Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 379 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
F475R12KS4BPSA1 F475R12KS4BPSA1 INFINEON 2255529.pdf Description: INFINEON - F475R12KS4BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 3.2 V, 500 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12582.53 грн
5+11009.93 грн
10+9122.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_2K5W_CCM_TOLL KIT_2K5W_CCM_TOLL INFINEON Description: INFINEON - KIT_2K5W_CCM_TOLL - Evaluationskit, TO-Leadless (TOLL)-Adapter, SMD-Evaluierung für PFC-Anwendungen, 2.5kW
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: SMD-Adapterkit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_2K5W_CCM_4P_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6657.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.20 грн
10+428.66 грн
100+228.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 IPP029N06NXKSA1 INFINEON 1933797.pdf Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.24 грн
10+173.87 грн
100+128.25 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.51 грн
250+55.60 грн
1000+37.73 грн
3000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON 1849725.pdf Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.01 грн
10+112.76 грн
100+78.76 грн
500+60.58 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 IPDD60R045CFD7XTMA1 INFINEON 3177176.pdf Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+630.93 грн
5+546.58 грн
10+462.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+710.98 грн
5+612.86 грн
10+514.73 грн
50+430.01 грн
100+315.77 грн
250+309.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+503.54 грн
50+421.22 грн
100+307.66 грн
250+301.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 IPDD60R045CFD7XTMA1 INFINEON 3177176.pdf Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+549.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015353.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.61 грн
5+2046.02 грн
10+1500.30 грн
50+1316.40 грн
100+1143.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON 4265864.pdf Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2367.94 грн
5+2257.76 грн
10+2144.14 грн
50+1934.24 грн
100+1519.11 грн
250+1488.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 IMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+419.19 грн
10+319.34 грн
100+267.70 грн
500+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265866.pdf Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.96 грн
5+1119.84 грн
10+1055.29 грн
50+938.35 грн
100+651.47 грн
250+638.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.63 грн
10+253.92 грн
100+221.21 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4127743.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1627.69 грн
5+1508.04 грн
10+1387.54 грн
50+1266.85 грн
100+1091.19 грн
250+1028.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4127743.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1387.54 грн
50+1266.85 грн
100+1091.19 грн
250+1028.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 AIMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4015356.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.62 грн
5+795.34 грн
10+660.20 грн
50+541.91 грн
100+433.82 грн
250+433.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R050M2HXTMA1 INFINEON 4265867.pdf Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.16 грн
5+906.38 грн
10+853.87 грн
50+759.31 грн
100+527.52 грн
250+517.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265868.pdf Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.19 грн
5+580.15 грн
10+537.11 грн
50+465.98 грн
100+399.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2781.96 грн
5+2559.03 грн
10+1902.27 грн
50+1720.04 грн
100+1544.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 AIMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4015355.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1810.17 грн
5+1656.09 грн
10+1501.16 грн
50+1350.77 грн
100+1206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.69 грн
5+781.57 грн
10+683.44 грн
50+609.05 грн
100+537.85 грн
250+506.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON 4098636.pdf Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.07 грн
10+384.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+683.44 грн
50+609.05 грн
100+537.85 грн
250+506.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 AIMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4015356.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+660.20 грн
50+541.91 грн
100+433.82 грн
250+433.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015353.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2916.24 грн
5+2753.56 грн
10+2590.88 грн
50+2255.55 грн
100+1942.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 AIMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4015355.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1810.17 грн
5+1656.09 грн
10+1501.16 грн
50+1350.77 грн
100+1206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.21 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015354.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2939.48 грн
50+2638.40 грн
100+2352.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON 4098636.pdf Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+370.99 грн
100+271.14 грн
500+219.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 IMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+267.70 грн
500+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXI CY7C65213-28PVXI INFINEON 2309551.pdf Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1441KV33-133AXI CY7C1441KV33-133AXI INFINEON CYPR-S-A0011122642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5359.93 грн
5+5152.48 грн
10+4944.18 грн
25+4437.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.90 грн
500+34.37 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7111 CY7111 INFINEON download Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7110 CY7110 INFINEON download Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7112 CY7112 INFINEON Infineon-CY7112_EZ-PD_PMG1-S2_Prototyping_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f039dbb1b30&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7113 CY7113 INFINEON Infineon-EZ-PD_PMG1_MCU_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed9c72a6b3670 Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1813.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE CY62137FV30LL-55ZSXE INFINEON 4092539.pdf Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.98 грн
10+597.36 грн
25+576.71 грн
50+524.32 грн
100+397.67 грн
250+393.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM5IMZ120RSICTOBO1 EVALM5IMZ120RSICTOBO1 INFINEON 3177356.pdf Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON 3732201.pdf Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.24 грн
10+360.66 грн
100+291.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.54 грн
5+406.28 грн
10+309.01 грн
50+281.34 грн
100+253.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3HOSA1 FF300R12KE3HOSA1 INFINEON Infineon-FF300R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b63c5d4d Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11120.97 грн
5+10422.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12ME4BOSA1 FF300R12ME4BOSA1 INFINEON Infineon-FF300R12ME4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a76a01c216c55 Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12759.85 грн
5+11070.18 грн
10+9379.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3BOMA1 FP50R06W2E3BOMA1 INFINEON Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24 Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3746.87 грн
5+3266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 TLS205B0LDV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224 Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.76 грн
11+81.26 грн
50+72.48 грн
100+59.71 грн
250+51.79 грн
500+49.80 грн
1000+48.18 грн
2500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 TLS850F2TAV50ATMA1 INFINEON Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5 Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.81 грн
10+197.11 грн
25+181.62 грн
50+161.45 грн
100+142.39 грн
250+135.02 грн
500+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Eingangsspannung, max.: 28V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17392.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM818ATOBO1 EVALM1IM818ATOBO1 INFINEON Infineon-AN2018-35_EVAL-M1-IM818-A-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167bb2df0121ab1 Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15108.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13644ATOBO1 EVALM13644ATOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-M1-36-44MA-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d43c779907ffc Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7749.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluation_board_EVAL_TOLT_DC36V_2KW-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887770003a49c0 Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
euEccn: 3A225
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+61100.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON 3999377.pdf Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.30 грн
500+112.70 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON 3999377.pdf Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.72 грн
10+195.39 грн
100+140.30 грн
500+112.70 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+417.47 грн
10+332.25 грн
100+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+387.34 грн
100+333.97 грн
500+290.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.52 грн
500+63.22 грн
1000+53.19 грн
5000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.58 грн
10+108.46 грн
100+89.52 грн
500+63.22 грн
1000+53.19 грн
5000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.87 грн
10+123.09 грн
100+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4BPSA1 2255529.pdf
F475R12KS4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F475R12KS4BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 3.2 V, 500 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12582.53 грн
5+11009.93 грн
10+9122.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_2K5W_CCM_TOLL
KIT_2K5W_CCM_TOLL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT_2K5W_CCM_TOLL - Evaluationskit, TO-Leadless (TOLL)-Adapter, SMD-Evaluierung für PFC-Anwendungen, 2.5kW
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: SMD-Adapterkit
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Evaluationsboard EVAL_2K5W_CCM_4P_V2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6657.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 3732309.pdf
IRFP4468PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.20 грн
10+428.66 грн
100+228.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 1933797.pdf
IPP029N06NXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.24 грн
10+173.87 грн
100+128.25 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF INFN-S-A0012838607-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3806TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0158 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.51 грн
250+55.60 грн
1000+37.73 грн
3000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 1849725.pdf
BSC900N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.01 грн
10+112.76 грн
100+78.76 грн
500+60.58 грн
1000+51.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 3177176.pdf
IPDD60R045CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+630.93 грн
5+546.58 грн
10+462.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 2612479.pdf
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+710.98 грн
5+612.86 грн
10+514.73 грн
50+430.01 грн
100+315.77 грн
250+309.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 2612479.pdf
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+503.54 грн
50+421.22 грн
100+307.66 грн
250+301.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 3177176.pdf
IPDD60R045CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+549.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 4015353.pdf
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2153.61 грн
5+2046.02 грн
10+1500.30 грн
50+1316.40 грн
100+1143.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 4265864.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2367.94 грн
5+2257.76 грн
10+2144.14 грн
50+1934.24 грн
100+1519.11 грн
250+1488.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b
IMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+419.19 грн
10+319.34 грн
100+267.70 грн
500+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R040M2HXTMA1 4265866.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1180.96 грн
5+1119.84 грн
10+1055.29 грн
50+938.35 грн
100+651.47 грн
250+638.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.63 грн
10+253.92 грн
100+221.21 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 4127743.pdf
IMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1627.69 грн
5+1508.04 грн
10+1387.54 грн
50+1266.85 грн
100+1091.19 грн
250+1028.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 4127743.pdf
IMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1387.54 грн
50+1266.85 грн
100+1091.19 грн
250+1028.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 4015356.pdf
AIMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.62 грн
5+795.34 грн
10+660.20 грн
50+541.91 грн
100+433.82 грн
250+433.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R050M2HXTMA1 4265867.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.16 грн
5+906.38 грн
10+853.87 грн
50+759.31 грн
100+527.52 грн
250+517.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 4265868.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.19 грн
5+580.15 грн
10+537.11 грн
50+465.98 грн
100+399.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b
AIMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2781.96 грн
5+2559.03 грн
10+1902.27 грн
50+1720.04 грн
100+1544.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 4015355.pdf
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1810.17 грн
5+1656.09 грн
10+1501.16 грн
50+1350.77 грн
100+1206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 4127744.pdf
IMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.69 грн
5+781.57 грн
10+683.44 грн
50+609.05 грн
100+537.85 грн
250+506.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 4098636.pdf
IPTC007N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+562.07 грн
10+384.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 4127744.pdf
IMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+683.44 грн
50+609.05 грн
100+537.85 грн
250+506.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 4015356.pdf
AIMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+660.20 грн
50+541.91 грн
100+433.82 грн
250+433.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 4015353.pdf
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2916.24 грн
5+2753.56 грн
10+2590.88 грн
50+2255.55 грн
100+1942.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 4015355.pdf
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1810.17 грн
5+1656.09 грн
10+1501.16 грн
50+1350.77 грн
100+1206.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+221.21 грн
500+195.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 4015354.pdf
AIMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2939.48 грн
50+2638.40 грн
100+2352.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 4098636.pdf
IPTC007N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+370.99 грн
100+271.14 грн
500+219.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b
IMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+267.70 грн
500+229.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXI 2309551.pdf
CY7C65213-28PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1441KV33-133AXI CYPR-S-A0011122642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1441KV33-133AXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5359.93 грн
5+5152.48 грн
10+4944.18 грн
25+4437.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.90 грн
500+34.37 грн
1000+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7111 download
CY7111
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7110 download
CY7110
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7112 Infineon-CY7112_EZ-PD_PMG1-S2_Prototyping_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f039dbb1b30&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7112
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7113 Infineon-EZ-PD_PMG1_MCU_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed9c72a6b3670
CY7113
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1813.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE 4092539.pdf
CY62137FV30LL-55ZSXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+642.98 грн
10+597.36 грн
25+576.71 грн
50+524.32 грн
100+397.67 грн
250+393.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM5IMZ120RSICTOBO1 3177356.pdf
EVALM5IMZ120RSICTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+48143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058
BSO201SPHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 3732201.pdf
IRFP4568PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.24 грн
10+360.66 грн
100+291.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 INFN-S-A0010753759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R099CFD7AXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.54 грн
5+406.28 грн
10+309.01 грн
50+281.34 грн
100+253.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3HOSA1 Infineon-FF300R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b63c5d4d
FF300R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11120.97 грн
5+10422.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12ME4BOSA1 Infineon-FF300R12ME4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a76a01c216c55
FF300R12ME4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12759.85 грн
5+11070.18 грн
10+9379.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3BOMA1 Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24
FP50R06W2E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3746.87 грн
5+3266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224
TLS205B0LDV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.76 грн
11+81.26 грн
50+72.48 грн
100+59.71 грн
250+51.79 грн
500+49.80 грн
1000+48.18 грн
2500+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5
TLS850F2TAV50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.81 грн
10+197.11 грн
25+181.62 грн
50+161.45 грн
100+142.39 грн
250+135.02 грн
500+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Eingangsspannung, max.: 28V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17392.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM818ATOBO1 Infineon-AN2018-35_EVAL-M1-IM818-A-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167bb2df0121ab1
EVALM1IM818ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15108.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13644ATOBO1 Infineon-EVAL-M1-36-44MA-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d43c779907ffc
EVALM13644ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7749.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_TOLT_DC36V_2KW-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887770003a49c0
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
euEccn: 3A225
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+61100.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 3999377.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.30 грн
500+112.70 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 3999377.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.72 грн
10+195.39 грн
100+140.30 грн
500+112.70 грн
1000+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+417.47 грн
10+332.25 грн
100+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+387.34 грн
100+333.97 грн
500+290.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
BSZ018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.52 грн
500+63.22 грн
1000+53.19 грн
5000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
BSZ018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.58 грн
10+108.46 грн
100+89.52 грн
500+63.22 грн
1000+53.19 грн
5000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 3920479.pdf
IPB018N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.87 грн
10+123.09 грн
100+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]