Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122993) > Сторінка 393 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.37 грн
10+142.53 грн
100+97.98 грн
500+74.09 грн
1000+68.35 грн
2000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 IPB180N03S4L-01 Infineon Technologies INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SPB80N03S203GATMA1 Infineon Technologies SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+106.17 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-H0 Infineon Technologies INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 IPI80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 IPI80N03S4L-04 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G IPI023NE7N3G Infineon Technologies INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 BAT24-02LSE6327 Infineon Technologies INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Power Dissipation (Max): 100 mW
Current - Max: 110 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 IRFI4019H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.12 грн
50+114.62 грн
100+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE4945LHALA1 Infineon Technologies TLE49x5L.pdf Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Part Status: Last Time Buy
Test Condition: 25°C
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 100mA
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Function: Bipolar Switch
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Collector
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon Technologies Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP001461194 Infineon Technologies Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa Description: IPN50R2K0CEATMA1 - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CE Infineon Technologies INFN-S-A0002272334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 TC333LP32F200FAAKXUMA1 Infineon Technologies 4_cip10529.pdf Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5 IGP40N65H5 Infineon Technologies INFN-S-A0001300424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Part Status: Active
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNL6327 BSL302SNL6327 Infineon Technologies INFNS16736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL302SN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.06 грн
10+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-044DA-INF Infineon Technologies IRSDS19334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 23DIP
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: 23-DIP
Voltage - Load: 200V (Max)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 3A
Applications: AC Motors
Rds On (Typ): 800mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Bulk
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+304.53 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234G BTS5234G Infineon Technologies INFNS05973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+186.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234GXUMA1 BTS5234GXUMA1 Infineon Technologies BTS5234G.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 45mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Bulk
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 Infineon Technologies shield2go-boards-and-my-iot-adapter-fast-flexible-and-easy-prototyping-for-iot-applications-5546d4626b2d8e69016b503f3cce0810 Description: TLE493DW2B6 3DSENSE SHIELD2GO
Packaging: Box
Function: Magnetic Hall Effect
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE493D-W2B6
Platform: Shield2Go
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90223PF-GT-269-BNDE1 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 120PQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 102
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 120-QFP (28x28)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 16x10b
Core Processor: F²MC-16F
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-BQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.35 грн
10000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 20585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+109.69 грн
100+85.52 грн
500+66.30 грн
1000+52.34 грн
2000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 BAS40E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA PGSOT23
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 120mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7B11BOMA1 FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FP50R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186fc3272fe Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4100.04 грн
15+2868.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FPXKLA1 IM393M6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-M6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740afd4fc371ae Description: MODULE IGBT 600V 10A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FPXKLA1 IM393S6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-S6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b067a4071b1 Description: MODULE IGBT 600V 6A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6FPXKLA1 IM393L6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-L6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b0683bb71b4 Description: MODULE IGBT 600V 15A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6FPXKLA1 IM393X6FPXKLA1 Infineon Technologies Infineon-IM393-X6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b06985471b7 Description: MODULE IGBT 600V 20A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-IFF600B12ME4S8P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab2feb70027 Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-5
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24263.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4EB11BPSA1 FF600R12ME4EB11BPSA1 Infineon Technologies Description: MEDIUM POWER ECONO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV50HTSA1 TLE4296GV50HTSA1 Infineon Technologies INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN 5V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 5.2 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV26HTSA1 TLE4295GV26HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74 Description: IC REG LIN 2.6V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V
Control Features: Power Fail
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV30HTSA1 TLE4295GV30HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74 Description: IC REG LIN 3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Power Fail
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 32780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV30HTSA1 TLE4296GV30HTSA1 Infineon Technologies INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN 3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4.5 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS105B0MBHTSA1 TLS105B0MBHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLS105B0MB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff5777016200cc39952f83 Description: IC REG LIN POS ADJ 120MA SCT595
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 120mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 50mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 5.5 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+44.47 грн
25+40.09 грн
100+33.07 грн
250+30.92 грн
500+29.62 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4286GHTSA1 TLE4286GHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4286G-DS-v02_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595fa0a3b01fca Description: IC REG LIN 5V 15MA PG-SCT595-5
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 100 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 10mA
PSRR: 60dB (100Hz)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 TLE4295GV33HTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74 Description: IC REG LIN 3.3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Power Fail
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.46 грн
10+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV33HTSA1 TLE4296GV33HTSA1 Infineon Technologies INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN 3.3V 30MA PG-SCT595-5
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 5.2 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Infineon Technologies irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 22554 HT V2.1 PEF 22554 HT V2.1 Infineon Technologies PEF22554_V3.1_PB_Rev3.0.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE 144TQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB669 BB669 Infineon Technologies INFNS15707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Capacitance Ratio: 20.9
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Bulk
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB669E7904 BB669E7904 Infineon Technologies INFNS15707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE VARACTR 30V SGL PG-SOD323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 20.9
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4724+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB659CH7903XTMA1 BB659CH7903XTMA1 Infineon Technologies bb639c_bb659cseries.pdf Description: DIODE VARACTOR 30V SNGLE SCD-80
Capacitance Ratio: 15.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: SCD-80
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-80
Packaging: Bulk
на замовлення 204347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7059+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7059 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB659H7902 BB659H7902 Infineon Technologies INFNS15706-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Capacitance Ratio: 14.7
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-80
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GP60B2BOSA1 Infineon Technologies INFNS12611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4313.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CPXKSA1 IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R299CP.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 31927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CPXKSA1079 Infineon Technologies INFNS15798-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA50R299 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CP Infineon Technologies INFNS15798-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4PBPSA1 FS150R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE LOW PWR ECONO3-4
Packaging: Bulk
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10381.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12PT4 Infineon Technologies INFNS28534-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 680 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10021.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17KE3GBOSA1 FS150R17KE3GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS150R17KE3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fea3c4e48 Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28732.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17KE3G Infineon Technologies INFNS28151-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35847.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4 Infineon Technologies INFNS28524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FS150R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.37 грн
10+142.53 грн
100+97.98 грн
500+74.09 грн
1000+68.35 грн
2000+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-01 INFNS14088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-01
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N03S203GATMA1 SP%28I%2CP%2CB%2980N03S2-03.pdf
SPB80N03S203GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+106.17 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N03S4L-H0 INFNS14089-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB180N03S4L-H0
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-03 INFNS10791-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N03S4L-04 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI80N03S4L-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N03S4L-03 INFNS14810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N03S4L-03
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N04NGHKSA1 Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI023NE7N3G INFN-S-A0001299495-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI023NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+163.51 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT24-02LSE6327 INFNS15702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT24-02LSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-1
Power Dissipation (Max): 100 mW
Current - Max: 110 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117PXKMA1 irfi4019h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623d74d1f6f
IRFI4019H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.12 грн
50+114.62 грн
100+103.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945LHALA1 TLE49x5L.pdf
TLE4945LHALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR 3SSO
Part Status: Last Time Buy
Test Condition: 25°C
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 100mA
Sensing Range: ±6mT Trip, ±10mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3.8V ~ 24V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Function: Bipolar Switch
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Collector
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CE Infineon-IPN50R3K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547adae0c05ad5
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP001461194 Infineon-IPN50R2K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547ac89b1f5aaa
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPN50R2K0CEATMA1 - MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CE INFN-S-A0002272334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC333LP32F200FAAKXUMA1 4_cip10529.pdf
TC333LP32F200FAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 248K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: DMA, I2S, PWM, WDT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-23
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5 INFN-S-A0001300424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGP40N65H5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Part Status: Active
Gate Charge: 95 nC
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNL6327 INFNS16736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSL302SNL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SN.pdf
BSL302SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
IRFR540ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.06 грн
10+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM515-044DA-INF IRSDS19334-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3A 23DIP
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: UVLO
Supplier Device Package: 23-DIP
Voltage - Load: 200V (Max)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Peak Output: 15A
Current - Output / Channel: 3A
Applications: AC Motors
Rds On (Typ): 800mOhm LS, 800mOhm HS
Voltage - Supply: 13.5V ~ 16.5V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Logic
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Bulk
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+304.53 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234G INFNS05973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS5234G
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+186.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5234GXUMA1 BTS5234G.pdf
BTS5234GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Part Status: Obsolete
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-20-21
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 3.3A
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Voltage - Load: 4.5V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 45mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Bulk
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+186.76 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1 Infineon-IGD10N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c359b640dde
IGD10N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1 shield2go-boards-and-my-iot-adapter-fast-flexible-and-easy-prototyping-for-iot-applications-5546d4626b2d8e69016b503f3cce0810
S2GO3DTLE493DW2B6A0TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE493DW2B6 3DSENSE SHIELD2GO
Packaging: Box
Function: Magnetic Hall Effect
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: TLE493D-W2B6
Platform: Shield2Go
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB90223PF-GT-269-BNDE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB MROM 120PQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 102
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 120-QFP (28x28)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 16x10b
Core Processor: F²MC-16F
Program Memory Type: Mask ROM
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-BQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.35 грн
10000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 20585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.08 грн
10+109.69 грн
100+85.52 грн
500+66.30 грн
1000+52.34 грн
2000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS40E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 120MA PGSOT23
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 120mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FP50R12W2T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f186fc3272fe
FP50R12W2T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-EASY2B-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4100.04 грн
15+2868.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM393M6FPXKLA1 Infineon-IM393-M6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740afd4fc371ae
IM393M6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 10A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 10 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393S6FPXKLA1 Infineon-IM393-S6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b067a4071b1
IM393S6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 6A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393L6FPXKLA1 Infineon-IM393-L6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b0683bb71b4
IM393L6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 15A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM393X6FPXKLA1 Infineon-IM393-X6FP-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f01740b06985471b7
IM393X6FPXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IGBT 600V 20A 26PWRSIP
Voltage: 600 V
Current: 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerSIP Module, 22 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFF600B12ME4S8PB11BOSA1 Infineon-IFF600B12ME4S8P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab2feb70027
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 20MW ECONO
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-5
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24263.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12ME4EB11BPSA1
FF600R12ME4EB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV50HTSA1 INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4296GV50HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 5.2 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV26HTSA1 Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74
TLE4295GV26HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 2.6V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.6V
Control Features: Power Fail
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
442+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 442 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV30HTSA1 Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74
TLE4295GV30HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Power Fail
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 32780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
384+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV30HTSA1 INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4296GV30HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3V
Control Features: Inhibit
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4.5 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS105B0MBHTSA1 Infineon-TLS105B0MB-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff5777016200cc39952f83
TLS105B0MBHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 120MA SCT595
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 120mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 75 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 100dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 50mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 5.5 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.32 грн
10+44.47 грн
25+40.09 грн
100+33.07 грн
250+30.92 грн
500+29.62 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4286GHTSA1 Infineon-TLE4286G-DS-v02_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595fa0a3b01fca
TLE4286GHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 15MA PG-SCT595-5
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 42V
Current - Quiescent (Iq): 100 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 10mA
PSRR: 60dB (100Hz)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 Infineon-TLE4295-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8575241f74
TLE4295GV33HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 30MA PG-SCT595-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 30mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Power Fail
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 20mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 4 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.46 грн
10+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4296GV33HTSA1 INFNS12042-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4296GV33HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 30MA PG-SCT595-5
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Supply (Max): 5.2 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 20mA
PSRR: 60dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Inhibit
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: PG-SCT595-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 170 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Output: 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
IRF135S203
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 22554 HT V2.1 PEF22554_V3.1_PB_Rev3.0.pdf
PEF 22554 HT V2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE 144TQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB669 INFNS15707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB669
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Capacitance Ratio: 20.9
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Bulk
на замовлення 49000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB669E7904 INFNS15707-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB669E7904
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTR 30V SGL PG-SOD323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 20.9
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4724+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 4724 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB659CH7903XTMA1 bb639c_bb659cseries.pdf
BB659CH7903XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTOR 30V SNGLE SCD-80
Capacitance Ratio: 15.3
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: SCD-80
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.75pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-80
Packaging: Bulk
на замовлення 204347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7059+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7059 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB659H7902 INFNS15706-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB659H7902
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Capacitance Ratio: 14.7
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Capacitance Ratio Condition: C1/C28
Capacitance @ Vr, F: 2.9pF @ 28V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Single
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-80
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM50GP60B2BOSA1 INFNS12611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4313.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CPXKSA1 IPA50R299CP.pdf
IPA50R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 31927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CPXKSA1079 INFNS15798-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA50R299 - 500V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R299CP INFNS15798-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4PBPSA1
FS150R12KT4PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW PWR ECONO3-4
Packaging: Bulk
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+10381.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12PT4 INFNS28534-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 680 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+10021.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17KE3GBOSA1 Infineon-FS150R17KE3G-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fea3c4e48
FS150R17KE3GBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Not For New Designs
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28732.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17KE3G INFNS28151-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 240 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+35847.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07N3E4 INFNS28524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS150R07 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 388 389 390 391 392 393 394 395 396 397 398 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]