Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126722) > Сторінка 475 з 2113

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 470 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DDB6U144N16RBPSA1 DDB6U144N16RBPSA1 Infineon Technologies Infineon-DDB6U144N16R-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431590a5413 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-8111
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 150 A
Current - Average Rectified (Io): 100 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
Technology: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 BSC037N08NS5TATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23 Description: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6874HTMA1 BAT165E6874HTMA1 Infineon Technologies bat165series.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a304313d846880113df01f69804d6 Description: DIODE SCHOTT 40V 750MA PGSOD3232
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOD323-2
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 8.4pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VL1B-02LRHE6327 ESD24VL1B-02LRHE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000037316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MULTI-PURPOSE ESD DEVICE
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.5pF @ 1MHz
Applications: USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4501+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 4501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VL1B02LRHE6327XTSA1 ESD24VL1B02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000037316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MULTI-PURPOSE ESD DEVICE
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.5pF @ 1MHz
Applications: USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V (Typ)
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002S-02LRHE6327 BAS4002S-02LRHE6327 Infineon Technologies INFNS15529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA PGTSLP217
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3406+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1 ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS15393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TVS DIODE 3.3VWM 28VC TSLP-2-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD300B102LRHE6327XTSA1 ESD300B102LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD300-B1-02LRH.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 10.5V TSLP-2-17
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 260W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 1.2pF @ 1MHz
Applications: Ethernet
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD300B102LRHE6327XTSA1 ESD300B102LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD300-B1-02LRH.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 10.5V TSLP-2-17
Capacitance @ Frequency: 1.2pF @ 1MHz
Applications: Ethernet
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 260W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A (8/20µs)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005S02LRHE6327XTSA1 BAS3005S02LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies bas3005s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f403b235b4ec0 Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA PGTSLP217
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2733X20F66LAAKXUMA1 SAKXC2733X20F66LAAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS16642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 48
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 19x8/10/12b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 12K x 8
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
Speed: 66MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2734X40F80LAAKXUMA1 SAKXC2734X40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS28091-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFXE162FN40F80LAAFXQSA1 Infineon Technologies INFNS17110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT FLASH RISC MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-22
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, QSPI, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2734X40F80LAAKXUMA1 SAK-XC2734X40F80LAAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS28091-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2733X20F66LRAAKXUMA1 SAKXC2733X20F66LRAAKXUMA1 Infineon Technologies INFNS16642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 48
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 19x8/10/12b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 12K x 8
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FN40F80LAAFXQSA1 Infineon Technologies INFNS17110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT FLASH RISC MCU
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-22
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, QSPI, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ASMDTOBO1 REFILD8150DC15ASMDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Reference_design_REF_ILD8150_DC_1.5A_high_frequency_operation-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f768f820ae Description: EVAL BOARD FOR ILD8150
Packaging: Bulk
Features: Dimmable
Voltage - Input: 8V ~ 80V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: ILD8150
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4870.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBF IRF6722STR1PBF Infineon Technologies IRF6722S(TR)PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBF IRF6712STR1PBF Infineon Technologies irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBF IRF6729MTRPBF Infineon Technologies IRF6729M%28TR%29PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBF IRF6714MTR1PBF Infineon Technologies irf6714mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed04be1a80 Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBF IRF6715MTR1PBF Infineon Technologies irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82 Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBF IRF6720S2TR1PBF Infineon Technologies IRF6720S2TR(1)PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB644E7904 Infineon Technologies Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2186PV1.1 PSB2186PV1.1 Infineon Technologies SIEMS00944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ISAC-S TE ISDN ACCESS CONTROLLER
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-DIP-40-2
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Interface: 4-Wire, IOM-2
Function: ISDN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 40-DIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 BGSX22G6U10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSX22G6U10-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a2d9e9ec16100 Description: IC RF SW DPDT 7.125GHZ ULGA10
Supplier Device Package: PG-ULGA-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 5.925GHz ~ 7.125GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 7.125GHz
Insertion Loss: 0.85dB
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: 5G, Cellular, GSM, LTE, WCDMA
Circuit: DPDT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 BGSX22G6U10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGSX22G6U10-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a2d9e9ec16100 Description: IC RF SW DPDT 7.125GHZ ULGA10
Supplier Device Package: PG-ULGA-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 5.925GHz ~ 7.125GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 7.125GHz
Insertion Loss: 0.85dB
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: 5G, Cellular, GSM, LTE, WCDMA
Circuit: DPDT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
10+34.44 грн
25+32.47 грн
100+27.89 грн
250+26.33 грн
500+25.24 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.90 грн
10+191.81 грн
100+135.10 грн
500+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 XMC1301T038F0032ABXUMA1 Infineon Technologies infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.62 грн
10+127.06 грн
50+109.36 грн
100+97.49 грн
500+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R299CP.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R250CP.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c5f3b3c68 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.77 грн
30+674.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD600R06ME3_B11_S2 Infineon Technologies FD600R06ME3_B11_S2.pdf Description: IGBT MOD 600V 600A 2250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF300R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113b981ab7e0010 Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T720N16TOFXPSA1 T720N16TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee Description: SCR MODULE 1.8KV 1500A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 720 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1500 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12059.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T720N14TOFXPSA1 T720N14TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee Description: SCR MODULE 1.8KV 1500A DO-200AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
94-2518PBF Infineon Technologies Description: IC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R07PE4 Infineon Technologies INFNS28259-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 680 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13007.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N50C3XKSA1 SPP04N50C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_A04N50C3-DS-v02_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42cfc9247e4 Description: LOW POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF 775 E6327 BF 775 E6327 Infineon Technologies BF775.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Power - Max: 280mW
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC165HLF SAFC165HLF Infineon Technologies INFNS04974-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: EMBEDDED UTAH, C166
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 72
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: HDLC, IOM-2/PCM, IrDA, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 3.63V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROM
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 8MB (8M x 8)
Speed: 36MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 31595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1048.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF IRF7905TRPBF Infineon Technologies irf7905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c90a41d37 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF IRF7905TRPBF Infineon Technologies irf7905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c90a41d37 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 IPI80N06S207AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953C Infineon Technologies Description: HALL EFFECT SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CHAMA3 TLE4953CHAMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4 Description: MAGNETIC SWITCH SPECIAL PURPOSE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.52 грн
5+122.93 грн
10+117.13 грн
25+103.53 грн
50+99.14 грн
100+95.13 грн
500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CHAMA3 TLE4953CHAMA3 Infineon Technologies Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4 Description: MAGNETIC SWITCH SPECIAL PURPOSE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953HALA1 TLE4953HALA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4 Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-1
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-1
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.21 грн
10+322.76 грн
25+286.92 грн
50+255.80 грн
100+249.07 грн
500+208.68 грн
1000+192.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CBAMA1 TLE4953CBAMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4 Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-2
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE2AAMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 16mA
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Function: Special Purpose
Mounting Type: Through Hole
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: PWM
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Bulk
на замовлення 41772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+176.72 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE2AAMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 16mA
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Function: Special Purpose
Mounting Type: Through Hole
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: PWM
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957CE6747HAMA1 Infineon Technologies TLE4957C_PB_26092013.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef014159b1f5a06bf1 Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2E6247HAMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+158.97 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2NE6747HAMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 47800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2NE6747HAMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955HALA1 Infineon Technologies Sensor_Solutions_BR-2016.pdf?fileId=5546d461590352c501591664f5d40037 Description: IC SPEED SENSOR MAGN PG-SSO-2
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184AAMA1 TLE4955CE41184AAMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4955C%20E41184-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619 Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U144N16RBPSA1 Infineon-DDB6U144N16R-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431590a5413
DDB6U144N16RBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-8111
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 150 A
Current - Average Rectified (Io): 100 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-ECONO2A
Technology: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Diode Type: Three Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5TATMA1 Infineon-BSC037N08NS5T-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bd24725382f23
BSC037N08NS5TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT165E6874HTMA1 bat165series.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a304313d846880113df01f69804d6
BAT165E6874HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 40V 750MA PGSOD3232
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 750 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-SOD323-2
Current - Average Rectified (Io): 750mA
Capacitance @ Vr, F: 8.4pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VL1B-02LRHE6327 INFN-S-A0000037316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD24VL1B-02LRHE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: MULTI-PURPOSE ESD DEVICE
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V (Typ)
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.5pF @ 1MHz
Applications: USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Power Line Protection: No
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4501+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 4501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VL1B02LRHE6327XTSA1 INFN-S-A0000037316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD24VL1B02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MULTI-PURPOSE ESD DEVICE
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 2.5pF @ 1MHz
Applications: USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V (Typ)
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4157+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 4157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002S-02LRHE6327 INFNS15529-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS4002S-02LRHE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 40V 200MA PGTSLP217
Operating Temperature - Junction: 150°C
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
на замовлення 9920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3406+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1 INFNS15393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD3V3U1U02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 28VC TSLP-2-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD300B102LRHE6327XTSA1 ESD300-B1-02LRH.pdf
ESD300B102LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 10.5V TSLP-2-17
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 260W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 1.2pF @ 1MHz
Applications: Ethernet
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD300B102LRHE6327XTSA1 ESD300-B1-02LRH.pdf
ESD300B102LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 10.5V TSLP-2-17
Capacitance @ Frequency: 1.2pF @ 1MHz
Applications: Ethernet
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-882
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 260W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V (Typ)
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A (8/20µs)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005S02LRHE6327XTSA1 bas3005s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f403b235b4ec0
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA PGTSLP217
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-17
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2733X20F66LAAKXUMA1 INFNS16642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAKXC2733X20F66LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 48
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 19x8/10/12b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 12K x 8
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
Speed: 66MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2734X40F80LAAKXUMA1 INFNS28091-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAKXC2734X40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFXE162FN40F80LAAFXQSA1 INFNS17110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT FLASH RISC MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-22
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, QSPI, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2734X40F80LAAKXUMA1 INFNS28091-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-XC2734X40F80LAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAKXC2733X20F66LRAAKXUMA1 INFNS16642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAKXC2733X20F66LRAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MCU - XC2700 FAMILY
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 48
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-24
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 19x8/10/12b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 12K x 8
Program Memory Size: 160KB (160K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XE162FN40F80LAAFXQSA1 INFNS17110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT FLASH RISC MCU
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 40
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-22
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, FIFO, I²C, LINbus, QSPI, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 9x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ASMDTOBO1 Infineon-Reference_design_REF_ILD8150_DC_1.5A_high_frequency_operation-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f768f820ae
REFILD8150DC15ASMDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ILD8150
Packaging: Bulk
Features: Dimmable
Voltage - Input: 8V ~ 80V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: ILD8150
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4870.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6722STR1PBF IRF6722S(TR)PBF.pdf
IRF6722STR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBF irf6712spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ecf4331a7c
IRF6712STR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6729MTRPBF IRF6729M%28TR%29PBF.pdf
IRF6729MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBF irf6714mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed04be1a80
IRF6714MTR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBF irf6715mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed0d221a82
IRF6715MTR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6720S2TR1PBF IRF6720S2TR(1)PBF.pdf
IRF6720S2TR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB644E7904
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2186PV1.1 SIEMS00944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PSB2186PV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISAC-S TE ISDN ACCESS CONTROLLER
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Supplier Device Package: P-DIP-40-2
Current - Supply: 17mA
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Interface: 4-Wire, IOM-2
Function: ISDN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 40-DIP (0.600", 15.24mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512
IPB120N08S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512
IPB120N08S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 Infineon-BGSX22G6U10-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a2d9e9ec16100
BGSX22G6U10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SW DPDT 7.125GHZ ULGA10
Supplier Device Package: PG-ULGA-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 5.925GHz ~ 7.125GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 7.125GHz
Insertion Loss: 0.85dB
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: 5G, Cellular, GSM, LTE, WCDMA
Circuit: DPDT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G6U10E6327XTSA1 Infineon-BGSX22G6U10-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a2d9e9ec16100
BGSX22G6U10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SW DPDT 7.125GHZ ULGA10
Supplier Device Package: PG-ULGA-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 5.925GHz ~ 7.125GHz
Frequency Range: 400MHz ~ 7.125GHz
Insertion Loss: 0.85dB
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RF Type: 5G, Cellular, GSM, LTE, WCDMA
Circuit: DPDT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
10+34.44 грн
25+32.47 грн
100+27.89 грн
250+26.33 грн
500+25.24 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d
IKB30N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+107.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 Infineon-IKB30N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd135b40491d
IKB30N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.90 грн
10+191.81 грн
100+135.10 грн
500+108.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf
XMC1301T038F0032ABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 38TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 32MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-9
Part Status: Active
Number of I/O: 26
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.62 грн
10+127.06 грн
50+109.36 грн
100+97.49 грн
500+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CP.pdf
IPB50R299CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R250CPATMA1 IPB50R250CP.pdf
IPB50R250CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 13A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R039M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0c5f3b3c68
IMZA65R039M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+877.77 грн
30+674.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD600R06ME3_B11_S2 FD600R06ME3_B11_S2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 600V 600A 2250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 Infineon-FF300R12KT3_E-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113b981ab7e0010
FF300R12KT3EHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 480A 1450W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T720N16TOFXPSA1 Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee
T720N16TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 1500A DO-200AB
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 720 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1500 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12059.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
T720N14TOFXPSA1 Infineon-T720N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ff97c57f5bee
T720N14TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 1500A DO-200AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
94-2518PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L200R07PE4 INFNS28259-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 680 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13007.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N50C3XKSA1 Infineon-SPP_A04N50C3-DS-v02_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42cfc9247e4
SPP04N50C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF 775 E6327 BF775.pdf
BF 775 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Power - Max: 280mW
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC165HLF INFNS04974-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAFC165HLF
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED UTAH, C166
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 72
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TQFP-144-7
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: HDLC, IOM-2/PCM, IrDA, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 3.63V
Core Size: 16-Bit
Core Processor: C166
Program Memory Type: ROM
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 3K x 8
Program Memory Size: 8MB (8M x 8)
Speed: 36MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 144-LQFP
Packaging: Bulk
на замовлення 31595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1048.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF irf7905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c90a41d37
IRF7905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF irf7905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c90a41d37
IRF7905TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S207AKSA1 Infineon-IPP_B_I80N06S2_07-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304412b407950112b43339a25ab4&ack=t
IPI80N06S207AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953C
Виробник: Infineon Technologies
Description: HALL EFFECT SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CHAMA3 Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4
TLE4953CHAMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH SPECIAL PURPOSE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.52 грн
5+122.93 грн
10+117.13 грн
25+103.53 грн
50+99.14 грн
100+95.13 грн
500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CHAMA3 Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4
TLE4953CHAMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH SPECIAL PURPOSE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953HALA1 Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4
TLE4953HALA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-1
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-1
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.21 грн
10+322.76 грн
25+286.92 грн
50+255.80 грн
100+249.07 грн
500+208.68 грн
1000+192.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4953CBAMA1 Infineon-TLE4953-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=db3a304319c6f18c011a2a95ec0b12d4
TLE4953CBAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-2
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-2
Output Type: Current Source
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Special Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Technology: Hall Effect
Current - Supply (Max): 16.8mA
Supplier Device Package: PG-SSO-2-2
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE2AAMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 16mA
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Function: Special Purpose
Mounting Type: Through Hole
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: PWM
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Bulk
на замовлення 41772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
126+176.72 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE2AAMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Current - Supply (Max): 8mA
Current - Output (Max): 16mA
Sensing Range: -30mT Trip, 30mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 4V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Function: Special Purpose
Mounting Type: Through Hole
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: PWM
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957CE6747HAMA1 TLE4957C_PB_26092013.pdf?fileId=db3a3043414fd3ef014159b1f5a06bf1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2E6247HAMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+158.97 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2NE6747HAMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 47800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4957C2NE6747HAMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFF SSO-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955HALA1 Sensor_Solutions_BR-2016.pdf?fileId=5546d461590352c501591664f5d40037
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SPEED SENSOR MAGN PG-SSO-2
Supplier Device Package: PG-SSO-2-53
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 2-SIP, SSO-2-53
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4955CE41184AAMA1 Infineon-TLE4955C%20E41184-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5e59d0850619
TLE4955CE41184AAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAG SWITCH SPEC PURP SSO-2-53
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 470 471 472 473 474 475 476 477 478 479 480 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2113  [ Наступна Сторінка >> ]