Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 387 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.56 грн
10+209.68 грн
100+149.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9 Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9 Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.12 грн
10+310.20 грн
100+225.22 грн
500+200.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAACIC61508OSRF3VAAAXUMA1 SAACIC61508OSRF3VAAAXUMA1 Infineon Technologies Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1 BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ037N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53b0879f52ec Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 IPT020N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.14 грн
10+205.80 грн
100+145.88 грн
500+119.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.03 грн
30+331.74 грн
120+279.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442 Description: IGBT MOD 1200V 55A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5090.37 грн
15+3840.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+104.62 грн
100+71.26 грн
500+53.47 грн
1000+49.16 грн
2000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2314ANZSXC-1 CY2314ANZSXC-1 Infineon Technologies cy2314anz_8.pdf Description: IC CLK BUFFER 1:14 100MHZ 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:14
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-SOIC
Frequency - Max: 100 MHz
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+351.26 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2314ANZSXC-1T CY2314ANZSXC-1T Infineon Technologies cy2314anz_8.pdf Description: IC CLK BUFFER 1:14 100MHZ 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:14
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-SOIC
Frequency - Max: 100 MHz
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+356.98 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFHPSA1 TD215N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT215N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c Description: SCR MODULE 2200V 410A MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA03N60C3XK SPA03N60C3XK Infineon Technologies Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_00-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908f075042a10 Description: SPA03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6916H6327XTSA1 BCX6916H6327XTSA1 Infineon Technologies bcx69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589f3f56603ee&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx69.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5 IGW50N65F5 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303PH Infineon Technologies INFNS16523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 7A, 30V, 0.021OHM, 2-ELEMENT, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2678pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303P BSO303P Infineon Technologies INFNS11906-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024NTRL AUIRFR024NTRL Infineon Technologies AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024NTRL AUIRFR024NTRL Infineon Technologies AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS0200N03S Infineon Technologies Description: BSO200 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Description: DISCRETE DIODES
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 AIDK12S65C5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51 Description: DISCRETE DIODES
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.70 грн
10+331.99 грн
100+268.60 грн
500+224.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CP8173ATT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8175ATT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8173AT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8175AT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8176AT Infineon Technologies Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 BAS4006WH6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 12635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+16.72 грн
100+10.48 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1697.05 грн
30+1046.98 грн
120+1002.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Description: IGBT MOD 1200V 40A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5071.77 грн
15+3631.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD270N16KOFBPSA1 TD270N16KOFBPSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b Description: SCR MODULE 1600V 450A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 270 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 450 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFB2HPSA1 Infineon Technologies TT104N.pdf Description: SCR MODULE 1.2KV 160A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT61N08KOFB2HPSA1 Infineon Technologies TT61N.pdf Description: SCR MODULE 800V 120A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 35A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 76 µA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4914.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1450 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 570A 2250W MOD
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17640.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R07W1E3B11ABOMA1 FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R07W1E3_B11A-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01345ac2cf410042 Description: IGBT MODULES
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3064.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ810N22KOFHPSA2 TZ810N22KOFHPSA2 Infineon Technologies Infineon-TZ810N22KOF-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146669314a860eb Description: SCR MODULE 2.2KV 1500A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 819 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1500 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29062.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF30682QVS01XUMA1 TLF30682QVS01XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLF30682QVS01-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c6c61d1142a87 Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Multiple
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4V ~ 35V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF30682QVS01XUMA1 TLF30682QVS01XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLF30682QVS01-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c6c61d1142a87 Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Multiple
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4V ~ 35V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.79 грн
10+453.99 грн
100+353.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE CY15B256J-SXE Infineon Technologies download Description: IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 3.4 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 130 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.93 грн
10+714.57 грн
25+692.54 грн
50+634.35 грн
100+618.86 грн
485+584.22 грн
970+560.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J60BFI120A S29PL032J60BFI120A Infineon Technologies 5047 Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J60BFI120A S29PL032J60BFI120A Infineon Technologies 5047 Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007MPBFAUMA1 IRS2007MPBFAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf Description: LEVEL SHIFT JUNCTION ISO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR949TE6327 BFR949TE6327 Infineon Technologies INFNS15743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC-75
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1GHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 20dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR949L3E6327 BFR949L3E6327 Infineon Technologies INFNS10801-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ PG-TSLP3-1
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
на замовлення 13990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797512F180EFXACKXUMA1 Infineon Technologies TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 221
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Peripherals: DMA, POR, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 64K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 176K x 8
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
Speed: 180MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 416-BGA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797512F180EFACKDUMA1 SAKTC1797512F180EFACKDUMA1 Infineon Technologies TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EFACKXUMA1 SAK-TC1797-512F180EFACKXUMA1 Infineon Technologies TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797384F150EFACKXUMA1 Infineon Technologies Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32-B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9471ESV33XUMA1 TLE9471ESV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9471ES%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016519f2218675cf Description: IC SYST BASIS CHIP TSDSO24-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: System Basis Chip (SBC)
Applications: CAN Automotive
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-1
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.80 грн
10+147.00 грн
25+134.65 грн
100+113.61 грн
250+107.53 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60HAXKMA1 IKCM15H60HAXKMA1 Infineon Technologies IKCM15H60HA.pdf Description: IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 22969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+521.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA1 TLE92633BQXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9263-3BQX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016097f386a63984 Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 48VQFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Voltage - Supply: 28V
Interface: SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS01TRP IR3564AMAS01TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG BUCK 40VQFN
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS02TRP IR3564AMAS02TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG BUCK 40VQFN
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS04TRP IR3564AMAS04TRP Infineon Technologies IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG BUCK 40VQFN
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565AMAS01TRP IR3565AMAS01TRP Infineon Technologies IR3565A_PB_v3.04_10-1-13.pdf Description: IC REG BUCK 48VQFN
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-900
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 6
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc
IMBF170R1K0M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc
IMBF170R1K0M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.56 грн
10+209.68 грн
100+149.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+184.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1 Infineon-IMBF170R450M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c850e1ad9
IMBF170R450M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.12 грн
10+310.20 грн
100+225.22 грн
500+200.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAACIC61508OSRF3VAAAXUMA1
SAACIC61508OSRF3VAAAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SUPERVISOR PWR SUP SUPPORT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ037N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53b0879f52ec
BSZ037N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1 infineon-ipt020n10n5-datasheet-en.pdf
IPT020N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+323.14 грн
10+205.80 грн
100+145.88 грн
500+119.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW50N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754b1a2aa576ae
IKFW50N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.03 грн
30+331.74 грн
120+279.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BPSA1 Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442
FP40R12KT3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 55A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5090.37 грн
15+3840.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.93 грн
10+104.62 грн
100+71.26 грн
500+53.47 грн
1000+49.16 грн
2000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2314ANZSXC-1 cy2314anz_8.pdf
CY2314ANZSXC-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 1:14 100MHZ 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:14
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-SOIC
Frequency - Max: 100 MHz
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+351.26 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY2314ANZSXC-1T cy2314anz_8.pdf
CY2314ANZSXC-1T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 1:14 100MHZ 28SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Number of Circuits: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Type: Fanout Buffer (Distribution)
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Ratio - Input:Output: 1:14
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-SOIC
Frequency - Max: 100 MHz
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+356.98 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFHPSA1 Infineon-TT215N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c
TD215N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2200V 410A MODULE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA03N60C3XK Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_00-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908f075042a10
SPA03N60C3XK
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPA03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX6916H6327XTSA1 bcx69.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589f3f56603ee&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bcx69.pdf
BCX6916H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 20V 1A PG-SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
960+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
IGW50N65F5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303PH INFNS16523-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 7A, 30V, 0.021OHM, 2-ELEMENT, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2678pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO303P INFNS11906-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO303P
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024NTRL AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf
AUIRFR024NTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024NTRL AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf
AUIRFR024NTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BS0200N03S
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSO200 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51
AIDK12S65C5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDK12S65C5ATMA1 Infineon-AIDK12S65C5-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701ac3e9892f51
AIDK12S65C5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE DIODES
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+410.70 грн
10+331.99 грн
100+268.60 грн
500+224.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CP8173ATT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8175ATT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8173AT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8175AT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CP8176AT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU CAPSENSE PLUS 56QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4006WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOT 40V 120MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT323
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 12635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.67 грн
18+16.72 грн
100+10.48 грн
500+7.28 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1697.05 грн
30+1046.98 грн
120+1002.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
FP25R12KE3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5071.77 грн
15+3631.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD270N16KOFBPSA1 Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b
TD270N16KOFBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1600V 450A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 270 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 450 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFB2HPSA1 TT104N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.2KV 160A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT61N08KOFB2HPSA1 TT61N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 800V 120A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DLCE3224BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 145W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 76 µA
Power - Max: 145 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4914.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1450W
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1450 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12118.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 570A 2250W MOD
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17640.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon-FS50R07W1E3_B11A-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01345ac2cf410042
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULES
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3064.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TZ810N22KOFHPSA2 Infineon-TZ810N22KOF-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146669314a860eb
TZ810N22KOFHPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.2KV 1500A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 500 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 819 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1500 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+29062.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF30682QVS01XUMA1 Infineon-TLF30682QVS01-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c6c61d1142a87
TLF30682QVS01XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Multiple
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4V ~ 35V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLF30682QVS01XUMA1 Infineon-TLF30682QVS01-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c6c61d1142a87
TLF30682QVS01XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DC/DC CONVERTER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: Multiple
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Voltage - Input: 4V ~ 35V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.79 грн
10+453.99 грн
100+353.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE download
CY15B256J-SXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 3.4 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: I2C
Access Time: 130 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+798.93 грн
10+714.57 грн
25+692.54 грн
50+634.35 грн
100+618.86 грн
485+584.22 грн
970+560.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J60BFI120A 5047
S29PL032J60BFI120A
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL032J60BFI120A 5047
S29PL032J60BFI120A
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007MPBFAUMA1 Infineon-IRS2007(S,M)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae53e02c239bf
IRS2007MPBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEVEL SHIFT JUNCTION ISO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR949TE6327 INFNS15743-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR949TE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC-75
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1GHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 250mW
Gain: 20dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR949L3E6327 INFNS10801-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR949L3E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ PG-TSLP3-1
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 250mW
Gain: 21.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
на замовлення 13990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3463+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797512F180EFXACKXUMA1 TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 221
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Peripherals: DMA, POR, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 64K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 176K x 8
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
Speed: 180MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 416-BGA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKTC1797512F180EFACKDUMA1 TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d
SAKTC1797512F180EFACKDUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 176K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EFACKXUMA1 TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d
SAK-TC1797-512F180EFACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797384F150EFACKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32-B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9471ESV33XUMA1 Infineon-TLE9471ES%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264fee02f016519f2218675cf
TLE9471ESV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SYST BASIS CHIP TSDSO24-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: System Basis Chip (SBC)
Applications: CAN Automotive
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-1
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.80 грн
10+147.00 грн
25+134.65 грн
100+113.61 грн
250+107.53 грн
500+105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM15H60HAXKMA1 IKCM15H60HA.pdf
IKCM15H60HAXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 15 A
Voltage: 600 V
на замовлення 22969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+521.55 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92633BQXXUMA1 Infineon-TLE9263-3BQX-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016097f386a63984
TLE92633BQXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 48VQFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Voltage - Supply: 28V
Interface: SPI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS01TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3564AMAS01TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 40VQFN
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS02TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3564AMAS02TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 40VQFN
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3564AMAS04TRP IR3564A_70A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3564AMAS04TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 40VQFN
Number of Outputs: 5
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-901
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565AMAS01TRP IR3565A_PB_v3.04_10-1-13.pdf
IR3565AMAS01TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK 48VQFN
Control Features: Enable, Power Good
Synchronous Rectifier: No
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-900
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 200kHz ~ 2MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: PWM
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 6
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Output Phases: 4
Serial Interfaces: I²C, PMBus, SMBus
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]