Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122999) > Сторінка 467 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 462 463 464 465 466 467 468 469 470 471 472 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TLE5309EVALKITTOBO1 TLE5309EVALKITTOBO1 Infineon Technologies Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4 Description: TLE5309 EVAL KIT
Packaging: Bulk
Sensitivity: 0.1°
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Sensor Type: Magnetic, GMR (Giant Magnetoresistive)
Utilized IC / Part: TLE5309, XMC4700
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 360°
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3861.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.85 грн
10+118.35 грн
100+81.50 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 IPD50N08S413ATMA1 Infineon Technologies PdfFile_624492.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 IPD50N08S413ATMA1 Infineon Technologies PdfFile_624492.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.89 грн
10+73.80 грн
100+49.47 грн
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4-08 IPD50N04S4-08 Infineon Technologies INFNS15018-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1 IPD50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50N12S3L-15-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf088407fe3 Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CP IPA50R399CP Infineon Technologies INFNS15800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.93 грн
50+94.84 грн
100+85.37 грн
500+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926 Description: CONSUMER PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
50+63.10 грн
100+58.38 грн
500+42.90 грн
1000+39.36 грн
2000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD230B1W0201E6327XTSA1 ESD230B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD230-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c031740b5934 Description: TVS DIODE 5.5VWM 14VC WLL-2-1
Power - Peak Pulse: 56W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Voltage - Breakdown (Min): 6.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: WLL-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 7pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
55+5.45 грн
100+4.10 грн
500+3.24 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ae84551c Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9487.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 DF400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ae84551c Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3 IPW90R800C3 Infineon Technologies INFNS14343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3 IPA90R800C3 Infineon Technologies INFNS12359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R800CEAKMA1 IPS60R800CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPS60R800CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537f7a45772590 Description: CONSUMER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
899+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1 Infineon Technologies IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3XKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3 IPI90R800C3 Infineon Technologies IPI90R800C3_Rev1.0_7-30-08.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 758L7 E6327 BGA 758L7 E6327 Infineon Technologies BGA758L7.pdf Description: IC RF AMP WLAN 5GHZ-6GHZ TSLP7-8
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-8
Test Frequency: 5.5GHz
P1dB: -3.5dBm
Noise Figure: 13dB
Current - Supply: 7mA
Gain: 12.5dB
Voltage - Supply: 4V
RF Type: WLAN
Frequency: 5GHz ~ 6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 758L7 E6327 BGA 758L7 E6327 Infineon Technologies BGA758L7.pdf Description: IC RF AMP WLAN 5GHZ-6GHZ TSLP7-8
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-8
Test Frequency: 5.5GHz
P1dB: -3.5dBm
Noise Figure: 13dB
Current - Supply: 7mA
Gain: 12.5dB
Voltage - Supply: 4V
RF Type: WLAN
Frequency: 5GHz ~ 6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+52.38 грн
25+49.13 грн
100+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8444SLXUMA1 TLE8444SLXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE8444SL-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060afb566617a Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-7
Motor Type - Stepper: Bipolar, Unipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 22967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.20 грн
10+156.26 грн
25+143.24 грн
100+121.07 грн
250+114.68 грн
500+110.84 грн
1000+105.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1030N24TXPSA1 Infineon Technologies D1030N.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2026 T-S V1.1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE PDSO-20
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-DSO-20-5
Current - Supply: 700µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: ISDN
Function: High Voltage Power Controller
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBF IRF6614TRPBF Infineon Technologies IRSDS10487-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF776H6327 BF776H6327 Infineon Technologies INFNS14629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1757+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC03D60C8X1SA2 Infineon Technologies Infineon-SIDC03D60C8_L4014M-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8c163a6d01a9 Description: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X97813760 X97813760 Infineon Technologies INFNS13386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12N2T7PBPSA1 FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP50R12N2T7P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a42f052e20 Description: 1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 4 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9551.51 грн
10+8514.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38516.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS450R12OE4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584efa37760727 Description: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2851N42TOHXPSA1 Infineon Technologies T2851N.pdf Description: SCR MODULE 5200V 4860A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MA11034081NDSA1 Infineon Technologies Description: A-PCB MA110 34081
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1MN9E6329XTSA1 BGA9H1MN9E6329XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9H1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179f5d464fd1889 Description: IC AMP 4G/5G 1.4-2.7GHZ TSNP9-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz ~ 2.7GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: 5dBm
Test Frequency: 2.6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1MN9E6329XTSA1 BGA9H1MN9E6329XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA9H1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179f5d464fd1889 Description: IC AMP 4G/5G 1.4-2.7GHZ TSNP9-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz ~ 2.7GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: 5dBm
Test Frequency: 2.6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-2
на замовлення 14955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+41.71 грн
25+39.28 грн
100+33.78 грн
250+31.92 грн
500+30.59 грн
1000+28.87 грн
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T2251N70TOHXPSA1 T2251N70TOHXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T2251N-DS-v06_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fb26d4cfb Description: SCR MODULE 8000V 3550A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T201N70TOHXPSA1 T201N70TOHXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T201N-DS-v07_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4304bc65006 Description: SCR MODULE 7KV 385A TO-200AB
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 340 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: TO-200AB
Packaging: Tray
Voltage - Off State: 7 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 385 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1081N70TOHXPSA1 T1081N70TOHXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1081N-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43054725012 Description: SCR MODULE 7000V 2040A DO200AE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T1901N70TS07XPSA1 Infineon Technologies T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf Description: SCR MODULE T15035K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKX164CM8F40F SAKX164CM8F40F Infineon Technologies INFNS10522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT FLASH MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 47
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 14x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 6K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC878M-16FFI5VAC SAF-XC878M-16FFI5VAC Infineon Technologies INFNS15609-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: XC800 I-FAMILY MICROCONTROLLER ,
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: 1Y8x10b SAR
Core Processor: XC800
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 3.25K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1 IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R014M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783973231b5 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1951.99 грн
30+1215.57 грн
120+1083.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1 IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.19 грн
30+935.62 грн
120+816.22 грн
510+745.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783c06631ca Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+936.86 грн
30+546.20 грн
120+468.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TC-96F300S BC SAK-TC297TC-96F300S BC Infineon Technologies Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TP-96F300S BB SAK-TC297TP-96F300S BB Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297T-96F300S BB SAK-TC297T-96F300S BB Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
DigiKey Programmable: Not Verified
Peripherals: DMA, WDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297T-96F300N BC SAK-TC297T-96F300N BC Infineon Technologies Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 728K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TC-96F300S BB SAK-TC297TC-96F300S BB Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TP-96F300N BC SAK-TC297TP-96F300N BC Infineon Technologies Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 728K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP96F300SBBKXUMA1 TC297TP96F300SBBKXUMA1 Infineon Technologies Orderable_Part_Number_OPN_Translation_Table_Web.pdf Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC377TP96F300SAALXUMA1 TC377TP96F300SAALXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AURIX_TC37x_Addendum-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730574c782647e Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
RAM Size: 1.1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1574.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP01N120H2XKSA1036 IGP01N120H2XKSA1036 Infineon Technologies INFNS16255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGP01N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD500S33HE3BPSA1 DD500S33HE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DD500S33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30433784a0400137990501fd2796 Description: DIODE MODULE GP 3300V AGIHVB1303
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 500 A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74521.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S402 CY8C4025LQI-S402 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
Number of I/O: 27
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.63 грн
10+114.32 грн
25+104.44 грн
100+87.79 грн
490+80.07 грн
980+77.64 грн
1470+75.17 грн
2940+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S403 CY8C4025AZI-S403 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.45 грн
10+127.30 грн
25+116.35 грн
100+97.90 грн
250+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012DQUDTRBMS2TOBO1 TLE9012DQUDTRBMS2TOBO1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-Infineon-TLE9012DQU_TLE9015DQU-UM-v01_00-EN-UserManual-v01_00-EN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f31a598850348&da=t Description: EVAL BOARD FOR TLE9012DQU
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: TLE9012DQU
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: 4.75V ~ 60V Supply
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16853.47 грн
10+16192.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T600N95TOFXPSA1 Infineon Technologies T600N.pdf Description: SCR MODULE 9.5KV 930A TO-200AC
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AC
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 12800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 830 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 930 A
Voltage - Off State: 9.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5309EVALKITTOBO1 Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4
TLE5309EVALKITTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE5309 EVAL KIT
Packaging: Bulk
Sensitivity: 0.1°
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Sensor Type: Magnetic, GMR (Giant Magnetoresistive)
Utilized IC / Part: TLE5309, XMC4700
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Sensing Range: 360°
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3861.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.85 грн
10+118.35 грн
100+81.50 грн
500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 PdfFile_624492.pdf
IPD50N08S413ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N08S413ATMA1 PdfFile_624492.pdf
IPD50N08S413ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1711 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.89 грн
10+73.80 грн
100+49.47 грн
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N04S4-08 INFNS15018-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N04S4-08
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N12S3L15ATMA1 Infineon-IPD50N12S3L-15-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf088407fe3
IPD50N12S3L15ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CP INFNS15800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA50R399CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
388+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.93 грн
50+94.84 грн
100+85.37 грн
500+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
50+63.10 грн
100+58.38 грн
500+42.90 грн
1000+39.36 грн
2000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD230B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD230-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155c031740b5934
ESD230B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.5VWM 14VC WLL-2-1
Power - Peak Pulse: 56W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Voltage - Breakdown (Min): 6.05V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: WLL-2-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 7pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
55+5.45 грн
100+4.10 грн
500+3.24 грн
1000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 Infineon-DF400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ae84551c
DF400R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+9487.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF400R12KE3HOSA1 Infineon-DF400R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431ae84551c
DF400R12KE3HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 580A 2000W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 580 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3 INFNS14343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW90R800C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3 INFNS12359-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA90R800C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS60R800CEAKMA1 Infineon-IPS60R800CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537f7a45772590
IPS60R800CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
899+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 899 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
IPW90R800C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPA90R800C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3 IPI90R800C3_Rev1.0_7-30-08.pdf
IPI90R800C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 758L7 E6327 BGA758L7.pdf
BGA 758L7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP WLAN 5GHZ-6GHZ TSLP7-8
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-8
Test Frequency: 5.5GHz
P1dB: -3.5dBm
Noise Figure: 13dB
Current - Supply: 7mA
Gain: 12.5dB
Voltage - Supply: 4V
RF Type: WLAN
Frequency: 5GHz ~ 6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA 758L7 E6327 BGA758L7.pdf
BGA 758L7 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP WLAN 5GHZ-6GHZ TSLP7-8
Supplier Device Package: PG-TSLP-7-8
Test Frequency: 5.5GHz
P1dB: -3.5dBm
Noise Figure: 13dB
Current - Supply: 7mA
Gain: 12.5dB
Voltage - Supply: 4V
RF Type: WLAN
Frequency: 5GHz ~ 6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+52.38 грн
25+49.13 грн
100+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8444SLXUMA1 Infineon-TLE8444SL-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060afb566617a
TLE8444SLXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 8V ~ 18V
Technology: BiCDMOS
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-SSOP-24-7
Motor Type - Stepper: Bipolar, Unipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
Grade: Automotive
на замовлення 22967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.20 грн
10+156.26 грн
25+143.24 грн
100+121.07 грн
250+114.68 грн
500+110.84 грн
1000+105.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1030N24TXPSA1 D1030N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF 2026 T-S V1.1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE PDSO-20
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: P-DSO-20-5
Current - Supply: 700µA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: ISDN
Function: High Voltage Power Controller
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBF IRSDS10487-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6614TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BF776H6327 INFNS14629-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BF776H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 24dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1757+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 1757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC03D60C8X1SA2 Infineon-SIDC03D60C8_L4014M-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8c163a6d01a9
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X97813760 INFNS13386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
X97813760
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12N2T7PBPSA1 Infineon-FP50R12N2T7P-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018083a42f052e20
FP50R12N2T7PBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 4 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9551.51 грн
10+8514.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8
DF1000R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+38516.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4BOSA1 Infineon-DF1000R17IE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f22cae54be8
DF1000R17IE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1
FD1000R17IE4BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS450R12OE4PBOSA1 Infineon-FS450R12OE4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584efa37760727
FS450R12OE4PBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.55 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2851N42TOHXPSA1 T2851N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 5200V 4860A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MA11034081NDSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: A-PCB MA110 34081
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1MN9E6329XTSA1 Infineon-BGA9H1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179f5d464fd1889
BGA9H1MN9E6329XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP 4G/5G 1.4-2.7GHZ TSNP9-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz ~ 2.7GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: 5dBm
Test Frequency: 2.6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA9H1MN9E6329XTSA1 Infineon-BGA9H1MN9-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179f5d464fd1889
BGA9H1MN9E6329XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP 4G/5G 1.4-2.7GHZ TSNP9-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz ~ 2.7GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 1.1V ~ 2V
Gain: 20.5dB
Current - Supply: 5.8mA
Noise Figure: 1.2dB
P1dB: 5dBm
Test Frequency: 2.6GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-9-2
на замовлення 14955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.37 грн
10+41.71 грн
25+39.28 грн
100+33.78 грн
250+31.92 грн
500+30.59 грн
1000+28.87 грн
5000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T2251N70TOHXPSA1 Infineon-T2251N-DS-v06_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fb26d4cfb
T2251N70TOHXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 8000V 3550A DO200AE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T201N70TOHXPSA1 Infineon-T201N-DS-v07_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4304bc65006
T201N70TOHXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 7KV 385A TO-200AB
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 340 A
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4700A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Structure: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Clamp On
Package / Case: TO-200AB
Packaging: Tray
Voltage - Off State: 7 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 385 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1081N70TOHXPSA1 Infineon-T1081N-DS-v08_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43054725012
T1081N70TOHXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 7000V 2040A DO200AE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T1901N70TS07XPSA1 T1901N_Rev9.0_05-02-11.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE T15035K-1-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKX164CM8F40F INFNS10522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAKX164CM8F40F
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT FLASH MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 47
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 14x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 6K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC878M-16FFI5VAC INFNS15609-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-XC878M-16FFI5VAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: XC800 I-FAMILY MICROCONTROLLER ,
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: 1Y8x10b SAR
Core Processor: XC800
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 3.25K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R014M1HXKSA1 Infineon-IMW120R014M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783973231b5
IMW120R014M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1951.99 грн
30+1215.57 грн
120+1083.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R020M1HXKSA1 Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f
IMW120R020M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1538.19 грн
30+935.62 грн
120+816.22 грн
510+745.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW120R040M1HXKSA1 Infineon-IMW120R040M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8783c06631ca
IMW120R040M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+936.86 грн
30+546.20 грн
120+468.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TC-96F300S BC Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
SAK-TC297TC-96F300S BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TP-96F300S BB
SAK-TC297TP-96F300S BB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297T-96F300S BB
SAK-TC297T-96F300S BB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
DigiKey Programmable: Not Verified
Peripherals: DMA, WDT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297T-96F300N BC Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
SAK-TC297T-96F300N BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 728K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TC-96F300S BB
SAK-TC297TC-96F300S BB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Obsolete
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I²C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC297TP-96F300N BC Infineon-TC29xBC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
SAK-TC297TP-96F300N BC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 728K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TP96F300SBBKXUMA1 Orderable_Part_Number_OPN_Translation_Table_Web.pdf
TC297TP96F300SBBKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Data Converters: A/D 94x12b SAR, Sigma-Delta
Core Processor: TriCore™
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 456K x 8
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
Speed: 300MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 292-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 169
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Peripherals: DMA, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC377TP96F300SAALXUMA1 Infineon-AURIX_TC37x_Addendum-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730574c782647e
TC377TP96F300SAALXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
RAM Size: 1.1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+1574.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP01N120H2XKSA1036 INFNS16255-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGP01N120H2XKSA1036
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGP01N120 - DISCRETE IGBT WITHOU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD500S33HE3BPSA1 Infineon-DD500S33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30433784a0400137990501fd2796
DD500S33HE3BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GP 3300V AGIHVB1303
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 500 A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+74521.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S402 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C4025LQI-S402
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 32QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 32-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Part Status: Active
Number of I/O: 27
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.63 грн
10+114.32 грн
25+104.44 грн
100+87.79 грн
490+80.07 грн
980+77.64 грн
1470+75.17 грн
2940+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S403 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C4025AZI-S403
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.45 грн
10+127.30 грн
25+116.35 грн
100+97.90 грн
250+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9012DQUDTRBMS2TOBO1 Infineon-Infineon-Infineon-TLE9012DQU_TLE9015DQU-UM-v01_00-EN-UserManual-v01_00-EN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f31a598850348&da=t
TLE9012DQUDTRBMS2TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR TLE9012DQU
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor
Type: Power Management
Contents: Board(s), Cable(s)
Utilized IC / Part: TLE9012DQU
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Primary Attributes: 4.75V ~ 60V Supply
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16853.47 грн
10+16192.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T600N95TOFXPSA1 T600N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 9.5KV 930A TO-200AC
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AC
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 350 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 350 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 12800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 830 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 930 A
Voltage - Off State: 9.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 462 463 464 465 466 467 468 469 470 471 472 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050  [ Наступна Сторінка >> ]