Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25139) > Сторінка 286 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF INFINEON irfr7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635a778211a Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.04 грн
500+27.58 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11TFIV20 S29GL01GS11TFIV20 INFINEON 2330412.pdf Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.73 грн
10+990.75 грн
25+950.58 грн
50+818.97 грн
100+677.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 1EDN8511BXUSA1 INFINEON 2718718.pdf Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.25 грн
14+62.01 грн
100+39.50 грн
500+30.23 грн
1000+21.95 грн
2500+20.37 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116UXTSA1 1EDN7116UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.62 грн
13+69.03 грн
100+46.69 грн
500+34.50 грн
1000+28.83 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7136UXTSA1 1EDN7136UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.03 грн
11+78.32 грн
100+49.87 грн
500+36.91 грн
1000+26.82 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.03 грн
11+78.41 грн
100+49.96 грн
500+40.17 грн
1000+29.19 грн
2500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.78 грн
13+66.61 грн
100+42.42 грн
500+34.11 грн
1000+24.74 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7126UXTSA1 1EDN7126UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.96 грн
500+40.17 грн
1000+29.19 грн
2500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.42 грн
500+34.11 грн
1000+24.74 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7136UXTSA1 1EDN7136UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.87 грн
500+36.91 грн
1000+26.82 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116UXTSA1 1EDN7116UXTSA1 INFINEON 3812604.pdf Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.69 грн
500+34.50 грн
1000+28.83 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-243053-EVAL CYBT-243053-EVAL INFINEON 3760598.pdf Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL - EVAL.KIT, BLUETOOTH LE-DRAHTLOSMODUL
tariffCode: 85423990
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-243053-02, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3200.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214009-EVAL CYBLE-214009-EVAL INFINEON 2171923.pdf Description: INFINEON - CYBLE-214009-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PSoC, CYBLE-214009-00
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214009-00
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Eval Board CYBLE-214009-00
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1273.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY5676A CY5676A INFINEON Description: INFINEON - CY5676A - Entwicklungsboard, CY5676A PRoC™-BLE-256kB-Modul, Bluetooth 4.2-Funk, 45 x 27 x 2mm
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBL11573-56LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBL11573-56LQXI
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.86 грн
5+856.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.16 грн
500+14.84 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 INFINEON Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.41 грн
37+22.76 грн
100+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1 INFINEON Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896ffd44ecb Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.33 грн
500+18.80 грн
1000+17.21 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.86 грн
250+21.67 грн
1000+18.42 грн
7500+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 BFR340FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.88 грн
104+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 INFINEON INFNS22473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.33 грн
71+11.80 грн
100+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 BFR35APE6327HTSA1 INFINEON INFNS22473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6765XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 INFINEON Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON 3929310.pdf Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.17 грн
500+16.39 грн
1000+14.49 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 BAT1707E6327HTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.23 грн
500+11.58 грн
1000+10.18 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 4V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.34 грн
1000+6.57 грн
5000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.91 грн
50+25.77 грн
100+18.83 грн
500+14.53 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.83 грн
500+14.53 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021CV33-10ZSXA CY7C1021CV33-10ZSXA INFINEON 2309586.pdf Description: INFINEON - CY7C1021CV33-10ZSXA - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.97 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.33 грн
10+405.84 грн
25+385.76 грн
50+339.55 грн
100+273.99 грн
250+272.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 INFINEON Infineon-Sense2GoL%20Pulse-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016eb7b647e40f3f Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 - Development Kit, BGT24LTR11/XMC1302/XMC4200, HF-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT24LTR11
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT24LTR11
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10384.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOPOSITION2GOTOBO1 DEMOPOSITION2GOTOBO1 INFINEON 2774207.pdf Description: INFINEON - DEMOPOSITION2GOTOBO1 - Evaluationskit, Position2Go Radar-Tracking, BGT24MTR12, Fast Chirp FMCW, Bewegungstracking
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BGT24MTR12, XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Position2Go-Demoboard BGT24MTR12/XMC4700/XMC4200, Tripelspiegel, SW-GUI für Bedienung des Kits, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21262.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 INFINEON Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 - DEMOKIT SENSE2GOL MAKE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demokit Sense2GoL Make
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12385.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV10ATMA2 TLE4274GV10ATMA2 INFINEON 2577613.pdf Description: INFINEON - TLE4274GV10ATMA2 - LDO-FESTSP.REGLER 10V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 10V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.48 грн
10+107.11 грн
50+102.09 грн
100+89.36 грн
250+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-3DMS2GO_TLE493D-W2B6-UM-v01_00-EN-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016418342fea3f54 Description: INFINEON - TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, 3D-Magnetsensor 2GO, TLE493W-A2B6 3D-Hall-Sensor, I2C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: 2 Go-Evaluationskit TLE493D-W2B6/XMC4200/XMC1100, eigenständiger Blockmagnet
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-W2B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON 1912230.pdf Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.75 грн
50+22.34 грн
250+11.88 грн
1000+9.79 грн
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.40 грн
50+23.68 грн
250+15.06 грн
1000+8.86 грн
3000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC11BOOT001TOBO1 KITXMC11BOOT001TOBO1 INFINEON 2059677.pdf Description: INFINEON - KITXMC11BOOT001TOBO1 - Evaluationsboard, XMC1100-MCU, Arduino-Shield-kompatibel, abnehmbarer SEGGER J-Link
tariffCode: 84715000
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1100
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2406.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC13BOOT001TOBO1 KITXMC13BOOT001TOBO1 INFINEON 1847284.pdf Description: INFINEON - KITXMC13BOOT001TOBO1 - CPU-Karte, Boot-Kit für XMC1300-MCU, abnehmbarer SEGGER J-Link-Debugger
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: CPU-Karte XMC1300 & Segger J-Link-Debugger
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1000
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1300
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3035.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 INFINEON 2570376.pdf Description: INFINEON - KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 - Debugger, XMC Link, MCUs der Baureihe XMC4000/XMC1000, isolierter Debugging-Tastkopf
tariffCode: 90308200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000, XMC1000
Lieferumfang des Kits: Isolierter Debugging-Tastkopf KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
Merkmale: 1kV DC funktionale Isolierung, Debugging-Protokolle JTAG/SWD/SPD/Serial Wire Viewer/Output/Virtual COM-Port
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger-Tastkopf
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6545.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6359HTMA1 BAT60BE6359HTMA1 INFINEON 2333776.pdf Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.38 грн
500+8.47 грн
1000+5.97 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6359HTMA1 BAT60BE6359HTMA1 INFINEON 2333776.pdf Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.22 грн
40+21.17 грн
100+12.38 грн
500+8.47 грн
1000+5.97 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.48 грн
11+78.41 грн
100+61.59 грн
500+43.36 грн
1000+34.07 грн
5000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON INFNS16207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0195 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.76 грн
12+73.22 грн
100+56.06 грн
500+41.03 грн
1000+31.92 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS16424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.64 грн
10+85.35 грн
100+62.34 грн
500+47.55 грн
1000+37.08 грн
5000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.11 грн
19+44.77 грн
100+34.14 грн
500+24.09 грн
1000+18.72 грн
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.00 грн
22+39.50 грн
100+31.46 грн
500+24.86 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3GATMA1 INFINEON INFNS15778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.33 грн
10+87.86 грн
100+64.60 грн
500+49.03 грн
1000+39.16 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.65 грн
31+27.03 грн
100+21.34 грн
500+14.37 грн
1000+11.91 грн
5000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354 Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.78 грн
15+56.32 грн
100+37.57 грн
500+24.94 грн
1000+19.15 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.50 грн
19+44.85 грн
100+34.98 грн
500+28.21 грн
1000+23.88 грн
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 INFINEON dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0035 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.99 грн
14+64.26 грн
100+44.77 грн
500+33.49 грн
1000+26.32 грн
5000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5 Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.48 грн
10+83.68 грн
100+62.59 грн
500+49.34 грн
1000+42.89 грн
5000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 ITS5215LCUMA1 INFINEON 1523206.pdf Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+169.87 грн
50+156.48 грн
100+129.76 грн
250+113.32 грн
500+109.74 грн
1000+104.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 INFINEON INFNS27222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 0.0045 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.24 грн
18+46.78 грн
100+35.48 грн
500+29.53 грн
1000+24.03 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SLHTSA1 BTS3800SLHTSA1 INFINEON Infineon-BTS3800SL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0af2a361e Description: INFINEON - BTS3800SLHTSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 0.75A, PG-SCT595-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 750mA
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.31 грн
500+28.52 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 INFINEON BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0049 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.63 грн
15+58.41 грн
100+40.58 грн
500+28.36 грн
1000+21.37 грн
5000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON INFNS16421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.49 грн
19+45.60 грн
100+31.46 грн
500+21.83 грн
1000+16.64 грн
5000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF irfr7446pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635a778211a
IRFR7446TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.04 грн
500+27.58 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11TFIV20 2330412.pdf
S29GL01GS11TFIV20
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL01GS11TFIV20 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, CFI, parallel
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 110ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1067.73 грн
10+990.75 грн
25+950.58 грн
50+818.97 грн
100+677.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN8511BXUSA1 2718718.pdf
1EDN8511BXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.25 грн
14+62.01 грн
100+39.50 грн
500+30.23 грн
1000+21.95 грн
2500+20.37 грн
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7116UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.62 грн
13+69.03 грн
100+46.69 грн
500+34.50 грн
1000+28.83 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7136UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7136UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.03 грн
11+78.32 грн
100+49.87 грн
500+36.91 грн
1000+26.82 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7126UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7126UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.03 грн
11+78.41 грн
100+49.96 грн
500+40.17 грн
1000+29.19 грн
2500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7146UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7146UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.78 грн
13+66.61 грн
100+42.42 грн
500+34.11 грн
1000+24.74 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7126UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7126UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7126UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.96 грн
500+40.17 грн
1000+29.19 грн
2500+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7146UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7146UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7146UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 500mA
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.42 грн
500+34.11 грн
1000+24.74 грн
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7136UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7136UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.87 грн
500+36.91 грн
1000+26.82 грн
2500+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116UXTSA1 3812604.pdf
1EDN7116UXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.69 грн
500+34.50 грн
1000+28.83 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-243053-EVAL 3760598.pdf
CYBT-243053-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-243053-EVAL - EVAL.KIT, BLUETOOTH LE-DRAHTLOSMODUL
tariffCode: 85423990
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-243053-02, USB-Kabel, praktische, benutzerdefinierte Taste, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M4F
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
usEccn: 5A992.c
Prozessorfamilie: ARM
euEccn: NLR
Prozessorkern: CYBT-243053-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3200.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-214009-EVAL 2171923.pdf
CYBLE-214009-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-214009-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PSoC, CYBLE-214009-00
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBLE-214009-00
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Eval Board CYBLE-214009-00
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1273.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY5676A
CY5676A
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY5676A - Entwicklungsboard, CY5676A PRoC™-BLE-256kB-Modul, Bluetooth 4.2-Funk, 45 x 27 x 2mm
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBL11573-56LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBL11573-56LQXI
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.86 грн
5+856.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.16 грн
500+14.84 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 INFNS27666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6765XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFR360FH6765XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR360FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.41 грн
37+22.76 грн
100+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896ffd44ecb
BFR740L3RHE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR740L3RHE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 47GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.33 грн
500+18.80 грн
1000+17.21 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 INFN-S-A0008993842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.86 грн
250+21.67 грн
1000+18.42 грн
7500+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR360FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR340FH6327XTSA1 INFN-S-A0008993595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR340FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR340FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 75 mW, 20 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.88 грн
104+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 INFNS22473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR35APE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+18.33 грн
71+11.80 грн
100+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BFR35APE6327HTSA1 INFNS22473-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR35APE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR35APE6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6765XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFR360FH6765XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR360FH6765XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 9 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 9V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR843EL3E6327XTSA1 3929310.pdf
BFR843EL3E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.17 грн
500+16.39 грн
1000+14.49 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1707E6327HTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1707E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.23 грн
500+11.58 грн
1000+10.18 грн
5000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 INFNS15700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 4V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.34 грн
1000+6.57 грн
5000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.91 грн
50+25.77 грн
100+18.83 грн
500+14.53 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.83 грн
500+14.53 грн
1500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021CV33-10ZSXA 2309586.pdf
CY7C1021CV33-10ZSXA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1021CV33-10ZSXA - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 64K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.97 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 64K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.33 грн
10+405.84 грн
25+385.76 грн
50+339.55 грн
100+273.99 грн
250+272.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 Infineon-Sense2GoL%20Pulse-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016eb7b647e40f3f
DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLPULSETOBO1 - Development Kit, BGT24LTR11/XMC1302/XMC4200, HF-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT24LTR11
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT24LTR11
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10384.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOPOSITION2GOTOBO1 2774207.pdf
DEMOPOSITION2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOPOSITION2GOTOBO1 - Evaluationskit, Position2Go Radar-Tracking, BGT24MTR12, Fast Chirp FMCW, Bewegungstracking
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BGT24MTR12, XMC4700
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Position2Go-Demoboard BGT24MTR12/XMC4700/XMC4200, Tripelspiegel, SW-GUI für Bedienung des Kits, USB-Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: HF-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21262.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1
DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOSENSE2GOLMAKETOBO1 - DEMOKIT SENSE2GOL MAKE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: -
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demokit Sense2GoL Make
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12385.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274GV10ATMA2 2577613.pdf
TLE4274GV10ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274GV10ATMA2 - LDO-FESTSP.REGLER 10V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 10.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 10V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.48 грн
10+107.11 грн
50+102.09 грн
100+89.36 грн
250+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 Infineon-Infineon-3DMS2GO_TLE493D-W2B6-UM-v01_00-EN-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016418342fea3f54
TLE493DW2B6MS2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6MS2GOTOBO1 - Evaluationskit, 3D-Magnetsensor 2GO, TLE493W-A2B6 3D-Hall-Sensor, I2C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: 2 Go-Evaluationskit TLE493D-W2B6/XMC4200/XMC1100, eigenständiger Blockmagnet
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE493D-W2B6
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2199.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF 1912230.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.75 грн
50+22.34 грн
250+11.88 грн
1000+9.79 грн
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF INFN-S-A0012905411-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5203TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.40 грн
50+23.68 грн
250+15.06 грн
1000+8.86 грн
3000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC11BOOT001TOBO1 2059677.pdf
KITXMC11BOOT001TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC11BOOT001TOBO1 - Evaluationsboard, XMC1100-MCU, Arduino-Shield-kompatibel, abnehmbarer SEGGER J-Link
tariffCode: 84715000
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard XMC1100
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1100
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1100
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2406.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC13BOOT001TOBO1 1847284.pdf
KITXMC13BOOT001TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMC13BOOT001TOBO1 - CPU-Karte, Boot-Kit für XMC1300-MCU, abnehmbarer SEGGER J-Link-Debugger
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: CPU-Karte XMC1300 & Segger J-Link-Debugger
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: XMC1000
euEccn: NLR
Prozessorkern: XMC1300
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3035.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 2570376.pdf
KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1 - Debugger, XMC Link, MCUs der Baureihe XMC4000/XMC1000, isolierter Debugging-Tastkopf
tariffCode: 90308200
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: XMC4000, XMC1000
Lieferumfang des Kits: Isolierter Debugging-Tastkopf KITXMCLINKSEGGERV1TOBO1
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M4
Merkmale: 1kV DC funktionale Isolierung, Debugging-Protokolle JTAG/SWD/SPD/Serial Wire Viewer/Output/Virtual COM-Port
hazardous: false
IC-Produkttyp: Debugger-Tastkopf
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6545.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6359HTMA1 2333776.pdf
BAT60BE6359HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
500+8.47 грн
1000+5.97 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6359HTMA1 2333776.pdf
BAT60BE6359HTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60BE6359HTMA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 10V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.22 грн
40+21.17 грн
100+12.38 грн
500+8.47 грн
1000+5.97 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
11+78.41 грн
100+61.59 грн
500+43.36 грн
1000+34.07 грн
5000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 INFNS16207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0195 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.76 грн
12+73.22 грн
100+56.06 грн
500+41.03 грн
1000+31.92 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 INFNS16424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ067N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.64 грн
10+85.35 грн
100+62.34 грн
500+47.55 грн
1000+37.08 грн
5000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.11 грн
19+44.77 грн
100+34.14 грн
500+24.09 грн
1000+18.72 грн
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
BSZ110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.00 грн
22+39.50 грн
100+31.46 грн
500+24.86 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1 INFNS15778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.33 грн
10+87.86 грн
100+64.60 грн
500+49.03 грн
1000+39.16 грн
5000+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 INFNS27239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.65 грн
31+27.03 грн
100+21.34 грн
500+14.37 грн
1000+11.91 грн
5000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3+Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c32dbf312354
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 111958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.78 грн
15+56.32 грн
100+37.57 грн
500+24.94 грн
1000+19.15 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.50 грн
19+44.85 грн
100+34.98 грн
500+28.21 грн
1000+23.88 грн
5000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSC042N03LSGATMA1 dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
BSC042N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC042N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0035 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.99 грн
14+64.26 грн
100+44.77 грн
500+33.49 грн
1000+26.32 грн
5000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5
BSC123N10LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+115.48 грн
10+83.68 грн
100+62.59 грн
500+49.34 грн
1000+42.89 грн
5000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 1523206.pdf
ITS5215LCUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS5215LCUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 40V, 12A, PG-DSO-12-2
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.07ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 12A
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.60 грн
10+169.87 грн
50+156.48 грн
100+129.76 грн
250+113.32 грн
500+109.74 грн
1000+104.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1 INFNS27222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 0.0045 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.24 грн
18+46.78 грн
100+35.48 грн
500+29.53 грн
1000+24.03 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SLHTSA1 Infineon-BTS3800SL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0af2a361e
BTS3800SLHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3800SLHTSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, 1 Ausgang, 0.75A, PG-SCT595-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.8ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 750mA
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.31 грн
500+28.52 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0049 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.63 грн
15+58.41 грн
100+40.58 грн
500+28.36 грн
1000+21.37 грн
5000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 INFNS16421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.49 грн
19+45.60 грн
100+31.46 грн
500+21.83 грн
1000+16.64 грн
5000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 281 282 283 284 285 286 287 288 289 290 291 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]