Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123000) > Сторінка 465 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 460 461 462 463 464 465 466 467 468 469 470 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ILD4180 ILD4180 Infineon Technologies INFNS15343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SWITCHING REGULATOR
Voltage - Supply (Max): 45V
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Topology: Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 1.8A
Applications: Commercial & Industrial Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 370kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LD403524VBOARDTOBO1 LD403524VBOARDTOBO1 Infineon Technologies ILD4035.pdf Description: BOARD EVAL ILD4035 24V
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ILD4035
Current - Output / Channel: 350mA
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 TT820N16KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3 Description: THYR / DIODE MODULE DK
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 820 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 24800A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25819.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TP-64F200S BC Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1OCTAT-P PEB2096HV2.1OCTAT-P Infineon Technologies Description: IC TRANSCEIVER OCTAL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1 PEB2096HV2.1 Infineon Technologies Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7729TXUMA1 TLE7729TXUMA1 Infineon Technologies TLE7729_PB.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5340XUMA1 TDA5340XUMA1 Infineon Technologies TDA5340_Rev_1.2,_June,13,2012.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: ASK, FSK, GFSK
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Current - Transmitting: 12mA
Current - Receiving: 12mA
Power - Output: 14dBm
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Type: TxRx Only
Frequency: 300MHz ~ 320MHz, 415MHz ~ 495MHz, 863MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T028X0128ABXUMA1 XMC1302T028X0128ABXUMA1 Infineon Technologies Infineon-xmc1300_AB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdb073c25c6 Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 28TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 14x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28-16
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R17KE3B17BPSA1 FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R17KE3_B17-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe5fb4e30 Description: IGBT MODULE 1700V 82A AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 345 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF55016EV1.3-G Infineon Technologies Description: GEMINAX-D16 PRO E V2.1 16 CHANNE
Packaging: Bulk
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1606.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1 DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF23MR12W1M1_B11.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4VPBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R12IE4VP-DS-v03_00-EN.pdf Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43206.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7WB11BPSA1 FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R12ME7W_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018166f2f56b3b9f Description: MEDIUM POWER ECONO
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 890 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP Infineon Technologies Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Bulk
на замовлення 58250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+276.61 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Access Time: 10 ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.99 грн
19+449.73 грн
38+433.80 грн
57+398.62 грн
114+384.52 грн
266+367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.01 грн
10+187.60 грн
100+145.89 грн
500+113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+227.99 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.08 грн
10+397.13 грн
100+289.66 грн
500+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTF180101M V1 PTF180101M V1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF MOSFET LDMOS 28V RFP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 10W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTF210101M V1 PTF210101M V1 Infineon Technologies PTF210101M.pdf Description: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G Infineon Technologies INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV2.1 Infineon Technologies Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14782.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV1.1 Infineon Technologies Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 TD215N22KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT215N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c Description: SCR MODULE 2.2KV 410A MODULE
Voltage - Off State: 2.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 410 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 215 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13322.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N22STIMHPSA1 DD390N22STIMHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD390N22S-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01639104e0583fd3 Description: DIODE MOD GP 2200V 390A BGPB50SB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: BG-PB50SB-1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 390A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7962.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DLCE3256HOSA1 Infineon Technologies Description: BSM200GB120DLC - IGBT
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1550 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V BA892-02V Infineon Technologies INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SILICON RF SWITCHING DIODE
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.80 грн
1600+43.41 грн
2400+41.59 грн
4000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLE 66R35 MCC2 SLE 66R35 MCC2 Infineon Technologies SLE66R35.pdf Description: IC RFID TRANSP 13.56MHZ MCC2-2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001511XTMA1 SP4001511XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SP400-15-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7d6bc6f73 Description: SENSOR 203.05PSIA DSOSP14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-BSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Output Type: RF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Pressure: 14.5PSI ~ 203.05PSI (100kPa ~ 1400kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.6V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOSP-14-82
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+352.89 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001511XTMA1 SP4001511XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SP400-15-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7d6bc6f73 Description: SENSOR 203.05PSIA DSOSP14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-BSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Output Type: RF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Pressure: 14.5PSI ~ 203.05PSI (100kPa ~ 1400kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.6V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOSP-14-82
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.55 грн
10+448.99 грн
25+416.74 грн
100+357.80 грн
250+350.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE164FN-24F80L AA SAF-XE164FN-24F80L AA Infineon Technologies Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9 Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF23MR12W1M1C11BPSA1 Infineon Technologies Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6329XTSA1 BGA824N6E6329XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA824N6-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7b53cdd02721 Description: IC AMP GALI 1.164-1.615GHZ TSNP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: BeiDou, Galileo, GLONASS, GNSS, GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 17dB
Current - Supply: 3.8mA
Noise Figure: 0.55dB
P1dB: -9dBm
Test Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISO1H815GTOBO1 EVALISO1H815GTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluation_board_coreless_transformer_isolated_high_side_switch_with_ISO1H815G-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271ed693904e89 Description: EVAL BOARD FOR ISO1H815G
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ISO1H815G
Type: Power Management
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Packaging: Bulk
Secondary Attributes: Parallel Interface(s)
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Primary Attributes: 8-Channel (Octal)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9389.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T3801N36TOFVTXPSA1 T3801N36TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T3801N-DS-v06_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e1fc5224 Description: SCR MODULE 3.6KV 6020A TO-200AF
Voltage - Off State: 3.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6020 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 5370 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 91000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AF
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX54211MBV33HTSA1 IFX54211MBV33HTSA1 Infineon Technologies Infineon-IFX54211MB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153d220ba783e95 Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 100 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
на замовлення 170649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
818+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.39 грн
11+28.65 грн
25+25.34 грн
100+20.32 грн
250+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CE IPN65R1K5CE Infineon Technologies Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MA15037577NDSA1 Infineon Technologies Description: POWER MODULE IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFD IPW65R310CFD Infineon Technologies INFNS17578-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
на замовлення 10341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1 IPW65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef402bf49c7 Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.71 грн
30+187.35 грн
120+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R125CFD7XKSA1 IPW65R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d74437bbc Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.56 грн
30+173.32 грн
120+150.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R090CFD7XKSA1 IPW65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d48c07bb6 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.89 грн
30+263.93 грн
120+220.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1 IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R018CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdfdb6202d1 Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.08 грн
30+720.99 грн
120+624.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFD7XKSA1 IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d5e8e7bb9 Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.50 грн
30+219.63 грн
120+182.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R050CFD7AXKSA1 IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0167ea2084c Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.13 грн
30+355.69 грн
120+301.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1 IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R029CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0173093f56af4495 Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.24 грн
30+558.26 грн
120+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R15OCFDAFKSA1 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65F6048A Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA2BWXTMA1 TLV493DA2BWXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLV493D-A2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178efd9e2c66db9 Description: XENSIV 3D MAGNETIC HALL SENSOR S
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 130nA
Sensing Range: ±160mT
Resolution: 12 b
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: I2C
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Programmable
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA2BWXTMA1 TLV493DA2BWXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLV493D-A2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178efd9e2c66db9 Description: XENSIV 3D MAGNETIC HALL SENSOR S
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 130nA
Output Type: I2C
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Programmable
Packaging: Cut Tape (CT)
Sensing Range: ±160mT
Resolution: 12 b
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.49 грн
10+58.43 грн
25+51.40 грн
50+49.08 грн
100+46.93 грн
500+41.91 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVIIBE1MSKTOBO1 CYTVIIBE1MSKTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD FOR CYT2B75CADES
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Platform: Arduino
Utilized IC / Part: CYT2B75CADES, TJA1057GTJ
Board Type: Evaluation Platform
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V08SXC-41 CY241V08SXC-41 Infineon Technologies Description: IC CLOCK GEN MPEG W/VCXO 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Type: Clock Generator
Frequency - Max: 27MHz
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+108.49 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7E8191XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a4c2ab65f51 Description: MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD4180 INFNS15343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILD4180
Виробник: Infineon Technologies
Description: SWITCHING REGULATOR
Voltage - Supply (Max): 45V
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Topology: Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 1.8A
Applications: Commercial & Industrial Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 370kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
416+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LD403524VBOARDTOBO1 ILD4035.pdf
LD403524VBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BOARD EVAL ILD4035 24V
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ILD4035
Current - Output / Channel: 350mA
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1350.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3
TT820N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 820 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 24800A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+25819.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TP-64F200S BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1OCTAT-P
PEB2096HV2.1OCTAT-P
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER OCTAL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1
PEB2096HV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7729TXUMA1 TLE7729_PB.pdf
TLE7729TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5340XUMA1 TDA5340_Rev_1.2,_June,13,2012.pdf
TDA5340XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: ASK, FSK, GFSK
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Current - Transmitting: 12mA
Current - Receiving: 12mA
Power - Output: 14dBm
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Type: TxRx Only
Frequency: 300MHz ~ 320MHz, 415MHz ~ 495MHz, 863MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T028X0128ABXUMA1 Infineon-xmc1300_AB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdb073c25c6
XMC1302T028X0128ABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 28TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 14x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28-16
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon-FS50R17KE3_B17-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe5fb4e30
FS50R17KE3B17BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 82A AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 345 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF55016EV1.3-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: GEMINAX-D16 PRO E V2.1 16 CHANNE
Packaging: Bulk
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1606.77 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1 DF23MR12W1M1_B11.pdf
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4VPBOSA1 Infineon-FF900R12IE4VP-DS-v03_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+43206.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon-FF900R12ME7W_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018166f2f56b3b9f
FF900R12ME7WB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 890 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Bulk
на замовлення 58250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+276.61 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY7C1049G30-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Access Time: 10 ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.99 грн
19+449.73 грн
38+433.80 грн
57+398.62 грн
114+384.52 грн
266+367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051
IDDD10G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051
IDDD10G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.01 грн
10+187.60 грн
100+145.89 грн
500+113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+227.99 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+609.08 грн
10+397.13 грн
100+289.66 грн
500+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTF180101M V1 fundamentals-of-power-semiconductors
PTF180101M V1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS 28V RFP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 10W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTF210101M V1 PTF210101M.pdf
PTF210101M V1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14782.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 Infineon-TT215N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c
TD215N22KOFTIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.2KV 410A MODULE
Voltage - Off State: 2.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 410 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 215 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13322.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N22STIMHPSA1 Infineon-DD390N22S-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01639104e0583fd3
DD390N22STIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 2200V 390A BGPB50SB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: BG-PB50SB-1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 390A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7962.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DLCE3256HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM200GB120DLC - IGBT
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1550 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA892-02V
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON RF SWITCHING DIODE
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d
IRL40S212ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.80 грн
1600+43.41 грн
2400+41.59 грн
4000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLE 66R35 MCC2 SLE66R35.pdf
SLE 66R35 MCC2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RFID TRANSP 13.56MHZ MCC2-2-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001511XTMA1 Infineon-SP400-15-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7d6bc6f73
SP4001511XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 203.05PSIA DSOSP14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-BSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Output Type: RF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Pressure: 14.5PSI ~ 203.05PSI (100kPa ~ 1400kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.6V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOSP-14-82
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+352.89 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP4001511XTMA1 Infineon-SP400-15-11-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627255dbad01725cf7d6bc6f73
SP4001511XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 203.05PSIA DSOSP14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-BSSOP (0.220", 5.60mm Width)
Output Type: RF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Pressure: 14.5PSI ~ 203.05PSI (100kPa ~ 1400kPa)
Pressure Type: Absolute
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3.6V
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOSP-14-82
Port Style: No Port
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+600.55 грн
10+448.99 грн
25+416.74 грн
100+357.80 грн
250+350.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE164FN-24F80L AA Infineon-SAK-XE164FN-40F80LR%20AB-DataSheet-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018dc5cc3b160cb9
SAF-XE164FN-24F80L AA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 192KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 192KB (192K x 8)
RAM Size: 26K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-100-8
Number of I/O: 75
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF23MR12W1M1C11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA824N6E6329XTSA1 Infineon-BGA824N6-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7b53cdd02721
BGA824N6E6329XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP GALI 1.164-1.615GHZ TSNP6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
RF Type: BeiDou, Galileo, GLONASS, GNSS, GPS
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.6V
Gain: 17dB
Current - Supply: 3.8mA
Noise Figure: 0.55dB
P1dB: -9dBm
Test Frequency: 1.164GHz ~ 1.615GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALISO1H815GTOBO1 Infineon-Evaluation_board_coreless_transformer_isolated_high_side_switch_with_ISO1H815G-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271ed693904e89
EVALISO1H815GTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ISO1H815G
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ISO1H815G
Type: Power Management
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Packaging: Bulk
Secondary Attributes: Parallel Interface(s)
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Primary Attributes: 8-Channel (Octal)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9389.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T3801N36TOFVTXPSA1 Infineon-T3801N-DS-v06_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430e1fc5224
T3801N36TOFVTXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 3.6KV 6020A TO-200AF
Voltage - Off State: 3.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6020 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 5370 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 91000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: TO-200AF
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX54211MBV33HTSA1 Infineon-IFX54211MB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153d220ba783e95
IFX54211MBV33HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SCT595
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Gull Wing
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 100 µA
Voltage - Input (Max): 18V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SCT595-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 63dB (10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 200 µA
на замовлення 170649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
818+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 818 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98
ISP98DP10LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98
ISP98DP10LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.39 грн
11+28.65 грн
25+25.34 грн
100+20.32 грн
250+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CE Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50
IPN65R1K5CE
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MA15037577NDSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER MODULE IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFD INFNS17578-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW65R310CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
на замовлення 10341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
219+97.78 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R155CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef402bf49c7
IPW65R155CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.71 грн
30+187.35 грн
120+154.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R125CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d74437bbc
IPW65R125CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.56 грн
30+173.32 грн
120+150.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R090CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d48c07bb6
IPW65R090CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.89 грн
30+263.93 грн
120+220.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R018CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdfdb6202d1
IPW65R018CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1208.08 грн
30+720.99 грн
120+624.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0d5e8e7bb9
IPW65R110CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.50 грн
30+219.63 грн
120+182.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R050CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0167ea2084c
IPW65R050CFD7AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+626.13 грн
30+355.69 грн
120+301.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon-IPW65R029CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a0173093f56af4495
IPW65R029CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+956.24 грн
30+558.26 грн
120+478.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R15OCFDAFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65F6048A
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA2BWXTMA1 Infineon-TLV493D-A2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178efd9e2c66db9
TLV493DA2BWXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV 3D MAGNETIC HALL SENSOR S
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 130nA
Sensing Range: ±160mT
Resolution: 12 b
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: I2C
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Programmable
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLV493DA2BWXTMA1 Infineon-TLV493D-A2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178efd9e2c66db9
TLV493DA2BWXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XENSIV 3D MAGNETIC HALL SENSOR S
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Current - Supply (Max): 130nA
Output Type: I2C
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Features: Programmable
Packaging: Cut Tape (CT)
Sensing Range: ±160mT
Resolution: 12 b
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TJ)
Axis: X, Y, Z
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.49 грн
10+58.43 грн
25+51.40 грн
50+49.08 грн
100+46.93 грн
500+41.91 грн
1000+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVIIBE1MSKTOBO1
CYTVIIBE1MSKTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR CYT2B75CADES
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Platform: Arduino
Utilized IC / Part: CYT2B75CADES, TJA1057GTJ
Board Type: Evaluation Platform
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY241V08SXC-41
CY241V08SXC-41
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GEN MPEG W/VCXO 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Type: Clock Generator
Frequency - Max: 27MHz
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+108.49 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7E8191XKSA1 Infineon-IPA60R120P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b1a4c2ab65f51
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 460 461 462 463 464 465 466 467 468 469 470 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]