Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 379 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+739.96 грн
5+637.83 грн
10+535.71 грн
50+447.53 грн
100+328.64 грн
250+321.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+524.06 грн
50+438.38 грн
100+320.20 грн
250+314.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 IPDD60R045CFD7XTMA1 INFINEON 3177176.pdf Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+571.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015353.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2241.38 грн
5+2129.40 грн
10+1561.44 грн
50+1370.05 грн
100+1190.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON 4265864.pdf Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2464.44 грн
5+2349.77 грн
10+2231.52 грн
50+2013.07 грн
100+1581.02 грн
250+1549.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 IMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+436.27 грн
10+332.35 грн
100+278.60 грн
500+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R040M2HXTMA1 INFINEON 4265866.pdf Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.08 грн
5+1165.48 грн
10+1098.29 грн
50+976.59 грн
100+678.02 грн
250+664.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.08 грн
10+264.27 грн
100+230.23 грн
500+203.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4127743.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1694.02 грн
5+1569.50 грн
10+1444.08 грн
50+1318.47 грн
100+1135.66 грн
250+1070.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 IMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4127743.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1444.08 грн
50+1318.47 грн
100+1135.66 грн
250+1070.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 AIMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4015356.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+967.50 грн
5+827.75 грн
10+687.10 грн
50+563.99 грн
100+451.50 грн
250+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R050M2HXTMA1 INFINEON 4265867.pdf Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.17 грн
5+943.31 грн
10+888.67 грн
50+790.25 грн
100+549.02 грн
250+538.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 INFINEON 4265868.pdf Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.58 грн
5+603.79 грн
10+559.00 грн
50+484.97 грн
100+416.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2895.33 грн
5+2663.31 грн
10+1979.79 грн
50+1790.13 грн
100+1607.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 AIMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4015355.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1883.94 грн
5+1723.58 грн
10+1562.33 грн
50+1405.82 грн
100+1255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.54 грн
5+813.42 грн
10+711.29 грн
50+633.87 грн
100+559.77 грн
250+526.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON 4098636.pdf Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.98 грн
10+400.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+711.29 грн
50+633.87 грн
100+559.77 грн
250+526.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 AIMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4015356.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+687.10 грн
50+563.99 грн
100+451.50 грн
250+450.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015353.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3035.08 грн
5+2865.77 грн
10+2696.46 грн
50+2347.47 грн
100+2021.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 AIMDQ75R016M1HXUMA1 INFINEON 4015355.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1883.94 грн
5+1723.58 грн
10+1562.33 грн
50+1405.82 грн
100+1255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7 Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.23 грн
500+203.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON 4015354.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3059.27 грн
50+2745.92 грн
100+2447.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 IPTC007N06NM5ATMA1 INFINEON 4098636.pdf Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+386.10 грн
100+282.19 грн
500+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 IMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+278.60 грн
500+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXI CY7C65213-28PVXI INFINEON 2309551.pdf Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1441KV33-133AXI CY7C1441KV33-133AXI INFINEON CYPR-S-A0011122642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5578.35 грн
5+5362.46 грн
10+5145.67 грн
25+4618.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.69 грн
500+35.77 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7111 CY7111 INFINEON download Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7110 CY7110 INFINEON download Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7112 CY7112 INFINEON Infineon-CY7112_EZ-PD_PMG1-S2_Prototyping_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f039dbb1b30&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7113 CY7113 INFINEON Infineon-EZ-PD_PMG1_MCU_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed9c72a6b3670 Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1887.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE CY62137FV30LL-55ZSXE INFINEON 4092539.pdf Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.19 грн
10+621.71 грн
25+600.21 грн
50+545.69 грн
100+413.88 грн
250+409.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM5IMZ120RSICTOBO1 EVALM5IMZ120RSICTOBO1 INFINEON 3177356.pdf Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50105.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON 3732201.pdf Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.81 грн
10+375.35 грн
100+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 IPW65R099CFD7AXKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.06 грн
5+422.83 грн
10+321.60 грн
50+292.81 грн
100+264.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3HOSA1 FF300R12KE3HOSA1 INFINEON Infineon-FF300R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b63c5d4d Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11574.17 грн
5+10847.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12ME4BOSA1 FF300R12ME4BOSA1 INFINEON Infineon-FF300R12ME4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a76a01c216c55 Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13279.83 грн
5+11521.31 грн
10+9761.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3BOMA1 FP50R06W2E3BOMA1 INFINEON Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24 Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3899.56 грн
5+3399.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 TLS205B0LDV50XUMA1 INFINEON Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224 Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.35 грн
11+84.57 грн
50+75.43 грн
100+62.14 грн
250+53.90 грн
500+51.83 грн
1000+50.14 грн
2500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 TLS850F2TAV50ATMA1 INFINEON Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5 Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.44 грн
10+205.15 грн
25+189.02 грн
50+168.03 грн
100+148.20 грн
250+140.52 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Eingangsspannung, max.: 28V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18641.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM818ATOBO1 EVALM1IM818ATOBO1 INFINEON Infineon-AN2018-35_EVAL-M1-IM818-A-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167bb2df0121ab1 Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15724.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13644ATOBO1 EVALM13644ATOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-M1-36-44MA-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d43c779907ffc Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8065.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluation_board_EVAL_TOLT_DC36V_2KW-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887770003a49c0 Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
euEccn: 3A225
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63590.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON 3999377.pdf Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.02 грн
500+117.29 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON 3999377.pdf Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.88 грн
10+203.35 грн
100+146.02 грн
500+117.29 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+434.48 грн
10+345.79 грн
100+286.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+403.12 грн
100+347.58 грн
500+302.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.17 грн
500+65.80 грн
1000+55.36 грн
5000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+144.23 грн
10+112.88 грн
100+93.17 грн
500+65.80 грн
1000+55.36 грн
5000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.96 грн
10+128.10 грн
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 IPB018N06NF2SATMA1 INFINEON 3920479.pdf Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 INFINEON Infineon-Engineering_report_Lighting_ICs_LED_controlling_IC_60V_BCR602-AN-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016910d28e443f47 Description: INFINEON - DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 - Evaluationsboard, LED-Controller BCR602, DC/DC, 60V, 200mA, linear, universelle Beleuchtung
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BCR602
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 60V
Core-Chip: BCR602
Eingangsspannung, max.: 60V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1183.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4253GSXUMA4 INFINEON Infineon-TLE4253-DataSheet-v01_21-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13293e8c0da9 Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.46 грн
11+84.92 грн
50+76.86 грн
100+58.31 грн
250+50.60 грн
500+48.68 грн
1000+46.99 грн
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4253GSXUMA4 INFINEON Infineon-TLE4253-DataSheet-v01_21-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13293e8c0da9 Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.31 грн
250+50.60 грн
500+48.68 грн
1000+46.99 грн
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254GAXUMA4 TLE4254GAXUMA4 INFINEON Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.23 грн
13+73.55 грн
50+66.56 грн
100+50.33 грн
250+43.69 грн
500+41.92 грн
1000+39.08 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254GAXUMA4 TLE4254GAXUMA4 INFINEON Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6 Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 70mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280V
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.33 грн
250+43.69 грн
500+41.92 грн
1000+39.08 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS500151TADTOBO1 SHIELDBTS500151TADTOBO1 INFINEON Infineon-Protected_Switch_Shield_with_BTS50015-1TAD_for_Arduino-GS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef01583e4e1c0d1844 Description: INFINEON - SHIELDBTS500151TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50015-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS50015-1TAD
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50015-1TAD
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5639.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 2612479.pdf
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+739.96 грн
5+637.83 грн
10+535.71 грн
50+447.53 грн
100+328.64 грн
250+321.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 2612479.pdf
IPDD60R050G7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+524.06 грн
50+438.38 грн
100+320.20 грн
250+314.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 3177176.pdf
IPDD60R045CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+571.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 4015353.pdf
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2241.38 грн
5+2129.40 грн
10+1561.44 грн
50+1370.05 грн
100+1190.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R015M2HXTMA1 4265864.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2464.44 грн
5+2349.77 грн
10+2231.52 грн
50+2013.07 грн
100+1581.02 грн
250+1549.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b
IMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+436.27 грн
10+332.35 грн
100+278.60 грн
500+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R040M2HXTMA1 4265866.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.08 грн
5+1165.48 грн
10+1098.29 грн
50+976.59 грн
100+678.02 грн
250+664.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+369.08 грн
10+264.27 грн
100+230.23 грн
500+203.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 4127743.pdf
IMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1694.02 грн
5+1569.50 грн
10+1444.08 грн
50+1318.47 грн
100+1135.66 грн
250+1070.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R016M1HXUMA1 4127743.pdf
IMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1444.08 грн
50+1318.47 грн
100+1135.66 грн
250+1070.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 4015356.pdf
AIMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.50 грн
5+827.75 грн
10+687.10 грн
50+563.99 грн
100+451.50 грн
250+450.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R050M2HXTMA1 4265867.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.17 грн
5+943.31 грн
10+888.67 грн
50+790.25 грн
100+549.02 грн
250+538.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMLT65R060M2HXTMA1 4265868.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+648.58 грн
5+603.79 грн
10+559.00 грн
50+484.97 грн
100+416.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b
AIMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2895.33 грн
5+2663.31 грн
10+1979.79 грн
50+1790.13 грн
100+1607.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 4015355.pdf
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1883.94 грн
5+1723.58 грн
10+1562.33 грн
50+1405.82 грн
100+1255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 4127744.pdf
IMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+915.54 грн
5+813.42 грн
10+711.29 грн
50+633.87 грн
100+559.77 грн
250+526.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 4098636.pdf
IPTC007N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+584.98 грн
10+400.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R040M1HXUMA1 4127744.pdf
IMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+711.29 грн
50+633.87 грн
100+559.77 грн
250+526.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R040M1HXUMA1 4015356.pdf
AIMDQ75R040M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+687.10 грн
50+563.99 грн
100+451.50 грн
250+450.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 4015353.pdf
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pins
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3035.08 грн
5+2865.77 грн
10+2696.46 грн
50+2347.47 грн
100+2021.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R016M1HXUMA1 4015355.pdf
AIMDQ75R016M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1883.94 грн
5+1723.58 грн
10+1562.33 грн
50+1405.82 грн
100+1255.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R099CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8935b833b7
IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+230.23 грн
500+203.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 4015354.pdf
AIMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3059.27 грн
50+2745.92 грн
100+2447.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC007N06NM5ATMA1 4098636.pdf
IPTC007N06NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+386.10 грн
100+282.19 грн
500+228.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae203c577e8b
IMDQ75R140M1HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+278.60 грн
500+238.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65213-28PVXI 2309551.pdf
CY7C65213-28PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C65213-28PVXI - Interface-Brücken, USB zu UART, 3.15 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1441KV33-133AXI CYPR-S-A0011122642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C1441KV33-133AXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1441KV33-133AXI - SRAM, Synchroner SRAM, 36 Mbit, 1M x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 36Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3B991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5578.35 грн
5+5362.46 грн
10+5145.67 грн
25+4618.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.69 грн
500+35.77 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7111 download
CY7111
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7111 - Prototyping-Board, CYPM1111-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1111-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S1 Prototypenplatine CYPM1111-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7110 download
CY7110
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7110 - Prototyping-Board, CYPM1011-24LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1011-24LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S0 Prototypenplatine CYPM1011-24LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7112 Infineon-CY7112_EZ-PD_PMG1-S2_Prototyping_Kit_Release_Notes-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f039dbb1b30&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7112
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7112 - Prototyping-Board, CYPM1211-40LQXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1211-40LQXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S2 Prototypenplatine CYPM1211-40LQXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7113 Infineon-EZ-PD_PMG1_MCU_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed9c72a6b3670
CY7113
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7113 - Prototyping-Board, CYPM1311-48LDXI, USB-Mikrocontroller, Kurzanleitung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPM1311-48LDXI
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle und Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: PMG1-S3 Prototypenplatine CYPM1311-48LDXI, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: USB-Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1887.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62137FV30LL-55ZSXE 4092539.pdf
CY62137FV30LL-55ZSXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62137FV30LL-55ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 2 Mbit, 128K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+669.19 грн
10+621.71 грн
25+600.21 грн
50+545.69 грн
100+413.88 грн
250+409.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM5IMZ120RSICTOBO1 3177356.pdf
EVALM5IMZ120RSICTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM5IMZ120RSICTOBO1 - Evaluationsboard, MOSFET, Servomotor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: M5IMZ120RSIC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: MOSFET-Evaluationsboard für M5IMZ120RSIC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Servomotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+50105.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058
BSO201SPHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 3732201.pdf
IRFP4568PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4568PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 4800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.81 грн
10+375.35 грн
100+303.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R099CFD7AXKSA1 INFN-S-A0010753759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW65R099CFD7AXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+524.06 грн
5+422.83 грн
10+321.60 грн
50+292.81 грн
100+264.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3HOSA1 Infineon-FF300R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b63c5d4d
FF300R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 440 A, 1.7 V, 1.45 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.45kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.45kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 440A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11574.17 грн
5+10847.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12ME4BOSA1 Infineon-FF300R12ME4-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a76a01c216c55
FF300R12ME4BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1.6kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13279.83 грн
5+11521.31 грн
10+9761.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06W2E3BOMA1 Infineon-FP50R06W2E3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b455c99987d24
FP50R06W2E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06W2E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 65 A, 1.45 V, 175 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 175W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyPIM 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 65A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3899.56 грн
5+3399.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS205B0LDV50XUMA1 Infineon-TLS205B0V50-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969dadc094224
TLS205B0LDV50XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS205B0LDV50XUMA1 - LDO-FESTSP.REGL 5V 0.5A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSON-EP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.35 грн
11+84.57 грн
50+75.43 грн
100+62.14 грн
250+53.90 грн
500+51.83 грн
1000+50.14 грн
2500+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5
TLS850F2TAV50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850F2TAV50ATMA1 - LDO-FESTSP.REGLER 5V 0.5A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 70mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 70mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.44 грн
10+205.15 грн
25+189.02 грн
50+168.03 грн
100+148.20 грн
250+140.52 грн
500+135.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1
SPIDERPLUSMBEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPIDERPLUSMBEVALTOBO1 - Evaluationsboard, TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, 5V bis 28Vin, 28Vout, 0.5A, PWM
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 500mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Core-Chip: TLE75008-ESD, TLE75080-ESH, TLE75242-ESH, TLE75602-ESH, TLE75620-EST
Eingangsspannung, max.: 28V
Dimmsteuerung: PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: -
Eingangsspannung, min.: 5V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18641.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM1IM818ATOBO1 Infineon-AN2018-35_EVAL-M1-IM818-A-UserManual-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167bb2df0121ab1
EVALM1IM818ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1IM818ATOBO1 - Evaluationboard, CIPOS Maxi IPM, 1200V, 2.6kW, 3-Phasen-Motortreiberanwendungen
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IM818-MCC
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IM818-MCC
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15724.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM13644ATOBO1 Infineon-EVAL-M1-36-44MA-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d43c779907ffc
EVALM13644ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM13644ATOBO1 - EVALUATIONSBOARD, INTELL. LEISTUNGSMODUL
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRSM836-044MA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRSM836-044MA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Intelligentes Leistungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8065.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_TOLT_DC36V_2KW-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887770003a49c0
EVALTOLTDC36V2KWTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALTOLTDC36V2KWTOBO1 - Inverter-Power-Board, XMC1300, 3-Phasen-BLDC-Motortreiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: XMC1300
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Inverter-Power-Board XMC1300
euEccn: 3A225
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für BLDC- & PMSM-Drehstrommotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A225
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+63590.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 3999377.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+146.02 грн
500+117.29 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 3999377.pdf
IAUA180N10S5N029AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA180N10S5N029AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2300 µohm, HSOF-5-4, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: HSOF-5-4
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+284.88 грн
10+203.35 грн
100+146.02 грн
500+117.29 грн
1000+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+434.48 грн
10+345.79 грн
100+286.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+403.12 грн
100+347.58 грн
500+302.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
BSZ018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.17 грн
500+65.80 грн
1000+55.36 грн
5000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
BSZ018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0015 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.23 грн
10+112.88 грн
100+93.17 грн
500+65.80 грн
1000+55.36 грн
5000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 3920479.pdf
IPB018N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.96 грн
10+128.10 грн
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB018N06NF2SATMA1 3920479.pdf
IPB018N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 Infineon-Engineering_report_Lighting_ICs_LED_controlling_IC_60V_BCR602-AN-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016910d28e443f47
DEMOBCR60260VICTRLTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBCR60260VICTRLTOBO1 - Evaluationsboard, LED-Controller BCR602, DC/DC, 60V, 200mA, linear, universelle Beleuchtung
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BCR602
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 60V
Core-Chip: BCR602
Eingangsspannung, max.: 60V
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4253GSXUMA4 Infineon-TLE4253-DataSheet-v01_21-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13293e8c0da9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.46 грн
11+84.92 грн
50+76.86 грн
100+58.31 грн
250+50.60 грн
500+48.68 грн
1000+46.99 грн
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4253GSXUMA4 Infineon-TLE4253-DataSheet-v01_21-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a13293e8c0da9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4253GSXUMA4 - LDO-REG EINST 2V-45V 0.25A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 250mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280mV
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 250mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280mV
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.31 грн
250+50.60 грн
500+48.68 грн
1000+46.99 грн
2500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254GAXUMA4 Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254GAXUMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 45V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.23 грн
13+73.55 грн
50+66.56 грн
100+50.33 грн
250+43.69 грн
500+41.92 грн
1000+39.08 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4254GAXUMA4 Infineon-TLE4254-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f928c6663dc6
TLE4254GAXUMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4254GAXUMA4 - LDO-REG EINST. 2-45V 0.07A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 45V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 70mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 280V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 2V
Produktpalette: Adj 70mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 70mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: 45V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 2V
Dropout-Spannung Vdo: 280V
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 70mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 280V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.33 грн
250+43.69 грн
500+41.92 грн
1000+39.08 грн
2500+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS500151TADTOBO1 Infineon-Protected_Switch_Shield_with_BTS50015-1TAD_for_Arduino-GS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef01583e4e1c0d1844
SHIELDBTS500151TADTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500151TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50015-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS50015-1TAD
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50015-1TAD
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5639.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 374 375 376 377 378 379 380 381 382 383 384 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]