 Infineon Technologies SIDC07D60AF6_L4294M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435f0da6425&fileId=db3a304412b407950112b435f1586426 Description: DIODE GP 600V 22.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-055DA IRSM515-055DA Infineon Technologies irsm505-055.pdf?fileId=5546d462533600a40153567bf5dc287d Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2.4A 23DIP
Packaging: Bulk
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 23-DIP Module
Mounting Type: Through Hole
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Rds On (Typ): 1.3Ohm
Applications: AC Motors
Current - Output / Channel: 2.4A
Current - Peak Output: 15A
Technology: UMOS
Voltage - Load: 400V (Max)
Supplier Device Package: 23-DIP
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+434.39 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV33 IFX1117MEV33 Infineon Technologies INFNS16936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IFX1117 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 29922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1041+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 1041
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV IFX1117MEV Infineon Technologies INFNS16936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IFX1117 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Max): 13.6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 39213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV33HTMA1 IFX1117MEV33HTMA1 Infineon Technologies IFX1117_Rev1.0_2-24-11.pdf Description: IC REG LIN 3.3V 1A SOT223-4-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
961+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26 Infineon Technologies INFNS16590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.48 грн
10+40.01 грн
100+26.15 грн
500+19.55 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GL TLE4269GL Infineon Technologies Infineon-TLE4269-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f96807553e57 Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 DDB6U205N16LHOSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U205N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314e925403 Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15655.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTC50010-1TAA Infineon Technologies INFN-S-A0001300279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Features: Load Discharge
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 900µOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 30A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO-263-7-8
Fault Protection: Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+337.04 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20VGL8E6327XTSA1 BGSA20VGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20VGL8-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc21123da1 Description: IC RF SWITCH SPST 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPST
RF Type: CDMA, EDGE, LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4 Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4 Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.13 грн
12+28.48 грн
25+25.52 грн
100+20.83 грн
250+19.35 грн
500+18.46 грн
1000+17.44 грн
2500+16.68 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20GN10E6327XTSA1 BGSA20GN10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-RF Front End Solutions for Mobile Applications-BC-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f350ee3697c Description: IC RF ANT DEVICE 10TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF IRS2113MTRPBF Infineon Technologies irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 IPI80N06S207AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L-11 IPB80N06S2L-11 Infineon Technologies INFNS17038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA2 IPI80N06S207AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+652.61 грн
30+368.84 грн
120+311.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1 IDK12G65C5XTMA1 Infineon Technologies INFNS29239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+243.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
CYW170-01SXC CYW170-01SXC Infineon Technologies Description: IC CLK ZDB 133MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Input: Clock
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+131.35 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b Description: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433 BCR35PNH6433 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
BCR39PN-E6327 BCR39PN-E6327 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2077+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14843.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12PT4B6BOSA1 FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0 Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11263.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07PE4BOSA1 FS200R07PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R07PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e01335963ee7908dd Description: IGBT MOD 650V 200A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10260.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25B5000 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-25B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GENERAL PURPOSE TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8955+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8955
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60TP INFN-S-A0002786816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW40N60TP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGW40N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB022N04LG INFNS16273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB022N04LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3 G INFN-S-A0002263283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
IMBG120R045M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+478.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65NL5 INFN-S-A0000241585-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IKW30N65NL5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R10W3S7B11BPSA1 Infineon-F3L400R10W3S7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701717e23fe8d2713
F3L400R10W3S7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Cutoff (Max): 70 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon-FF1200R17IP5P-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017457d84aae414b
FF1200R17IP5PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 68 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+45174.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGATMA1 IPB%2CIPP080N03LG.pdf
IPB080N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
568+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 568
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03L G INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB080N03L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
693+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 693
В кошику  од. на суму  грн.
SPB08N03L Infineon-SPB20N60S5-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ca0ff473e
SPB08N03L
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+284.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LG INFNS16326-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB080N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DB1B6HTSA1 Infineon-TLV493D-A1B6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152a6b85c760e80
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC 3D MAGN SENSOR TSOP6-6
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 49711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
520+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
KP214N2611 INFNS15304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KP214N2611
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Packaging: Bulk
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.18V ~ 4.65V
Operating Pressure: 2.18 ~ 16.68PSI (15 ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.65PSI (4.50kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Part Status: Active
на замовлення 211472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+238.75 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA2 INFN-S-A0002955532-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3PCS02GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: ICE3PCS02 - PFC-CCM (CONTINUOUS
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 21kHz ~ 100kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-6
Part Status: Active
Current - Startup: 380 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLC8256ED
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3897MTRPBF ir3897m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5e3731813
IR3897MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 16PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3897MTRPBF ir3897m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5e3731813
IR3897MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJUSTABLE 4A 16PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 4A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3898MTRPBF ir3898m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5ebb01815
IR3898MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 16POWERQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3898MTRPBF ir3898m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5ebb01815
IR3898MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 16POWERQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3899MTRPBF ir3899m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5f3f71817
IR3899MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 9A 16PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 9A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3894MTRPBF ir3894m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5d4d6180f
IR3894MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 12A 16PWRQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 16-PowerQFN
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 1V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1480V33-200AXC Infineon-CY7C1480BV33_CY7C1482BV33_72_MBIT_(2M_X_36_4M_X_18)_PIPELINED_SYNC_SRAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec45b3739ca
CY7C1480V33-200AXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+11348.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WE6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-25WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-16WH6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-16E6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-16E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7572+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7572
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25E6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-25E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WH6327 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-25WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 23600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5735+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 5735
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K-25WH6433 INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817K-25WH6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5735+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 5735
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC07D60AF6X1SA1 SIDC07D60AF6_L4294M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435f0da6425&fileId=db3a304412b407950112b435f1586426
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 22.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-055DA irsm505-055.pdf?fileId=5546d462533600a40153567bf5dc287d
IRSM515-055DA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2.4A 23DIP
Packaging: Bulk
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 23-DIP Module
Mounting Type: Through Hole
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Rds On (Typ): 1.3Ohm
Applications: AC Motors
Current - Output / Channel: 2.4A
Current - Peak Output: 15A
Technology: UMOS
Voltage - Load: 400V (Max)
Supplier Device Package: 23-DIP
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+434.39 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV33 INFNS16936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX1117MEV33
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFX1117 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 29922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1041+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 1041
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV INFNS16936-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX1117MEV
Виробник: Infineon Technologies
Description: IFX1117 - LINEAR VOLTAGE REGULAT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Max): 13.6V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.25V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 39213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
961+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117MEV33HTMA1 IFX1117_Rev1.0_2-24-11.pdf
IFX1117MEV33HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 1A SOT223-4-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
961+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 961
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R075CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R075CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a0edb30e3
IPT60R075CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L-26 INFNS16590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD35N10S3L-26
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 6967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.48 грн
10+40.01 грн
100+26.15 грн
500+19.55 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GL Infineon-TLE4269-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f96807553e57
TLE4269GL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 Infineon-DDB6U205N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314e925403
DDB6U205N16LHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15655.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTC50010-1TAA INFN-S-A0001300279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Features: Load Discharge
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 900µOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 30A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO-263-7-8
Fault Protection: Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+337.04 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20VGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20VGL8-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc21123da1
BGSA20VGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPST 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPST
RF Type: CDMA, EDGE, LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4
BGSA20UGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4
BGSA20UGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.13 грн
12+28.48 грн
25+25.52 грн
100+20.83 грн
250+19.35 грн
500+18.46 грн
1000+17.44 грн
2500+16.68 грн
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20GN10E6327XTSA1 Infineon-RF Front End Solutions for Mobile Applications-BC-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f350ee3697c
BGSA20GN10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7
IRS2113MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPI80N06S207AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPI80N06S4L07AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L-11 INFNS17038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S2L-11
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPI80N06S207AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+132.58 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+939.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+652.61 грн
30+368.84 грн
120+311.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1 INFNS29239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDK12G65C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+243.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
CYW170-01SXC
CYW170-01SXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK ZDB 133MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Input: Clock
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+131.35 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7 Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b
Виробник: Infineon Technologies
Description: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR35PNH6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4116+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
BCR39PN-E6327 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR39PN-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2077+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d
DF200R12PT4B6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+14843.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0
FD200R12PT4B6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11263.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07PE4BOSA1 Infineon-FS200R07PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e01335963ee7908dd
FS200R07PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 200A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10260.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 393 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]