Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 286 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON Infineon-IGU04N60T-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141e47349ff51f4 Description: INFINEON - IGU04N60TAKMA1 - IGBT, 9.5 A, 1.5 V, 42 W, 600 V, TO-251, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9.5A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.28 грн
12+70.34 грн
100+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC47RELAXV1TOBO1 KITXMC47RELAXV1TOBO1 INFINEON Infineon-Board_User_Manual_XMC4700_XMC4800_Relax_Kit_Series-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf01513f8e052d07fc Description: INFINEON - KITXMC47RELAXV1TOBO1 - Relax-Kit-Board, XMC4700-F144K2048, 32 Bit, ARM Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4700-F144K2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Relax-Kit-Board XMC4700-F144K2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IR2175STRPBF INFINEON 60009.pdf Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.44 грн
250+155.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IFX9201SGAUMA1 IFX9201SGAUMA1 INFINEON 2211666.pdf Description: INFINEON - IFX9201SGAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, H-Brücke, 2 Ausgänge, 5V bis 36V Versorgung, 6Aout, SOIC-12
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.45 грн
10+285.75 грн
25+259.84 грн
50+223.24 грн
100+188.72 грн
250+179.70 грн
500+161.66 грн
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752RXUMA2 BSP752RXUMA2 INFINEON 2333303.pdf Description: INFINEON - BSP752RXUMA2 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, 1 Ausgang, 2.2V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.02ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.18 грн
10+113.33 грн
50+101.18 грн
100+84.94 грн
250+73.55 грн
500+71.47 грн
1000+68.27 грн
2500+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RXUMA1 BSP742RXUMA1 INFINEON 2333310.pdf Description: INFINEON - BSP742RXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, Active-Low, 1 Ausgang, 16V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.35ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.75 грн
10+97.14 грн
50+87.42 грн
100+72.46 грн
250+62.86 грн
500+60.43 грн
1000+58.42 грн
2500+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IM828XCCXKMA1 IM828XCCXKMA1 INFINEON Infineon-IM828-XCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b0174583d4d6d430c Description: INFINEON - IM828XCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6743.75 грн
5+6180.35 грн
10+5616.96 грн
50+5213.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 IM818SCCXKMA1 INFINEON Infineon-IM818-SCC-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1 Description: INFINEON - IM818SCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 8 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS Maxi
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Maxi
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.35 грн
5+1256.31 грн
10+1167.27 грн
50+1064.35 грн
100+981.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 IM818LCCXKMA1 INFINEON 3215559.pdf Description: INFINEON - IM818LCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 20 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi IM818 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2285.15 грн
5+2085.21 грн
10+1885.27 грн
50+1715.28 грн
100+1551.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 INFINEON INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.14 грн
50+23.72 грн
250+19.91 грн
1000+16.91 грн
7500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 INFINEON INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.72 грн
250+19.91 грн
1000+16.91 грн
7500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.75 грн
200+18.27 грн
500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB814E6327GR1HTSA1 BB814E6327GR1HTSA1 INFINEON 1849682.html Description: INFINEON - BB814E6327GR1HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 46.5 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 46.5pF
Produktpalette: BB814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.85 грн
500+9.02 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 BBY6602VH6327XTSA1 INFINEON bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400 Description: INFINEON - BBY6602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 71.5 pF, 50 mA, 12 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 71.5pF
Produktpalette: BBY66
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.78 грн
500+13.30 грн
1000+11.93 грн
5000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 BB844E6327HTSA1 INFINEON INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.06 грн
500+9.70 грн
1000+7.98 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 BB914E6327HTSA1 INFINEON 2580921.pdf Description: INFINEON - BB914E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.64 грн
500+13.76 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BBY5602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.38 грн
250+11.90 грн
1000+10.60 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI5012BE1000XUMA1 TLI5012BE1000XUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI5012BE1000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, SPI-kompatibel, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.18 грн
10+169.18 грн
25+161.09 грн
50+144.32 грн
100+128.36 грн
250+126.28 грн
500+124.20 грн
1000+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.46 грн
10+216.94 грн
100+153.80 грн
500+130.04 грн
1000+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.80 грн
500+130.04 грн
1000+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.99 грн
10+82.57 грн
100+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHV020 S80KS2562GABHV020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+773.86 грн
10+719.62 грн
25+697.77 грн
50+632.90 грн
100+570.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB020 S80KS2562GABHB020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.91 грн
10+628.15 грн
25+607.92 грн
50+552.47 грн
100+496.79 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHM020 S80KS2562GABHM020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.00 грн
10+791.67 грн
25+656.49 грн
50+546.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 S80KS2562GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013771847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.73 грн
10+533.45 грн
25+518.07 грн
50+431.45 грн
100+388.55 грн
250+376.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 S80KS2562GABHA020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.39 грн
10+539.11 грн
25+522.11 грн
50+474.30 грн
100+426.71 грн
250+412.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.98 грн
10+199.94 грн
100+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 EVAL6EDL04I06PTTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff Description: INFINEON - EVAL6EDL04I06PTTOBO1 - Evaluationsboard, 6EDL04I06PT, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 6EDL04I06PT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 6EDL04I06PT
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8324.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 ISO2H823V25XUMA1 INFINEON Infineon-ISO2H823V2.5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014bb73da14314b0 Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+735.81 грн
10+573.92 грн
25+533.45 грн
50+455.50 грн
100+385.08 грн
250+368.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 ISO2H823V25XUMA1 INFINEON Infineon-ISO2H823V2.5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014bb73da14314b0 Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+573.92 грн
25+533.45 грн
50+455.50 грн
100+385.08 грн
250+368.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.98 грн
100+34.56 грн
500+26.76 грн
1000+21.16 грн
5000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.77 грн
16+51.56 грн
100+36.99 грн
500+25.71 грн
1000+19.91 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.33 грн
50+27.36 грн
250+19.27 грн
1000+11.20 грн
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.28 грн
50+97.95 грн
250+65.81 грн
1000+44.50 грн
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.75 грн
61+13.28 грн
250+9.71 грн
1000+6.40 грн
7500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 BSS159NH6906XTSA1 INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.77 грн
50+45.57 грн
250+29.87 грн
1000+18.49 грн
22500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 INFINEON Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063 Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2319.15 грн
5+2073.07 грн
10+1826.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.52 грн
10+98.76 грн
100+76.01 грн
500+61.56 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+309.22 грн
50+195.08 грн
250+136.80 грн
1000+106.74 грн
2000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 IRF60SC241ARMA1 INFINEON 3934170.pdf Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 945 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 IRF60SC241ARMA1 INFINEON 3934170.pdf Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 945 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.98 грн
10+245.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.08 грн
250+136.80 грн
1000+106.74 грн
2000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.80 грн
250+106.04 грн
1000+79.68 грн
2000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.01 грн
500+61.56 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206 IRF60DM206 INFINEON INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 8173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.56 грн
10+211.27 грн
100+169.18 грн
500+118.76 грн
1000+107.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBF IRF6795MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF IRF6617TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.80 грн
500+74.11 грн
1000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.44 грн
1000+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF IRF6665TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.04 грн
500+59.46 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF IRF6617TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.66 грн
10+107.66 грн
100+85.80 грн
500+74.11 грн
1000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 ITS42K5DLDFXUMA1 INFINEON 2211690.pdf Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.42 грн
10+101.99 грн
50+93.09 грн
100+76.67 грн
250+66.19 грн
500+63.62 грн
1000+61.61 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 ITS42K5DLDFXUMA1 INFINEON 2211690.pdf Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.67 грн
250+66.19 грн
500+63.62 грн
1000+61.61 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-343072-EVAL-M2B CYBLE-343072-EVAL-M2B INFINEON Infineon-AIROC_Bluetooth_LE_module_evaluation_kit_CYBLE-343072-EVAL-M2B_Quick_start_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d710014017d7153dcce20de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_al Description: INFINEON - CYBLE-343072-EVAL-M2B - Evaluationsboard, CYW20835, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYBLE-343072-EVAL, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3042.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920835M2EVB-01 CYW920835M2EVB-01 INFINEON 3812110.pdf Description: INFINEON - CYW920835M2EVB-01 - Evaluationskit, CYW20835, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920835M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4375.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CY8C5888AXQ-LP096 INFINEON CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5888AXQ-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2461.62 грн
5+2227.68 грн
10+1993.74 грн
25+1630.34 грн
50+1475.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.36 грн
250+19.27 грн
1000+11.20 грн
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 Infineon-IGU04N60T-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141e47349ff51f4
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGU04N60TAKMA1 - IGBT, 9.5 A, 1.5 V, 42 W, 600 V, TO-251, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 9.5A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.28 грн
12+70.34 грн
100+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC47RELAXV1TOBO1 Infineon-Board_User_Manual_XMC4700_XMC4800_Relax_Kit_Series-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf01513f8e052d07fc
KITXMC47RELAXV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC47RELAXV1TOBO1 - Relax-Kit-Board, XMC4700-F144K2048, 32 Bit, ARM Cortex-M4F
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC4700-F144K2048
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Relax-Kit-Board XMC4700-F144K2048
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF 60009.pdf
IR2175STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2175STRPBF - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Sensor: SOIC
Ausgabeverzögerung: -
Eingang: Nicht invertierend
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Ruhestrom: 2mA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Gemessener Strom: 2mA
euEccn: NLR
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bandbreite: 15kHz
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
Qualifikation: -
Sinkstrom: -
Eingabeverzögerung: -
Gate-Treiber: Nicht isoliert
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.44 грн
250+155.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IFX9201SGAUMA1 2211666.pdf
IFX9201SGAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IFX9201SGAUMA1 - Motortreiber, DC-Bürstenmotor, H-Brücke, 2 Ausgänge, 5V bis 36V Versorgung, 6Aout, SOIC-12
tariffCode: 85423990
IC-Typ: H-Brücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 6A
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.45 грн
10+285.75 грн
25+259.84 грн
50+223.24 грн
100+188.72 грн
250+179.70 грн
500+161.66 грн
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752RXUMA2 2333303.pdf
BSP752RXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP752RXUMA2 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, 1 Ausgang, 2.2V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.02ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.18 грн
10+113.33 грн
50+101.18 грн
100+84.94 грн
250+73.55 грн
500+71.47 грн
1000+68.27 грн
2500+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RXUMA1 2333310.pdf
BSP742RXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP742RXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, Active-Low, 1 Ausgang, 16V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.35ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.75 грн
10+97.14 грн
50+87.42 грн
100+72.46 грн
250+62.86 грн
500+60.43 грн
1000+58.42 грн
2500+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IM828XCCXKMA1 Infineon-IM828-XCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b0174583d4d6d430c
IM828XCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM828XCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6743.75 грн
5+6180.35 грн
10+5616.96 грн
50+5213.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 Infineon-IM818-SCC-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1
IM818SCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM818SCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 8 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS Maxi
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Maxi
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.35 грн
5+1256.31 грн
10+1167.27 грн
50+1064.35 грн
100+981.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 3215559.pdf
IM818LCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM818LCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 20 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi IM818 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2285.15 грн
5+2085.21 грн
10+1885.27 грн
50+1715.28 грн
100+1551.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.14 грн
50+23.72 грн
250+19.91 грн
1000+16.91 грн
7500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.72 грн
250+19.91 грн
1000+16.91 грн
7500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP296NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.75 грн
200+18.27 грн
500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB814E6327GR1HTSA1 1849682.html
BB814E6327GR1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB814E6327GR1HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 46.5 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 46.5pF
Produktpalette: BB814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.85 грн
500+9.02 грн
1000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400
BBY6602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY6602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 71.5 pF, 50 mA, 12 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 71.5pF
Produktpalette: BBY66
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.78 грн
500+13.30 грн
1000+11.93 грн
5000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB844E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.06 грн
500+9.70 грн
1000+7.98 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 2580921.pdf
BB914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB914E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.64 грн
500+13.76 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
250+11.90 грн
1000+10.60 грн
5000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI5012BE1000XUMA1 INFN-S-A0001299759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI5012BE1000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI5012BE1000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, SPI-kompatibel, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.18 грн
10+169.18 грн
25+161.09 грн
50+144.32 грн
100+128.36 грн
250+126.28 грн
500+124.20 грн
1000+121.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.46 грн
10+216.94 грн
100+153.80 грн
500+130.04 грн
1000+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.80 грн
500+130.04 грн
1000+117.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPI086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 7400 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.99 грн
10+82.57 грн
100+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHV020 3681666.pdf
S80KS2562GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+773.86 грн
10+719.62 грн
25+697.77 грн
50+632.90 грн
100+570.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB020 3681666.pdf
S80KS2562GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+675.91 грн
10+628.15 грн
25+607.92 грн
50+552.47 грн
100+496.79 грн
250+480.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHM020 3681666.pdf
S80KS2562GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.00 грн
10+791.67 грн
25+656.49 грн
50+546.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 CYPR-S-A0013771847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS2562GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.73 грн
10+533.45 грн
25+518.07 грн
50+431.45 грн
100+388.55 грн
250+376.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 3681666.pdf
S80KS2562GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+580.39 грн
10+539.11 грн
25+522.11 грн
50+474.30 грн
100+426.71 грн
250+412.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.98 грн
10+199.94 грн
100+140.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff
EVAL6EDL04I06PTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL6EDL04I06PTTOBO1 - Evaluationsboard, 6EDL04I06PT, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 6EDL04I06PT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 6EDL04I06PT
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8324.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 Infineon-ISO2H823V2.5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014bb73da14314b0
ISO2H823V25XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+735.81 грн
10+573.92 грн
25+533.45 грн
50+455.50 грн
100+385.08 грн
250+368.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 Infineon-ISO2H823V2.5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014bb73da14314b0
ISO2H823V25XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+573.92 грн
25+533.45 грн
50+455.50 грн
100+385.08 грн
250+368.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.98 грн
100+34.56 грн
500+26.76 грн
1000+21.16 грн
5000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 506093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.77 грн
16+51.56 грн
100+36.99 грн
500+25.71 грн
1000+19.91 грн
5000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.33 грн
50+27.36 грн
250+19.27 грн
1000+11.20 грн
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.28 грн
50+97.95 грн
250+65.81 грн
1000+44.50 грн
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+22.75 грн
61+13.28 грн
250+9.71 грн
1000+6.40 грн
7500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS159NH6906XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.77 грн
50+45.57 грн
250+29.87 грн
1000+18.49 грн
22500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2319.15 грн
5+2073.07 грн
10+1826.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.52 грн
10+98.76 грн
100+76.01 грн
500+61.56 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+309.22 грн
50+195.08 грн
250+136.80 грн
1000+106.74 грн
2000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 3934170.pdf
IRF60SC241ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 945 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 3934170.pdf
IRF60SC241ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 945 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.98 грн
10+245.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description irf6717mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed1d801a86
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 1250 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.08 грн
250+136.80 грн
1000+106.74 грн
2000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6644TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.80 грн
250+106.04 грн
1000+79.68 грн
2000+72.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.056 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.01 грн
500+61.56 грн
1000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206 INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF60DM206
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 8173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.56 грн
10+211.27 грн
100+169.18 грн
500+118.76 грн
1000+107.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBF INFN-S-A0012826699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6795MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6617TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.80 грн
500+74.11 грн
1000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+86.44 грн
1000+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6665TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.04 грн
500+59.46 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6616TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6617TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.66 грн
10+107.66 грн
100+85.80 грн
500+74.11 грн
1000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 2211690.pdf
ITS42K5DLDFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.42 грн
10+101.99 грн
50+93.09 грн
100+76.67 грн
250+66.19 грн
500+63.62 грн
1000+61.61 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 2211690.pdf
ITS42K5DLDFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.67 грн
250+66.19 грн
500+63.62 грн
1000+61.61 грн
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-343072-EVAL-M2B Infineon-AIROC_Bluetooth_LE_module_evaluation_kit_CYBLE-343072-EVAL-M2B_Quick_start_guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d710014017d7153dcce20de&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_al
CYBLE-343072-EVAL-M2B
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-343072-EVAL-M2B - Evaluationsboard, CYW20835, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYBLE-343072-EVAL, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3042.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920835M2EVB-01 3812110.pdf
CYW920835M2EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920835M2EVB-01 - Evaluationskit, CYW20835, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920835M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4375.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5888AXQ-LP096
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888AXQ-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: No
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2461.62 грн
5+2227.68 грн
10+1993.74 грн
25+1630.34 грн
50+1475.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 178402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.36 грн
250+19.27 грн
1000+11.20 грн
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]