Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122993) > Сторінка 391 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C167CSLMCAKXQLA2 Infineon Technologies Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5 IKP15N65F5 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCZ44VB Infineon Technologies Description: MOSFET 60V 55A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfi4020h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623e7271f73 Description: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2S7HOSA1 Infineon Technologies Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PH BSO203PH Infineon Technologies INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6E1C12C0AGN20000 S6E1C12C0AGN20000 Infineon Technologies Infineon-S6E1C32D0AGN20050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ec33e75c2c49 Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I²C, LINbus, SmartCard, UART/USART
Peripherals: I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WH6327 Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 Infineon Technologies INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WE6327 BCR158WE6327 Infineon Technologies INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158 BCR158 Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158W Infineon Technologies INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDSTD6895 TDSTD6895 Infineon Technologies Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc Description: BCR158 - DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD144B1W0201E6327XTSA1 ESD144B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-New+generation+ESD+protection+diodes-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d0ccb7b9a57e3 Description: TVS DIODE 18VWM 20VC WLL-2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 21W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 62142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
31+9.78 грн
100+6.02 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
2000+3.23 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD233B1W0201E6327XTSA1 ESD233B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD233-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce93607634882 Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Amplification
Capacitance @ Frequency: 33pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SG-WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
29+10.30 грн
100+5.57 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5FKSA1 IDW16G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30433899edae0138a478b3db208c Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7 IPP60R180P7 Infineon Technologies Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Description: IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJXUMA1 BTT3018EJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTT3018EJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff157937b4290 Description: BTT3018EJXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.97 грн
10+176.25 грн
100+123.74 грн
500+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 XDPL8219XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+80.44 грн
25+73.13 грн
100+61.07 грн
250+57.45 грн
500+55.27 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4R_B11 Infineon Technologies INFNS28543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15800.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4 Infineon Technologies INFNS28547-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14306.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147 Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
10+132.75 грн
100+96.16 грн
500+75.12 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AIHAMA1 TLE5027CXAAD47AIHAMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+172.52 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AGXAMA1 Infineon Technologies Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+182.03 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1200XUMA1 TLE5009A16E1200XUMA1 Infineon Technologies infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
на замовлення 19510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2200XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9 Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+172.80 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5025CE6747HAMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MAG SWITCH SPEED SENSOR 3SSO
на замовлення 12372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+148.05 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CIE6747HAMA1 TLE5027CIE6747HAMA1 Infineon Technologies TLE5027C_PB_7-2-13.pdf Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+179.31 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2210XUMA1 TLE5009A16E2210XUMA1 Infineon Technologies infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 21497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS736L2NTMA1 Infineon Technologies INFNS05478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA1 TLE4274GV50ATMA1 Infineon Technologies INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Bulk
Current - Supply (Max): 30 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
PSRR: 60dB (100Hz)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 TLE4274GV50ATMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1 Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+100.29 грн
25+91.37 грн
100+76.53 грн
250+72.15 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4235V-15ASXC Infineon Technologies CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Current - Supply (Max): 30mA
Access Time: 11ns
Data Rate: 66.7MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Memory Size: 36K (2K x 18)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
Part Status: Obsolete
FWFT Support: No
Retransmit Capability: Yes
Programmable Flags Support: Yes
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1413.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 IPA60R125P6 Infineon Technologies Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP IPB60R600CP Infineon Technologies INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP IPB60R520CP Infineon Technologies INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087 Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP IPB60R250CP Infineon Technologies INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130RH6327XTSA1 Infineon Technologies BG3130.pdf Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2273+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 Infineon Technologies INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+939.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPP120N06S4H1AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-H1.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+154.37 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies IPx120N06S4-02.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2 IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120388c9cf60caf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.80 грн
10+127.08 грн
100+88.04 грн
500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMOTION2GOTOBO1 EVALIMOTION2GOTOBO1 Infineon Technologies Infineon-EVAL-iMOTION2GO-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462719b59230171abbcc2b4481b Description: EVAL BOARD FOR IMC101T
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Utilized IC / Part: IMC101T
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1714.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBFTR Infineon Technologies irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161PI-LM3V SAB-C161PI-LM3V Infineon Technologies INFNS00746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SAB-C161PI-LF 3V CA - LEGACY 16-
Number of I/O: 76
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-100-2
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 4x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-BQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+429.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161O-L25M SAB-C161O-L25M Infineon Technologies INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SAB-C161O-L25M HA - LEGACY 16-BI
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+814.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5XT Infineon Technologies Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21653EV1.4-G Infineon Technologies Description: INCA -IP2 SINGLE-CHIP IP PHONE W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3382.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTR IRFR9N20DTR Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRL IRFR9N20DTRL Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRR IRFR9N20DTRR Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF IRFR9N20DPBF Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b description Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBF IRFR9N20DTRLPBF Infineon Technologies irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C167CSLMCAKXQLA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 111
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 24x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 11K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-BQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5 Part_Number_Guide_Web.pdf
IKP15N65F5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 15A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCZ44VB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 60V 55A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4020H-117PXKMA1 irfi4020h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623e7271f73
IRFI4020H-117PXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2S7HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO203PH INFNS15552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSO203PH
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSO203 - 20V-250V P-CHANNEL POWE
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
490+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S6E1C12C0AGN20000 Infineon-S6E1C32D0AGN20050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181ec33e75c2c49
S6E1C12C0AGN20000
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 3.6V
Connectivity: CSIO, I²C, LINbus, SmartCard, UART/USART
Peripherals: I²S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WH6327 INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158WE6327 INFNS11628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158 INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR158
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158W INFNS17185-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDSTD6895 Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc
TDSTD6895
Виробник: Infineon Technologies
Description: BCR158 - DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD144B1W0201E6327XTSA1 Infineon-New+generation+ESD+protection+diodes-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d0ccb7b9a57e3
ESD144B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 18VWM 20VC WLL-2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: WLL-2-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 21W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 62142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
31+9.78 грн
100+6.02 грн
500+4.14 грн
1000+3.65 грн
2000+3.23 грн
5000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD233B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD233-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce93607634882
ESD233B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 13VC WLL-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Amplification
Capacitance @ Frequency: 33pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V
Supplier Device Package: SG-WLL-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power - Peak Pulse: 70W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.50 грн
29+10.30 грн
100+5.57 грн
500+4.10 грн
1000+2.85 грн
2000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW16G65C5FKSA1 IDW16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30433899edae0138a478b3db208c
IDW16G65C5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
IPP60R180P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R180 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT3018EJXUMA1 Infineon-BTT3018EJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff157937b4290
BTT3018EJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTT3018EJXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled, Status Flag
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 36V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.97 грн
10+176.25 грн
100+123.74 грн
500+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8219XUMA1 Infineon-XDPL8219-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46272aa54c00172c1d42f3c599b
XDPL8219XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR CTRLR NO 100MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 15MHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 100mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8-41
Dimming: No
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
10+80.44 грн
25+73.13 грн
100+61.07 грн
250+57.45 грн
500+55.27 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R07N3E4R_B11 INFNS28543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS200R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15800.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4 INFNS28547-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14306.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N10NSGATMA1 BSC079N10NS+Rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a601167b174f951147
BSC079N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.70 грн
10+132.75 грн
100+96.16 грн
500+75.12 грн
1000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AIHAMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TLE5027CXAAD47AIHAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+172.52 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CXAAD47AGXAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+182.03 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E1200XUMA1 infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf
TLE5009A16E1200XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
на замовлення 19510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2200XUMA1 Infineon-TLE5x09A16_D-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977889fe858c9
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+172.80 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5025CE6747HAMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEED SENSOR 3SSO
на замовлення 12372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+148.05 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5027CIE6747HAMA1 TLE5027C_PB_7-2-13.pdf
TLE5027CIE6747HAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SEN MR PWM PG-SSO-3-92
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SSO-3-92
Technology: Magnetoresistive
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Through Hole
Output Type: PWM
Package / Case: 3-SSIP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+179.31 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009A16E2210XUMA1 infineon-tle5x09a16-d-datasheet-en.pdf
TLE5009A16E2210XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALL SENSOR LINEAR TDSO-16
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Active
Output Signal: Cosine, Sine
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Supplier Device Package: PG-TDSO-16
For Measuring: Angle
Technology: Magnetoresistive
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Termination Style: Gull Wing
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 21497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS736L2NTMA1 INFNS05478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA1 INFNS16630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE4274GV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR FIXED LDO REG
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 40V
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Packaging: Bulk
Current - Supply (Max): 30 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
PSRR: 60dB (100Hz)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV50ATMA2 Infineon-TLE4274-DataSheet-v01_71-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f49872dd00d1
TLE4274GV50ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 400MA PG-TO263-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+100.29 грн
25+91.37 грн
100+76.53 грн
250+72.15 грн
500+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4235V-15ASXC CY7C4205V%2C15V%2C25V%2C35V%2C45V%2C4425V.pdf
CY7C4235V-15ASXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FIFO SYNC 2KX18 11NS 64TQFP
Current - Supply (Max): 30mA
Access Time: 11ns
Data Rate: 66.7MHz
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Memory Size: 36K (2K x 18)
Function: Synchronous
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
Part Status: Obsolete
FWFT Support: No
Retransmit Capability: Yes
Programmable Flags Support: Yes
Expansion Type: Depth, Width
Bus Directional: Uni-Directional
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+1413.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD14N06S2-80 INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD14N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXE Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-10BAJXET Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecab2cc43b0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1041CV33-10BAJXET
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125P6 Infineon-IPX60R125P6-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=5546d461464245d301468af2915b667f
IPA60R125P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R600CP INFNS11341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R600CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
433+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R520CP INFNS11337-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CPATMA1 IPB60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b2fd3ce0087
IPB60R250CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+103.71 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R250CP INFNS17419-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB60R250CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
на замовлення 41770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+109.52 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BG3130RH6327XTSA1 BG3130.pdf
BG3130RH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 5V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Gain: 24dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.3dB
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 14 mA
на замовлення 607750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2273+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS240AHKSA1 INFNS15457-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO218-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 47A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 12772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+939.32 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N06S4H1AKSA2 IPx120N06S4-H1.pdf
IPP120N06S4H1AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+154.37 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N06S402AKSA2 IPx120N06S4-02.pdf
IPI120N06S402AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon-I120N06S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120388c9cf60caf
IPB120N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
IAUC120N06S5N017ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.80 грн
10+127.08 грн
100+88.04 грн
500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMOTION2GOTOBO1 Infineon-EVAL-iMOTION2GO-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462719b59230171abbcc2b4481b
EVALIMOTION2GOTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMC101T
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Utilized IC / Part: IMC101T
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1714.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBFTR irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFH7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161PI-LM3V INFNS00746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAB-C161PI-LM3V
Виробник: Infineon Technologies
Description: SAB-C161PI-LF 3V CA - LEGACY 16-
Number of I/O: 76
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-100-2
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 4x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-BQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+429.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C161O-L25M INFNS01615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAB-C161O-L25M
Виробник: Infineon Technologies
Description: SAB-C161O-L25M HA - LEGACY 16-BI
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+814.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD03N60S5XT Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
611+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSB21653EV1.4-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: INCA -IP2 SINGLE-CHIP IP PHONE W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+3382.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTR irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRL irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRR irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DPBF description irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9N20DTRLPBF irfr9n20dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563610b1213b
IRFR9N20DTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 386 387 388 389 390 391 392 393 394 395 396 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]