Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123014) > Сторінка 476 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MA2304PNSXUMA1 MA2304PNSXUMA1 Infineon Technologies Infineon-MA2304PNS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182921adfee00e7 Description: IC AUDIO AMP D PG-VQFN-40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 74W x 1 @ 2Ohm; 37W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSF21150HV1.4 PSF21150HV1.4 Infineon Technologies Description: IPAC-X ISDN PC ADAPTER CIRCUIT
Packaging: Bulk
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+724.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35212MTRPBF IR35212MTRPBF Infineon Technologies infineon-ir35212mtrpbf-datasheet-en.pdf Description: IC CONTROLLER 48QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 7.5V
Applications: Multiphase Controller
Current - Supply: 10mA
Supplier Device Package: 32-MLPQ (5x5)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+286.49 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADM6993FX-AD-T-1 ADM6993FX-AD-T-1 Infineon Technologies ADM6993_X_DS_green_version_1.pdf Description: IC ETHERNET CONVERTER 128QFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-FQFP-128
Standards: 10/100 Base-T/TX/FX PHY
Protocol: Ethernet
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature: 0°C ~ 115°C
Interface: Parallel
Function: Switch
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+728.19 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF300R07PE4_B6 Infineon Technologies INFNS28244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DFXR07P - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper, Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14360.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4_B22 Infineon Technologies INFNS28263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: F3L300R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+19086.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4_B23 Infineon Technologies INFNS28264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: F3L300R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+19086.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R07PE4_B6 Infineon Technologies INFNS28305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FD300R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper, Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+14538.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R12HP4NPSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0003257136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1650 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45367.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07N2E4_B11 Infineon Technologies INFN-S-A0003209815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FP50R07 - IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5043.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDB7259Y-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6ef75791141 Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Number of Channels: 2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 2EDB7259YXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDB7259Y-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6ef75791141 Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Number of Channels: 2
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.46 грн
10+104.25 грн
25+95.13 грн
100+79.83 грн
250+75.33 грн
500+72.61 грн
1000+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF4-19MR20W3M1HF_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b4361e55669 Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15652.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MABEQ-GTK5E1 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 125
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 256K x 8
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MGBEQ-GTK5E1 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 125
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 256K x 8
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MAEEQ-GTK5E1 Infineon Technologies Infineon-CY9D560_Series_32_bit_Microcontroller_Traveo(TM)_Family-AdditionalTechnicalInformation-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee000906572&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_int Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MADEQ-GTK5E1 Infineon Technologies Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7 IPA65R225C7 Infineon Technologies INFNS29946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+103.42 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636 Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CP IPW50R350CP Infineon Technologies INFNS16484-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R350CP IPA50R350CP Infineon Technologies INFN-S-A0004583200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07ME4B22BOSA1 F3L400R07ME4B22BOSA1 Infineon Technologies Infineon-F3L400R07ME4_B22-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304334c41e910134d71e3ba942ac Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+18877.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HE4B9NPSA1 Infineon Technologies INFNS27080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67144.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9NPSA1 Infineon Technologies INFNS28638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB190
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+57645.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4NPSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0006155711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3460 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49611.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT370N18KOFHPSA1 TT370N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT370N18KOF_Rev3.2_1-12-23.pdf Description: THYR / DIODE MODULE DK
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15819.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRL IRLR4343TRL Infineon Technologies IRLR4343%2C%20IRLU4343%2C-701.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.94 грн
25+278.16 грн
100+230.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD253B1W0201E6327XTSA1 ESD253B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD253-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167988f98f2707f Description: TVS DIODE 24VWM 30VC PGWLL23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 90W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-WLL-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD253B1W0201E6327XTSA1 ESD253B1W0201E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-ESD253-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167988f98f2707f Description: TVS DIODE 24VWM 30VC PGWLL23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 90W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-WLL-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
47+6.42 грн
113+2.64 грн
500+2.36 грн
1000+2.24 грн
2000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF-1 Infineon Technologies irf7420pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fae65e1bce Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.91 грн
10000+35.19 грн
15000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L14AATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097 Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
10+90.51 грн
100+61.15 грн
500+45.59 грн
1000+41.80 грн
2000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.91 грн
10+88.72 грн
100+59.85 грн
500+44.58 грн
1000+40.86 грн
2000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125FNI-S433T CY8C4125FNI-S433T Infineon Technologies Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 35WLCSP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 35-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 31
Part Status: Active
Supplier Device Package: 35-WLCSP (2.58x2.1)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74 Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.21 грн
10+95.07 грн
100+64.43 грн
500+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD390P06NMSAUMA1 IPD390P06NMSAUMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N06TOFXPSA1 T1080N06TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301 Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1021SJXUMA1 IFX1021SJXUMA1 Infineon Technologies INFNS17315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSA8409-7TRL Infineon Technologies auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9 Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.00 грн
10+110.96 грн
100+76.05 грн
500+57.32 грн
1000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 IPD85P04P407ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.41 грн
10+85.29 грн
100+57.76 грн
500+43.13 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5211 TDA5211 Infineon Technologies Description: ASK/FSK SINGLE CONVERSION RECEIV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 310MHz ~ 330MHz, 330MHz ~ 350MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Current - Receiving: 4.2mA ~ 6.5mA
Data Rate (Max): 100kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP08CN10L G IPP08CN10L G Infineon Technologies IPP08CN10L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R12HP4 Infineon Technologies INFN-S-A0003257136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FZ1600R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001441407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.6kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 130 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81057.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E60 IDP15E60 Infineon Technologies INFNS30076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GP 600V 29.2A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 11881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22624EV1.3-G Infineon Technologies INFNZ01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PEF22624 - SDFE-2 SYMMETRIC DSL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSXUMA2 TLE4263GSXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf Description: IC REG LINEAR 5V 200MA 8DSO-18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-18
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSXUMA2 TLE4263GSXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf Description: IC REG LINEAR 5V 200MA 8DSO-18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-18
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.70 грн
10+144.69 грн
25+132.56 грн
100+111.84 грн
250+105.86 грн
500+102.25 грн
1000+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10 Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.66 грн
10+94.32 грн
100+64.23 грн
500+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGDC0250AKMA1 AUIRGDC0250AKMA1 Infineon Technologies Infineon-AUIRGDC0250-DS-v01_05-EN.pdf Description: IGBT 1200V 141A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-273AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 33A
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Td (on/off) @ 25°C: -/485ns
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 141 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6433HTMA1 BAS4006E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6433HTMA1 BAS4006E6433HTMA1 Infineon Technologies INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 17056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.58 грн
100+8.48 грн
500+5.88 грн
1000+5.21 грн
2000+4.65 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
8 611 200 893 Infineon Technologies Description: IC MEMORY 1GB FLASH 3.0V 64FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MA2304PNSXUMA1 Infineon-MA2304PNS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f38900182921adfee00e7
MA2304PNSXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AUDIO AMP D PG-VQFN-40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Max Output Power x Channels @ Load: 74W x 1 @ 2Ohm; 37W x 2 @ 4Ohm
Supplier Device Package: PG-VQFN-40
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSF21150HV1.4
PSF21150HV1.4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPAC-X ISDN PC ADAPTER CIRCUIT
Packaging: Bulk
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+724.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR35212MTRPBF infineon-ir35212mtrpbf-datasheet-en.pdf
IR35212MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CONTROLLER 48QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 7.5V
Applications: Multiphase Controller
Current - Supply: 10mA
Supplier Device Package: 32-MLPQ (5x5)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+286.49 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ADM6993FX-AD-T-1 ADM6993_X_DS_green_version_1.pdf
ADM6993FX-AD-T-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ETHERNET CONVERTER 128QFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-FQFP-128
Standards: 10/100 Base-T/TX/FX PHY
Protocol: Ethernet
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Operating Temperature: 0°C ~ 115°C
Interface: Parallel
Function: Switch
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+728.19 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF300R07PE4_B6 INFNS28244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DFXR07P - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper, Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14360.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4_B22 INFNS28263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: F3L300R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+19086.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R12MT4_B23 INFNS28264-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: F3L300R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+19086.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R07PE4_B6 INFNS28305-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD300R07 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Boost Chopper, Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 940 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+14538.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R12HP4NPSA1 INFN-S-A0003257136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1650 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
NTC Thermistor: No
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+45367.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R07N2E4_B11 INFN-S-A0003209815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FP50R07 - IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+5043.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 Infineon-2EDB7259Y-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6ef75791141
2EDB7259YXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Number of Channels: 2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB7259YXUMA1 Infineon-2EDB7259Y-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185c6ef75791141
2EDB7259YXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 2CH GATE DVR DSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Peak Output: 5A, 9A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 9A, 5A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Common Mode Transient Immunity (Min): 150V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 38ns, 38ns
Number of Channels: 2
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.46 грн
10+104.25 грн
25+95.13 грн
100+79.83 грн
250+75.33 грн
500+72.61 грн
1000+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Infineon-DF4-19MR20W3M1HF_B11-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b4361e55669
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 34mA
Supplier Device Package: AG-EASY3B
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15652.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MABEQ-GTK5E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 125
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 256K x 8
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MGBEQ-GTK5E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 125
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
EEPROM Size: 128K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 256K x 8
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
Speed: 200MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MAEEQ-GTK5E1 Infineon-CY9D560_Series_32_bit_Microcontroller_Traveo(TM)_Family-AdditionalTechnicalInformation-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee000906572&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_int
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB9DF566MADEQ-GTK5E1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32B 2.25MB FLASH 208TEQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 208-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.25MB (2.25M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: Arm® Cortex®-R5F
Data Converters: A/D 40x12b; D/A 2x10b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.1V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, CSIO, I2C, LINbus, UART/USART
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 208-TEQFP (28x28)
Number of I/O: 125
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7 INFNS29946-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA65R225C7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+103.42 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF-1 irlml6401pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a401535668c0792636
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW50R350CP INFNS16484-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW50R350CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
245+95.31 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R350CP INFN-S-A0004583200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA50R350CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
247+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 247 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L400R07ME4B22BOSA1 Infineon-F3L400R07ME4_B22-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304334c41e910134d71e3ba942ac
F3L400R07ME4B22BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 450A 1150W
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26 nF @ 25 V
Power - Max: 1150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+18877.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HE4B9NPSA1 INFNS27080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+67144.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9NPSA1 INFNS28638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 13500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB190
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+57645.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4NPSA1 INFN-S-A0006155711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3460 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2.4kA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+49611.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT370N18KOFHPSA1 TT370N18KOF_Rev3.2_1-12-23.pdf
TT370N18KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: THYR / DIODE MODULE DK
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15819.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR4343TRL IRLR4343%2C%20IRLU4343%2C-701.pdf
IRLR4343TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.94 грн
25+278.16 грн
100+230.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD253B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD253-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167988f98f2707f
ESD253B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 24VWM 30VC PGWLL23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 90W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-WLL-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD253B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD253-B1-W0201-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167988f98f2707f
ESD253B1W0201E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 24VWM 30VC PGWLL23
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 90W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-WLL-2-3
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.8pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+9.30 грн
47+6.42 грн
113+2.64 грн
500+2.36 грн
1000+2.24 грн
2000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7420TRPBF-1 irf7420pbf-1.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fae65e1bce
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+38.91 грн
10000+35.19 грн
15000+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1 IPG20N06S4L-14A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da8801482170a2dc0097
IPG20N06S4L14AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
10+90.51 грн
100+61.15 грн
500+45.59 грн
1000+41.80 грн
2000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38
IPG20N10S4L35AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38
IPG20N10S4L35AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.91 грн
10+88.72 грн
100+59.85 грн
500+44.58 грн
1000+40.86 грн
2000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125FNI-S433T Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C4125FNI-S433T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 35WLCSP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 35-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 31
Part Status: Active
Supplier Device Package: 35-WLCSP (2.58x2.1)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 16x10b Slope, 16x12b SAR; D/A 2xIDAC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 Infineon-IGB15N65S5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015ec7edd82b2f74
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns
Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.21 грн
10+95.07 грн
100+64.43 грн
500+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD390P06NMSAUMA1
IPD390P06NMSAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N06TOFXPSA1 Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301
T1080N06TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1021SJXUMA1 INFNS17315-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX1021SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER FULL 1/1 DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb
AUIRFSA8409-7TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSA8409-7TRL auirfsa8409-7P.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9bf8114fb
AUIRFSA8409-7TRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P4L06ATMA2 Infineon-IPD85P04P4L-06-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7824648a2dc9
IPD85P04P4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
на замовлення 8257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.00 грн
10+110.96 грн
100+76.05 грн
500+57.32 грн
1000+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD85P04P407ATMA2 Infineon-IPD85P04P4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f782666e92ddd
IPD85P04P407ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.41 грн
10+85.29 грн
100+57.76 грн
500+43.13 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA5211
TDA5211
Виробник: Infineon Technologies
Description: ASK/FSK SINGLE CONVERSION RECEIV
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -113dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 310MHz ~ 330MHz, 330MHz ~ 350MHz
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Alarm Systems, Communication Systems, Remote Control Systems
Current - Receiving: 4.2mA ~ 6.5mA
Data Rate (Max): 100kbps
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-28
Part Status: Active
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
360+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP08CN10L G IPP08CN10L_G.pdf
IPP08CN10L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R12HP4 INFN-S-A0003257136-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FZ1600R12 - IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1650 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1 INFN-S-A0001441407-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1.6kA
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHMB130-2-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 130 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81057.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDP15E60 INFNS30076-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IDP15E60
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 600V 29.2A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 11881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
348+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22624EV1.3-G INFNZ01541-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PEF22624 - SDFE-2 SYMMETRIC DSL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSXUMA2 Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf
TLE4263GSXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA 8DSO-18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-18
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4263GSXUMA2 Infineon-TLE4263-DS-v02_90-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928df213dcf
TLE4263GSXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA 8DSO-18
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-18
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset, Watchdog
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 150mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 23 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.70 грн
10+144.69 грн
25+132.56 грн
100+111.84 грн
250+105.86 грн
500+102.25 грн
1000+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon-IPP_B_I80N06S4L_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038ea8e6c0d10
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.66 грн
10+94.32 грн
100+64.23 грн
500+48.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGDC0250AKMA1 Infineon-AUIRGDC0250-DS-v01_05-EN.pdf
AUIRGDC0250AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 141A SUPER-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-273AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 33A
Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA)
Td (on/off) @ 25°C: -/485ns
Switching Energy: 15mJ (off)
Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 141 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A
Power - Max: 543 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4006E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4006E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 100 ps
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 30 V
на замовлення 17056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.25 грн
22+13.58 грн
100+8.48 грн
500+5.88 грн
1000+5.21 грн
2000+4.65 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
8 611 200 893
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY 1GB FLASH 3.0V 64FBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 481 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]