Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148655) > Сторінка 393 з 2478

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26 Infineon Technologies INFNS16590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.07 грн
10+44.06 грн
100+28.98 грн
500+20.99 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GL TLE4269GL Infineon Technologies Infineon-TLE4269-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f96807553e57 Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 DDB6U205N16LHOSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U205N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314e925403 Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15081.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTC50010-1TAA Infineon Technologies INFN-S-A0001300279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Load Discharge
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 900µOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 30A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO-263-7-8
Fault Protection: Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+324.69 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20VGL8E6327XTSA1 BGSA20VGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20VGL8-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc21123da1 Description: IC RF SWITCH SPST 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPST
RF Type: CDMA, EDGE, LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4 Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4 Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
12+27.43 грн
25+24.58 грн
100+20.07 грн
250+18.64 грн
500+17.79 грн
1000+16.80 грн
2500+16.07 грн
5000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20GN10E6327XTSA1 BGSA20GN10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-RF Front End Solutions for Mobile Applications-BC-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f350ee3697c Description: IC RF ANT DEVICE 10TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF IRS2113MTRPBF Infineon Technologies irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 IPI80N06S207AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
347+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L-11 IPB80N06S2L-11 Infineon Technologies INFNS17038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA2 IPI80N06S207AKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1010.68 грн
30+591.99 грн
120+508.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.70 грн
30+398.80 грн
120+337.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1 IDK12G65C5XTMA1 Infineon Technologies INFNS29239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+234.56 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
CYW170-01SXC CYW170-01SXC Infineon Technologies Description: IC CLK ZDB 133MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Input: Clock
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b Description: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433 BCR35PNH6433 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
BCR39PN-E6327 BCR39PN-E6327 Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2077+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15059.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12PT4B6BOSA1 FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0 Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10893.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07PE4BOSA1 FS200R07PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R07PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e01335963ee7908dd Description: IGBT MOD 650V 200A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14574.46 грн
12+13144.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF200R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114d51250e31b88 Description: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8059.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R07PE4BOSA1 F3L200R07PE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L200R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f0d175c012f1060f84238f4 Description: IGBT MOD 650V 200A 680W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9907.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12KT4RB11BOSA1 FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6 Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10629.63 грн
10+9004.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4PBOSA1 FS200R12PT4PBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R12PT4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701542e3844cf3eda Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13961.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7006WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
34+9.12 грн
100+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPU02N60S5XK SPU02N60S5XK Infineon Technologies Infineon-SPD_U02N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c91374727 Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
SPU02N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPD_U02N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c91374727 Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327 BAS140WE6327 Infineon Technologies INFNS11688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 40V 120MA SOD323-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006E6433HTMA1 BAS7006E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006E6433HTMA1 BAS7006E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-06E6327 BAS70-06E6327 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-06E6433 BAS70-06E6433 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
IDB18E120 IDB18E120 Infineon Technologies INFNS27247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 31A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 18 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119E6327HTSA1 BCR119E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr119series.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144057767402f3 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10122+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10122
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6 Infineon Technologies INFNS27707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7 IPA60R180C7 Infineon Technologies Infineon-IPA60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd65089d0627d Description: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72004EPADAUGHBRDTOBO1 BTS72004EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: BTS7200-4EPA DAUGHTER BOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7200-4EPA
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3743.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3011TEATMA1 BTS3011TEATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3011TE-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164f55355be563e Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 10.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+111.12 грн
25+101.31 грн
100+84.95 грн
250+80.13 грн
500+77.22 грн
1000+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUDTRBMS2TOBO1 TLE9012AQUDTRBMS2TOBO1 Infineon Technologies Infineon-Li-Ion_Battery_Monitoring_and_Balancing_IC_Demo_Kit_TLE9012AQU_TLE9015QU-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730976520e4546 Description: EVAL BOARD FOR TLE9012AQU
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE9012AQU
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19807.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-03WE6327 BAS16-03WE6327 Infineon Technologies INFNS13366-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GP 80V 250MA SOD323-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CP IPA50R250CP Infineon Technologies INFN-S-A0004583242-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA50R250 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BSP7772T Infineon Technologies Infineon-BSP772T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadefb07a4c41 Description: AUTOMOTIVE HIGH SIDE SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77 E6327 BSP77 E6327 Infineon Technologies BSP77.pdf Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Features: Auto Restart
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.17A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802 IRF5802 Infineon Technologies IRF5802.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R140CPXKSA1 IPI50R140CPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+148.30 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2046NVA3 PEB2046NVA3 Infineon Technologies SIEMD00112-96.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MEMORY 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Memory
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.6x16.6)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+767.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3G IPA057N06N3G Infineon Technologies INFNS15787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA057N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 31105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0 Description: DIODE MODULE GP 2200V 260A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L11AKSA1 IPP45P03P4L11AKSA1 Infineon Technologies IPx45P03P4L-11.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3A IPB80R290C3A Infineon Technologies Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3A IPW80R290C3A Infineon Technologies Infineon-IPW80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7d4c5e3222 Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904B5000 SMBT3904B5000 Infineon Technologies INFNS11268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56B5000 BAW56B5000 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BB5000 BC857BB5000 Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L-26 INFNS16590-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD35N10S3L-26
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.07 грн
10+44.06 грн
100+28.98 грн
500+20.99 грн
1000+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GL Infineon-TLE4269-DS-v02_50-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f96807553e57
TLE4269GL
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN FIXED POS LDO REG 5V
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Part Status: Active
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Antisaturation, Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 Infineon-DDB6U205N16L-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4314e925403
DDB6U205N16LHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 1600V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Standard
Diode Configuration: 3 Independent
Supplier Device Package: Module
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1600 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15081.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTC50010-1TAA INFN-S-A0001300279-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Load Discharge
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 900µOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 30A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO-263-7-8
Fault Protection: Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+324.69 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20VGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20VGL8-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc21123da1
BGSA20VGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPST 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPST
RF Type: CDMA, EDGE, LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Frequency Range: 6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4
BGSA20UGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20UGL8E6327XTSA1 Infineon-BGSA20UGL8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201722cfc2b923da4
BGSA20UGL8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
12+27.43 грн
25+24.58 грн
100+20.07 грн
250+18.64 грн
500+17.79 грн
1000+16.80 грн
2500+16.07 грн
5000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA20GN10E6327XTSA1 Infineon-RF Front End Solutions for Mobile Applications-BC-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401552f350ee3697c
BGSA20GN10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF ANT DEVICE 10TSNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7
IRS2113MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPI80N06S207AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S4L07AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304320d39d590121aa3ae68d1c80
IPI80N06S4L07AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
347+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 347
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L-11 INFNS17038-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S2L-11
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA2 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPI80N06S207AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.68 грн
30+591.99 грн
120+508.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.70 грн
30+398.80 грн
120+337.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA1 INFNS29239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDK12G65C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+234.56 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
CYW170-01SXC
CYW170-01SXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK ZDB 133MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Input: Clock
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7 Infineon-IPP60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d483fe4ba707b
Виробник: Infineon Technologies
Description: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6433 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR35PNH6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4116+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
BCR39PN-E6327 INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR39PN-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2077+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d
DF200R12PT4B6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+15059.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12PT4B6BOSA1 Infineon-FD200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e3a8c455fa0
FD200R12PT4B6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+10893.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07PE4BOSA1 Infineon-FS200R07PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e01335963ee7908dd
FS200R07PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 200A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14574.46 грн
12+13144.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1 Infineon-FF200R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114d51250e31b88
FF200R12KT3EHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1050W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1050 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8059.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R07PE4BOSA1 Infineon-F3L200R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f0d175c012f1060f84238f4
F3L200R07PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 200A 680W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9907.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon-DF200R12PT4_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e34322f5f8d
DF200R12PT4B6BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A 1100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 15 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6
FS200R12KT4RB11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10629.63 грн
10+9004.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4PBOSA1 Infineon-FS200R12PT4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701542e3844cf3eda
FS200R12PT4PBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13961.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7006WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
34+9.12 грн
100+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SPU02N60S5XK Infineon-SPD_U02N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c91374727
SPU02N60S5XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
SPU02N60S5 Infineon-SPD_U02N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c91374727
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPU02N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327 INFNS11688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS140WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 40V 120MA SOD323-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006E6433HTMA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7006E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006E6433HTMA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7006E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY SCHOT 70V 70MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-06E6327 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70-06E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-06E6433 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70-06E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 70MA SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3328+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
IDB18E120 INFNS27247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDB18E120
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 31A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 18 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119E6327HTSA1 bcr119series.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144057767402f3
BCR119E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10122+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10122
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6 INFNS27707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180C7 Infineon-IPA60R180C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fd65089d0627d
IPA60R180C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: 9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72004EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS72004EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS7200-4EPA DAUGHTER BOARD
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7200-4EPA
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3743.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3011TEATMA1 Infineon-BTS3011TE-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164f55355be563e
BTS3011TEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 10.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Over Current, Over Voltage, Short Circuit
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.98 грн
10+111.12 грн
25+101.31 грн
100+84.95 грн
250+80.13 грн
500+77.22 грн
1000+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012AQUDTRBMS2TOBO1 Infineon-Li-Ion_Battery_Monitoring_and_Balancing_IC_Demo_Kit_TLE9012AQU_TLE9015QU-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730976520e4546
TLE9012AQUDTRBMS2TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLE9012AQU
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE9012AQU
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Cell Balancer
Embedded: No
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19807.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16-03WE6327 INFNS13366-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS16-03WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 80V 250MA SOD323-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CP INFN-S-A0004583242-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA50R250CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA50R250 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
220+124.15 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BSP7772T Infineon-BSP772T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aadefb07a4c41
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HIGH SIDE SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77 E6327 BSP77.pdf
BSP77 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 SOT223-4
Features: Auto Restart
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.17A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802 IRF5802.pdf
IRF5802
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R140CPXKSA1 Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a
IPI50R140CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+148.30 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2046NVA3 SIEMD00112-96.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PEB2046NVA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Memory
Supplier Device Package: 44-PLCC (16.6x16.6)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+767.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3G INFNS15787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA057N06N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA057N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
на замовлення 31105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD261N22KHPSA1 Infineon-DD261N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fa08c4ca0
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 2200V 260A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L11AKSA1 IPx45P03P4L-11.pdf
IPP45P03P4L11AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
485+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3A Infineon-IPB80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7c05663210
IPB80R290C3A
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R290C3A Infineon-IPW80R290C3A-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663e7d4c5e3222
IPW80R290C3A
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904B5000 INFNS11268-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMBT3904B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 40V 0.2A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10764+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56B5000 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BB5000 INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC857BB5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2478  [ Наступна Сторінка >> ]