Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123001) > Сторінка 461 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 456 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MB95F318E-CHIP32 Infineon Technologies MB95310L_370L_RevA_4-6-16.pdf Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 71
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 4x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1.98K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-12ZXC CY7C109B-12ZXC Infineon Technologies CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
REFSHA35WRC2SYSTOBO1 REFSHA35WRC2SYSTOBO1 Infineon Technologies Infineon-UG_REF-SHA35WRC2SYS-UserManual-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efc91bc2a06f0 Description: REFERENCE DESIGN BOARD
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6962.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTMA1 BSS139IXTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R12N3T7BPSA1 FP150R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP150R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ae316147137 Description: IGBT MOD 1200V 150A AG-ECONO3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.1 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11181.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-IFF450B12ME4P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab243df000f Description: IGBT MOD 1200V 450A 40W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HE4B9HDSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ2400R12HE4_B9-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e46d8f64f417d Description: IGBT MOD 1200V 3560A 13500W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64971.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA884LTI-13T CY8CTMA884LTI-13T Infineon Technologies Marking_Format_RevJB_Jul2017.pdf Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 88-QFN (10x10)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+140.96 грн
4000+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA884AA-23 CY8CTMA884AA-23 Infineon Technologies Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE 100TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+998.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6 Infineon Technologies INFNS28174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 IPT019N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4 Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.06 грн
10+199.39 грн
100+141.67 грн
500+124.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 6ED2230S12TXUMA1 Infineon Technologies Infineon-6ED2230S12T-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d053ae13a11ad Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-24
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 6ED2230S12TXUMA1 Infineon Technologies Infineon-6ED2230S12T-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d053ae13a11ad Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-24
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.42 грн
10+202.07 грн
25+185.81 грн
100+157.60 грн
250+149.60 грн
500+149.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM323L6G2XKMA1 IM323L6G2XKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM323-L6G_IM323-L6G2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f548423c34ff2 Description: CIPOS TINY 600V 15A THREE-PHASE
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.043", 26.50mm)
Packaging: Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.54 грн
15+482.75 грн
30+462.70 грн
105+413.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1 IPD220N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD220N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e266fb35e471a Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+60.74 грн
100+39.98 грн
500+29.15 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBC410700BPSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C164C18EMCBKXQMA1 C164C18EMCBKXQMA1 Infineon Technologies INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAAFXUMA1 C161SL25MAAFXUMA1 Infineon Technologies c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAAFXUMA1 C161SL25MAAFXUMA1 Infineon Technologies c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8EMDBFXUMA1 C164CI8EMDBFXUMA1 Infineon Technologies Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+4055.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAABXUMA1 C161SL25MAABXUMA1 Infineon Technologies c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1526.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8E25MDBFXQMA1 C164CI8E25MDBFXQMA1 Infineon Technologies Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C164CI-LM CA+ SAB-C164CI-LM CA+ Infineon Technologies C164CI%28SI%2CCL%2CSL%29.pdf Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C164CILMCAKNUMA2 Infineon Technologies Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8E25MDBKXUMA1 C164CI8E25MDBKXUMA1 Infineon Technologies C164CI(SI,CL,SL).pdf Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7B11BPSA1 FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF900R17ME7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f54faf7fd5e9e Description: MEDIUM POWER ECONO
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19844.61 грн
10+18726.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R17ME7B11BPSA1 FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF225R17ME7_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018018974af4542e Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10346.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KE3GBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43119f05374 Description: IGBT MODULE 1200V 40A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4717.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD900R12IP4DVBOSA1 FD900R12IP4DVBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD900R12IP4DV-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f51636a102b7 Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38529.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1 IMD700AQ064X128AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMD70xA-DS-v01_00-EN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018023cbef1f4a9a Description: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1 IMD700AQ064X128AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMD70xA-DS-v01_00-EN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018023cbef1f4a9a Description: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.66 грн
10+220.21 грн
25+202.82 грн
100+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6 IPA65R280C6 Infineon Technologies Infineon-IPA65R280C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012a8a787d45589a Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 Infineon Technologies INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12N2T7BPSA2 FP50R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies Infineon-FP50R12N2T7-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0b105656718c Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5691.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 BYM300B170DN2HOSA1 Infineon Technologies Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84 Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11750.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 54-02V E6327 BAT 54-02V E6327 Infineon Technologies BAT54_Series.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA PGSC792
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1 IGLD60R190D1SAUMA1 Infineon Technologies Description: GAN HV PG-LSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4B11BPSA1 F475R12KS4B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4_75R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa99f261370 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONO2C
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6368.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4BPSA1 F475R12KS4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432 Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7119.85 грн
15+5168.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM10565DTOBO2 EVALM10565DTOBO2 Infineon Technologies Infineon-AN2016-24_EVAL-M1-05-65D_User_Manual-UM-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156da2dccd96f4a Description: EVAL BOARD FOR IRMCK099
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IRMCK099
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCE3256HOSA1 Infineon Technologies BSM300GB120DLCS5HOSA1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15517.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10L G SPB80N10L G Infineon Technologies SP(I,B,P)80N10L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB 804 SF3 E6327 BB 804 SF3 E6327 Infineon Technologies BB804.pdf Description: DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
Capacitance Ratio: 1.71
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Capacitance @ Vr, F: 47.5pF @ 2V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA143ML10E6327XTSA1 BGSA143ML10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSA143ML10-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671d77255a0659 Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ TSLP10-2
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-10-2
Topology: Reflective
Frequency Range: 6GHz
Voltage - Supply: 42V
Circuit: SP4T
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFLGA
Features: DC Blocked
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.04 грн
10+31.86 грн
25+28.18 грн
100+22.64 грн
250+20.83 грн
500+19.73 грн
1000+18.52 грн
2500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+137.91 грн
2000+124.64 грн
3000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1 IAUS300N04S4N007ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N04S4N007-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462675a697201677379a4d1545c Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICBFL02G ICBFL02G Infineon Technologies INFNS14321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FLUORESCENT BALLAST IC
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2edl05x06xx-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 Infineon Technologies infineon-2edl05x06xx-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.66 грн
10+63.28 грн
25+57.31 грн
100+47.61 грн
250+44.67 грн
500+42.90 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1 IPP60R600E6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2 Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTB6C135N16LOF Infineon Technologies EUPCS02701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TTB6C135 - BRIDGE RECTIFIER & AC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15259.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AGXUMA1 ICE5QR0680AGXUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC CTLR QUASI-RES 12SOIC
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 800V
Internal Switch(s): Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Packaging: Bulk
Power (Watts): 77 W
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3G Infineon Technologies INFNS17233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+135.64 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99 BAL99 Infineon Technologies INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8959+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6433HTMA1 BAL99E6433HTMA1 Infineon Technologies bal99series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b842ae203f6 Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 36786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6772+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 6772 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F318E-CHIP32 MB95310L_370L_RevA_4-6-16.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 71
Peripherals: LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 3.6V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 4x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1.98K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C109B-12ZXC CY7C109B%2C%20CY7C1009B.pdf
CY7C109B-12ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tube
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
REFSHA35WRC2SYSTOBO1 Infineon-UG_REF-SHA35WRC2SYS-UserManual-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efc91bc2a06f0
REFSHA35WRC2SYSTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: REFERENCE DESIGN BOARD
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6962.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTMA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R12N3T7BPSA1 Infineon-FP150R12N3T7-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0ae316147137
FP150R12N3T7BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A AG-ECONO3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 12 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.1 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11181.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon-IFF450B12ME4P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab243df000f
IFF450B12ME4PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 40W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HE4B9HDSA2 Infineon-FZ2400R12HE4_B9-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30433e4143bd013e46d8f64f417d
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 3560A 13500W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+64971.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA884LTI-13T Marking_Format_RevJB_Jul2017.pdf
CY8CTMA884LTI-13T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 88-QFN (10x10)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+140.96 грн
4000+132.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CTMA884AA-23
CY8CTMA884AA-23
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRUETOUCH CAPSENSE 100TQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+998.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6 INFNS28174-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32
IAUA170N10S5N031AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT019N08N5ATMA1 Infineon-IPT019N08N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac0292ba732e4
IPT019N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.06 грн
10+199.39 грн
100+141.67 грн
500+124.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 Infineon-6ED2230S12T-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d053ae13a11ad
6ED2230S12TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-24
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+155.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6ED2230S12TXUMA1 Infineon-6ED2230S12T-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d053ae13a11ad
6ED2230S12TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-24
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 350mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.42 грн
10+202.07 грн
25+185.81 грн
100+157.60 грн
250+149.60 грн
500+149.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM323L6G2XKMA1 Infineon-IM323-L6G_IM323-L6G2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f548423c34ff2
IM323L6G2XKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS TINY 600V 15A THREE-PHASE
Voltage: 600 V
Current: 15 A
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase Inverter
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.043", 26.50mm)
Packaging: Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+545.54 грн
15+482.75 грн
30+462.70 грн
105+413.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1 Infineon-IPD220N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e266fb35e471a
IPD220N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.96 грн
10+60.74 грн
100+39.98 грн
500+29.15 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBC410700BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C164C18EMCBKXQMA1 INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
C164C18EMCBKXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAAFXUMA1 c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b
C161SL25MAAFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAAFXUMA1 c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b
C161SL25MAAFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 63
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+703.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8EMDBFXUMA1 Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t
C164CI8EMDBFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Bulk
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+4055.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C161SL25MAABXUMA1 c161s_ds_v1.0_200311.pdf?folderId=db3a304412b407950112b43a56c8703a&fileId=db3a304412b407950112b43a5758703b
C161SL25MAABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 25MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1526.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8E25MDBFXQMA1 Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t
C164CI8E25MDBFXQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAB-C164CI-LM CA+ C164CI%28SI%2CCL%2CSL%29.pdf
SAB-C164CI-LM CA+
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C164CILMCAKNUMA2 Infineon-C164CI-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b41e161331d0&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 80MQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROMless
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C164CI8E25MDBKXUMA1 C164CI(SI,CL,SL).pdf
C164CI8E25MDBKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 59
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 8x10b
Core Processor: C166
Program Memory Type: OTP
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 25MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 80-QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon-FF900R17ME7_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f54faf7fd5e9e
FF900R17ME7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19844.61 грн
10+18726.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R17ME7B11BPSA1 Infineon-FF225R17ME7_B11-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018018974af4542e
FF225R17ME7B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ECONODUAL3 MODULE WITH TRENCHSTO
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 225A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10346.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS25R12KE3GBPSA1 Infineon-FS25R12KE3G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43119f05374
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 40A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4717.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD900R12IP4DVBOSA1 Infineon-FD900R12IP4DV-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f51636a102b7
FD900R12IP4DVBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 5100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+38529.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1 Infineon-IMD70xA-DS-v01_00-EN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018023cbef1f4a9a
IMD700AQ064X128AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMD700AQ064X128AAXUMA1 Infineon-IMD70xA-DS-v01_00-EN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018023cbef1f4a9a
IMD700AQ064X128AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.66 грн
10+220.21 грн
25+202.82 грн
100+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280C6 Infineon-IPA65R280C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432a7fedfc012a8a787d45589a
IPA65R280C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB012N03LX3 INFNS16701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R12N2T7BPSA2 Infineon-FP50R12N2T7-DataSheet-v00_30-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b0b105656718c
FP50R12N2T7BPSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5691.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYM300B170DN2HOSA1 Infineon-BYM300B170DN2-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fc8994d84
BYM300B170DN2HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 40A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+11750.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 54-02V E6327 BAT54_Series.pdf
BAT 54-02V E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA PGSC792
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: PG-SC79-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1SAUMA1
IGLD60R190D1SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV PG-LSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4B11BPSA1 Infineon-F4_75R12KS4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043345a30bc01346aa99f261370
F475R12KS4B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONO2C
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6368.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4BPSA1 Infineon-F4_75R12KS4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43166255432
F475R12KS4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7119.85 грн
15+5168.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM10565DTOBO2 Infineon-AN2016-24_EVAL-M1-05-65D_User_Manual-UM-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156da2dccd96f4a
EVALM10565DTOBO2
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR IRMCK099
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IRMCK099
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCE3256HOSA1 BSM300GB120DLCS5HOSA1.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15517.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10L G SP(I,B,P)80N10L.pdf
SPB80N10L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7673 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB 804 SF3 E6327 BB804.pdf
BB 804 SF3 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
Capacitance Ratio: 1.71
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Capacitance @ Vr, F: 47.5pF @ 2V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA143ML10E6327XTSA1 Infineon-BGSA143ML10-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301671d77255a0659
BGSA143ML10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP4T 6GHZ TSLP10-2
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSLP-10-2
Topology: Reflective
Frequency Range: 6GHz
Voltage - Supply: 42V
Circuit: SP4T
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-XFLGA
Features: DC Blocked
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.04 грн
10+31.86 грн
25+28.18 грн
100+22.64 грн
250+20.83 грн
500+19.73 грн
1000+18.52 грн
2500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
IPB180N06S4H1ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+137.91 грн
2000+124.64 грн
3000+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N04S4N007ATMA1 Infineon-IAUS300N04S4N007-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462675a697201677379a4d1545c
IAUS300N04S4N007ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V) PG-HSOG-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27356 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICBFL02G INFNS14321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICBFL02G
Виробник: Infineon Technologies
Description: FLUORESCENT BALLAST IC
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+119.27 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2103S06FXUMA1 infineon-2edl05x06xx-datasheet-en.pdf
2ED2103S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2103S06FXUMA1 infineon-2edl05x06xx-datasheet-en.pdf
2ED2103S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.66 грн
10+63.28 грн
25+57.31 грн
100+47.61 грн
250+44.67 грн
500+42.90 грн
1000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
IRFU024NPBFAKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600E6XKSA1 Infineon-IPP60R600E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304327b8975001281b5df3c81ad2
IPP60R600E6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R600 - COOLMOS N-CHANNEL PO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 529 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTB6C135N16LOF EUPCS02701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TTB6C135 - BRIDGE RECTIFIER & AC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+15259.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AGXUMA1 INFN-S-A0003555962-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE5QR0680AGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CTLR QUASI-RES 12SOIC
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 800V
Internal Switch(s): Yes
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Packaging: Bulk
Power (Watts): 77 W
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+108.47 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3G INFNS17233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+135.64 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99 INFNS10749-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAL99
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8959+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 8959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAL99E6433HTMA1 bal99series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b842ae203f6
BAL99E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STANDARD 80V 250MA PGSOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 36786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6772+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 6772 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 456 457 458 459 460 461 462 463 464 465 466 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]