Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126741) > Сторінка 468 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 463 464 465 466 467 468 469 470 471 472 473 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.25 грн
10+376.05 грн
50+299.19 грн
100+257.56 грн
500+234.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2 Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.32 грн
10+280.76 грн
50+221.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.46 грн
10+254.19 грн
50+199.47 грн
100+170.67 грн
500+153.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFD IPI65R110CFD Infineon Technologies INFNS16577-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263 Description: IGBT MODULE 1200V 50A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+3209.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.20 грн
10+366.36 грн
25+339.11 грн
100+290.18 грн
250+281.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.27 грн
10+240.37 грн
25+221.49 грн
100+188.39 грн
250+179.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 45A 230W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GM TLE4263GM Infineon Technologies Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4263
PSRR: 54dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Delay, Inhibit, Reset, Watchdog
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Current - Supply (Max): 23 mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04 IPB100P03P3L-04 Infineon Technologies INFNS11433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3 Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 50950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH100G3016A1 Infineon Technologies Description: SH100G3 - GATE ARRAY
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+8789.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22822FV1.2 Infineon Technologies Description: IC DIGITAL CHIP 10 BASES
Packaging: Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1013.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 IPP80R900P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS3L40R07W2H5F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c850552697db5 Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY2B-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4761.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Demoboard_Description_BTS3XXXTF-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf40e2420320 Description: BTS3125TF DEMOBOARD
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2957.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Description: OPTIMOS POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6281G TLE6281G Infineon Technologies tle6281g_ds_rev2.3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Load: 10V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 7.5V ~ 60V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM, Step/Direction
Current - Output: 850mA
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXM1310CDMG023XTMA1 PXM1310CDMG023XTMA1 Infineon Technologies Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a Description: PXM1310CDM - DIGITAL DUAL OUTPUT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
Applications: Controller, Intel VR12.5
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Number of Outputs: 6
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: Programmable
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 27935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+329.43 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W3T7B11BPSA1 FS100R12W3T7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b19326390c Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-711
Packaging: Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7850.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Package / Case: 9-UFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
IIP3: 65dBm
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
Isolation: 25dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.15dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SP4T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
10+32.83 грн
25+30.97 грн
100+26.60 грн
250+25.12 грн
500+24.07 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.51 грн
10+117.66 грн
100+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N16KOFHPSA2 TT162N16KOFHPSA2 Infineon Technologies Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5 Description: SCR MODULE 1.6KV 260A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10944.00 грн
16+8952.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFHPSA1 TT162N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFKHPSA1 TT162N08KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFHPSA1 TT162N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFKHPSA1 TT162N12KOFKHPSA1 Infineon Technologies TT162N.pdf Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N14KOFHPSA1 TT250N14KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT250N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afa3b233fcd Description: SCR MODULE 1.4KV MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC69SN60C3X2SA1 Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B102NS-BA45XCT CY14B102NS-BA45XCT Infineon Technologies 5047 Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.57 грн
10+365.59 грн
25+354.63 грн
50+324.99 грн
100+317.22 грн
250+307.01 грн
500+294.47 грн
1000+287.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 IDL08G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.34 грн
10+297.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 TLE75602ESDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 TLE75602ESDXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+114.69 грн
25+104.58 грн
100+87.72 грн
250+82.74 грн
500+80.08 грн
1000+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP21N03L G IPP21N03L G Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH TO-220
Supplier Device Package: PG-TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R17N3P4B58BPSA1 F4150R17N3P4B58BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-150R17N3P4_B58-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e8ba3ca7d76e6 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10061.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120ADJBOARDLTOBO1 TLS4120ADJBOARDLTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD TLS4120 ADJ LO FREQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS41255VBOARDHTOBO1 TLS41255VBOARDHTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD TLS4125 5V HI FREQ
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.7V ~ 35V
Current - Output: 2.5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS4120
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS41255VBOARDLTOBO1 TLS41255VBOARDLTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD TLS4125 5V LO FREQ
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.7V ~ 35V
Current - Output: 2.5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS4120
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120ADJBOARDHTOBO1 TLS4120ADJBOARDHTOBO1 Infineon Technologies Description: EVAL BOARD TLS4120 ADJ HI FREQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 2EDB8259YXUMA1 Infineon Technologies infineon-2edb7259y-datasheet-en.pdf Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 5A, 9A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 2EDB8259YXUMA1 Infineon Technologies infineon-2edb7259y-datasheet-en.pdf Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 5A, 9A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.72 грн
10+117.97 грн
25+107.66 грн
100+90.44 грн
250+85.37 грн
500+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 TLE49662GHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28 Description: MAG SWITCH SPEC PURP TSOP6-6-9
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Digital
Polarization: Either
Mounting Type: Surface Mount
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-9
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
8+42.45 грн
10+40.24 грн
25+35.26 грн
50+33.56 грн
100+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184XAMA1 TLE4955CE41184XAMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4955C+E41184-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619 Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Current - Supply (Max): 16mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.83 грн
5+131.49 грн
10+125.45 грн
25+110.84 грн
50+106.18 грн
100+101.88 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184XAMA1 TLE4955CE41184XAMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4955C+E41184-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619 Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Current - Supply (Max): 16mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW12S65C5XKSA1 AIDW12S65C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+180.98 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS660R08A6P2FLBBPSA1 FS660R08A6P2FLBBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS660R08A6P2FLB-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a793d42f35736 Description: IGBT MOD 750V 450A AG-HYBRIDD-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1053 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1 IPZ40N04S53R9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5-3R9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce6ac0cbe5f1c Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ40N04S5L-3R6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce6ac19815f1f Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N16KKHPSA1 DD260N16KKHPSA1 Infineon Technologies DD260N.pdf Description: DIODE ARRAY MOD 1700V 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMOTIONLINK IMOTIONLINK Infineon Technologies Infineon-iMOTION_Link-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b09df565b Description: IMOTION-LINK DEBUG PROBE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: IMC100, IMD110, IMM100
Type: Debugger, Programmer (In-Circuit/In-System)
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Utilized IC / Part: IMC100, IMD110, IMM100
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R17KE3BOSA1 FS225R17KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS225R17KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fead94e4c Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39430.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R17ME3BOSA1 FF225R17ME3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R17ME3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502f2f3203a2 Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1400 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14541.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon-IPT010N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462766cbe860176761d659d581e
IPT010N08NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.25 грн
10+376.05 грн
50+299.19 грн
100+257.56 грн
500+234.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1 Infineon-IPT063N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb2293bc6ca2
IPT063N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+435.32 грн
10+280.76 грн
50+221.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+138.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.46 грн
10+254.19 грн
50+199.47 грн
100+170.67 грн
500+153.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFD INFNS16577-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPI65R110CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon-FP25R12W2T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc4875967263
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 50A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+3209.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c
IPDQ60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R040S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06c46227157c
IPDQ60R040S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 300 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.20 грн
10+366.36 грн
25+339.11 грн
100+290.18 грн
250+281.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6
IPDQ60R065S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6
IPDQ60R065S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.27 грн
10+240.37 грн
25+221.49 грн
100+188.39 грн
250+179.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 45A 230W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GM Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf
TLE4263GM
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR VOLT TLE4263
PSRR: 54dB (100Hz)
Part Status: Active
Control Features: Delay, Inhibit, Reset, Watchdog
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Supplier Device Package: PG-DSO-14-30
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 45V
Current - Quiescent (Iq): 1.3 mA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Current - Supply (Max): 23 mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04 INFNS11433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB100P03P3L-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R120C7ATMA1 Infineon-IPB60R120C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015917ac3d3b5ea3
IPB60R120C7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 50950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH100G3016A1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SH100G3 - GATE ARRAY
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+8789.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22822FV1.2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DIGITAL CHIP 10 BASES
Packaging: Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1013.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R900P7XKSA1 infineon-ipp80r900p7-ds-en.pdf
IPP80R900P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 10297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
345+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon-FS3L40R07W2H5F_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c850552697db5
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A AG-EASY2B-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 18 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4761.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_Description_BTS3XXXTF-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf40e2420320
BTS3125TFDEMOBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS3125TF DEMOBOARD
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2957.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
IAUA250N04S6N008AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
IAUA250N04S6N008AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS POWER MOSFET
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7088 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6281G tle6281g_ds_rev2.3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TLE6281G
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALF-BRIDGE PERIPHERAL DRIVER
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Multiphase
Supplier Device Package: PG-DSO-20
Voltage - Load: 10V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 7.5V ~ 60V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM, Step/Direction
Current - Output: 850mA
Function: Controller - Commutation, Direction Management
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXM1310CDMG023XTMA1 Infineon-Multiphase_digital_controllers_PXE1_PXM1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01736b7cd95b3c4a
PXM1310CDMG023XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PXM1310CDM - DIGITAL DUAL OUTPUT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
Applications: Controller, Intel VR12.5
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Input: 3V ~ 3.6V
Number of Outputs: 6
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: Programmable
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 27935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+329.43 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W3T7B11BPSA1 Infineon-FS100R12W3T7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18b19326390c
FS100R12W3T7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY3B-711
Packaging: Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7850.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a
BGS14WMA9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Package / Case: 9-UFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
IIP3: 65dBm
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
Isolation: 25dB
Test Frequency: 5.925GHz
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Insertion Loss: 1.15dB
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Circuit: SP4T
Mounting Type: Surface Mount
Impedance: 50Ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14WMA9E6327XTSA1 Infineon-BGS14WMA9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b89d2bb34472a
BGS14WMA9E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ ATSLP9-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-UFLGA
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP4T
RF Type: Bluetooth, LTE, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Insertion Loss: 1.15dB
Frequency Range: 50MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.925GHz
Isolation: 25dB
Supplier Device Package: PG-ATSLP-9-50
IIP3: 65dBm
Part Status: Active
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
10+32.83 грн
25+30.97 грн
100+26.60 грн
250+25.12 грн
500+24.07 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3f7c229cf
IRFS7540TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.51 грн
10+117.66 грн
100+80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N16KOFHPSA2 Infineon-TT162N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f789a4bb5
TT162N16KOFHPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 260A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 260 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10944.00 грн
16+8952.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFHPSA1 TT162N.pdf
TT162N12KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFKHPSA1 TT162N.pdf
TT162N08KOFKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N08KOFHPSA1 TT162N.pdf
TT162N08KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE VDRM 800V 260A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 162 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT162N12KOFKHPSA1 TT162N.pdf
TT162N12KOFKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.2KV 260A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT250N14KOFHPSA1 Infineon-TT250N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712afa3b233fcd
TT250N14KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.4KV MODULE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIPC69SN60C3X2SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B102NS-BA45XCT 5047
CY14B102NS-BA45XCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+407.57 грн
10+365.59 грн
25+354.63 грн
50+324.99 грн
100+317.22 грн
250+307.01 грн
500+294.47 грн
1000+287.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDL08G65C5XUMA2 Infineon-IDL08G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014304f77a235be9
IDL08G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.34 грн
10+297.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
TLE75602ESDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
TLE75602ESDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRVR N-CHAN 1:8 TSDSO-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Interface: SPI
Switch Type: Relay, Solenoid Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 1Ohm
Voltage - Load: 3V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 330mA
Ratio - Input:Output: 1:8
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24-21
Fault Protection: Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+114.69 грн
25+104.58 грн
100+87.72 грн
250+82.74 грн
500+80.08 грн
1000+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP21N03L G fundamentals-of-power-semiconductors
IPP21N03L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH TO-220
Supplier Device Package: PG-TO220-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R17N3P4B58BPSA1 Infineon-F4-150R17N3P4_B58-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017e8ba3ca7d76e6
F4150R17N3P4B58BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10061.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120ADJBOARDLTOBO1
TLS4120ADJBOARDLTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD TLS4120 ADJ LO FREQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS41255VBOARDHTOBO1
TLS41255VBOARDHTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD TLS4125 5V HI FREQ
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.7V ~ 35V
Current - Output: 2.5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS4120
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS41255VBOARDLTOBO1
TLS41255VBOARDLTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD TLS4125 5V LO FREQ
Packaging: Box
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.7V ~ 35V
Current - Output: 2.5A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TLS4120
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS4120ADJBOARDHTOBO1
TLS4120ADJBOARDHTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD TLS4120 ADJ HI FREQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 infineon-2edb7259y-datasheet-en.pdf
2EDB8259YXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 5A, 9A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259YXUMA1 infineon-2edb7259y-datasheet-en.pdf
2EDB8259YXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Number of Channels: 2
Part Status: Active
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Approval Agency: UL
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Peak Output: 5A, 9A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.72 грн
10+117.97 грн
25+107.66 грн
100+90.44 грн
250+85.37 грн
500+82.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49662GHTSA1 Infineon-TLE4966-2G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b511123480c28
TLE49662GHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP TSOP6-6-9
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Digital
Polarization: Either
Mounting Type: Surface Mount
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6-9
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.95 грн
8+42.45 грн
10+40.24 грн
25+35.26 грн
50+33.56 грн
100+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184XAMA1 Infineon-TLE4955C+E41184-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619
TLE4955CE41184XAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Current - Supply (Max): 16mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.83 грн
5+131.49 грн
10+125.45 грн
25+110.84 грн
50+106.18 грн
100+101.88 грн
500+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184XAMA1 Infineon-TLE4955C+E41184-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619
TLE4955CE41184XAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Current - Supply (Max): 16mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW12S65C5XKSA1 Infineon-AIDW12S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2fc4c568f
AIDW12S65C5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+180.98 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS660R08A6P2FLBBPSA1 Infineon-FS660R08A6P2FLB-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a793d42f35736
FS660R08A6P2FLBBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 750V 450A AG-HYBRIDD-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1053 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R9ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5-3R9-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce6ac0cbe5f1c
IPZ40N04S53R9ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1737 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L3R6ATMA1 Infineon-IPZ40N04S5L-3R6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7cdc391c017ce6ac19815f1f
IPZ40N04S5L3R6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 21µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1966 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N16KKHPSA1 DD260N.pdf
DD260N16KKHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY MOD 1700V 410A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMOTIONLINK Infineon-iMOTION_Link-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b09df565b
IMOTIONLINK
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMOTION-LINK DEBUG PROBE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: IMC100, IMD110, IMM100
Type: Debugger, Programmer (In-Circuit/In-System)
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Utilized IC / Part: IMC100, IMD110, IMM100
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R17KE3BOSA1 Infineon-FS225R17KE3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fead94e4c
FS225R17KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1400 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+39430.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R17ME3BOSA1 Infineon-FF225R17ME3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431441fb5d0114502f2f3203a2
FF225R17ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 340A 1400W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 1400 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14541.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 463 464 465 466 467 468 469 470 471 472 473 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]