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FF1400R12IP4PBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 Dauer-Kollektorstrom: 1.4 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: 7.65 euEccn: NLR Verlustleistung: 7.65 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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IDP15E65D2XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDP15E65D2XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.6 V, 30 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: IDP15 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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P2000DL45X168HPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV Dauerkollektorstrom: 2kA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP120P04P4L03AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS P2 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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TLV493DA1B6HTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLV493DA1B6HTSA2 - 3D-Magnetsensor, 2.8V bis 3.5V Versorgungsspannung, TSOP-6tariffCode: 85423990 IC-Funktion: 3D-Magnetsensor rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 IC-Bauform: TSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Sensorgehäuse/-bauform: TSOP euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.5V Betriebstemperatur, max.: 126°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CYW920820EVB-02 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW920820EVB-02 - Evaluationskit, CYW9BTM2BASE2, Bluetooth Low Energy, drahtlose KommunikationtariffCode: 84733020 Prozessorkern: CYW9BTM2BASE2 Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: 5A992.c Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20819A1KFBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 isCanonical: N Bluetooth-Klasse: Klasse 2 usEccn: 5A992.c euEccn: NLR Produktpalette: - productTraceability: No Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CYW20820A1KFBG | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 2.375-2.625V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung: 2.375V bis 2.625V euEccn: NLR isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: Klasse 1 hazardous: false Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm usEccn: 5A992.c Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20819A1KFBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 productTraceability: No Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V euEccn: NLR isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: Klasse 2 hazardous: false Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm usEccn: 5A992.c Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20820A1KFBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 isCanonical: N Bluetooth-Klasse: Klasse 1 usEccn: 5A992.c euEccn: NLR Produktpalette: AIROC Series productTraceability: No Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20820A1KFBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 productTraceability: No Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V euEccn: NLR isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: Klasse 1 hazardous: false Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm usEccn: 5A992.c Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 Produktpalette: AIROC Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6405WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6405E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6405E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6406E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6406E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Verlustleistung: 250 euEccn: NLR hazardous: false Durchlassspannung: 1.1 usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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CY8C24894-24LTXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C24894-24LTXI - PSOC, 8BIT, PSOC1, 24MHZ, QFN-56tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 47Kanäle Programmspeichergröße: 16KB MPU-Familie: PSoC 1 Versorgungsspannung, min.: 3V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 1KB MCU-Baureihe: CY8C24x94 CPU-Geschwindigkeit: 24MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 49I/O(s) Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x94 Series Microcontrollers productTraceability: No MPU-Baureihe: CY8C24x94 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Bauform - MPU: QFN Betriebstemperatur, max.: 85°C Prozessorarchitektur: M8C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLTS6342TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPAN60R360P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R360P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR2705TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IKB10N60T | INFINEON |
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFR120ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 33380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS3004TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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S25HL512TFANHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25HL512TFANHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: QPI, SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLD55421CHGSHIELDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLD55421CHGSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLD5542-1, Buck-Boost, analog, PWM, 7V bis 35Vin, 30Vout, 5A, 1 AusgangtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5542-1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5A isCanonical: Y usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 30V Core-Chip: TLD5542-1 Eingangsspannung, max.: 35Vrms Dimmsteuerung: Analog euEccn: NLR Bausteintopologie: Buck-Boost Eingangsspannung, min.: 7Vrms Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR120NTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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IRFS52N15DTRLP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 - Evaluationsboard, TLE4966K, MagnetsensortariffCode: 84733020 productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplatte: Evaluationsboard Lieferumfang des Kits: Shield2Go-Evaluationsboard TLE4966K euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Magnetsensor hazardous: false Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4966K rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Sicherheit, OPTIGA Trust E, IoT-SicherheittariffCode: 84733020 Prozessorkern: SLS32AIA Kit-Anwendungsbereich: Sicherheit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA euEccn: NLR Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT) hazardous: false usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go Optiga Trust X-Sicherheit, I2C-Schnittstelle, IoT-SicherheittariffCode: 84733020 Prozessorkern: SLS32AIA productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: OPTIGA Trust X Anzahl der Bits: - Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA euEccn: NLR Prozessorserie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUZ30AHXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 21 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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IRF7842TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCR420UE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR420UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 10kHz Schaltfrequenz, 38V/150mAout, SC-74-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 38V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SC-74 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 150mA Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 122211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCR401UE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCR401UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 38V/10mAout, SC-74-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 38V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SC-74 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 10mA Eingangsspannung, min.: 1.4V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 53903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS4006WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BAS4006WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7509TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLHS6376TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALSHNBV01DPS422TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS422TOBO1 - Evaluationsboard, Sensor-Hub Nano, DPS422 Luftdrucksensor, BluetoothtariffCode: 84733020 Prozessorkern: DPS422, XMC1100 Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS422/XMC1100 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Luftdrucksensor hazardous: false usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF8915TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6404WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6404WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.35 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 46735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6403WE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6403WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, SOD-323, 2 Pins, 0.23 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.23pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.85ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6404E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6404E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.1V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR64 productTraceability: No Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.35ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFS4127TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFS4127TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7811AVTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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FP50R06KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Dauer-Kollektorstrom: 60 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 190 euEccn: NLR Verlustleistung: 190 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Produktpalette: EconoPIM 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 60 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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S28HS512TGABHI010 | INFINEON |
Description: INFINEON - S28HS512TGABHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, FBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR5410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPA80R600P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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T1400N16H75VTXPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - T1400N16H75VTXPSA1 - Thyristor-Modul, 1.6kV, 150mA, Phasensteuerung, Modul, SchraubtariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA RMS-Durchlassstrom: 3.2kA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: Phasenregelung Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 250mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Schraub Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDH12G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FF1400R12IP4PBOSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Dauer-Kollektorstrom: 1.4
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 7.65
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.65
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1400R12IP4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75
Dauer-Kollektorstrom: 1.4
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 7.65
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.65
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| IDP15E65D2XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP15E65D2XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.6 V, 30 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDP15E65D2XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 15 A, Einfach, 1.6 V, 30 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: IDP15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 125.31 грн |
| 10+ | 95.00 грн |
| 100+ | 64.70 грн |
| P2000DL45X168HPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - P2000DL45X168HPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.25V
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Anschlussdrähte
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.25V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5kV
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486158.40 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 218.67 грн |
| 10+ | 115.48 грн |
| 100+ | 113.84 грн |
| 500+ | 104.19 грн |
| IPP120P04P4L03AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TLV493DA1B6HTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLV493DA1B6HTSA2 - 3D-Magnetsensor, 2.8V bis 3.5V Versorgungsspannung, TSOP-6
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: 3D-Magnetsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 126°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLV493DA1B6HTSA2 - 3D-Magnetsensor, 2.8V bis 3.5V Versorgungsspannung, TSOP-6
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: 3D-Magnetsensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 126°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.96 грн |
| 500+ | 37.72 грн |
| 1000+ | 33.49 грн |
| 2500+ | 31.59 грн |
| CYW920820EVB-02 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920820EVB-02 - Evaluationskit, CYW9BTM2BASE2, Bluetooth Low Energy, drahtlose Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW9BTM2BASE2
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CYW920820EVB-02 - Evaluationskit, CYW9BTM2BASE2, Bluetooth Low Energy, drahtlose Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW9BTM2BASE2
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5299.75 грн |
| CYW20819A1KFBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.16 грн |
| 10+ | 330.88 грн |
| 25+ | 301.39 грн |
| 50+ | 257.81 грн |
| 100+ | 207.79 грн |
| 500+ | 181.82 грн |
| CYW20820A1KFBG |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 2.375-2.625V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung: 2.375V bis 2.625V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 2.375-2.625V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung: 2.375V bis 2.625V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 401.31 грн |
| 10+ | 346.44 грн |
| 25+ | 328.42 грн |
| 50+ | 280.62 грн |
| 100+ | 238.68 грн |
| 500+ | 209.90 грн |
| CYW20819A1KFBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 429.16 грн |
| 10+ | 330.88 грн |
| 25+ | 301.39 грн |
| 50+ | 257.81 грн |
| 100+ | 207.79 грн |
| 500+ | 181.82 грн |
| CYW20820A1KFBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 334.15 грн |
| 10+ | 289.11 грн |
| 25+ | 273.55 грн |
| 50+ | 244.12 грн |
| 100+ | 216.22 грн |
| 500+ | 195.16 грн |
| CYW20820A1KFBGT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 334.15 грн |
| 10+ | 289.11 грн |
| 25+ | 273.55 грн |
| 50+ | 244.12 грн |
| 100+ | 216.22 грн |
| 500+ | 195.16 грн |
| BAR6405WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.35 грн |
| 102+ | 8.09 грн |
| 113+ | 7.31 грн |
| 500+ | 6.13 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| 5000+ | 5.39 грн |
| BAR6405E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 10.16 грн |
| 135+ | 6.11 грн |
| 172+ | 4.77 грн |
| 500+ | 4.14 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| 5000+ | 3.36 грн |
| BAR6405E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.14 грн |
| 1000+ | 3.63 грн |
| 5000+ | 3.36 грн |
| BAR6406E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6406E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Verlustleistung: 250
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlassspannung: 1.1
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BAR6406E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Verlustleistung: 250
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlassspannung: 1.1
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| CY8C24894-24LTXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24894-24LTXI - PSOC, 8BIT, PSOC1, 24MHZ, QFN-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 47Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 1
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C24x94
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 49I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x94 Series Microcontrollers
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C24x94
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: M8C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C24894-24LTXI - PSOC, 8BIT, PSOC1, 24MHZ, QFN-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 47Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 1
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C24x94
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 49I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x94 Series Microcontrollers
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C24x94
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: M8C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 521.70 грн |
| IRLTS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.56 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 98.28 грн |
| 14+ | 62.65 грн |
| IPP60R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 156.43 грн |
| 12+ | 74.12 грн |
| 100+ | 68.71 грн |
| 500+ | 51.94 грн |
| 1000+ | 41.91 грн |
| IRLR2705TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.04 грн |
| 500+ | 23.58 грн |
| IKB10N60T |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFR120ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BSS315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 30.14 грн |
| 50+ | 18.67 грн |
| 250+ | 11.79 грн |
| 1000+ | 6.60 грн |
| 5000+ | 4.64 грн |
| BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 18.43 грн |
| 66+ | 12.45 грн |
| 250+ | 8.35 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| 5000+ | 4.67 грн |
| BSS315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.20 грн |
| 250+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
| 5000+ | 5.19 грн |
| BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.45 грн |
| 250+ | 8.35 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| 5000+ | 4.67 грн |
| IRFS3004TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S25HL512TFANHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL512TFANHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S25HL512TFANHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 837.02 грн |
| 10+ | 779.69 грн |
| 25+ | 755.94 грн |
| 50+ | 692.82 грн |
| 100+ | 624.78 грн |
| TLD55421CHGSHIELDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD55421CHGSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLD5542-1, Buck-Boost, analog, PWM, 7V bis 35Vin, 30Vout, 5A, 1 Ausgang
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5542-1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 30V
Core-Chip: TLD5542-1
Eingangsspannung, max.: 35Vrms
Dimmsteuerung: Analog
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck-Boost
Eingangsspannung, min.: 7Vrms
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLD55421CHGSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLD5542-1, Buck-Boost, analog, PWM, 7V bis 35Vin, 30Vout, 5A, 1 Ausgang
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5542-1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 30V
Core-Chip: TLD5542-1
Eingangsspannung, max.: 35Vrms
Dimmsteuerung: Analog
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck-Boost
Eingangsspannung, min.: 7Vrms
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11762.48 грн |
| IRLR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFS52N15DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 101.15 грн |
| 250+ | 91.26 грн |
| S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 - Evaluationsboard, TLE4966K, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Shield2Go-Evaluationsboard TLE4966K
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4966K
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 - Evaluationsboard, TLE4966K, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Shield2Go-Evaluationsboard TLE4966K
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4966K
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 874.69 грн |
| 5+ | 857.49 грн |
| S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Sicherheit, OPTIGA Trust E, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
Kit-Anwendungsbereich: Sicherheit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Sicherheit, OPTIGA Trust E, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
Kit-Anwendungsbereich: Sicherheit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 527.44 грн |
| S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go Optiga Trust X-Sicherheit, I2C-Schnittstelle, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: OPTIGA Trust X
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go Optiga Trust X-Sicherheit, I2C-Schnittstelle, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: OPTIGA Trust X
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1500.41 грн |
| 5+ | 1470.10 грн |
| BUZ30AHXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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В кошику
од. на суму грн.
| IRF7842TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.62 грн |
| 250+ | 65.52 грн |
| 1000+ | 43.42 грн |
| 2000+ | 36.78 грн |
| BCR420UE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR420UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 10kHz Schaltfrequenz, 38V/150mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCR420UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 10kHz Schaltfrequenz, 38V/150mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.33 грн |
| 500+ | 11.71 грн |
| 1000+ | 9.83 грн |
| 5000+ | 9.48 грн |
| 10000+ | 9.27 грн |
| BCR401UE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR401UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 38V/10mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCR401UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 38V/10mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 53903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.79 грн |
| 500+ | 9.89 грн |
| 1000+ | 8.92 грн |
| 5000+ | 7.79 грн |
| 10000+ | 7.65 грн |
| BAS4006WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS4006WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7509TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.23 грн |
| IRLHS6376TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 52.50 грн |
| 25+ | 33.82 грн |
| 100+ | 23.75 грн |
| 500+ | 15.74 грн |
| 1000+ | 11.93 грн |
| 5000+ | 10.81 грн |
| EVALSHNBV01DPS422TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS422TOBO1 - Evaluationsboard, Sensor-Hub Nano, DPS422 Luftdrucksensor, Bluetooth
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: DPS422, XMC1100
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS422/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS422TOBO1 - Evaluationsboard, Sensor-Hub Nano, DPS422 Luftdrucksensor, Bluetooth
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: DPS422, XMC1100
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS422/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4505.32 грн |
| BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.82 грн |
| 200+ | 33.08 грн |
| 500+ | 23.66 грн |
| IRF8915TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.14 грн |
| 500+ | 27.76 грн |
| BAR6404WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6404WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6404WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 9.01 грн |
| 1000+ | 7.60 грн |
| 5000+ | 5.50 грн |
| BAR6403WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6403WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, SOD-323, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6403WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, SOD-323, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.44 грн |
| 5000+ | 5.03 грн |
| BAR6404E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6404E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6404E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.47 грн |
| 1000+ | 3.03 грн |
| 5000+ | 2.81 грн |
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 552.01 грн |
| 10+ | 384.11 грн |
| 100+ | 339.07 грн |
| 500+ | 253.25 грн |
| 1000+ | 228.85 грн |
| AUIRFS4127TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 384.11 грн |
| 100+ | 339.07 грн |
| 500+ | 253.25 грн |
| 1000+ | 228.85 грн |
| BFR193WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.44 грн |
| 1000+ | 6.23 грн |
| IRF7811AVTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R06KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 60
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 190
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 60
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 190
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S28HS512TGABHI010 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S28HS512TGABHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S28HS512TGABHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 698.61 грн |
| 10+ | 650.29 грн |
| 25+ | 629.81 грн |
| 50+ | 570.38 грн |
| 100+ | 511.76 грн |
| IRFR5410TRLPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 52.25 грн |
| 1000+ | 43.52 грн |
| IPA80R600P7XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 149.06 грн |
| 10+ | 84.36 грн |
| 100+ | 77.07 грн |
| 500+ | 61.83 грн |
| T1400N16H75VTXPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - T1400N16H75VTXPSA1 - Thyristor-Modul, 1.6kV, 150mA, Phasensteuerung, Modul, Schraub
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
RMS-Durchlassstrom: 3.2kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - T1400N16H75VTXPSA1 - Thyristor-Modul, 1.6kV, 150mA, Phasensteuerung, Modul, Schraub
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
RMS-Durchlassstrom: 3.2kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14281.72 грн |
| IDH12G65C6XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 373.46 грн |
| 10+ | 271.91 грн |
| 100+ | 169.53 грн |
| 500+ | 136.13 грн |





































