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IRG4IBC30KDPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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BFP193WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP020N06NAKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-TreibertariffCode: 84733080 Prozessorkern: 1ED020I12-F2 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber hazardous: false usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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DD260N12KHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 9.5 Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1.32 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFI1310NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8CKIT-046 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8CKIT-046 - Pioneer-Kit, CY8C4248BZI-L489, Produktfamilie PSoC 4, ARM Cortex-M0tariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Pioneer-Board CY8C4248BZI-L489, USB-Kabel, 4 Überbrückungsdrähte/2 Drähte für Näherungssensor, Stereo-Audio-Kopfhörer, Handbuch Prozessorhersteller: NXP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anzahl der Bits: - Prozessorserie: Cortex-M0 usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: PSoC 4 euEccn: NLR Prozessorkern: CY8C4248BZI-L489 Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: ARM SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DDB6U144N16RBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.65 V, Brücke, ModultariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 1.2kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.65V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DDB6U215N16LHOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U215N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 300 A, 1.61 V, Brücke, Modul, 14 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 2.2kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.61V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: eupec IsoPACK productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DDB6U205N16LHOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U205N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 200 A, 1.47 V, Brücke, ISOPACK, 6 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: ISOPACK Durchlassstoßstrom: 1.6kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.47V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: eupec IsoPACK productTraceability: No Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DDB6U144N16RBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 150 A, 1.65 V, Brücke, ModultariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 1.2 Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1.65 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6 Anzahl der Pins: - Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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TDB6HK124N16RRBOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGEtariffCode: 85423911 Haltestrom, max.: 200 hazardous: false Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650 usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 70 Zündspannung, max.: 2.5 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR Anzahl der Pins: 22 Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Zündstrom, max.: 150 Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRLS3034TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF9362TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6305E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6305E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.3 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.3pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR63 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6702VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6702VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1.5 ohm, 150 V, SC-79, 2 Pins, 0.35 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.35pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6304WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6304WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pins, 0.21 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.21pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR66E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR66E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.8 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.9 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe usEccn: EAR99 Sperrspannung: 150V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.9pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAR66 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYT2BL5CAAQ0AZEGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT2BL5CAAQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 4 MBtariffCode: 85423190 ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: LQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 5A992.c Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 39Kanäle Programmspeichergröße: 4MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 160MHz euEccn: NLR MCU-Familie: Traveo T2G RAM-Speichergröße: 512KB MCU-Baureihe: CYT2BL Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS4006E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4006E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS4 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALPSIRS200XTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALPSIRS200XTOBO1 - Evaluationsboard, IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S, MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Prozessorkern: IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 - Demoboard, TLD1114-1EP, LED-Treiber, linear, 0.36A, 7Vout, 8V bis 16VtariffCode: 84733020 rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Demoboard TLD1114-1EP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 360mA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 7V Core-Chip: TLD1114-1EP Eingangsspannung, max.: 16V Dimmsteuerung: - euEccn: NLR Bausteintopologie: Linear Eingangsspannung, min.: 8V Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR18N15DTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Verlustleistung: 110 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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AUIRFR4620TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFR4620TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| AUIRFR4620 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 24 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 144 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 144 Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
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BAS7004WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS7004WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 46938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C4247AZI-L485 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-L485 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KBtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 16Kanäle Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C42xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFH9310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFH5053TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TDB6HK180N16RRB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 140A Produktpalette: EconoBRIDGE Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TDB6HK180N16RRBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 140A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 140A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF8734TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR3711ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR3711ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1009D-10VXI. | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1009D-10VXI. - SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount Versorgungsspannung: 4.5V to 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchronous SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY62128EV30LL-45SXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY62128EV30LL-45SXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY62128EV30LL-45SXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY15B104Q-SXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15B104Q-SXI - FRAM, 4MB (512K x 8), SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 40MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT68E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT68 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 57155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYBLE-014008-EVAL | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBLE-014008-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoCtariffCode: 84733020 Prozessorkern: - Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Cypress Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, EZ-BLE-PSoC-Modul (separat erhältlich) euEccn: NLR Unterart Anwendung: Bluetooth hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF80R12W2H3FB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 80A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSiC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE9210823QXAPPKITTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9210823QXAPPKITTOBO1 - EVALUATION BOARD, MULTI-MOSFET DRIVERtariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE92108-231QX/TLE92108-232QX Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92108-231QX/TLE92108-232QX euEccn: NLR Unterart Anwendung: Multi-MOSFET-Treiber hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPW65R090CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR3114ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR3915TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR8259TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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IRLR6225TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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IRLR2703TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR3915TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR3110ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 68959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRG4IBC30KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| BFP193WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.45 грн |
| 112+ | 7.34 грн |
| 144+ | 5.70 грн |
| 500+ | 4.93 грн |
| 1000+ | 4.35 грн |
| 5000+ | 3.41 грн |
| IPP020N06NAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.04 грн |
| 10+ | 171.17 грн |
| 100+ | 125.31 грн |
| BSS215PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.51 грн |
| 250+ | 14.66 грн |
| 1000+ | 7.10 грн |
| 5000+ | 5.88 грн |
| IPW60R190P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 262.90 грн |
| 10+ | 195.74 грн |
| 100+ | 158.89 грн |
| 500+ | 94.30 грн |
| 1000+ | 85.64 грн |
| IPW60R160P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 312.86 грн |
| 10+ | 276.00 грн |
| 100+ | 192.46 грн |
| EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DD260N12KHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12916.45 грн |
| 5+ | 12587.21 грн |
| 10+ | 12217.84 грн |
| IRFI1310NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 185.91 грн |
| 13+ | 64.46 грн |
| 100+ | 62.41 грн |
| 500+ | 56.58 грн |
| 1000+ | 51.53 грн |
| CY8CKIT-046 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-046 - Pioneer-Kit, CY8C4248BZI-L489, Produktfamilie PSoC 4, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Pioneer-Board CY8C4248BZI-L489, USB-Kabel, 4 Überbrückungsdrähte/2 Drähte für Näherungssensor, Stereo-Audio-Kopfhörer, Handbuch
Prozessorhersteller: NXP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C4248BZI-L489
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8CKIT-046 - Pioneer-Kit, CY8C4248BZI-L489, Produktfamilie PSoC 4, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Pioneer-Board CY8C4248BZI-L489, USB-Kabel, 4 Überbrückungsdrähte/2 Drähte für Näherungssensor, Stereo-Audio-Kopfhörer, Handbuch
Prozessorhersteller: NXP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C4248BZI-L489
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9601.96 грн |
| DDB6U144N16RBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.65V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.65V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11577.38 грн |
| 5+ | 10722.35 грн |
| 10+ | 9866.49 грн |
| DDB6U215N16LHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U215N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 300 A, 1.61 V, Brücke, Modul, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.61V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - DDB6U215N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 300 A, 1.61 V, Brücke, Modul, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.61V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12798.51 грн |
| DDB6U205N16LHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U205N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 200 A, 1.47 V, Brücke, ISOPACK, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ISOPACK
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.47V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - DDB6U205N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 200 A, 1.47 V, Brücke, ISOPACK, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ISOPACK
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.47V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14280.08 грн |
| DDB6U144N16RBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 150 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.65
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 150 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.65
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TDB6HK124N16RRBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGE
tariffCode: 85423911
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 70
Zündspannung, max.: 2.5
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGE
tariffCode: 85423911
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 70
Zündspannung, max.: 2.5
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLS3034TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 189.36 грн |
| 250+ | 171.29 грн |
| IPW60R070P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 499.59 грн |
| 10+ | 407.86 грн |
| 100+ | 235.87 грн |
| IRF9362TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.10 грн |
| 250+ | 36.86 грн |
| 1000+ | 23.73 грн |
| 2000+ | 20.08 грн |
| ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.08 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 15.72 грн |
| 81+ | 10.16 грн |
| 115+ | 7.16 грн |
| 500+ | 6.08 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| BAR6305E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6305E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6305E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.40 грн |
| 500+ | 9.20 грн |
| 1000+ | 8.07 грн |
| BAR6702VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6702VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1.5 ohm, 150 V, SC-79, 2 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6702VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1.5 ohm, 150 V, SC-79, 2 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.69 грн |
| 250+ | 10.07 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| 5000+ | 7.30 грн |
| BAR6304WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6304WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6304WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.45 грн |
| 1000+ | 4.77 грн |
| 5000+ | 4.43 грн |
| BAR66E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR66E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.8 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.9 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.9pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR66E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.8 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.9 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.9pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.74 грн |
| 1000+ | 5.95 грн |
| CYT2BL5CAAQ0AZEGS |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT2BL5CAAQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 4 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 512KB
MCU-Baureihe: CYT2BL
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CYT2BL5CAAQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 4 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 512KB
MCU-Baureihe: CYT2BL
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1454.54 грн |
| 10+ | 1162.98 грн |
| 25+ | 1013.92 грн |
| 50+ | 866.21 грн |
| 100+ | 783.43 грн |
| BAS4006E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAS4006E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.65 грн |
| 500+ | 7.35 грн |
| 1000+ | 5.97 грн |
| 5000+ | 3.76 грн |
| EVALPSIRS200XTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPSIRS200XTOBO1 - Evaluationsboard, IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVALPSIRS200XTOBO1 - Evaluationsboard, IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12602.77 грн |
| BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 - Demoboard, TLD1114-1EP, LED-Treiber, linear, 0.36A, 7Vout, 8V bis 16V
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLD1114-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 360mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 7V
Core-Chip: TLD1114-1EP
Eingangsspannung, max.: 16V
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 - Demoboard, TLD1114-1EP, LED-Treiber, linear, 0.36A, 7Vout, 8V bis 16V
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLD1114-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 360mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 7V
Core-Chip: TLD1114-1EP
Eingangsspannung, max.: 16V
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5561.83 грн |
| IRFR18N15DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| AUIRFR4620TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 266.99 грн |
| 50+ | 231.78 грн |
| 100+ | 181.00 грн |
| 500+ | 149.82 грн |
| 1500+ | 135.49 грн |
| AUIRFR4620TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 181.00 грн |
| 500+ | 149.82 грн |
| 1500+ | 135.49 грн |
| AUIRFR4620 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAS7004WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAS7004WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.89 грн |
| 1000+ | 5.02 грн |
| 5000+ | 3.88 грн |
| CY8C4247AZI-L485 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-L485 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-L485 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 864.04 грн |
| 10+ | 761.67 грн |
| 25+ | 701.06 грн |
| IRFH9310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.14 грн |
| 50+ | 99.10 грн |
| 250+ | 66.58 грн |
| 1000+ | 45.63 грн |
| 2000+ | 41.28 грн |
| IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 170.35 грн |
| 10+ | 116.30 грн |
| 100+ | 83.54 грн |
| 500+ | 61.60 грн |
| 1000+ | 52.79 грн |
| 5000+ | 52.72 грн |
| TDB6HK180N16RRB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6846.84 грн |
| 5+ | 6752.66 грн |
| 10+ | 6658.47 грн |
| TDB6HK180N16RRBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7278.45 грн |
| 5+ | 6608.51 грн |
| 10+ | 5938.57 грн |
| IRF8734TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.22 грн |
| 250+ | 34.89 грн |
| 1000+ | 29.74 грн |
| 2000+ | 25.34 грн |
| IRFR3711ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 75.18 грн |
| 14+ | 60.85 грн |
| 100+ | 46.68 грн |
| 500+ | 39.17 грн |
| 1000+ | 30.61 грн |
| 5000+ | 29.98 грн |
| IRFR3711ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.68 грн |
| 500+ | 39.17 грн |
| 1000+ | 30.61 грн |
| 5000+ | 29.98 грн |
| CY7C1009D-10VXI. |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1009D-10VXI. - SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Versorgungsspannung: 4.5V to 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - CY7C1009D-10VXI. - SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Versorgungsspannung: 4.5V to 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 325.96 грн |
| CY62128EV30LL-45SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 344.80 грн |
| 10+ | 301.39 грн |
| 25+ | 249.80 грн |
| 50+ | 207.62 грн |
| 100+ | 176.90 грн |
| 250+ | 165.67 грн |
| 500+ | 156.55 грн |
| CY62128EV30LL-45SXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 136.19 грн |
| 250+ | 134.78 грн |
| CY62128EV30LL-45SXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 164.62 грн |
| 10+ | 162.98 грн |
| 25+ | 161.34 грн |
| 50+ | 148.30 грн |
| 100+ | 136.19 грн |
| 250+ | 134.78 грн |
| CY15B104Q-SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104Q-SXI - FRAM, 4MB (512K x 8), SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY15B104Q-SXI - FRAM, 4MB (512K x 8), SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1984.44 грн |
| 5+ | 1924.65 грн |
| 10+ | 1779.69 грн |
| 25+ | 1599.33 грн |
| 50+ | 1243.24 грн |
| BAT68E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.93 грн |
| 500+ | 7.83 грн |
| 1000+ | 6.90 грн |
| 5000+ | 6.43 грн |
| CYBLE-014008-EVAL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-014008-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, EZ-BLE-PSoC-Modul (separat erhältlich)
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - CYBLE-014008-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, EZ-BLE-PSoC-Modul (separat erhältlich)
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1412.78 грн |
| DF80R12W2H3FB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4090.90 грн |
| TLE9210823QXAPPKITTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9210823QXAPPKITTOBO1 - EVALUATION BOARD, MULTI-MOSFET DRIVER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Multi-MOSFET-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE9210823QXAPPKITTOBO1 - EVALUATION BOARD, MULTI-MOSFET DRIVER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Multi-MOSFET-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4066.34 грн |
| IPW60R160C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 323.50 грн |
| 10+ | 252.25 грн |
| IPW65R090CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 443.08 грн |
| 10+ | 351.35 грн |
| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 90.91 грн |
| 250+ | 62.41 грн |
| 1000+ | 42.21 грн |
| 3000+ | 36.93 грн |
| IRLR3915TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 140.05 грн |
| 10+ | 91.73 грн |
| 100+ | 63.06 грн |
| 500+ | 46.39 грн |
| 1000+ | 39.52 грн |
| IRLR8259TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLR6225TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| IRLR2703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 68.39 грн |
| 250+ | 45.70 грн |
| 1000+ | 32.40 грн |
| 2000+ | 25.06 грн |
| IRLR3915TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.06 грн |
| 500+ | 46.39 грн |
| 1000+ | 39.52 грн |
| IRLR3110ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 117.12 грн |
| 250+ | 86.81 грн |
| 1000+ | 60.08 грн |
| 3000+ | 50.54 грн |
| BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.28 грн |
| 250+ | 9.34 грн |
| 1000+ | 7.22 грн |
| 5000+ | 5.05 грн |







































