Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124875) > Сторінка 462 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 467 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL Infineon Technologies INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.45 грн
10+248.19 грн
100+177.56 грн
500+149.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60TIMHPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE 2.2KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 542 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B-02LSE6327XTSA1 ESD3V3S1B-02LSE6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5624+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V23809C8C10 Infineon Technologies Description: FAST ETHERNET TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V23809-C8-C10 Infineon Technologies Description: FAST ETHERNET TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC07D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC07D60F6_ed2.1_9-3-10.pdf Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 TLE9250VSJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14af99f65972 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.09 грн
5000+50.93 грн
7500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 TLE9250VSJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14af99f65972 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+76.34 грн
25+69.40 грн
100+57.89 грн
250+54.46 грн
500+52.39 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZTRLPBF Infineon Technologies irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074 Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.67 грн
10+290.13 грн
100+209.48 грн
500+182.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.70 грн
10+284.68 грн
100+205.33 грн
500+178.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHMF7321D2 AUXHMF7321D2 Infineon Technologies IRF7321D2PBF.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F654ENPFT-G101SNERE2 MB95F654ENPFT-G101SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 20KB FLASH 24TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 20KB (20K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 6x8/12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F564KNPFT-G107SNERE2 MB95F564KNPFT-G107SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 20KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 20KB (20K x 8)
RAM Size: 496 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 6x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc007n04nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc007n04nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 8948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.25 грн
10+146.11 грн
100+101.57 грн
500+77.45 грн
1000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004 Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004 Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
10+86.26 грн
100+58.23 грн
500+43.39 грн
1000+39.77 грн
2000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS1711MC222IE6433XUSA1 Infineon Technologies Description: IC RF SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1244 Infineon Technologies INFN-S-A0003553949-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6452.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL7141TRAP1SHTOBO1 EVAL6EDL7141TRAP1SHTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluation_board_EVAL_6EDL7141_TRAP_1SH-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb017a0ae054e624bd&da=t Description: EVAL BOARD FOR 6EDL7141
Secondary Attributes: SPI Interface(s)
Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 6EDL7141
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver, Gate Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17024.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMD700AFOC3SHTOBO1 EVALIMD700AFOC3SHTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Evaluation_board_EVAL_IMD700A_FOC_3SH-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fdf3691800b9d Description: EVAL BOARD FOR IMD701A
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Primary Attributes: 18V ~ 24V
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 6EDL7141, IMD701A, XMC1404
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15463.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH 182M E6327 Infineon Technologies Product+and+Application+Guide.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01146ec76de80910&fileId=db3a304329a0f6ee0129b13c338f0372 Description: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC1796256F150EXBEKDUMA1 TC1796256F150EXBEKDUMA1 Infineon Technologies INFNS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32-B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACCESSORY26649NOSA1 Infineon Technologies Description: ACCESSORY 26649
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1645KV18-400BZXI CY7C1645KV18-400BZXI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 144Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 36
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CP IPI60R250CP Infineon Technologies INFNS17424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+119.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD4180 ILD4180 Infineon Technologies INFNS15343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SWITCHING REGULATOR
Voltage - Supply (Max): 45V
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Topology: Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 1.8A
Applications: Commercial & Industrial Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 370kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LD403524VBOARDTOBO1 LD403524VBOARDTOBO1 Infineon Technologies ILD4035.pdf Description: BOARD EVAL ILD4035 24V
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ILD4035
Current - Output / Channel: 350mA
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 TT820N16KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3 Description: THYR / DIODE MODULE DK
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 820 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 24800A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25819.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TP-64F200S BC Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1OCTAT-P PEB2096HV2.1OCTAT-P Infineon Technologies Description: IC TRANSCEIVER OCTAL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1 PEB2096HV2.1 Infineon Technologies Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7729TXUMA1 TLE7729TXUMA1 Infineon Technologies TLE7729_PB.pdf Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5340XUMA1 TDA5340XUMA1 Infineon Technologies TDA5340_Rev_1.2,_June,13,2012.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: ASK, FSK, GFSK
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Current - Transmitting: 12mA
Current - Receiving: 12mA
Power - Output: 14dBm
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Type: TxRx Only
Frequency: 300MHz ~ 320MHz, 415MHz ~ 495MHz, 863MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T028X0128ABXUMA1 XMC1302T028X0128ABXUMA1 Infineon Technologies Infineon-xmc1300_AB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdb073c25c6 Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 28TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 14x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28-16
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R17KE3B17BPSA1 FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R17KE3_B17-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe5fb4e30 Description: IGBT MODULE 1700V 82A AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 345 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF55016EV1.3-G Infineon Technologies Description: GEMINAX-D16 PRO E V2.1 16 CHANNE
Packaging: Bulk
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1671.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1 DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies DF23MR12W1M1_B11.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4VPBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R12IE4VP-DS-v03_00-EN.pdf Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43206.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7WB11BPSA1 FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R12ME7W_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018166f2f56b3b9f Description: MEDIUM POWER ECONO
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 890 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP Infineon Technologies Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Bulk
на замовлення 58250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+276.61 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI CY7C1049G30-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Access Time: 10 ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.99 грн
19+449.73 грн
38+433.80 грн
57+398.62 грн
114+384.52 грн
266+367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051 Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.01 грн
10+187.60 грн
100+145.89 грн
500+113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+206.03 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.46 грн
10+348.70 грн
100+254.33 грн
500+227.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTF180101M V1 PTF180101M V1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: RF MOSFET LDMOS 28V RFP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 10W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTF210101M V1 PTF210101M V1 Infineon Technologies PTF210101M.pdf Description: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G Infineon Technologies INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV2.1 Infineon Technologies Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14782.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV1.1 Infineon Technologies Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 TD215N22KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT215N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c Description: SCR MODULE 2.2KV 410A MODULE
Voltage - Off State: 2.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 410 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 215 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13322.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N22STIMHPSA1 DD390N22STIMHPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD390N22S-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01639104e0583fd3 Description: DIODE MOD GP 2200V 390A BGPB50SB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: BG-PB50SB-1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 390A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7962.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DLCE3256HOSA1 Infineon Technologies Description: BSM200GB120DLC - IGBT
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1550 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V BA892-02V Infineon Technologies INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SILICON RF SWITCHING DIODE
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.80 грн
1600+43.41 грн
2400+41.59 грн
4000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620TRL INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFR4620TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.45 грн
10+248.19 грн
100+177.56 грн
500+149.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60TIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.2KV 700A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 542 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.2 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 700 A
Voltage - Off State: 2.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3S1B-02LSE6327XTSA1 INFNS19168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD3V3S1B-02LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5624+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V23809C8C10
Виробник: Infineon Technologies
Description: FAST ETHERNET TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
V23809-C8-C10
Виробник: Infineon Technologies
Description: FAST ETHERNET TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC07D60F6X1SA3 SIDC07D60F6_ed2.1_9-3-10.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 Infineon-TLE9250V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14af99f65972
TLE9250VSJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.09 грн
5000+50.93 грн
7500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250VSJXUMA1 Infineon-TLE9250V-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14af99f65972
TLE9250VSJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.49 грн
10+76.34 грн
25+69.40 грн
100+57.89 грн
250+54.46 грн
500+52.39 грн
1000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2307ZTRLPBF irfr2307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d98be2074
IRFR2307ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1 infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.67 грн
10+290.13 грн
100+209.48 грн
500+182.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c
IPT054N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c
IPT054N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.70 грн
10+284.68 грн
100+205.33 грн
500+178.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUXHMF7321D2 IRF7321D2PBF.pdf
AUXHMF7321D2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F654ENPFT-G101SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F654ENPFT-G101SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 20KB FLASH 24TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 20KB (20K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 6x8/12b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Number of I/O: 21
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F564KNPFT-G107SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F564KNPFT-G107SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 20KB FLASH 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 20KB (20K x 8)
RAM Size: 496 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 6x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 5.5V
Connectivity: LINbus, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Number of I/O: 17
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 infineon-isc007n04nm6-datasheet-en.pdf
ISC007N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 infineon-isc007n04nm6-datasheet-en.pdf
ISC007N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 8948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.25 грн
10+146.11 грн
100+101.57 грн
500+77.45 грн
1000+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004
ISC017N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC017N04NM5ATMA1 Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004
ISC017N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 5447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.26 грн
10+86.26 грн
100+58.23 грн
500+43.39 грн
1000+39.77 грн
2000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS1711MC222IE6433XUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1244 INFN-S-A0003553949-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6452.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL7141TRAP1SHTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_6EDL7141_TRAP_1SH-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb017a0ae054e624bd&da=t
EVAL6EDL7141TRAP1SHTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 6EDL7141
Secondary Attributes: SPI Interface(s)
Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Primary Attributes: Motors (BLDC)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 6EDL7141
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver, Gate Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17024.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALIMD700AFOC3SHTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_IMD700A_FOC_3SH-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fdf3691800b9d
EVALIMD700AFOC3SHTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IMD701A
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Primary Attributes: 18V ~ 24V
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 6EDL7141, IMD701A, XMC1404
Type: Power Management
Function: Motor Controller/Driver
Packaging: Bulk
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15463.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH 182M E6327 Product+and+Application+Guide.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01146ec76de80910&fileId=db3a304329a0f6ee0129b13c338f0372
Виробник: Infineon Technologies
Description: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC1796256F150EXBEKDUMA1 INFNS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TC1796256F150EXBEKDUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32-B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACCESSORY26649NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ACCESSORY 26649
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1645KV18-400BZXI download
CY7C1645KV18-400BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II+
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 144Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 36
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CP INFNS17424-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI60R250CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+119.02 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ILD4180 INFNS15343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILD4180
Виробник: Infineon Technologies
Description: SWITCHING REGULATOR
Voltage - Supply (Max): 45V
Voltage - Supply (Min): 4.75V
Dimming: PWM
Supplier Device Package: PG-DSO-8-27
Topology: Step-Down (Buck)
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 1.8A
Applications: Commercial & Industrial Lighting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Type: DC DC Regulator
Frequency: 370kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 0.6V ~ 16V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
416+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 416 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LD403524VBOARDTOBO1 ILD4035.pdf
LD403524VBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BOARD EVAL ILD4035 24V
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: ILD4035
Current - Output / Channel: 350mA
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Features: Dimmable
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1350.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT820N16KOFHPSA1 Infineon-TT820N16KOF-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2e4577001f3
TT820N16KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1050 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 820 A
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 24800A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - All SCRs
Operating Temperature: 135°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+25819.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC277TP-64F200S BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1OCTAT-P
PEB2096HV2.1OCTAT-P
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER OCTAL
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV2.1
PEB2096HV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7729TXUMA1 TLE7729_PB.pdf
TLE7729TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 28TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI Serial
Voltage - Supply: 3.3V, 5V
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
на замовлення 19745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5340XUMA1 TDA5340_Rev_1.2,_June,13,2012.pdf
TDA5340XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 28TSSOP
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: SPI
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Modulation: ASK, FSK, GFSK
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Current - Transmitting: 12mA
Current - Receiving: 12mA
Power - Output: 14dBm
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Type: TxRx Only
Frequency: 300MHz ~ 320MHz, 415MHz ~ 495MHz, 863MHz ~ 960MHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -116dBm
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1302T028X0128ABXUMA1 Infineon-xmc1300_AB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a4bdb073c25c6
XMC1302T028X0128ABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 28TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 14x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28-16
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon-FS50R17KE3_B17-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe5fb4e30
FS50R17KE3B17BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 82A AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 345 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF55016EV1.3-G
Виробник: Infineon Technologies
Description: GEMINAX-D16 PRO E V2.1 16 CHANNE
Packaging: Bulk
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1671.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF23MR12W1M1B11BOMA1 DF23MR12W1M1_B11.pdf
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4VPBOSA1 Infineon-FF900R12IE4VP-DS-v03_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: PP, IHM I, XHP 1,7KV
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+43206.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon-FF900R12ME7W_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d329018166f2f56b3b9f
FF900R12ME7WB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 890 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR3565BMFS08TRP
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DC/DC MULTIPHASE CTLR
Packaging: Bulk
на замовлення 58250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+276.61 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10VXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY7C1049G30-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Access Time: 10 ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.99 грн
19+449.73 грн
38+433.80 грн
57+398.62 грн
114+384.52 грн
266+367.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051
IDDD10G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon-IDDD10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff848ec1051
IDDD10G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 29A PGHDSOP101
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.01 грн
10+187.60 грн
100+145.89 грн
500+113.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1700+206.03 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
IDDD16G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+535.46 грн
10+348.70 грн
100+254.33 грн
500+227.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PTF180101M V1 fundamentals-of-power-semiconductors
PTF180101M V1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS 28V RFP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 16.5dB
Power - Output: 10W
Frequency: 1.99GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PTF210101M V1 PTF210101M.pdf
PTF210101M V1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Current - Test: 180 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-RFP-10
Technology: LDMOS
Gain: 15dB
Power - Output: 10W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14782.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXB4330EV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AOP ATM OAM PROCESSOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TD215N22KOFTIMHPSA1 Infineon-TT215N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe0c84e1c
TD215N22KOFTIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 2.2KV 410A MODULE
Voltage - Off State: 2.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 410 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 215 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 7000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13322.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N22STIMHPSA1 Infineon-DD390N22S-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01639104e0583fd3
DD390N22STIMHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 2200V 390A BGPB50SB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: BG-PB50SB-1
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 390A
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7962.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DLCE3256HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSM200GB120DLC - IGBT
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1550 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA892-02V INFNS15690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BA892-02V
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON RF SWITCHING DIODE
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SC79-2-1
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40S212ARMA1 Infineon-IRL40S212-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fed0ddc3062d
IRL40S212ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 25 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.80 грн
1600+43.41 грн
2400+41.59 грн
4000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 467 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]